【課題】受光素子におけるアノード抵抗を低減し、分割された隣合うフォトダイオード間のリーク電流の発生を抑制する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。また、第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成され、分離領域（５５）で分離された複数の第２導電型の半導体層（５３Ａ，５３Ｂ）と、分離領域及び複数の第２導電型の半導体層を含む受光領域）６１）上に形成された反射防止膜（５７）を有する。さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 （もっと読む）

【課題】機能を損なうことなく工程数を削減して、低コストで、２種類以上の受光素子を有する半導体装置が得られる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】例えば、受光素子としてのフォトダイオードＰＤ−１に形成する引出し電極用の不純物拡散層（Ｐ型ウェル３２に形成される引出し電極用のＰ＋型不純物拡散層３５）と、受光素子としてのフォトダイオードＰＤ−２に形成する引出し電極用の不純物拡散層（Ｐ型ウェル４２に形成される引出し電極用のＰ＋型不純物拡散層４５）と、を形成する際、同時に、フォトダイオードＰＤ−１とフォトダイオードＰＤ−２とを電気的に分離する分離層（Ｐ＋型不純物拡散層５１）を同時に形成する。このため、本来必要であって、当該引出し電極及び分離層の一方を形成するための各工程（例えば、レジスト形成、その開口パターン形成、イオン注入等）が省略できる。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単で、近赤外域の光を波長によらず一様に透過することができ、安定して高い製造歩留りを得ることができる、近赤外イメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明の近赤外イメージセンサ１００は、波長１．２μｍ〜３μｍに受光感度をもつ受光素子アレイおよび信号読み出し回路のマルチプレクサを備え、筐体に収納されたセンサであって、真空封止されていて、筐体の本体部１の蓋部をなすリッド３が、波長１．２μｍ〜３μｍに透明な材料で形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを透過した長波長領域の光が有効に光電変換されるようにして、感度の向上を可能とする。
【解決手段】半導体層１１中に形成された光電変換部２１と、前記光電変換部で光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層１１に形成された信号回路部(図示せず)と、前記光電変換部を透過した光を前記光電変換部側に反射するもので前記光電変換部の光入射側とは反対側に形成された反射層４３とを備える。前記反射層４３は、前記半導体層１１の光の入射側とは反対側の上方に形成された配線層５３とは異なる層であって、前記半導体層１１と前記配線層５３との間の絶縁膜８１に形成された孔９３内に埋め込むように形成されている。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制しつつ、改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１ａは、半導体基板３と、半導体基板３の裏面側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、隣接するｐ型半導体領域５間の領域３７には、領域３７の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、隣接するｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びて改質領域５０が形成され、隣接する４つのｐ型半導体領域５に囲まれる領域３８には、改質領域５０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】取り扱う波長帯に応じてフォトダイオードのサイズを変更し、色毎の感度バランスを整えること。
【解決手段】本発明は、異なる波長に対応する複数の受光領域Ｂ、Ｒ、Ｇｂ、Ｇｒが配置される画素部１０と、画素部１０における複数の受光領域Ｂ、Ｒ、Ｇｂ、Ｇｒで取り扱う各波長での光照射のエネルギープロファイルに応じた大きさとなるよう複数の受光領域Ｂ、Ｒ、Ｇｂ、Ｇｒを区分けする素子分離部２０とを有する固体撮像装置１である。特に、波長が長い光に対応した受光領域ほど大きくなるよう設定するものである。 （もっと読む）

【課題】 混色が少なく、画素容量（飽和信号量）が大きく、かつ、残像が少ない固体撮像装置を提供すること。
【解決手段】 固体撮像装置は、第１導電型半導体基板１と、第１導電型半導体基板１上に形成された第２導電型半導体層２と、第１導電型半導体基板１とコンタクトするように第２導電型半導体層２内の下部側に選択的に形成された第１の第１導電型半導体領域３と、第１の第１導電半導体領域３およびその周囲の第２導電型半導体層２を含む画素領域を規定する、第１の第１導電型半導体領域３にコンタクトせずに第２導電型半導体層２を貫通する第１導電型画素分離領域６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】低電圧動作で高受光感度と高速応答性の実現が可能な受光素子を備えた光半導体装置を提供する。
【解決手段】第１導電型を有する第１半導体領域と、第１半導体領域上に設けられ、第２導電型を有する第２半導体領域とを備える。そして、素子分離領域により前記第１半導体領域および前記第２半導体領域と分離された半導体層の領域に設けられ、第１導電型を有する第３半導体領域と、前記半導体基板と前記第３半導体領域の間に設けられ、第１導電型を有する第４半導体領域とを備える。また、半導体基板と前記第１半導体領域とに跨って設けられ、その上部が前記第１半導体領域の所定の深さまで貫入し、第１導電型を有する第５半導体領域とを備える。そして、前記第２半導体領域と前記第３半導体領域の表面部に逆方向電圧を印加することによって電流信号の増幅動作を行う。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、基板の光入射面側の透明絶縁膜における光の透過率を向上させることができ、かつ、暗電流抑制機能と量子効率ロスの防止機能を備えた固体撮像装置を提供する。
【解決手段】受光部４が形成された半導体基板１の裏面には、酸化シリコン膜８と、窒化シリコン膜９が積層されている。酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の界面あるいは窒化シリコン膜９の膜中には、負電荷（電子）が蓄積されている。この負電荷により、半導体基板１において、裏面付近に正孔蓄積層１０が誘起される。酸化シリコン膜８は１５ｎｍ〜４０ｎｍの厚さであり、窒化シリコン膜９は２０ｎｍ〜５０ｎｍの厚さである。酸化シリコン膜８と窒化シリコン膜９の積層膜を用いた光の多重干渉効果により、酸化シリコン膜８を単独で用いた場合に比べて、入射光に対する透過率が向上する。 （もっと読む）

【課題】画素の寸法を微細化した場合でも、画素において、光電変換部の受光面積を確保しながら、寄生ＭＯＳトランジスタが動作することを防止する。
【解決手段】光電変換装置は、光電変換部と前記光電変換部により蓄積された信号を読み出すためのトランジスタとをそれぞれ含む複数の画素が配される撮像領域を有した半導体基板を備え、前記撮像領域には、隣接する前記画素の間で複数の前記光電変換部を電気的に分離する第１の素子分離部と、隣接する前記画素の間で複数の前記トランジスタを電気的に分離する第２の素子分離部とが配され、前記第１の素子分離部は、前記第２の素子分離部より平面方向の幅が狭くかつ深さが浅い部分を有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも受光感度が向上し高速応答できるフォトダイオード及びそれを備えた集積化受光素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード２０は、Ｎ型及びＰ型のうちの一方である第１の導電型の半導体基板１と、半導体基板１上に形成されＮ型及びＰ型のうちの他方である第２の導電型の半導体層２と、半導体層２に半導体基板１とは離間して形成された第１の導電型の第１の拡散層３と、半導体層２に半導体基板１及び第１の拡散層３とは離間して形成された第２の導電型の第２の拡散層４と、を有する。そして、半導体基板１，第１の拡散層３に外部から電圧Ｖｄｄ，Ｖｋを印加することにより半導体層２に空乏層６０を発生させる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板上にゲルマニウムを主成分とする半導体素子を形成する際に、バッファ層を薄くすることで段差を減らし、同一基板上にシリコン系半導体素子を混載することを容易にする。
【解決手段】 具体例を述べれば、バッファ層をゲルマニウム層とシリコン層の２層とし、シリコン層のみを溶融することでゲルマニウムの面内原子間隔を安定的に保持するバッファ層を形成し、その上にゲルマニウム層を形成することで転位密度等の結晶欠陥を低減する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの光子変換効率を高めたイメージセンサを提供する。
【解決手段】
イメージセンサ(100)であって、少なくとも、
−約1μmから1.5μmの間の厚さを有する半導体層(110)内に形成される、CMOSタイプのフォトダイオード(112)及びトランジスタ(114)と、
−互いに及び/又は前記CMOSのフォトダイオード及び/又はトランジスタに電気的に接続する、電気的相互接続層(122a、122b)が内部に形成される誘電層(116)であって、当該誘電層は、外部からセンサによって受光される光を入れることを目的とする半導体層の第2の面とは反対側の半導体層の第1の面に接触して配置される誘電層(116)と、
−誘電層内で、フォトダイオードに対向して配置され、センサによって受光される光の少なくとも一部をフォトダイオードの方へ反射させることができる、光反射手段(122b)と、
を備えている、イメージセンサ(100)。 （もっと読む）

【課題】可視光帯域の光成分の輝度を測定する半導体装置及びその製造方法において、製造コストの低減を図る。
【解決手段】半導体基板１０に第１の受光素子１３Ａ及び第２の受光素子１３Ｂを形成する。次に、第１の受光素子１３Ａが検出した光に応じた電流値（即ち光に対する相対感度を示す電流値）と、第２の受光素子１３Ｂが検出した光に応じた電流値（即ち光に対する相対感度を示す電流値）との差分を算出する演算回路５０を形成する。次に、第１の受光素子１３Ａを覆って、緑色帯域と赤外線帯域の光成分を透過する第１の緑色透過フィルタ１５Ａを形成し、第２の受光素子１３Ｂを覆って、第１の緑色透過フィルタ１５Ａと同様の第２の緑色透過フィルタ１５Ｂを形成する。さらに、第２の受光素子１３Ｂを覆う第２の緑色透過フィルタ１５Ｂを覆って、赤色帯域と赤外線帯域の光成分を透過する赤色透過フィルタ１６を形成する。 （もっと読む）

【課題】照度センサの受光素子の小型化を図る。
【解決手段】第１導電型半導体基板３の表面側４に、第２導電型ウェル領域５と、このウェル領域５内に第１導電型領域７と第２導電型領域６とを有する第１フォトダイオード２ａと第２フォトダイオード２ｂとを備えた照度センサであって、第１フォトダイオード２ａ上に第１の絶縁膜部分１１ａと、第２フォトダイオード２ｂ上に第１の膜より厚い第２の絶縁膜部分１１ｂとを有し、第１の絶縁膜部分１１ａを貫通して第１フォトダイオード２ａの第１導電型領域７に接続する第１電極１３ａと、第１の絶縁膜部分１１ａを貫通して第１フォトダイオードの第２導電型領域に接続する第２電極と、第２の絶縁膜部分を貫通して第２フォトダイオード２ｂの第１導電型領域７に接続する第３電極１３ｄと、第２の絶縁膜部分１１ｂを貫通して第２フォトダイオード２ｂの第２導電型領域６に接続する第４電極１３ｃと、を設ける。 （もっと読む）

【課題】１つのチップサイズパッケージ内に含まれる複数の受光素子によって、それぞれ、異なる帯域の光成分を測定する。
【解決手段】１つのチップサイズパッケージを構成する半導体基板１０に、第１の受光素子ＰＤ１及び第２の受光素子ＰＤ２が形成されている。第１の受光素子ＰＤ１は、アモルファスシリコン層からなるシリコン薄膜１５に覆われている。シリコン薄膜１５は、可視光帯域の光成分を除去する膜厚を有している。これにより、第１の受光素子ＰＤ１は、可視光帯域以外の光成分を検出する。一方、第２の受光素子ＰＤ２は、可視光帯域から赤外線帯域に至る光成分を検出する。 （もっと読む）

【課題】１．７μｍを超える波長域に受光感度をもち、暗電流の低いＩｎＧａＡｓ受光素子アレイ、その製造方法およびそのＩｎＧａＡｓ受光素子アレイを用いた検出装置を提供する。
【解決手段】Ｉｎ組成が０．５３を超えるＩｎＧａＡｓ受光層３と、ＩｎＧａＡｓ受光層に接して位置し、全厚みまたは基板と逆側の厚み部分がｐ型のＩｎＡｓＰ窓層４と、ｐ型ＩｎＡｓＰ窓層からＩｎＧａＡｓ受光層内に届き、受光素子の受光領域を取り囲むようにｎ型不純物を導入して形成したｎ型分離領域１９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画素を構成する光電変換部において、各色のピーク感度を落とさずに、半導体中での混色を低減できる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】所要の色光の光電変換部２３Ｇ上に絶縁膜２５を介して短波長側の光を吸収する吸収膜２８が形成された画素を有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を低下させることなく、暗電流を抑制することができる光電変換素子、光電変換素子の製造方法及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１０１，１０４間に配置された光電変換層１０２と、電極１０１，１０４と光電変換層１０２との間に形成された電荷ブロッキング層１０５とを備え、電荷ブロッキング層１０５の表面の平均粗さが２．０nm以下とする。または、電荷ブロッキング層１０５のＸ線回折スペクトルにおいて回折ピークが現れない、もしくはその中で最大となる回折ピークの半値幅が５°以上とする。 （もっと読む）

【課題】高解像度および高精細な画像に必須の微細なセルサイズであっても、高角度（広角）入射可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】入射光を受光する単位画素が二次元状に複数配置された固体撮像素子１００は、入射光の波長と同程度かそれよりも短い幅で同心形状に分割された第１の光透過膜を有し、当該第１の光透過膜の分割により凸レンズ型の実効屈折率分布を有する分布屈折率型レンズ１と、入射光の伝搬方向に対し分布屈折率型レンズ１と直列に配置され、入射光の波長と同程度かそれよりも短い幅で同心形状に分割された第２の光透過膜からなり、当該第２の光透過膜の分割により凹レンズ型の実効屈折率分布を有する分布屈折率型レンズ３とを備える。 （もっと読む）