【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光装置を提供する。
【解決手段】受光素子アレイ１０と、信号入力部および該信号入力部を経由する信号を受ける本体部を有するマルチプレクサとを備え、受光素子アレイ１０において、受光素子Ｓの間に位置するモニタ受光部Ｍを備え、いずれも、各自ｐｉｎ型フォトダイオードを形成し、モニタ受光部および受光素子の電極は各別に信号入力部に接続され、該信号入力部において、受光素子からの直の信号は、モニタ受光部からの直の信号に基づいてゲイン制御またはオンオフ制御されて、本体部へ出力される。 （もっと読む）

【課題】近赤外域〜遠赤外域にわたって高い受光感度を持ち、製造が容易であり、安定して高品質が得られる、受光デバイス、半導体エピタキシャルウエハ、これらの製造方法、および検出装置を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板と、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板の上に位置し、（ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ）が繰り返し積層された多重量子井戸構造の受光層３とを備え、ＩＩＩ−Ｖ族半導体基板がＩｎＡｓ基板１であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガードリングを比較的小さくする。
【解決手段】フォトダイオードは、アバランシェダイオードを構成する中央部１０と、該中央部を隣接する中央部から隔離するガードリング部１２と、を含む。そして、中央部１０または前記ガードリング部１２に外部から所定の元素を導入して拡散する。例えば、中央部１０に炭素を導入する。これによって、中央部１０とガードリング部１２とのイオン化率の差がより大きくなるようにイオン化率を変化させる。 （もっと読む）

【課題】被写体から反射した可視光に基づく可視画像の撮影と赤外光に基づく赤外画像の撮影とを同時に行うことのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内１にはＲ光検出光電変換部３ｒ、Ｇ光検出光電変換部３ｇ、Ｂ光検出光電変換部３ｂが二次元状に配列される。基板１内の各光電変換部の上方には、一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３間に設けられた光電変換膜１２とを含む光電変換部が形成される。光電変換膜１２は、可視域と赤外域を併せた範囲における吸収スペクトルの吸収ピークを赤外域に持ち、吸収した光に応じた電荷を発生する有機光電変換材料を含んで構成され、全体として可視域の光を５０％以上透過する。電極１３上方には、基板内の各光電変換部に対応してカラーフィルタ１３ｒ，ｇ，ｂが設けられる。 （もっと読む）

【課題】光感度を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１ａは、柔軟性を有し、可視光に対して透明な透明基板１２と、透明基板上に設けられる透明電極１４と、透明電極の透明基板と接している面の反対側の一部に設けられる有機半導体層１６と、有機半導体層の透明電極と接している面の反対側の表面の上方に設けられる反射層７１とを備える。 （もっと読む）

【課題】光の感度を向上させた光電変換素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体基板１０１と、半導体基板１０１内に形成されたウェル領域１０２と、ウェル領域１０２内に形成された受光部を有し、受光部は第一の半導体領域１０３と第二の半導体領域１０４を有し、第二の半導体領域１０４は第一の半導体領域１０３よりも半導体基板１０１の表面側に位置し、第二の半導体領域１０４の禁制帯幅は、第一の半導体領域１０３の禁制帯幅よりも広いことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】視感度に近い分光感度特性を有し、回路規模が小さい照度センサ、およびこの照度センサを用いた表示装置を提供する。
【解決手段】電流出力回路（２１）は、第１受光素子（ＰＤ１）に流れる第１電流（Ｉｉｎ１）をアナログ‐デジタル変換する第１アナログ‐デジタル変換回路（ＡＤＣ１）のビットストリーム信号（ｃｈａｒｇｅ１）を用いて第１電流（Ｉｉｎ１）に応じた電流（Ｉｉｎ１×α）を出力し、第２アナログ‐デジタル変換回路（ＡＤＣ２）は、第２受光素子（ＰＤ２）に流れる第２電流（Ｉｉｎ２）から電流（Ｉｉｎ１×α）を減算した第３電流（Ｉｉｎ２-Ｉｉｎ１×α）を入力されてアナログ‐デジタル変換する。 （もっと読む）

【課題】垂直に積層したセンサーを含む感光性センサー群を提供する。
【解決手段】第１の極性を有する半導体基板上に形成されたセンサー群は、少なくとも２つの垂直積層センサーで、センサーの各々は、異なるスペクトル感度を持ち、フォトダイオードとして機能するためにバイアスすることが可能であり、また第２の極性を持つ半導体材料のキャリア収集層を含み、フォトダイオードとして機能するためにバイアスされる時第２の極性の光励起キャリアを収集するように作られることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】著しく時間分解能を向上可能なフォトダイオードアレイを提供することを目的とする。
【解決手段】 このフォトダイオードアレイ１０は、それぞれのアバランシェフォトダイオードＡＰＤに対して直列に接続されたクエンチング抵抗７と、複数のアバランシェフォトダイオードＡＰＤが形成された領域を囲む外周配線ＷＬと、外周配線ＷＬに電気的に接続され、外周配線ＷＬの少なくとも２箇所間をそれぞれが接続する複数の中継配線８とを備えている。個々のアバランシェフォトダイオードＡＰＤのアノード及びカソードの一方は、クエンチング抵抗７を介して、中継配線８のいずれかに電気的に接続され、個々のアバランシェフォトダイオードＡＰＤのアノード及びカソードの他方は、半導体基板に設けられた別の電極６に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ｎ型不純物を導入した表面の荒れを抑制できる半導体ウエハおよび半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ１０は、ＧａＳｂ基板１２と、ＧａＳｂ基板１２上に形成されたＧａＳｂを含む層と、ＧａＳｂを含む層上に形成されたＩｎＡｓ層とを備え、ＩｎＡｓ層のＧａＳｂ基板１２と反対側の最表面１７ａにおいて全構成元素に対するＳｂの組成が３％以下である。半導体装置は、半導体ウエハ１０と、半導体ウエハ１０の最表面１７ａ上に形成された電極とを備えている。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく且つ高ゲインを確保できる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ１は、フォトダイオードＰＤ１と、ダミーフォトダイオードＰＤ２と、フォトダイオードＰＤ１およびダミーフォトダイオードＰＤ２の出力電流をそれぞれ電圧に変換するダイオードＤ１，ＰＤ２と、変換された電圧を差動演算する差動増幅器とを備えている。ダミーフォトダイオードＰＤ２は、フォトダイオードＰＤ１のリーク電流を受ける位置に配置され且つ遮光されている。ダミーフォトダイオードＰＤ２にリーク電流が流れることにより、ダイオードＤ２の電位が持ち上がるので、フォトダイオードＰＤ１側とダミーフォトダイオードＰＤ側との電位差が抑えられて、光センサ１の誤動作を抑制できる。また、フォトダイオードへＰＤ１の光入射時には、ダイオードＤ１により高ゲインが得られる。しかも、電流補償をすることなく特性を改善できるので、回路規模は増大しない。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】光電変換部での飽和の可能性を低減して光電変換部の小型化を可能にし、全体としてのサイズの小型化を可能にする。
【解決手段】分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂとが障壁制御電極１４ｃを挟んで配置される。分離電極１４ａと蓄積電極１４ｂと障壁制御電極１４ｃとに正極性の電圧が印加されてウェル１２にポテンシャル井戸が形成された状態で光照射による電子が集積される。その後、障壁制御電極１４ｃに印加された電圧に応じて形成されるポテンシャル障壁の高さが調節されることにより、規定した一定量の不要電荷が電荷分離部で分離される。電子の集積と不要電荷の分離とが複数回繰り返された後、蓄電電極１４ｂに対応して形成された電荷蓄積部に流れ込んだ有効電荷が受光出力として取り出される。 （もっと読む）

【課題】 Ｓｂ含有層を備えながら、結晶性に優れたＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体のエピタキシャルウエハ、半導体素子、およびこれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエピタキシャルウエハの製造方法は、気相成長法によって、基板１の上に、ＧａＡｓＳｂ層３ａとＩｎＧａＡｓ層３ｂとを交互に繰り返し成長する工程を備え、ＧａＡｓＳｂ層の成長の際、該ＧａＡｓＳｂ層のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_１と、供給している原料ガス（気相）のＶ族中のＳｂモル分率ｘ_２とが、０．７５≦（ｘ_１／ｘ_２）≦１．２０、を満たすように、基板温度を設定し、かつ原料ガスを供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光素子の出力信号に外乱出力が含まれることが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板の一面側に、光を電気信号に変換する受光素子が複数形成され、半導体基板における受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して、透光用の開口部が形成された光センサであって、ある受光素子に対応する開口部から入射した光が、それと隣接する受光素子に入射することを妨げる遮光部を有し、遮光部は、互いに隣接する開口部の対向領域を跨ぐように、透光膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光の左右比が飽和することが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板に複数の受光素子が形成され、受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して透光用の開口部が形成されている。上記形成面に沿う仮想直線に対して線対称となるように、一対の受光素子が半導体基板に形成され、これら一対の受光素子に対応する一対の開口部が、仮想直線に対して線対称となるように遮光膜に形成されており、一対の受光素子それぞれは、仮想直線の一方から他方に向って、中央がへこんだ凹形状を成し、その横幅が、一端から他端に向うにしたがって太くなっている。そして、形成面に交差する光によって、形成面に投影した、一対の開口部それぞれの少なくとも一部が、対応する受光素子、及び、その受光素子の両端を結ぶ線によって囲まれた領域に位置する。 （もっと読む）

【課題】センサアレイ基板、これを含む表示装置およびこれの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態によるセンサアレイ基板は、基板と、前記基板上のゲート配線およびデータ配線が交差して定義される複数の画素領域および前記複数の画素領域上に形成される複数の第１センサ部および複数の第２センサ部を含み、前記複数の第１センサ部は赤外線波長帯の光を感知し、前記複数の第２センサ部は可視光線波長帯の光を感知し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第１センサ部は第１ユニットを形成し、前記データ配線方向に隣接して配置された２個の第２センサ部は第２ユニットを形成し、前記第１ユニットと前記第２ユニットが前記データ配線方向およびゲート配線方向に交互に配置される。 （もっと読む）

【課題】情報保持期間が長く、任意の基板上に容易に作製できるＴＦＴを、光メモリ素子として動作させるための駆動方法と、該駆動方法で駆動される光電子装置を提供する。
【解決手段】チャネル層と、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、ソース電極・ドレイン電極と、を有する光電子素子の駆動方法であって、チャネル層に外部から所定の波長を有する光を照射する第１の工程と、ゲート電極とソース電極との間に所定の符号の電圧を印加する第２の工程と、を含み、第１の工程と、第２の工程とにより光電子素子の電流−電圧特性が変化し、その変化の符号が互いに逆になるように駆動することを特徴とする光電子素子の駆動方法。 （もっと読む）

【課題】電極に電圧を印加するタイプの有機光電変換素子を備える固体撮像素子において、中間準位からの電荷（電子，正孔）の光電変換層への注入を抑制して、暗電流を効果的に減少させること。
【解決手段】
電極２０４と光電変換層２００との間に、複数層（２０２ａ，２０２ｂ）からなる電荷ブロッキング層２０２が設けられる。各層２０２ａ，２０２ｂを有機材料とすることで、電荷ブロッキング層２０２の均質性を向上させることができ、ブロッキング性能を向上させることができる。また、各層２０２ａ，２０２ｂを異なる材料で構成することで、各層の中間準位を介した電荷の移動が起こりにくくなり、電荷ブロッキング性能が向上する。 （もっと読む）