【課題】 受光感度を向上させることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成されるウェル領域１２と、ウェル領域１２内に形成されるフォトダイオード層２１と、ウェル領域１２上のフォトダイオード層２１に隣接し、ゲート酸化膜１７と半導体材料１８との積層構造である読み出しゲート電極１５と、読み出しゲート電極１５の側部に形成されるドレイン層２０を備える。そして、フォトダイオード層２１側の半導体材料１８の一部が、ドレイン層２０側の半導体材料１８の一部よりも薄いことを特徴としている。 （もっと読む）

本発明は、イメージセンサの画素で充填率をより高めるために、画素内部のフィールド酸化膜の一部領域または全領域をフォトダイオードとして使えるようにするものである。本発明のイメージセンサの画素は、半導体基板の内部に埋め込まれて形成されたフォトダイオードと、フォトダイオードの前記形成後に形成された画素トランジスタと、を含む。本発明のイメージセンサの画素は、画素トランジスタと、画素トランジスタを分離するフィールド酸化膜と、フィールド酸化膜の一部面積または全面積の下部に位置するフォトダイオードと、を含む。本発明のイメージセンサの画素の製造方法は、（ａ）半導体基板の所定の領域にトレンチを形成するステップと、（ｂ）前記トレンチ領域の少なくとも一部分を含むフォトダイオードを形成するステップと、（ｃ）前記フォトダイオードの前記形成後に、画素トランジスタを形成するステップと、を含む。本発明によれば、フォトダイオードの表面積が広がって、充填率が向上し、光感度を向上することができ、イメージセンサの単位画素でトランジスタが形成される領域を除いては、全てフォトダイオード領域となり、充填率が最大化する。
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【課題】 ４分割光検出器において、素子分離構造の形成工程が複雑である。
【解決手段】 区画毎のＰＩＮフォトダイオード（ＰＩＮ−ＰＤ）の共通のアノードとなるＰ-sub層８０の上に、ＰＩＮ−ＰＤのｉ層となる高比抵抗のエピタキシャル層８２を成長させる。区画６２境界に、基板表面からのイオン注入によって、ｐ^＋領域である分離領域６４を形成する。各区画毎に形成したカソード領域６６と、Ｐ-sub層８０とを逆バイアスしてＰＩＮ−ＰＤを機能させる際、分離領域６４はＰ-sub層８０と共に接地電位とされアノードとなる。その結果、分離領域６４とＰ-sub層８０とに挟まれた位置のエピタキシャル層８２には、電子に対する電位障壁が形成される。これにより、各区画にて光の吸収で発生した電子が隣接する区画へ移動することが防止され、素子分離が実現される。 （もっと読む）

【課題】 複数のフォトダイオードを組み合わせて所望の分光感度特性を実現可能な受光装置を提供する。
【解決手段】 受光装置１００において、複数のフォトダイオード１０は、同一の半導体基板３０上に平面的に配置され、分光感度特性が異なるように設計される。フォトダイオード１０は、それぞれ異なる濃度、深さのプロファイルを有する拡散層を用いて形成される。フォトダイオード１０は、異なる位置に平面的に配置され、アノード電極５０およびカソード電極５２は、独立に設けられている。各フォトダイオード１０に流れる光電流Ｉｐは、合成回路により合成される。 （もっと読む）

【課題】 赤外域の光に対して高い感度を有する固体撮像装置において、その空乏化領域の深さの低減化を図ることができるようするものである。
【解決手段】 シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】 電荷蓄積領域の実効面積を犠牲にすることなく単位画素の微小化を可能とする固体撮像素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に所定の開口を有するハードマスクを形成する工程と、前記基板に前記開口側に一部延長し、該延長部分が主要部分と異なる不純物濃度を有する前記画素を構成する第１導電型の電荷蓄積領域を形成する工程と、前記電荷蓄積領域の延長部分の、少なくとも一部の第１導電型不純物濃度を、前記電荷蓄積領域の主要部分の形成とは独立に制御する工程と、前記開口下に形成された前記拡散層に接するように、前記開口内に前記絶縁膜を形成する工程とによって固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】
半導体受光装置におけるフォトダイオードを分割する領域での受光感度の低下を抑制する。
【解決手段】
複数のフォトダイオード部２−１、２−２と、分離部２１とを具備する半導体受光装置を用いる。複数のフォトダイオード部２−１、２−２は、半導体基板１０上に設けられ、受光した光を電気に変換する。分離部２１は、複数のフォトダイオード部２−１、２−２を互いに電気的に分離する。分離部２１は、表面部分の不純物濃度が、第１濃度以下である。第１濃度は、青紫レーザ光以上の波長に対する分離部２１の受光感度が、複数のフォトダイオード部２−１、２−２の各々における受光感度に概ね等しくなる濃度である。 （もっと読む）

【課題】開口部を形成してもリークの原因となるダメージを与えることなく、短絡せずにフォトダイオードを構成することができる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層（１０，１１）の主面に第２導電型の第２半導体層（１２，１６）が形成され、少なくとも上記第２半導体層において形成された素子分離領域（１３，１４，１５，１７）が形成されて複数のフォトダイオードの領域（ＰＤ１〜ＰＤ４）に分離されており、複数のフォトダイオード全体に対する外周部において第２半導体層（１６）に接続し、個々のフォトダイオード毎に分割されたパターンで、第２半導体層（１６）の上層に導電層１８が形成されており、導電層１８を被覆して全面に絶縁層（１９，２１）が形成されており、導電層１８のパターンより内側の領域において絶縁層（１９，２１）に第２半導体層（１６）に達する開口部が形成されている構成とする。 （もっと読む）

【課題】 複数の受光素子による受光感度を同程度にし、かつ、不要な波長帯域の光強度をほぼ同じ状態にして演算回路で除去することにより、カラーイメージセンサや可視光の照度センサとし得るように所望の波長での光強度を正確に検出することができる受光素子を有する集積回路を提供する。
【解決手段】 ｐ型の半導体基板１上にほぼ均一な厚さのｎ型半導体層２が設けられ、そのｎ型半導体層２の異なる場所に、ｎ型半導体層２の表面から複数個（第１〜第３）のｐ型領域３１〜３３が異なる深さで設けられることにより、複数個（第１〜第３）の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３が形成されている。そして、複数個の受光用ｐｎ接合ダイオードＤ１〜Ｄ３の検出電流を演算することにより異なる深さのｐｎ接合に対応する波長の光を検出する演算回路が半導体基板１上に形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流や白キズの発生を従来に比べて低減すると共に、フォトダイオードの飽和電荷量の向上をも図り得る固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】受光部１５が形成された半導体基板１を備える固体撮像装置である。受光部１５は、半導体基板１に形成されたｐ型の第１不純物領域（表面反転層）６と、表面反転層６の下に形成されたｎ型の第２不純物領域（光電変換領域）４とを有している。光電変換領域４は、半導体基板１にｎ型の不純物を導入して形成する。表面反転層６は、半導体基板１の光電変換領域４が形成された領域に、インジウムを導入して形成する。 （もっと読む）

【課題】受光部と、信号処理回路部とを備えた受光素子において、信号処理回路部の最表面に形成された遮光膜を配線として利用し、高性能かつ低コストの受光素子を提供する。
【解決手段】本発明の受光素子には、光ディスク（不図示）からの戻り光を受ける受光部１００、信号処理回路部２００、ボンディングパッド部３００などが形成されている。信号処理回路部２００には、各種トランジスタや配線８、１０などが配置されて、その上に保護膜としてＳｉＮ膜１１が全面に形成されている。ＳｉＮ膜の上にはさらに、Ａｕ／Ｔｉ層１３が形成されている。Ａｕ／Ｔｉ層１３は、遮光膜の役割を果たすとともに、スルーホール１２を介して配線１０と電気的に接続され、配線の一部あるいはボンディングパッドの一部として機能する。 （もっと読む）

【課題】 電荷蓄積領域から電荷を出力する際の電荷転送特性の改善と電荷蓄積時の暗電流発生の抑制を両立する。
【解決手段】 電荷蓄積領域の空乏化電圧を０から電源電圧／２（Ｖ）の範囲で形成し、電荷転送期間中の転送ＭＯＳトランジスタのゲート電位を電源電圧／２から電源電圧（Ｖ）の範囲で形成し、電荷蓄積期間中の転送ＭＯＳトランジスタのゲート電位を−（電源電圧／２）から０（Ｖ）の範囲で形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 優れた感度（ｓｅｎｓｉｔｉｖｉｔｙ）を有するイメージセンサを提供する。
【解決手段】 本発明のイメージセンサは半導体基板上に形成された活性画素アレイ領域のメイン画素アレイ領域を備えている。前記センサ上部にパッシベーション膜が形成され、前記パッシベーション膜は少なくとも前記メイン画素アレイ領域のすべてを露出させる。その結果、前記メイン画素アレイ領域上で前記パッシベーション膜による光吸収率及び屈折率を取り除いてイメージセンサの光感度を改善させる。 （もっと読む）

特に、埋め込まれた領域（２０）と、埋め込まれた領域（２０）に通じる端子領域（３２）とを含む集積されたピンフォトダイオードを製造する方法に関する説明が与えられる。本発明による製造方法は、１つの伝導型のドーピングされた領域（２０）を生成するステップと、基板から遠いドーピングされた領域（４２）を生成するステップと、中間領域（３０）を生成するステップと、少なくとも１つの導電性端子領域（３２）を生成するステップとを含む。本製造方法は、ピンフォトダイオード（１４）が単純な方法で集積されることを可能にする。さらに、ピンダイオードを製造するプロセスステップはまた、遮蔽ウェル（２２、５６）を製造するためにも利用され得る可能性がある。
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付随するひずみシリコン層を備えるピクセルセルを有するイメージャである。ひずみシリコン層は電荷転送効率を増大し、残像を減少し、撮像デバイスにおける青感度を改善する。
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