【課題】複数の光電変換層が積層された構造であって微細加工に有利な構造を有する固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１の色の光を光電変換する有機物の第１の光電変換層と、無機物の第２の光電変換層と、前記第１の光電変換層に沿った方向において前記第２の光電変換層に隣接して配された無機物の第３の光電変換層と、前記第１の光電変換層を通過した光のうち第２の色の光を選択的に前記第２の光電変換層へ導くように、前記第１の光電変換層と前記第２の光電変換層との間に配された無機物の第１のフィルターと、前記第１の光電変換層を通過した光のうち第３の色の光を選択的に前記第３の光電変換層へ導くように、前記第１の光電変換層と前記第３の光電変換層との間に配された無機物の第２のフィルターとを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板と変換素子と間にスイッチ素子と導電線とを備える検出装置において、変換素子とスイッチ素子又は導電線との間で生じる寄生容量を低減する。
【解決手段】基板１０１と、複数の電極を有するスイッチ素子１０９と、スイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７と電気的に接合する導電線１０２と、スイッチ素子１０９及び導電線１０２の上方に成膜されて配置されており、２つの電極１１４、１１６の間に配置された半導体層１１５を有し、２つの電極１１４、１１６のうちの一方の電極１１４はスイッチ素子１０９の複数の電極のうちの第１の電極１０７とは異なる第２の電極１０６と電気的に接合する変換素子１１７と、を含む検出装置１００が提供され、変換素子１１７の一方の電極１１４と、スイッチ素子１０９の第１の電極１０７又は導電線１０２との間に空間１２０が存在する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、近赤外域に高い受光感度を持つ、受光素子アレイ等、光学センサ装置、および受光素子アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】 受光素子アレイ５５は、ＩｎＰ基板１上に位置するｎ型バッファ層２と、タイプ２型のＭＱＷからなる受光層３と、受光層の上に位置するコンタクト層５と、受光層３を経てｎ型バッファ層２に至るｐ型領域６とを備え、選択拡散によるｐ型領域は、隣の受光素子におけるｐ型領域とは、選択拡散されていない領域により隔てられており、ｎ型バッファ層内において、ｐ型領域のｐ型キャリア濃度と該バッファ層のｎ型キャリア濃度との交差面がｐｎ接合１５を形成していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】波長が長い光に対しても受光感度を上げると共に、簡単なプロセスで安価に形成することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ型シリコン半導体基板２とｎ型シリコン半導体３との接合部に生じる空乏領域に入射した光を光電変換する撮像素子１において、ｎ型シリコン半導体３が、ｐ型シリコン半導体基板２の内部に、当該ｐ型シリコン半導体基板２の面方向、且つ光の入射方向に沿って長手方向に延在して複数配設されて形成される。また、入射光の侵入長に対応させた位置、及び長さでｎ型シリコン半導体３を複数配設することで、侵入長に応じた色の光を個々に光電変換することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換層を備える光電変換素子の光電変換効率を動作初期から長期間高く維持できるようにする。
【解決手段】第１電極１１と第２電極１５との間に、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とを混合して含む有機光電変換層１２を備える。好適には、有機光電変換層１２は、有機光電変換色素と、フラーレン又はフラーレン誘導体と、フラーレン重合体とをバルクヘテロ構造で備える。 （もっと読む）

【課題】 軽量で信頼性が高く、紫外線から赤外線までの広い波長帯域に感度を有する広波長帯域光検出器アレイを安価に提供する。
【解決手段】 シリコンオンサファイア（SOS)上に読み出しIC（ROIC)と紫外または青色受光素子を形成し、化合物半導体基板上に赤色・赤外受光素子を形成し、両者の電極同士を貼り合わせる。異なった波長に対応する同一光路上の複数の光検出器の出力を独立にかつ同時に検出することにより、スペクトル情報を位置ずれ、時間ずれなしに取得する。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 クロストークの発生を良好に抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射
線検出装置を提供する。
【解決手段】 ｎ型半導体基板５には、その表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換部の面積を増加させることなく、分光感度特性のリップルを低減させ、かつ出力感度を向上させることのできる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、Ｎ型領域１３とＰ型領域１４を有し、受光面のＰ型領域１４上に屈折率が均一な透明絶縁膜１５が形成され、フォトダイオードＰＤ２は、フォトダイオードＰＤ１と画素開口部およびＮ型領域１３とＰ型領域１４を共有し、受光面のＰ型領域１４上に透明絶縁膜１５および透明絶縁膜１５とは屈折率が異なる透明絶縁膜１６を有し、電荷読み出し部３は、フォトダイオードＰＤ１およびフォトダイオードＰＤ２に共通に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、生体成分を高感度で検出することができる生体成分検出装置を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、生体成分検出装置は、波長３μｍ以下の生体成分の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をする。 （もっと読む）

【課題】 接合バンプで接続されたハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、画素不良をなくし、経済性に優れ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】受光素子が複数配列されたフォトダイオードアレイ５０とＣＭＯＳ７０とを備え、フォトダイオードアレイの電極１１とＣＭＯＳの電極７１とが、接合バンプ９，７９を介在させて接合され、接合バンプ９，７９は、電極に接して位置する基部バンプ層９ａ，７９ａと、該基部バンプ層上に位置する、該基部バンプ層よりも、融点が低くかつ柔らかい金属からなる融合バンプ層９ｂ，７９ｂとを有し、該融合バンプ層が溶融して相手側と接合していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、水分を高感度で検出することができる水分検出装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩＩＩ−Ｖ族半導体基板のバンドギャップエネルギより小さく、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有し、検出装置は波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、水分を検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】各画素における光電変換素子等の面積を縮小することなく、画素が構成され基板電位を一定に保つことができ、飽和信号量やランダムノイズ等の画素特性が改善された固体撮像装置を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】裏面照射型の固体撮像装置において、半導体基板２０の受光面となる裏面側に基板電位用配線が形成されている。そして、基板電位用配線と半導体基板２０とを電気的に接続する裏面側コンタクト部２２が形成されている。基板電位用配線から裏面側コンタクト部２２を介して、半導体基板２０に所望の電圧が供給されることにより、半導体基板２０の電位が固定される。 （もっと読む）

ＣＭＯＳ製造プロセスとナノワイヤ製造プロセスとを結合してアクティブピクセル配列としてイメージングデバイスを形成する。配列内のピクセルはナノワイヤを囲む単一または複数のフォトゲートを含む。フォトゲートは、ナノワイヤのポテンシャルプロファイルを制御し、光生成電荷のナノワイヤ内の蓄積と、信号読み出しのための電荷の転送を可能とする。各ピクセルは、リセットトランジスタ、電荷転送スイッチトランジスタ、ソースフォロワー増幅器、およびピクセルセレクトトランジスタを含む読み出し回路を備えても良い。ナノワイヤは一般に、ナノワイヤの先端に衝突する光エネルギーを受けるためにバルク半導体基板上で垂直ロッドとして構成される。ナノワイヤは、光検出器、または光線をバルク基板に導くように設定された導波管、のいずれかとして機能するよう設定しても良い。ここでの実施形態では、ナノワイヤフォトゲートおよび基板フォトゲートの存在によって波長の異なる光を検出することができる。

（もっと読む）

【課題】フォトダイオード間のクロストークを低減するとともに、長波長光に対しても感度を高める。
【解決手段】第１導電型の第１半導体層２１上に、第１導電型の第２半導体層２２が設けられる。第２半導体層２２における上部に、第２導電型の複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂが設けられる。各第１半導体領域２３ａ，２３ｂを取り囲むように、第２半導体層２２における上部に、第２導電型の第２半導体領域２４が設けられる。不純物濃度が第１半導体層２１及び第２半導体層２２よりも高濃度である第１導電型の複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂが、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂの下方に間隔をあけて、第２半導体層２２中に設けられる。複数の第３半導体領域２５ａ，２５ｂは、複数の第１半導体領域２３ａ，２３ｂ、第１半導体層２１及び第２半導体層２２と共に複数のフォトダイオードを構成する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板のボディ領域側で発生した、迷光等による余分なキャリアのフォトダイオードへの影響を排除または十分に抑圧する。
【解決手段】半導体基板は、ｐ型のボディ領域１０と半導体層１２とを有する。第２のフォトダイオードＰＤ２が半導体層１２に形成されている。第１のフォトダイオードＰＤ１が、半導体層１２内でＰＤ２の基板深部側に形成されている。電位障壁層（ＰＢＬ１１）は、第１のフォトダイオードＰＤ１とボディ領域１０との間に形成された、より高濃度なｐ型半導体領域であり、ボディ領域１０に対し電位障壁を形成する。 （もっと読む）

【課題】III−Ｖ族半導体基板上に形成される受光層の結晶品質を保ち良好な特性を得ることができ、且つ窓層表面の結晶性を良好にできる受光素子アレイ及びその製造方法、並びに該受光素子アレイの製造に用いられるエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】複数の受光領域２１を備える受光素子アレイ１を製造する方法であって、ｎ型ＩｎＰ基板３上に受光層７を成長させる工程と、受光層７上にＩｎＰ窓層１１を成長させる工程と、窓層１１における複数の受光領域２１に相当する領域にｐ型不純物を拡散させる工程とを含む。窓層１１を全有機ＭＯＶＰＥ法によって成長させ、窓層１１の成長温度を受光層７の成長温度以下とする。 （もっと読む）

【課題】 昼夜によらずノイズや暗電流を抑制して鮮明な画像を得ることができる撮像装置、視界支援装置、暗視装置、航海支援装置および監視装置を提供する。
【解決手段】 多重量子井戸構造の受光層３と、拡散濃度分布調整層４とを備え、受光層のバンドギャップ波長が１．６５μｍ〜３μｍであり、拡散濃度分布調整層のバンドギャップエネルギがＩｎＰよりも小さく、不純物元素の選択拡散によって受光素子ごとにｐｎ接合を形成し、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、拡散濃度分布調整層の拡散前のｎ型不純物濃度が２×１０^１５／ｃｍ^３以下であって受光層側の厚み範囲に低い不純物濃度範囲を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することが可能であるとともに、精度を向上させることが可能な半導体光検出素子を提供する。
【解決手段】この半導体光検出素子１００は、Ｐ型シリコン基板１０に形成された第１フォトダイオード２０と、このＰ型シリコン基板１０に形成され、第１フォトダイオード２０と同一構造を有する第２フォトダイオード３０と、第１フォトダイオード２０上に形成され、グリーンフィルタから構成されるカラーフィルタ層２１と、第２フォトダイオード３０上に形成され、ブラックフィルタから構成されるカラーフィルタ層３１と、第１フォトダイオード２０の検出信号から第２フォトダイオード３０の検出信号を減算する演算回路部５０とを備えている。 （もっと読む）