【課題】不純物領域が狭領域、高深度に形成される半導体装置の製造方法及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上に、開口を有する第１のハードマスク６を形成する工程と、第１のハードマスク６の前記開口５の側面に犠牲膜８を形成する工程と、側面に犠牲膜８を有する開口に第２のハードマスク９を形成する工程と、第２のハードマスク９を形成した後に犠牲膜８を除去する工程と、第１のハードマスク６を介して第１導電型の不純物７をイオン注入する工程と、第１及び第２のハードマスク６，９を介して第２導電型の不純物１１をイオン注入する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑えてＳＮ比を向上させることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】下部電極１０１と、上部電極１０４と、これらの間に配置された有機光電変換層１０２とを含む光電変換素子であって、上部電極１０４を有機光電変換層１０２で発生した電子を捕集するための電極とし、下部電極を有機光電変換層１０２で発生した正孔を捕集するための電極とし、上部電極１０４と有機光電変換層１０２との間に、上部電極１０４と下部電極１０１間にバイアス電圧を印加した状態で上部電極１０４から有機光電変換層１０２に正孔が注入されるのを抑制する酸化珪素からなる正孔ブロッキング層１０３を備え、この酸化珪素の珪素に対する酸素の組成比が０．５以上１．２以下である。 （もっと読む）

【課題】一般的なＣＭＯＳ製造プロセスを適用した場合においても、イメージセンサ特性の劣化を生じさせず、また、製造プロセス上の制約を受けることなく、フォトダイオード上に形成された反射防止膜の膜厚を最適化できる構造を有する固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、シリコン基板１０における上部に形成された光電変換を行うフォトダイオード１１と、シリコン基板１０上に、フォトダイオード１１を覆うように形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７の上に形成されたシリコン窒化膜１８とを備える。シリコン窒化膜１８は、フォトダイオード１１の全部又は一部の上において、該シリコン窒化膜１８における少なくとも端部の膜厚よりも薄い膜厚部分を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、特に垂直型シーモスイメージセンサー（ＣＭＯＳ Ｉｍａｇｅ Ｓｅｎｓｏｒ）を製造する方法を提供する。
【解決手段】暗漏れ特性（ｄａｒｋ ｌｅａｋａｇｅ ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓ）の他、誘電物質にひびが入るサーキュラ欠陥（ｃｉｒｃｕｌａｒ ｄｅｆｅｃｔ）も改善するために、高温ダブルアニール（ｄｏｕｂｌｅ−ａｎｎｅａｌ）工程と追加的な他の保護窒化膜（ｐａｓｓｉｖａｔｉｏｎ ｎｉｔｒｉｄｅ）を選択的に適用し、垂直型ＣＭＯＳイメージセンサーの品質と信頼性を保障する。 （もっと読む）

【課題】通常のＣＭＯＳイメージセンサに用いられる電源電圧と同等程度の低い駆動電圧でも、画素において微弱な入射光により発生する信号電荷を好適に増倍し、従来に比べて優れたＳ／Ｎを実現すること。
【解決手段】固体撮像素子１では、ゲート酸化膜３９の下面側に、その下面に沿って、ＰＤ不純物領域３３と電荷増倍領域３５と出力用不純物領域３７とを並列に配置するとともに、ゲート酸化膜３９の上面側に、その上面に沿って、増倍ゲート電極４１と転送ゲート電極４３とを並列に配置したものである。特に、電荷増倍領域３５は、ゲート酸化膜３９を挟んで、増倍ゲート電極４１の直下に形成されている。つまり、増倍ゲート電極４１及び電荷増倍領域３５が近接して対向する構造（増倍構造４５）は、ＰＤ不純物領域３３と転送ゲート電極４３との間にて、ＰＤ不純物領域３３と転送ゲート電極４３とに隣接して配置されている。 （もっと読む）

【課題】レンズ間領域を縮小化し、かつ隣接画素への入射光の入り込みを防止して、混色の防止を可能にする。
【解決手段】入射光を光電変換して電気信号を出力する複数のセンサ部１２のそれぞれに該入射光を集光する集光レンズ５１を備えた固体撮像装置１であって、前記集光レンズ５１は光路方向に略角柱状で光入射側が凸レンズ形状を成し、前記集光レンズ５１と、前記集光レンズ５１に隣接する集光レンズ５１との間に溝５３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光部上に開口部を形成するためのレジスト膜にクラックが生じることにより、意図しない部分の層間絶縁膜まで、エッチングされる。
【解決手段】エッチングマスクとして用いるレジストパターンの形状を、応力を分散させる形状に形成する。応力はレジストを露光し、現像した後にポストベークを施すことによってレジストが硬化されるために生じる。この応力を分散させるために、レジストパターンは平面形状で角を有しない形状に形成される。 （もっと読む）

【課題】 不純物由来のノイズが少ない高品質な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板１１上に、フォトダイオード１３や電荷転送電極１８を含む画素領域２と、周辺回路電極２１を含む周辺回路領域３とが離隔形成されるとともに、これらの両領域に狭持される領域内に画素領域２内の素子に対して基準電位を供給するための基準電位供給層１４が形成される。少なくとも基準電位供給層１４の直下領域の一部には、ゲッタリングサイト２３が形成される。これにより、周辺回路領域３から画素領域２に対して拡散する不純物を捕獲し、画素領域２に対する不純物拡散が抑制され、高品質な固体撮像素子が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 ノイズ電荷の重畳を防いで正確な電流信号を生成することが可能な受光素子を提供する。
【解決手段】 半導体基板上に形成され、複数区画に分割され入射光に応じた電流値を出力する受光部を少なくとも１つ有する第１の受光領域と、半導体基板上に形成され、複数区画に分割され入射光に応じた電流値を出力する受光部を少なくとも１つ有する第２の受光領域と、第１の受光領域および第２の受光領域に接続され、第１の受光領域及び第２の受光領域の出力する電流値のうちの一方を択一的に出力するとともに、他方を所定の電位に接続する選択回路と、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】光検出器の受光部に対応して層間絶縁膜に開口部を設けると、開口部壁面からの吸湿や光の侵入により、受光部の周囲の回路素子の特性変動や配線劣化を生じる。
【解決手段】受光部４と回路部６との境界に沿って、配線構造層９０内に開口部１２０を取り囲む仕切壁を金属材で形成する。当該仕切壁は、受光部４の外周に配置される分離領域７４に対する多段構成のコンタクト構造により形成される。具体的には、配線構造層９０に積層される各Ａｌ層９４，９８，１０２の下の層間絶縁膜９２，９６，１００に受光部４の外周に沿ってトレンチ１３４を形成し、これらトレンチに各Ａｌ層を埋め込んで、周に沿って延在するプラグ１３６を形成する。これら各層のプラグ１３６を、外周に沿って配置される電極１３０を介して縦方向につなぎ、壁を構成する。 （もっと読む）

【課題】画素間のクロストークの発生を避けるために、Ｎ型の半導体基板に設けたＰ型のウエル層に受光部となるＮ⁺型の不純物層を形成すると、Ｐ型のウエル層とＮ⁺型の不純物層との接合容量が増加して検出感度を低下させていた。
【解決手段】第１導電型（Ｎ型）の半導体基板１１に相補型ＭＯＳプロセスにより形成された第２導電型（Ｐ型）ウエル１２と、入射光を受光する受光部（Ｎ⁺型の不純物層１３）とを有し、前記受光部は、前記第２導電型ウエル１２内に、前記相補型ＭＯＳプロセスに追加されたイオン注入工程により形成された第１導電型の第１不純物層（Ｎ^-型の不純物層１４）を含むものである。 （もっと読む）

【課題】吸収スペクトルをシャープにし且つ暗電流を低くすることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極１１，１３と、一対の電極１１，１３の間に配置された光電変換層１２ａとを含む光電変換部を有し、一対の電極１１，１３間にバイアス電圧を印加して光電流を取り出す光電変換素子Ａであって、光電変換層１２ａが、特定波長域の光を吸収して前記光に応じた電荷を発生する１種類の光電変換材料（例えばスズフタロシアニン）と、前記特定波長域を含む前記特定波長域よりも広い範囲の波長域の光に対して透明で且つ前記光電変換材料で発生した電荷の輸送性を有するマトリックス材料（例えばＴＭＭ−１）との混合層を含んで構成される。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルター形成時のリソグラフィー特性を低下させることなく、一重項酸素クエンチャーをカラーフィルター内に拡散することで、退色の問題を解決することを可能とする。
【解決手段】入射光量を電気信号に変換する光電変換部２１を有する複数の画素部と、前記各画素部の光入射側に形成された染料系のカラーフィルター３１と、前記カラーフィルター３１に接触して形成された一重項酸素クエンチャーを含む有機膜４１、４２とを有し、前記一重項酸素クエンチャーが前記カラーフィルター３１に拡散されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高解像度に適したイメージセンサ及びその製造方法を提供するためのものである。
【解決手段】本発明によるイメージセンサは、第１波長の光を感知できる深さの半導体基板に形成された第１フォトダイオードと、前記第１波長より短い第２波長の光を感知できる深さで前記第１フォトダイオードの上側の半導体基板に形成された第２フォトダイオードと、前記第２フォトダイオードの接した位置に配置される第３フォトダイオードと、前記第１フォトダイオードと電気的に連結されるプラグと、前記第１フォトダイオード、第２フォトダイオード及び第３フォトダイオードと電気的に連結されて前記半導体基板上に形成されるトランジスター領域と、前記トランジスター領域を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成されたマイクロレンズが含む。 （もっと読む）

【課題】イメージクォリティーが向上したイメージセンサを提供する。
【解決手段】イメージセンサは、第１フォトダイオード（Ｒ）が形成された第１エピ層２と、上記第１エピ層２の上に形成され、第２フォトダイオード（Ｇ）と第１プラグ５が形成された第２エピ層３と、上記第２エピ層３の上に形成され、第３フォトダイオード（Ｂ）、第２プラグ８、及び素子分離膜６が形成された第３エピ層４が含まれ、上記第３フォトダイオード（Ｂ）は、上記第３エピ層４に埋め込まれて形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードを透過した長波長領域の光が有効に光電変換されるようにして、感度の向上を可能とする。
【解決手段】半導体層１１中に形成された光電変換部２１と、前記光電変換部で２１光電変換された信号電荷を取り扱うもので、前記光電変換部２１に入射する光の入射側とは反対側の前記半導体層１１に形成された信号回路部（図示せず）と、前記光電変換部２１を透過した光を前記光電変換部２１側に反射するもので前記光電変換部２１の光入射側とは反対側に形成された反射層４３とを備え、前記反射層４３は、タングステン層もしくは少なくともタングステン層を含む層からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】回路構成の冗長性を回避し、かつ、回路構成の切り替えを、外部端子からの電気信号によらずに行うことができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子１と、前記受光素子１の出力信号を増幅する増幅回路２と、受光した光の波長に応じて回路構成を切り替える切り替え手段４と、異なる波長特性を有する受光手段７ａ、７ｂ、７ｃによる検出出力の差分を出力信号とする波長検出素子５、６とを備えた光半導体装置であって、前記切り替え手段４の切り替えを、複数の前記波長検出素子５、６の出力信号を演算して得られた切り替え信号に基づいて行う。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタとオンチップマイクロレンズが不要で、高感度、高解像度かつシェーディングが発生しない固体撮像装置を、画素部間の性能ばらつきなく製造する。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板３の深さ方向に積層された各受光部２１〜２３を有する固体撮像素子である各画素部２が半導体基板３の平面に沿った方向に周期的に複数配置されており、入射光のうち、半導体基板材料における光吸収係数の波長依存性により各受光部の深さに対応した波長域の電磁波が各受光部２１〜２３で検出されて信号電荷が生成される。各画素部２は画素分離拡散層４によって個々に電気的に分離されている。各受光部２１〜２３から信号電荷を転送する転送路を構成する配線層７１〜７３、必要個数のトランジスタ５が、半導体基板３の電磁波入射側とは反対側表面に設けられる。 （もっと読む）

【課題】独自の低濃度層を設けることなく空乏層の積層面内方向の幅を広げることの可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】ｐ型半導体基板１０上に、ｐ型半導体層１１、ｎ型半導体層１２およびｎ型カソード領域１５をこの順に有するフォトダイオードを備える。ｎ型半導体層１２はｐ型素子分離領域１３によって複数の受光領域Ｓに分離されている。ｎ型半導体層１２のうち受光領域Ｓ以外の領域（ｎ型半導体層１２の外縁領域）には、複数のｐ型半導体領域１６がｎ型半導体層１２の面内方向に規則的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を確保しながら、青色領域の波長の光に対しても高感度であるフォトダイオードを提供する。
【解決手段】ｐ型の第１半導体層１０の上層に直接またはイントリンシック半導体層１１を介してｎ型の導電性不純物を低濃度に含有するｎ型の第２半導体層１３が形成され、その主面において第２半導体層１３より浅く、ｎ型の導電性不純物を中濃度に含有する第３半導体層２０が形成され、第３半導体層２０の主面において第３は導体層２０より浅くｎ型の導電性不純物を高濃度に含有する第４半導体層２１が形成され、第３半導体層２０と第４半導体層２１は少なくとも一断面において第２半導体層１３により分断されたレイアウトであり、第４半導体層２１の上層に第４半導体層２１と同じレイアウトで金属含有導電層２２が形成された構成とする。 （もっと読む）