【課題】小型化が容易であって構造及び回路構成の制限を緩和することができる複合センサ及びこれを用いた炎センサを提供することを目的とする。
【解決手段】半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード部（光電変換部）、及び、フォトダイオード部に隣接する各不純物注入領域を形成する時に用いる、不純物注入阻止膜として使用するフォトレジスト膜からのフォトダイオード部（光電変換部）へヨウ素の侵入によるダメージを低減することによって、白傷や暗電流の発生を有効に阻止し、固体撮像装置の歩留まり向上を図る。
【解決手段】上述したようにフォトダイオード部（光電変換部）３０ａを形成する不純物注入領域３３及び３４の形成や、フォトダイオード部（光電変換部）３０ａに隣接する不純物注入領域、例えばチャネルストップ部３８を形成する際に、不純物注入阻止膜であるフォトレジスト膜Ｒ１〜Ｒ４として、ヨウドニウム塩のオニウム塩を用いた光酸発生剤を含まないフォトレジストを用いる。 （もっと読む）

【課題】 比較的小型であるとともに、光検出精度が比較的高い受発光一体型素子アレイおよびセンサ装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る受発光一体型素子アレイ１０は、受光素子３と発光素子２とが基板１の一方の主面に設けられ、基板１の一方の主面には、受光素子３と発光素子２との間に、受光素子３の配置領域と発光素子２の配置領域とを分ける溝９が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流を効率的に抑制できる固体撮像装置とその製造方法、及びこの固体撮像装置を備えた電子機器を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換素子２４を有する複数の画素と、各画素の光電変換素子２４上に、絶縁膜２５を介して形成された分極処理された強誘電体膜２８と、強誘電体膜２８上に形成された透明電極膜２９とを有する。 （もっと読む）

【目的】受光感度の向上、動作の高速化およびノイズの低減を併せて実現する光半導体装置を提供する。
【解決手段】光半導体装置は、半導体基板１と、半導体基板１上に形成された受光素子２と、半導体基板１上に形成され、受光素子２に隣接して配置された光吸収素子４と、半導体基板１上に形成された信号処理用の半導体素子３とを備えている。また、光吸収素子４は第５の半導体層２９を有しており、受光素子２の光吸収領域の構成と光吸収素子の光吸収領域との構成とは異なっている。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオード部の上には同一の膜厚を有する反射防止膜が設けられているので、受光する光の波長によっては受光部の上面における反射を効果的に抑制できない場合がある。
【解決手段】固体撮像素子は半導体基板１００を備えており、半導体基板１００の第１の領域には第１の受光部が形成されている。また、固体撮像素子は、第１の受光部の上面における光の反射を防止する第１の反射防止層１１３ａを備えており、第１の反射防止層１１３ａの上面は凸凹に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 近赤外域に受光感度を有し、良好な結晶性を得やすく、かつ、その一次元または二次元アレイを、高精度で形成しやすく、暗電流を低くできる受光素子、受光素子アレイ、およびそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】 ｐｎ接合１５を受光層３に含むＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体積層構造の受光素子であって、受光層がＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素が、受光層内に選択拡散されて形成されており、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光導波路を有する構成において、充分にホールの蓄積効果を得ることを可能にする固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤの表面に正電荷蓄積領域１３が形成されたシリコン層２と、フォトダイオードＰＤの上方に形成され、入射光をフォトダイオードＰＤに導くための光導波路２１とを有し、この光導波路２１の内部に、比誘電率が５以上であり、負の固定電荷を有する絶縁層２２が形成されている固体撮像素子１を構成する。 （もっと読む）

【課題】小型で感度が良好な光検出装置を提供する。
【解決手段】光検出装置１０は、分光特性の異なるフォトダイオード１、２のカソード端子や、光学フィルタを設けたフォトダイオード１と遮光層を設けたフォトダイオード２を開放端状態とし、一定時間の間にこれらに蓄積された電荷の差分から所望の波長領域の光強度を検出する。フォトダイオード１、２は、電荷を蓄積する方式であるため、光電流が小さくてもこれを蓄積して検出に必要な電荷を得ることができ、フォトダイオード１、２を形成する半導体装置の小型化・高検知能力化を図ることができる。また、光強度に従って電荷の蓄積時間を可変として広いダイナミックレンジを実現したり、差分検出に必要な要素を差分検出時に間欠駆動して電力消費量を抑えたり、あるいは、出力を平均化してフリッカの影響を低減することもできる。 （もっと読む）

【課題】ＵＶ−Ａ波とＵＶ−Ｂ波との２つの波長領域の紫外線量を分離して検出することが可能な紫外線センサを提供する。
【解決手段】紫外線センサが、絶縁層上の第１のシリコン半導体層に形成された、Ｐ型の不純物を高濃度に拡散させたＰ型高濃度拡散層と、Ｎ型の不純物を高濃度に拡散させたＮ型高濃度拡散層とを、第１のシリコン半導体層より厚さの薄い第２のシリコン半導体層に、Ｐ型およびＮ型のいずれか一方の型の不純物を低濃度に拡散させて形成された低濃度拡散層を挟んで対向配置した一対のフォトダイオードと、第１および第２のシリコン半導体層上に形成された層間絶縁膜と、一方のフォトダイオード上の層間絶縁膜上に形成された、ＵＶ−Ａ波以上の波長領域の光を透過させるシリコン窒化膜からなるフィルタ膜と、他方のフォトダイオード上の層間絶縁膜、およびフィルタ膜を覆う、ＵＶ−Ｂ波以上の波長領域の光を透過させる封止層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造の半導体基板に、紫外線感光素子と可視光感光素子とを形成して、１チップ化された小型の光センサを提供する。
【解決手段】シリコン基板と、シリコン基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成されたシリコン半導体層とを有する半導体基板に形成された光センサであって、シリコン半導体層に形成された紫外線感光素子と、シリコン基板に形成された可視光感光素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】単一のフォトダイオードにより高感度に分光測定が可能な分光センサを提供する。
【解決手段】半導体層３１に形成されたフォトダイオード３７と、フォトダイオード３７上に形成された不純物が添加された多結晶シリコン層３５と、多結晶シリコン層３５にゲート電圧を印加するゲート電極Ｖｇとからなり、半導体層３１の、一方の面に配線層を有し、他方の面が光の入射側とされる分光センサ構成する。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、隣接するフォトダイオード間でクロストークの低減可能なフォトダイオードアレイ製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するため、本発明は、一方の面に複数のフォトダイオードが形成された半導体ウエハを、基材の表面に貼り付ける貼り付け工程と、前記複数のフォトダイオードのそれぞれの間を、前記半導体ウエハの側から前記半導体ウエハの深さまでダイシングするウエハダイシング工程と、前記複数のフォトダイオードをまとめて構成されたアレイ化フォトダイオードの間を、前記半導体ウエハの側から前記基材の深さまでダイシングする基材ダイシング工程と、を備えるフォトダイオードアレイ製造方法である。 （もっと読む）

【課題】製造工程数が少ない方法により、レンズ表面に所望の大きさの凹凸を形成することを可能とする。
【解決手段】基体１１上にレンズ形成層１２を形成する工程と、前記レンズ形成層１２上にレンズ型１３を形成する工程と、前記レンズ型１３表面に、ナノ構造体１４を含む溶媒１５を塗布して該ナノ構造体１４を分布させる工程と、前記ナノ構造体１４および前記レンズ型１３の表面形状を転写するように、前記ナノ構造体１４、前記レンズ型１３および前記レンズ形成層１２をエッチングして、前記レンズ形成層１２で表面に凹凸を有するレンズ１６を形成する工程とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高輝度の光入力または被写体の瞬時の明るさ上昇に対しても、画像形成不能状態を生じない受光素子アレイおよび撮像装置を提供する。
【解決手段】受光層を含む１つの半導体積層体に、複数の受光素子が、配列された受光素子アレイであって、複数の受光素子Ｓの間に位置する１つまたは２つ以上のモニタ受光部Ｍを備え、複数の受光素子および１つまたは２つ以上のモニタ受光部は、それぞれ、半導体積層体の一方の面である表面から受光層に届くように位置するｐ型領域１６と、当該ｐ型領域にオーミック接触する電極１１と、を持つ。 （もっと読む）

【課題】 裏面照射型固体撮像素子の光利用効率の向上を図る。
【解決手段】 半導体基板１の表面部に複数の画素２２が二次元アレイ状に形成され半導体基板１の裏面側から入射する被写界光の入射光量に応じて発生する信号電荷を画素２２が蓄積する裏面照射型固体撮像素子１００において、半導体基板１の裏面側に反射防止膜２７を積層する。反射防止膜２７を設けることで、半導体基板１の光入射面における入射光の反射率を抑制でき、光利用効率を高めることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】周辺回路部における負の固定電荷を有する膜の影響を排除して、周辺回路部の正常の動作を可能にする。
【解決手段】半導体基板１１に形成された入射光量を電気信号に変換する複数のセンサ部１２と、前記センサ部１２の側方の前記半導体基板１１に形成された周辺回路部１４とを有する固体撮像装置１であって、前記センサ部１２の光入射側の前記半導体基板１１上に前記センサ部１２の受光面１２ｓにホール蓄積層２３を形成する負の固定電荷を有する膜２２が形成されていて、前記周辺回路部１４と前記負の固定電荷を有する膜２２との間に、Ｎ型不純物領域１６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】受光素子の低い暗電流及びスイッチ素子の優れた特性の両方を高水準に達成可能なモノリシック型の光センサを提供すること。
【解決手段】本発明に係る光センサ１０は、フィールド酸化膜６ａによって区画された領域にそれぞれ形成される受光素子Ｄ１とスイッチ素子Ｑ１とが接続されたものであって、フィールド酸化膜６ａとともにシリコン基板２を覆うように設けられた酸化シリコン層６ｂ，６ｃと、受光素子Ｄ１が形成される領域の酸化シリコン層６ｂを覆うように設けられ、端部７ａがフィールド酸化膜６ａと離隔している窒化シリコン層７と、受光素子Ｄ１の受光部１２以外を覆うように設けられた層間絶縁層８と、この層間絶縁層８上に設けられたパッシベーション層９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】製造コストの増大を抑えつつ、可視及び近赤外領域の光に対する感度を向上させた共振型の固体撮像素子、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像素子は、シリコンからなり、例えばＮ型基板１０３、Ｐ型層１０４、Ｎ型層１０５とで構成される積層基板１０６を備え、積層基板１０６には、複数の画素が配置された撮像領域１００と、周辺回路領域１０１とが形成されている。撮像領域１００における積層基板１０６の裏面にはＰ型層１０４の裏面に達する凹部１２２が形成されており、少なくとも凹部１２２の内面には反射膜１１７が形成される。積層基板１０６の裏面および上面では光が反射する。 （もっと読む）