【課題】電場増強性能の高い新規なプラズモン材料による電場増強により、高い変換効率を示すことができる光電変換素子を提供する。
【解決手段】活性層５０と、３０個以上の金属系粒子２０が互いに離間して二次元的に配置されてなる粒子集合体からなる層であって、金属系粒子２０は、その平均粒径が１０〜１６００ｎｍの範囲内、平均高さが５〜５００ｎｍの範囲内、アスペクト比が０．５〜８の範囲内にあり、隣り合う金属系粒子との平均距離が１〜１５０ｎｍの範囲内となるように金属系粒子２０を配置した金属系粒子集合体層とを備える光電変換素子である。 （もっと読む）

【課題】光源から放射された入射光の微小な変位を測定するにあたり、出力信号のＳ／Ｎを向上させるとともに、回路構成を小型化することができる光学式変位測定装置を得る。
【解決手段】受光面が光に対して不感なギャップを介して複数の領域に分割された４分割フォトダイオード１０に対して、光源から放射された入射光を入射させ、４分割フォトダイオード１０のフォトダイオード１１Ａ〜１１Ｄからの出力を増幅し、増幅された出力の変化に基づいて、４分割フォトダイオード１０に対する入射光の相対的な変位を測定する光学式変位測定装置であって、４分割フォトダイオード１０のフォトダイオード１１Ａ〜１１Ｄには、それぞれ入射光によって出力を生じない不感領域１２と、入射光によって出力を生じる感光領域１３とが形成され、４分割フォトダイオード１０全体について、不感領域１２は、感光領域１３に囲まれているものである。 （もっと読む）

【課題】 入射光の強度が大きくなっても、光強度のピーク値の上昇を抑制する技術が望まれている。
【解決手段】 テーパ導波路が、入力導波路とフォトダイオードとを接続する。入力導波路に接続された入力端から、フォトダイオードに接続された出力端に向かって、テーパ導波路の幅が広がる。テーパ導波路の広がり半角は、入力導波路から信号光が入力されると、高次モードを励振する大きさである。フォトダイオードの幅は一定であるか、またはテーパ導波路の出力端から遠ざかる向きに広がっており、その広がり半角は、テーパ導波路の広がり半角以下である。 （もっと読む）

【課題】フィルタ構造を用いずに所定の波長の光を選択的に検出できる半導体光素子および半導体光装置を提供する。
【解決手段】温度検知部と、温度検知部に熱的に接続された吸収部１０とを含み、吸収部１０に入射した光を検出する半導体光素子であって、吸収部１０が、特定波長を表面に結合させる表面プラズモンを誘起するように表面にアレイ状に配置された凹部１１および凸部を有し、特定波長の入射光の吸収量を、特定波長以外の入射光の吸収量より大きくする。また、複数の半導体光素子をアレイ状に配置する。 （もっと読む）

【課題】 結晶性を向上させることが可能な光電変換素子の製造方法および光電変換素子。
【解決手段】 本発明の光電変換素子の製造方法は、ｐ型シリコン基板２上に、ガリウムヒ素を含む第１半導体層３を成長させる工程と、第１半導体層３を成長させたｐ型シリコン基板２を、リンを含む第１ガスの雰囲気内において第１温度で加熱することにより、第１半導体層３を経由させてｐ型シリコン基板２内にリンを拡散させる工程と、第１半導体層３上に、格子定数が、シリコンよりもガリウムヒ素に近い第２半導体層４を成長させる工程とを有する。そのため、ｐ型シリコン基板内にリンを拡散させるとともに、第１半導体層の表面に成長させる半導体層の結晶性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトセンサアセンブリ及びフォトセンサアセンブリを提供する。
【解決手段】フォトダイオードセル（１０８、３０４、５０４、７０４、９０４）は、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレート（１１０、３０２、５０２、７０２、９０２）の第１のボリュームを含み、接地拡散領域（３１８、５１８、７１６、７１８、９１４）は、第２の反対タイプのドーパントでドープしたサブストレートの第２のボリュームを含む。ガードバンド（３１２、３１４、５１２、５１４、７１２、７１４）は、サブストレート内に配置され、フォトダイオードセルの外側周囲の周りを延び、第１のタイプのドーパントでドープしたサブストレートの第３のボリュームを含み、フォトダイオードセルからサブストレートを通ってドリフトする電子または正孔を伝導させるために接地拡散領域及び／またはガードバンドを接地基準（１１６）と伝導性に結合させている。 （もっと読む）

【課題】性能を低下させることなく光センサの小型化を図る。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ１は、Ｐ基板１上に形成されたＮ拡散層１２の表面（受光面）に、Ｐ拡散層（不純物拡散層）からなる抵抗１５とＮ拡散層からなるカソード１３とを形成する。この抵抗１５は、屈曲したジグザグの帯状に形成されている。この抵抗１５により、フォトダイオードＰＤ１を流れる光電流を電圧に変換する。このように、電流−電圧変換用の抵抗１５をフォトダイオードＰＤ１上に形成することにより、フォトダイオードＰＤ１を含む光センサを小型化することができる。また、抵抗１５の一端を接地することにより、抵抗１５を電磁シールドとして機能させることができる。 （もっと読む）

【課題】回路規模が小さく且つ高ゲインを確保できる光センサを実現する。
【解決手段】光センサ１は、フォトダイオードＰＤ１と、ダミーフォトダイオードＰＤ２と、フォトダイオードＰＤ１およびダミーフォトダイオードＰＤ２の出力電流をそれぞれ電圧に変換するダイオードＤ１，ＰＤ２と、変換された電圧を差動演算する差動増幅器とを備えている。ダミーフォトダイオードＰＤ２は、フォトダイオードＰＤ１のリーク電流を受ける位置に配置され且つ遮光されている。ダミーフォトダイオードＰＤ２にリーク電流が流れることにより、ダイオードＤ２の電位が持ち上がるので、フォトダイオードＰＤ１側とダミーフォトダイオードＰＤ側との電位差が抑えられて、光センサ１の誤動作を抑制できる。また、フォトダイオードへＰＤ１の光入射時には、ダイオードＤ１により高ゲインが得られる。しかも、電流補償をすることなく特性を改善できるので、回路規模は増大しない。 （もっと読む）

【課題】分光感度特性の安定化に貢献することができ、製品にばらつきが発生し難いうえ視感度特性に近似した特性を容易に確保することができる受光素子、半導体装置、電子機器、および受光素子の製造方法、並びに半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１積層構造体Ｂ１は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ａと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ａと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ａと、を有し、第２積層構造体Ｂ２は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｂと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第３層２１ａと、を有し、第３積層構造体Ｂ３は、シリコン酸化膜からなる第１層１８ｃと、シリコン窒化膜からなる第２層１９ｂと、ポリシリコン膜からなる第３層２０ｂと、多結晶シリコンゲルマニウム膜からなる第４層２１ｂと、を有する。 （もっと読む）

【課題】反応速度が高く、高感度で耐ノイズ性が良好なガイガーモードで動作するアバランシェフォトダイオードを含む光検出器を提供する。
【解決手段】ガイガーモードで使用される複数のアバランシェフォトダイオード１０ａ〜１０ｄのアレイであるシリコンフォトマルチプライヤと、アバランシェフォトダイオード１０ａ〜１０ｄの各々からの出力信号をそれぞれ矩形パルスに変換する複数の弁別回路１４ａ〜１４ｄとを備え、弁別回路１４ａ〜１４ｄによって生成された矩形パルスを加算する光検出器１００とする。 （もっと読む）

【課題】光の左右比が飽和することが抑制された光センサを提供する。
【解決手段】半導体基板に複数の受光素子が形成され、受光素子の形成面上に、透光膜を介して遮光膜が形成され、遮光膜に、受光素子それぞれに対応して透光用の開口部が形成されている。上記形成面に沿う仮想直線に対して線対称となるように、一対の受光素子が半導体基板に形成され、これら一対の受光素子に対応する一対の開口部が、仮想直線に対して線対称となるように遮光膜に形成されており、一対の受光素子それぞれは、仮想直線の一方から他方に向って、中央がへこんだ凹形状を成し、その横幅が、一端から他端に向うにしたがって太くなっている。そして、形成面に交差する光によって、形成面に投影した、一対の開口部それぞれの少なくとも一部が、対応する受光素子、及び、その受光素子の両端を結ぶ線によって囲まれた領域に位置する。 （もっと読む）

シリコンＰ又はＮベース層において、２つ、３つ、又は４つの上下に設置される多層複合感光画素は、それぞれ可視光又は可視光および赤外線スペクトル範囲内で直交又は相補されるスペクトルを感応するマルチ感光部材、およびその単一面加工又は両面加工などの方式。複合感光画素において、異なる層上の基本画素は異なるカラー又はスペクトルを感応するようにデザインすることができ、１つ以上の複合感応画素を重複に配列させて、マクロユニットを構成させることによって、マルチ感光チップが得られる。また、本発明には、新しい多層感光画素のデザインとそれを単一面２層、両面２層、両面３層、両面４層、単一面混合２層、および両面混合２層又は多層のマルチスペクトル感光部材の実例も含まれる。本発明のマルチスペクトル感光部材は、もっと優れたカラー感光性能とカラー感光および赤外線感光の集積および簡単な加工プロセスを持っている。
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【課題】光伝送装置及び光伝送システムにおいて、光結合損失の発生を抑える。
【解決手段】光伝送装置１００は、第１の屈折率分布レンズ１１０と、第２の屈折率分布レンズ１２０と、を備える。第１の屈折率分布レンズ１１０は、光伝送路２１０の端部に接続されている。第２の屈折率分布レンズ１２０は、電子デバイス２２０に設けられ光入力及び光出力のうち少なくとも一方を行う光通信手段（２２１）と第１の屈折率分布レンズ１１０との間に配置されている。 （もっと読む）

【課題】光受信デバイスの内部のワイヤ配線の配線長を短くすることである。
【解決手段】光受信デバイスは、ベース部材に搭載された、受光素子と受光素子の出力を増幅する増幅器を有する。受光素子の入力又は出力信号の伝送経路の両側に電源接続用の複数の第１のボンディングパッドと複数の第２のボンディングパッドを設ける。さらに、ベース部材の部品搭載面以外で、複数の第１のボンディングパッドと複数の第２のボンディングパッドを電気的に接続する接続部材を有する。 （もっと読む）

【課題】高い均一性を備える銀薄膜を熱処理により凝集させて凸凹を形成する場合、温度や表面状態により、一箇所に凝集し、銀薄膜が無くなってしまう領域と、銀が「だま」状に集中してしまう場所ができてしまう場合がある。この場合、本来の目的である乱反射領域にはならず、不良品となる課題がある。
【解決手段】多結晶ＩＴＯ層２０ａを積層し、フォトリソグラフ工程によりレジストマスクを形成した後、多結晶ＩＴＯ層２０ａを例えば塩酸系のエッチング液を用いてエッチングする。ここで、レジストマスクに覆われた部分は配線層として機能する。この場合粒界から選択的にエッチングが進行し、特定の面方位のグレインが残り、エッチングマスクとして機能する残渣２０ｂが形成される。この残渣２０ｂをマスクとして第２層間絶縁層１９をドライエッチングすることでテクスチャー構造を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換材料で構成される光電変換層に形成した複数の光電変換素子の直列接続構造を製造容易な形で実現できる光電変換デバイス及び光電変換デバイスの製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】光過性基板上に、光透過性のｎ個（但しｎは２以上の整数）の第１電極と、空隙を有せずに一括形成された有機光電変換材料からなる１つの光電変換層と、前記第１電極とは異なる材料を用いたｎ個の第２電極とがこの順に積層され、ｋ番目（但し１≦ｋ≦ｎ−１）の前記第１電極及び前記第２電極に挟まれた前記光電変換層にｋ個目の光電変換素子が形成される場合に、ｋ番目の前記第２電極と（ｋ＋１）番目の前記第１電極は、前記光電変換層が存在しない領域にて接続されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板の凹部内に形成される構成要素を有する半導体装置において歩留の低下およびデバイスの信頼性の低下を防止することが可能な半導体装置およびそれを用いた電子機器ならびに半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、絶縁膜８および貫通電極６が形成される貫通孔７が形成された半導体基板１を備え、半導体基板１の貫通孔７は、深さ方向に徐々に開口径が小さくなる形状を有し、貫通孔７の内壁には、貫通孔７の開口端よりも開口径が小さい段が形成されている。 （もっと読む）

【課題】実装工程の工数を少なくすると共に、複数の光素子を基板上の同一線上に効率良く一致させて実装し得る生産性良好な光モジュール製造装置等を提供すること。
【解決手段】複数の光素子１ａ〜１ｃを同一線上に配列して保持する光素子用載置ステージ３２と、この各光素子用載置ステージ４〜６上の複数の光素子１ａ〜１ｃを基板１３に実装する構成の装置であって、前記光素子用載置ステージステージ３２を、複数の加熱用個別ステージ４，５，６によって構成すると共に、前記各加熱用個別ステージ４〜６の内の中央に位置する一の加熱用個別ステージ４を除いて他の各加熱用個別ステージ５，６が、前記中央に位置する一の加熱個別ステージ４上の光素子１ａが有する実装基準線Ｋに連続した一の基準線上に配列するように当該各加熱用個別ステージ４〜６の位置を調整する光素子用位置ずれ調整機構３３，３４を、それぞれ個別に備えていること （もっと読む）

【課題】 ４０５ｎｍ近傍の短波長の光に対して安定した高感度を有する、フォトダイオードを含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＰＩＮフォトダイオード１００Ｃは、Ｐ型の基板１１０上に、Ｐ型のシリコン層１１２、Ｎ型のシリコン層１１４、フィールド酸化膜１１８、活性領域の表面を覆うシリコン酸化膜１２０ｃと、シリコン酸化膜１２０ｃを覆うシリコン窒化膜１２２ｃとを有する。フィールド酸化膜１１８は、活性領域内に向けて延在する延在部１６０を含み、延在部１６０の側部がシリコン酸化膜１２０ｃに接続され、延在部１６０の露出された表面部分が水素拡散のための領域となる。 （もっと読む）