【課題】近接センサ及び照度センサを１チップ化する場合、チップ面積を削減することができる光検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】受光部は、第１の受光素子５０と第２の受光素子５１が半導体を用いて一体的形成されている。第１の受光素子５０と第２の受光素子５１に共通なｐ型基板１を備えている。第１の受光素子５０では、第１のフォトダイオードＰＤ１、第２のフォトダイオードＰＤ２、第３のフォトダイオードＰＤ３が受光面から異なる深さに形成されている。第２の受光素子５１は赤外線透過フィルタ２０を備え、第４のフォトダイオードＰＤ１１、第５のフォトダイオードＰＤ１２、第６のフォトダイオードＰＤ１３が受光面から異なる深さに形成される。可視光領域に感度ピークを有する第１の受光素子５０から出力される光電流と赤外線領域に感度ピークを有する第２の受光素子から出力される光電流から周囲光の照度を測定する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板に画素電極と、入射光に応じた電荷を生成する有機膜を有する光電変換部と、透明な対向電極と、封止層とが形成された固体撮像素子の製造方法である。基板の画素電極が設けられた側表面にメタルマスクを磁力で密着させる工程と、基板の画素電極が設けられた側表面に、有機物を蒸着し、有機膜を形成する工程と、有機膜形成後、メタルマスクを取り外す工程と、有機膜上に対向電極を形成する工程と、対向電極を覆う封止層を形成する工程とを有する。メタルマスクは、ハーフエッチングが施されており、このハーフエッチングが施された側を画素電極に向けて密着されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止する共に、帯電防止膜を設けたことによる副作用を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、及び放射線画像撮影装置光電変換素子の静電破壊を防止する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面（本実施の形態では画素領域２０Ａの全面）に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、接続配線４２により接続部４４に接続されており、接続部４４は、接続配線４２を共通電極配線２５を介してバイアス電源１１０またはグランドに接続するように構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができる、光電変換基板、放射線検出器、放射線画像撮影装置、及び放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４及びセンサ部１０３の上面が平坦化層１８により平坦化されており、当該平坦化層１８の略全面に帯電防止機能を有する導電膜３０が形成されている。導電膜３０は、グランド配線３２及びグランド接続端子３４と一体的に形成されており、グランド接続端子３４を介してグランドに接続可能に構成されている。また、光電変換基板６０（導電膜３０）の上には、シンチレータ７０が形成されており、シンチレータ７０は、光電変換基板６０に近い方から非柱状部７１及び柱状部７２を備えている。導電膜３０をグランド接続端子３４を介してグランドに接続した状態で、光電変換基板６０の表面に表面処理を施す。 （もっと読む）

【課題】斜めに入射する光が隣接する画素領域に混入することを抑制することができ、且つ、感度の低下を抑制することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することである。
【解決手段】実施形態に係る固体撮像装置は、主面に複数の光電変換部が設けられた基板と、前記複数の光電変換部毎に設けられ、屈折率の異なる複数の層が積層され、所定の波長領域の光を選択的に透過させる干渉フィルタと、を備えている。そして、隣接する前記干渉フィルタ同士の間には、空隙が設けられている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層に対して位置合わせずれの小さい色フィルタを備えた固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０内に形成され、入射光を電気信号に変換する光電変換層１５と、半導体基板１０の表面に形成され、光電変換層１５から出力された電気信号を処理する回路と、半導体基板１０の裏面に光電変換層１５に対応するように配置された赤、緑、青フィルタ２３Ｒ、２３Ｇ、２３Ｂとを備える。赤フィルタ２３Ｒは、半導体基板１０を通過する光を透過する。半導体基板１０の裏面に対して垂直な断面において、赤フィルタ２３Ｒの下面の長さはその上面の長さより長く、緑フィルタ２３Ｇの下面の長さはその上面の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】特定の波長域の光を選択的に、高感度に検出することができる光検出装置及びこれに用いる光学フィルターを提供する。
【解決手段】支持基板上に２つの受光素子が形成されている。第１の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、光吸収半導体層、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。第２の受光素子は、ｐ型層、ｎ型層、透過膜、アノード電極、カソード電極、保護膜等により構成されている。波長範囲λの光を吸収する光吸収半導体層は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。光の吸収域がない透過膜は、ｐｎ接合領域よりも受光面側配置されている。第１の受光素子の検出信号と第２の受光素子の検出信号を演算することにより、波長範囲λの光量を計測する。 （もっと読む）

【課題】被検体以外に起因する外部からの不要光の影響を受けることなく、良質の生体画像情報を得ることができると共に、製造歩留まりを向上させることができる低コストの撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元配列された複数の集光レンズ３２と、複数の集光レンズ３２のそれぞれに対応して２次元配列された複数の画素ＰＸ（受光素子）とを備えた撮像装置１５０である。複数の集光レンズ３２を、透明基板３１の、複数の画素ＰＸ（受光素子）側と反対側の面上に形成する。透明基板３１の、複数の集光レンズ３２が形成された面上の、集光レンズ領域外に、集光レンズ３２を通過せずに透明基板３１の内部に入射した光を画素ＰＸ（受光素子）に到達させることなく除去するプリズム３３を設ける。 （もっと読む）

【課題】 フォトダイオードと絶縁膜との界面における光の反射率を最小化し、イメージ
感度を向上させたＣＭＯＳイメージセンサーを提供すること。
【解決手段】 Ｓｉのフォトダイオード１２が形成された基板１０と、基板１０の上に形
成されるＳｉＯ_２の絶縁膜１４と、基板１０及び絶縁膜１４の間に介在する半反射膜１３
と、絶縁膜１４の上に形成され、単位画素を構成する複数の金属配線Ｍ１〜Ｍ４と、カラ
ーフィルター１９と、マイクロレンズ２１とを備えているＣＭＯＳイメージセンサーであ
って、半反射膜１３の屈折率が、Ｓｉのフォトダイオード１２の屈折率とＳｉＯ_２の絶縁
膜１４の屈折率との間の値である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、色分解特性を向上させることができる光電変換素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入射光を複数の波長範囲に分けて光電変換する光電変換素子であって、
前記入射光が入射され、第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１を有する第１の光電変換層１０と、
該第１の光電変換層の背面側に設けられ、前記第１の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ１ｃを有する第１のカラーフィルタ１５と、
該第１のカラーフィルタの背面側に設けられ、第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２を有する第２の光電変換層２０と、
該第２の光電変換層の背面側に設けられ、前記第２の波長範囲に光吸収の最大値Ｗｐ２ｃを有する第２のカラーフィルタ２５と、
該第２のカラーフィルタの背面側に設けられ、第３の波長範囲に光吸収の最大値を有する第３の光電変換層と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可視光および赤外光の検出が可能であり、かつ小型化および生産性のいずれの観点においても改良された半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板２と、半導体基板２上に設けられ可視光を検出する可視光検出部３と、半導体基板２上に設けられ赤外光を検出する赤外光検出部４と、赤外光検出部４を覆うように設けられ赤外光を透過させる積層光学膜６とを含む。半導体装置１は、さらに、半導体基板２上に設けられ、可視光検出部３の出力と赤外光検出部４の出力とに対して演算を行う機能素子部５を含んでいてもよい。積層光学膜６は、機能素子部５を覆っていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を確実に抑制することができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方に二次元状に配列された複数の下部電極と、複数の下部電極の上方に、各下部電極と対向して配置された上部電極と、複数の下部電極と上部電極との間に配置された有機光電変換層と、上部電極の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜と、を備え、下部電極の端部側面と、該下部電極を支持する下方の層の表面とのなす角度が４５度以上であり、且つ、封止膜が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力が−２００ＭＰａ〜２５０ＭＰａである。 （もっと読む）

【課題】十分な感度と耐熱性が得られ、高速応答性を示す光電変換素子及び固体撮像素子に適した光電変換素子材料として有用な新規化合物の中間体を提供する。
【解決手段】下記一般式（Ｖ）で表される化合物。


（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、Ｒ_５、Ｒ_６は、それぞれ独立に、水素原子、アルキル基、アリール基、複素環基、アルコキシ基又はアリールオキシ基を表す。Ｒ_１とＲ_２、Ｒ_２とＲ_３、Ｒ_４とＲ_５、Ｒ_５とＲ_６は、それぞれ互いに結合して環を形成してもよい。
好ましくは、Ｒ_２１及びＲ_２２の少なくとも一方が、置換又は無置換のアリール基であって、単結合又は置換基を介してＲ_３又はＲ_６と連結して環を形成する基。Ｒ_２１及びＲ_２２の一方が前記環を形成する基の場合、他方は置換又は無置換のアリール基又はヘテロアリール基である。 （もっと読む）

【課題】受光素子において、第２の半導体領域で発生したキャリア（電子又は正孔）を、外部電極に接続された高濃度の半導体領域に対して効率良く移動できるようにする。
【解決手段】第１の外部電極に対して電気的に接続された第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域上に形成された第２導電型の第２の半導体領域と、第２の半導体領域上に形成された第１導電型の第３の半導体領域と、第２の半導体領域上に第３の半導体領域に囲まれて複数形成され、第２の半導体領域より高濃度の第２導電型不純物を含み、第２の外部電極に対して電気的に接続された第２導電型の第４の半導体領域と、を具備する。 （もっと読む）

本発明は、ナノワイヤを含むナノワイヤフォトダイオードと少なくとも一つの垂直フォトゲートに動作可能に接続するナノワイヤフォトダイオードからなるデバイスに関する。

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【課題】製造コストを低減することが可能であるとともに、精度を向上させることが可能な半導体光検出素子を提供する。
【解決手段】この半導体光検出素子１００は、Ｐ型シリコン基板１０に形成された第１フォトダイオード２０と、このＰ型シリコン基板１０に形成され、第１フォトダイオード２０と同一構造を有する第２フォトダイオード３０と、第１フォトダイオード２０上に形成され、グリーンフィルタから構成されるカラーフィルタ層２１と、第２フォトダイオード３０上に形成され、ブラックフィルタから構成されるカラーフィルタ層３１と、第１フォトダイオード２０の検出信号から第２フォトダイオード３０の検出信号を減算する演算回路部５０とを備えている。 （もっと読む）

半導体受光素子が特定される。本半導体受光素子は、シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、誘電材料から形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆する、光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】電磁シールド用の導電膜を備えるとともに、光検出領域に対向する領域で電磁シールド用の導電膜を除去した光センサにおいて、光検出領域に対向する領域でも電磁ノイズが侵入できないようにする。
【解決手段】シリコン基板１２の表層部には、フォトダイオード１３やＩＣ回路１５が形成されている。シリコン基板１２の上面には、絶縁層１６を介して遮光メタル１８が形成されており、ＩＣ回路１５は遮光メタル１８で覆われている。フォトダイオード１３に対向する領域では、遮光メタル１８に受光窓１９が開口され、受光窓１９は導電性光学フィルタ３２で覆われている。 （もっと読む）

【課題】良好な分光特性が得られ、且つ耐光性に優れたカラーフィルタを提供する。
【解決手段】半導体基板１８及び絶縁層１３上に、ブルー（Ｂ）色、グリーン（Ｇ）色、レッド（Ｒ）色カラーフィルタ１４Ｂ，１４Ｇ，１４Ｒを形成する。Ｂ色カラーフィルタ１４Ｂを、バイオレット（Ｖ）色の分光特性を有する誘電体多層膜層２０Ｖと、Ｂ色の着色剤含有組成物層２１Ｂとを積層して形成する。Ｇ色カラーフィルタ１４Ｇを、Ｙ色の分光特性を有する誘電体多層膜層２０Ｙと、Ｇ色の着色剤組成物層２１Ｇとを積層して形成する。Ｒ色カラーフィルタ１４Ｒを、Ｒ色の分光特性を有する着色剤含有組成物層２０Ｒと、Ｙ色の誘電体多層膜層２１Ｙとを積層して形成する。各色カラーフィルタ１４Ｂ，１４Ｇ，１４Ｒは、堅牢性の高い誘電体多層膜層と、分光特性が良好な着色剤含有組成物層とから形成されているので、良好な分光特性が得られ且つ耐光性に優れている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層が劣化することを防止して、素子性能の低下を防止することができる光電変換装置、光電変換装置の製造方法及び撮像装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板の上方に形成された下部電極１２と、下部電極１２の上方に形成された光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂと、光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂの上方に形成された上部電１４極とを含む光電変換素子１を有する画素が複数配列され、各画素の光電変換層１３ｒ，１３ｇ，１３ｂが上部電極１４で封止され、隣り合う画素の上部電極１４が電気的に接続されている。 （もっと読む）