【課題】基板の膜面に接触することなく、基板を撓ませずに保持するとともに、基板全体を排気することなく、レーザ加工の残滓を除去すること。
【解決手段】ガラス基板１を立ててガラス基板１の周辺部を固定枠１４にて固定し、レーザ光３１をガラス基板１に照射するとともに、加工残滓の吸引しながら、Ｘステージ１２をＸ方向に一定速度で移動させることで、ガラス基板１上の膜にスクライブパターン３を形成する。 （もっと読む）

【課題】簡便な装置構成で低ランニングコストにして排出ガス中の不純物を除去することで、水素ガスを高純度化して再利用可能にすることができる薄膜太陽電池製造装置を得ること。
【解決手段】水素ガスを含むプロセスガスの供給経路１２を有する薄膜太陽電池用のＣＶＤチャンバ１０と、ＣＶＤチャンバ１０から排気されてＣＶＤチャンバ１０に再供給させるガス排気・再供給経路２１上に順に設置されたプラズマ放電装置２６とパーティクルフィルタ２７とを有する不純物除去機構２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】支持台の上に基板を置き、基板を支持台から加熱するのでなく高温のガスを吹き付けることにより基板上の膜を高温アニールして膜を形成する、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成するときに基板と支持台の密着がゴミや空気、基板ゆがみのために不完全であった。このために、大面積基板の均一な再現性のある熱処理が可能でなかった。
【解決手段】支持台と基板の間に粘性材を挿入する。均一な再現性のある熱接触が可能となった。屈曲可能なシート状の樹脂基板でも高温ガスを吹き付ける熱処理が可能となった。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の構成膜等の成膜に好ましく適用でき、複数のライン状パターンを有するパターン膜を直接パターン成膜することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤを有するマスクＭを用いて、物理気相成長（ＰＶＤ）法によりパターン成膜を行う。若しくは、１本のワイヤが折り曲げられて形成され、ライン状パターンの幅に合わせた間隔で配列された複数のワイヤ部を有するマスクを用いて、ＰＶＤ法によりパターン成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低減することのできる光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極層２０と裏面電極層４０と透明電極層２０及び裏面電極層４０の間に介在するアモルファスシリコン層３０とを有する光電変換装置１の製造方法であって、透明電極層２０、アモルファスシリコン層３０、及び裏面電極層４０のうち少なくとも１つは、溶媒を含む液体を塗布する第１工程と、塗布された液体から溶媒を除去した前駆体を生成する第２工程と、前駆体を力学的方法により分割する第３工程と、分割された前駆体に熱処理を施す第４工程と、によって形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜処理のコストが上昇することを抑制し、かつクリーニングの前後に成膜装置の成膜室を大気開放する必要がない成膜装置のクリーニング方法を提供する
【解決手段】先に処理されたフレキシブル基板５０の終端部である先基板終端部、次に処理されるフレキシブル基板５０の先端部である次基板先端部、又は先基板終端部と次基板先端部を接続する接続用基板の少なくとも一つが第１連結部４０２、成膜室２０２，２０４，２０６、及び第２連結部４０８を介して基板送出部１００から基板巻取部３００まで繋がった状態で、第１遮断部（ゲートバルブ：図示せず）及び第２遮断部（ゲートバルブ：図示せず）を用いて第１連結部４０２及び第２連結部４０８を遮断し、その後成膜室２０２，２０４，２０６のクリーニング処理を行う。 （もっと読む）

【課題】表面に付着した不要な膜を除去するブラスト処理を行っても、ガス流通孔の開口周縁部の変形が小さく、ガス流通孔の開口面積が確保され、長期間連続して使用することが可能であるとともに、原料ガスの分散効果及び流量増大が図れ、低コスト化が実現可能なシャワー電極板及びプラズマＣＶＤ装置を提供することにある。
【解決手段】本発明は、基板の表面に薄膜を形成する成膜室内に配置され、基板の表面に原料ガスＧを供給するためのガス流通孔６が設けられているシャワー電極板１において、ガス流通孔６のブラスト処理面側に位置する開口周縁部が傾斜面状に形成され、傾斜面部６ａとなっている。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】可撓性基板の利用率を向上させることができる薄膜製造装置及び薄膜製造方法を提供すること。
【解決手段】長尺の可撓性基板１１１上の長手方向の複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施して複数の成膜領域を形成することにより、可撓性基板１１１上に複数の薄膜太陽電池を形成する薄膜製造装置１００であって、複数の領域に対してそれぞれ成膜処理を施すことにより、長手方向に同じ長さの成膜領域をそれぞれ形成すると共に、成膜領域の長さＬ１の整数倍の間隔で配置された複数の成膜室１３１〜１３５と、可撓性基板１１１を成膜室１３１〜１３５の配置間隔ごとに順次ステップ送りする駆動手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】フィルム基板の温度を、基板の温度計測値に基づき目標値に制御する温度制御手段を備えることにより、輻射以外の光を熱と除外して正確な温度制御を可能とする薄膜太陽電池の基板加熱装置を提供することにある。
【解決手段】フィルム状の基板１０上に、少なくとも電極膜及び１つまたは複数の光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成してなる薄膜太陽電池において、光電変換ユニットをプラズマＣＶＤにより形成する際に、フィルム状の基板１０を加熱する赤外線ヒータ９と、加熱された基板１０の温度を計測する放射熱温度計１１と、放射熱温度計１１による基板１０の温度計測値に基づき基板１０の温度を目標値に制御する温度制御器１３とを備えている。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の膜質を劣化させることなく、可撓性基板の成膜時の位置ずれを抑制する。
【解決手段】太陽電池を製造する場合、フィルム基板１１に一定の張力を与えながらフィルム基板１１のガラス転移点以上の温度でフィルム基板１１の熱処理を行うとともに、その熱処理でフィルム基板１１に与えられたのと同一の張力を与えながらフィルム基板１１の成膜処理を行う。 （もっと読む）

【課題】プラズマの閉じ込めが可能であり、膜中へのパーティクルの取り込みを抑制できるプラズマＣＶＤ装置等を提供することを目的とする。
【解決手段】高周波電圧が印加され互いに対向する一対の電極５４、５６を備え、電極５４、５６間に原料ガスが供給されると共に、一方の電極５４の表面に沿って長尺な可撓性基板２が可撓性基板２の長手方向に供給されるプラズマＣＶＤ装置である。電極５４、５６間から排出されるガスの流路に、ガスが通過する複数のスリット５８ｂを形成するプラズマ閉込部材５８を備え、プラズマ閉込部材５８は、ガスの流れ方向と交差する方向に所定間隔で離間するように対向配置された板５８ａを複数有し、ガス流れに垂直かつ電極５４、５６と平行な方向から見て、各板５８ａにより形成される、プラズマ閉込部材５８におけるガスの流れ方向の上流側の端部５８ｄが、スリット５８ｂを流れるガスの流れ方向に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】目的は、製品の品質のバッチ毎のばらつきが抑制される薄膜製造方法及び薄膜製造システムを提供すること。
【解決手段】薄膜製造装置１を用いた薄膜製造方法は、（ａ）製膜バッチ処理Ｌを実行して基板８上に薄膜１１３を形成する工程を具備する。（ａ）工程は、（ａ１）基板８を対向電極２に保持する工程と、（ａ２）製膜室６内に薄膜１１３の原料を含むガスＬを導入する工程と、（ａ３）ガスＬを導入しながら、放電電極３と対向電極２との間に高周波電力１０５を印加して基板８上に薄膜１１３を形成する工程とを含む。（ａ）工程は、薄膜製造装置１についてのセルフクリーニングＮの後、その次のセルフクリーニングＮ’の前に実行される。（ａ３）工程において、セルフクリーニングＮから製膜バッチ処理Ｌまでに薄膜製造装置１が実行する製膜バッチ処理の回数Ｌに基づいて高周波電力１０５が制御される。 （もっと読む）

【課題】 高い生産性をもって膜厚方向に膜質を制御できる太陽電池製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によって光電変換層を成す半導体薄膜を基板上に連続的に形成する太陽電池製造装置において、ガラス基板２を搬送するローラ２７と、ガラス基板２の搬送方向に複数配置され、ガラス基板２に対向した状態で、搬送中のガラス基板側にプラズマを発生させる複数の放電電極２９と、を備え、ガラス基板２と放電電極２９との距離を、放電電極２９ごとに変化させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板のカールを抑制し、信頼性の高い光電変換装置を得ることを課題とする。
【解決手段】基板を送り出すローラを有する第１の搬送室と、放電電極を有する成膜室と、前記搬送室と前記成膜室との間、もしくは前記成膜室どうしの間に設置されたバッファ室と、前記バッファ室の前記基板が出入りする部分に設けられたスリットと、前記基板を巻き取るローラを有する第２の搬送室と有し、前記スリットには少なくとも１つのタッチロールが設置されており、前記タッチローラは前記基板の成膜面に接触する成膜装置、及びこのような成膜装置を用いて行う成膜方法並びに光電変換装置の作製方法に関する。このような成膜方法を用いると、素子の受光領域に傷を付けるのを防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】
大型基板においても、基板変形を小さく抑えながら、高速に基板を昇温させ、短時間で基板全面を均一な温度にすることが可能な基板加熱装置を提供する。
【解決手段】
均熱板５と、第１ヒータ１とを具備する基板加熱装置を用いる。均熱板５は、筐体１０内に設けられ、第１面９を有し、基板４を第１面９に密接させて保持可能である。第１ヒータ１は、筐体１０内に設けられ、第１面９に面し、基板４が第１面９に保持されたとき、基板４を加熱可能である。均熱板５は、基板４の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する材料で形成されている。均熱板５は、均熱板５を加熱する第２ヒータ２０を備えていても良い。 （もっと読む）

本発明は、光電池を製造するべく基板上に薄いレイヤを堆積させる装置を有しており、この場合に、隣接する反応チャンバの相互汚染を防止すると共に、それぞれの反応チャンバ内の圧力レベルを制御しつつ、同時に、機械的な障害物を伴うことなしに、１つの反応チャンバから次のチャンバへの基板の連続した搬送を実現する低圧の隔離ゾーンにより、個別の反応チャンバが互いに分離されている。 （もっと読む）

【課題】 形成する膜の物性を容易に制御でき、また、生産性良く膜の形成が可能な制御性の良い成膜装置を提供する。
【解決手段】 膜を形成すべき基板５をアノード電極３に載置し、反応室１中に原料ガスを供給し、前記アノード電極３と、該アノード電極３に対向して配置してあるカソード電極４との間に高周波電圧を印加して原料ガスのプラズマを発生させ、制御部９を用いて駆動部８を制御することによって、成膜中にカソード電極４をアノード電極３に接近又は離隔させる。 （もっと読む）

本発明は、ドープ剤でドープされた少なくとも１つの層と該ドープされた層上に堆積される他の型の層とを有する半導体装置を単一の反応室内で製造する方法に関する。前記ドープされた層の堆積工程と前記他の型の層の堆積工程との間に、前記ドープ剤による前記他の層の汚染を避けるための操作が挿入される。該操作が前記ドーピング剤と反応することのできる化合物を反応室に添加する段階を含むと好ましい。
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