【課題】プラズマ処理装置を用いて得られた膜の膜厚及び膜質が、基板の面内で均一とはならない場合がある。
【解決手段】 基板を保持することが可能な第１電極と、第１電極と対向するように設置され、第１電極と対向する部分に複数のガス供給口が形成されるとともに高周波電力が印加される第２電極とを備え、複数のガス供給口は同心円に沿って設けられると共に、１つの同心円に沿って設けられたガス供給口について、隣接する複数のガス供給口を結んだ弧の長さが内周側と外周側とで異なるプラズマ処理装置を用いた光起電力素子の製造方法であって、基板上に導電性を有する透明電極を形成するステップと、透明導電膜上にプラズマ処理装置を用いて非晶質シリコン半導体または微結晶シリコン半導体を含む光電変換層を形成するステップと、光電変換層上に導電性を有する裏面電極を形成するステップと、を備えることで、上記課題を解決することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノスケール粒子がマトリクス中に３次元的に均一に分散した構造を有し、低コスト化が可能である、光電子素子として好適な半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式(Ｐｂ_５０−ｘＺｎ_ｘ)Ｍ_５０（ただし、２６≦ｘ＜５０、Ｍ：Ｓ、ＳｅおよびＴｅの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＰｂＭ相がマトリクス（３）としてのＺｎＭ相中に均一に分散した複合構造を有する。この薄膜材料は、熱平衡状態に近い環境が実現される気相成膜手法により、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して成膜される。 （もっと読む）

【課題】低温の原料ガスが原因となる膜質低下の問題を抑えることができるＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】チャンバと、チャンバ内に設けられ、基板が載置されるとともに、載置された基板の温度を上昇させる基板ヒータ部を有するアノード電極と、アノード電極に対向する位置に配置され、チャンバ内に原料ガスを供給するガス供給口が形成されたカソード電極を有するカソードユニットと、を備え、カソードユニットには、アノード電極側に流路制御板が設けられており、この流路制御板は、ガス供給口から吐出された原料ガスのアノード電極側への流れを抑える遮蔽部と、カソード電極側とアノード電極側とに連通して開口するガス流通孔とを有する。 （もっと読む）

【課題】光電変換層として結晶化率および結晶配向性が高い良質な微結晶シリコン薄膜を備えた光電変換効率に優れた光電変換装置をより効率良く作製すること。
【解決手段】微結晶シリコン光電変換層をＰＣＶＤ装置を用いて形成する条件として、（１）プラズマ電極と微結晶シリコン光電変換層の形成基板との対向面間の距離ｄが５ｍｍ〜７ｍｍ（２）形成基板の温度が２００℃（３）製膜室内に導入される反応ガスの主成分としてシラン系ガスと水素ガスとを含み、且つ、製膜室内に導入される全ガスに対するシラン系ガスの濃度が１体積％（４）製膜室内の圧力ｐが１０００Ｐａ〜１５００Ｐａ（５）プラズマ電極に印加する高周波電圧の周波数が６０ＭＨｚであり、且つ電力密度が０．２８Ｗ／ｃｍ^２（６）製膜室内の圧力ｐと、プラズマ電極と形成基板との対向面間の距離ｄと、の積ｐｄが７０００Ｐａ・ｍｍ≦ｐｄ＜８０００Ｐａ・ｍｍの条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を高速で製膜して高い開放電圧を有する光電変換装置を製造する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ｐ層４１と、結晶質ｉ層４２と、ｎ層４３とが積層された光電変換層３を備える光電変換装置１００の製造方法であって、原料ガスとしてＳｉＨ_４ガス、Ｈ_２ガス及び不純物ガスを用い、前記不純物ガスの流量を１ｓｃｃｍ以上とし、かつ、水素希釈率を所定の比率に調整して、前記ｐ層４１または前記ｎ層４３の少なくとも一方のバンドギャップを制御する工程を備える光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】好適に成膜できる温度条件が異なる、複数の光電変換層を有する多接合型太陽電池の製造時間を短縮する方法を提供することである。
【解決手段】基板２上に異なる光電変換層５，６を複数備えた多接合型太陽電池１の基板２を同一の成膜室１４で連続的に製造する際に、第１の光電変換層５を形成するのに適した第１温度領域と、第２の光電変換層を形成するのに適した第２温度領域とが相違する場合において、成膜室１４に備えた加熱装置２３の設定を変えることによって、成膜室１４内の基板２の温度を任意に変更可能であり、前記基板２の第１の光電変換層５を形成中に、前記加熱装置２３の設定温度を、基板温度が第２温度領域に近付くように設定する。 （もっと読む）

【課題】透明電極層から微結晶シリコンｐ層への酸素の拡散を抑制することで、高い発電効率を有する光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、少なくとも１つの光電変換層３とを備え、前記光電変換層３が、ｐ型結晶質シリコン層４１と、ｉ型結晶質シリコン層４２と、ｎ型シリコン層４３とを含み、前記透明電極層２と前記ｐ型結晶質シリコン層４１との間に、非晶質シリコン層７が隣接して配置される光電変換装置１００。 （もっと読む）

【課題】レーザーエッチングが容易であり、且つ、高い発電効率を有する光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、２つの光電変換層３と、裏面電極層４とを形成する工程を含む光電変換装置１００の製造方法であって、前記裏面電極層形成工程が裏面透明電極層形成工程と、Ｃｕ薄膜形成工程とを備え、前記Ｃｕ薄膜形成工程が、順に排気工程と製膜工程とを含み、前記排気工程の到達圧力が、２×１０^−４Ｐａ以下であって、前記製膜工程の温度が、１２０℃以上２４０℃以下であることを含む光電変換装置１００の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面凹凸の大きい電極表面上にも高い被覆率でより緻密な膜を形成させる有機光電変換素子の製造方法を提供する。
【解決手段】金属Ａから成る第一の電極と第二の電極に挟まれたバルクヘテロジャンクション型の光電変換層と、正孔輸送層もしくは電子輸送層とを有する有機光電変換素子の製造方法において、前記正孔輸送層もしくは電子輸送層の形成工程が、該第一の電極の上に、前記金属Ａとは異なる金属Ｂを含有する物質を被覆する工程と、該金属Ｂを含有する物質を酸化させる工程とを含むことを特徴とする有機光電変換素子の製造方法及び該製造方法により製造された有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】Ｐ型ドープシリコン前駆体を効率よく生成する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１１に、ドーパントをラジカル化するための第１の波長の光と、シクロペンタシランをラジカル化するための第２の波長の光を含む紫外線１５を高圧水銀ランプ１４から照射し、同時にドーパントガス１６としてのジボランガスをシクロペンタシラン溶液１１に供給することにより、シクロペンタシランの重合体にドーパントが結合したＰ型ドープシリコン前駆体を生成する。 （もっと読む）

【課題】特性の良好な光電変換装置の製造方法を提供する。特に、光電変換層の成膜中にエアロゾルとして量子ドットを導入することにより、特性の良好な光電変換装置を製造する。
【解決手段】本発明に係る光電変換装置の製造方法は、光電変換層を有する光電変換装置の製造方法であって、前記光電変換層の形成工程が、第１材料の化学気相成長雰囲気中に、第２材料のナノ粒子を導入しつつ成膜する工程を含み、前記光電変換層は、前記第１材料の堆積膜中に前記ナノ粒子を分散状態で含有させた堆積層として形成される。かかる方法によれば、第１材料の化学気相成長雰囲気中に、第２材料のナノ粒子を含有させた、いわゆるエアゾルを導入しつつ成膜することにより、良質な光電変換層を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】予備成膜を含む基板の成膜に関する工程のリードタイムを短縮化して、生産効率を向上させることを可能とする薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】成膜室内に予備成膜を施した後に、成膜室内で基板を成膜するための薄膜形成方法であって、予備成膜の開始前に、成膜室内の温度を予備成膜温度Ｔ_１に上げるステップと、前記予備成膜の実施中、成膜室内の温度を予備成膜温度Ｔ_１より低くかつ成膜温度Ｔ_２以上の温度範囲で温度プロファイルを前記予備成膜中通して一定値とならないように予備成膜を行うステップと、成膜室内の温度が成膜温度Ｔ_２に達した後に、基板への成膜を開始するステップとを含む薄膜形成方法。 （もっと読む）

【課題】シワが発生していない状態の可撓性基板の表面に薄膜を良好な品質で成膜することができる薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置１００は、可撓性基板２０に圧接される第二電極部材１２０の前面１２１は、長手方向と直交する断面形状が、中央ほど突出した円弧状の凸曲面に形成されている。このため、所定の張力が作用した状態で第二電極部材１２０に圧接される可撓性基板２０に長手方向と直交する方向にも張力が作用することになり、この方向にシワが発生することが防止される。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率の低いアモルファスカーボン及びその製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスカーボンは、水素濃度が５〜３０％（ａｔｍ）であり、ドーピング元素を含有している。Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。これによって、電気抵抗率が低く導電型を制御可能な、太陽電池などの光電変換素子用アモルファスカーボンが実現可能となる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの損傷が抑制される薄膜太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の薄膜太陽電池モジュールは、基板と、それぞれが一定の幅を有する３つ以上のセルストリングを含むセルモジュールとを備え、各セルストリングは、直列接続された複数の太陽電池セルを備え、前記セルストリングは、前記基板上に、前記太陽電池セルが直列接続された方向に対して垂直な方向に並べて設けられかつ双方的に互いに並列接続され、前記太陽電池セルは、それぞれ表面電極、光電変換層及び裏面電極をこの順で重ねて備え、各セルストリングは、該セルストリングに含まれかつ隣接する前記太陽電池セルの一方の表面電極と他方の裏面電極とを電気的に接続しかつ該セルストリングの幅と同じ幅を有するコンタクトラインを備え、前記３つ以上のセルストリングのうち両端の前記セルストリングの少なくとも一方は、他の前記セルストリングより広い幅を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｉ層における膜厚方向の結晶粒径を大きくして粒界を減少させ、キャリアの再結合を抑制すると同時にドーパントの活性化を行うことにより、光電変換効率を向上させることが可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基板１１上に、第１透明電極１２と、ｐ型シリコン層１３、ｉ型シリコン層１４及びｎ型シリコン層１５からなるｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層と、第２透明電極１６とを少なくとも順次積層してなる太陽電池の製造方法であり、ｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層を積層してから減圧酸素雰囲気中で熱処理を行い、続いてｐ型シリコン層１３またはｎ型シリコン層上にｉ型シリコン層１４を積層し、更にｉ型シリコン層１４上にｎ型シリコン層１５またはｐ型シリコン層を積層することにより、前記ｐｉｎ構造またはｎｉｐ構造の多結晶シリコン層を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法。 （もっと読む）

【課題】簡単かつ汎用性のある方法で、微結晶シリコン層からなる光電変換層の表面に凹凸を設けることができる薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】この薄膜太陽電池の製造方法は、基板５０上に第１導電型（例えばｎ型）微結晶シリコン層を形成する工程と、第１導電型微結晶シリコン層上にｉ型微結晶シリコン層を形成する工程と、ｉ型微結晶シリコン層を水素プラズマで処理する工程と、ｉ型微結晶シリコン層上に第２導電型（例えばｐ型）微結晶シリコン層を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送するための開口部が設けられた成膜室を有しており、かつメンテナンスコストが低い薄膜製造装置を提供する。
【解決手段】薄膜製造装置は真空容器１０、成膜室１００、カソード電極１２０、アノード電極１３０、及び排気部１４０を備える。成膜室１００は真空容器１０内に配置され、被処理基板２００に成膜処理を行う。また成膜室１００には、被処理基板２００を搬入及び搬送するための開口部１１２が設けられている。カソード電極１２０及びアノード電極１３０は、成膜室１００の中に配置されており、被処理基板２００を介して互いに対向している。排気部１４０は成膜室１００の中に延伸し、カソード電極１２０とアノード電極１３０の間の空間１５０を排気する。そして排気部１４０は、外面が空間１５０に面していない。 （もっと読む）

【課題】高い変換効率を得るためのトリプル型光電変換装置の適切な膜厚構成を提供する。
【解決手段】基板１上に、透明電極層２と、ｐｉｎ接合を有する電池層９１，９２，９３を３層積層された光電変換層３と、裏面電極層４とを備える光電変換装置１００であって、光の入射側に設けられた入射部の電池層９１が、膜厚が１００ｎｍ以上２００ｎｍ以下の非晶質シリコンｉ層を有し、光の入射側に対して反対側に設けられた底部の電池層９３が、膜厚が７００ｎｍ以上１６００ｎｍ以下の結晶質シリコンゲルマニウムｉ層を有し、前記結晶質シリコンゲルマニウムｉ層中のゲルマニウム原子とシリコン原子との和に対する前記ゲルマニウム原子の割合が１５原子％以上２５原子％以下であり、前記入射部の電池層９１と前記底部の電池層９３との間に設けられた中間部の電池層９２が、膜厚が１０００ｎｍ以上２０００ｎｍ以下の結晶質シリコンｉ層を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１導電型のａ−ＳｉＣ層と、第２導電型のシリコン含有層、第３導電型のシリコン含有層とが積層された光電変換層を有し、ｐ型アモルファス炭化シリコン層と第２導電型のシリコン含有層との界面でのキャリアの再結合が抑制された光電変換効率に優れた薄膜太陽電池を製造可能な薄膜太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】第１導電型のａ−ＳｉＣ層上にバッファ層をプラズマ分解法により形成する工程と、バッファ層上に第２導電型のシリコン含有層をプラズマ分解法により形成する第工程とを有し、バッファ層を形成する工程は、第１導電型のａ−ＳｉＣ層上に、水素を含有するａ−Ｓｉ膜を製膜する工程と、水素を含む雰囲気中において熱処理することにより、ａ−Ｓｉ膜中の水素を熱脱離させるとともにａ−Ｓｉ膜中に第１導電型のａ−ＳｉＣ層層中の炭素を拡散させてａ−Ｓｉ膜の一部または全部をａ−ＳｉＣ膜に改質する工程と、を有する。 （もっと読む）