【課題】本発明は、従来廃材となっていた坩堝残を有効に活用することができ、純度の高い原料を使用した場合と同等の特性が得られる多結晶シリコンインゴットを製造できる方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のシリコンインゴットの製造方法は、坩堝内に保持された、第１の導電型を規定する第１のドーパントを含有するシリコン融液から、チョクラルスキー法により太陽電池用の単結晶インゴットを引き上げる工程と、単結晶シリコンインゴットを引き上げた後の坩堝内の残留分（坩堝残）を、多結晶シリコンインゴットの原料として用いてインゴットを形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ結晶中のボイド欠陥の密度が少なく、かつ、光照射下における結晶品質の劣化がおこらない高品質な太陽電池用のＳｉ結晶およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ドープ元素としてＧａとＧｅとを含有し、チョクラルスキー法またはキャスト法で製造される。ドープ元素として、Ｂを含有していてもよい。Ｇａの濃度は２×１０^１４atoms/cm^３以上、３×１０^１８atoms/cm^３以下の範囲であり、Ｇｅの濃度は１×１０^１５atoms/cm^３以上、２×１０^２０atoms/cm^３以下の範囲であることが好ましい。Ｇａを単独で添加したときの結晶（ａ）に比較してＧａとＧｅとを添加した結晶（ｂ）は、Ｖ字模様で表されるＦＰＤ（Flow Pattern Defect）の密度が低下する。 （もっと読む）

【課題】第１半導体の外側に第２半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。
【解決手段】反射鏡の光電変換素子に面する内面が放物面状を呈し、その放物面の焦点が光電変換素子の内部に位置するように光電変換素子を配置する。光反射部材は、光電変換素子を一個ずつ収容し、その内面が反射鏡面となる凹部を有し、第２半導体層と電気的に接続される導電部材を兼ねるものが好ましい。さらに、素子は前記放物面の焦点にその中心部が位置するように配置されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体の凝固方法を提供する。
【解決手段】ドーパントを含む第一の半導体チャージ１２０から溶融半導体１０３のバスを形成する段階と、溶融半導体１０３の凝固段階とを含み、更に、ドーパントを含む補充半導体チャージ１２０を溶融半導体１０３のバスに添加する一つ以上の段階を、凝固中に実施することを含む。補充半導体チャージ１２０は固体状または液体状である。また、電子アクセプタードーパントはホウ素原子であり、電子ドナードーパントはリン原子である。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率の高い光起電力素子を提供すること。
【解決手段】（ａ）キノキサリン骨格とオリゴチオフェン骨格とを含み、（ｂ）バンドギャップ（Ｅｇ）が１．８ｅＶ以下であり、（ｃ）最高被占分子軌道（ＨＯＭＯ）準位が−４．８ｅＶ以下であるキノキサリン化合物。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電装置の発電効率を向上させることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ガス導入口１０ａからアルゴンガス、ガス導入口１０ｂから水素ガスをチャンバー１０に導入し、この状態で多結晶シリコンインゴット３３を育成する。これにより、シリコン融液３２に水素が直接導入されることから、多くの水素がシリコン融液３２内に取り込まれる。このため、最終的に得られる多結晶シリコンウェーハには従来よりも多くの水素が含まれ、且つ、その濃度分布が面内方向及び厚さ方向においてほぼ一定となる。 （もっと読む）

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】ストレスに起因するマイクロクラック等の欠陥の発生を抑制して、長期信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極（４ａ、５ａ）を設け、これらの太陽電池素子のバスバー電極（４ａ、５ａ）同士をインナーリード８で接続し、充填材１０内に封入した太陽電池モジュールにおいて、インナーリード８とバスバー電極（４ａ、５ａ）とは半田６によって接続されるとともに、バスバー電極（４ａ、５ａ）は、その長手方向の端部が充填材１０と直接接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】バスバー電極の長手方向に沿ったエッジ部と半導体基板の境界付近にかかるストレスを低減し、長期信頼性に優れた太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】複数枚の太陽電池素子の受光面側及び／又は非受光面側に、出力を外部へ取り出すためのバスバー電極（４ａ、５ａ）を設け、これらの太陽電池素子のバスバー電極（４ａ、５ａ）同士をインナーリード８で接続し、充填材１０内に封入した太陽電池モジュールにおいて、インナーリード８とバスバー電極（４ａ、５ａ）とは半田６によって接続されるとともに、バスバー電極（４ａ、５ａ）は、その長手方向の端部が充填材１０と直接接触するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】高純度シリコンの新規で安価な製造方法、特に太陽電池用原料として好適に用いられる高純度シリコンの新規で安価な製造方法を提供する。
【解決手段】下式（１）で表されるハロゲン化珪素を下式（２）で表されるアルミニウムサブハライドで還元することを特徴とするシリコンの製造方法。
ＳｉＨ_nＸ_4-n： （１）
ＡｌＨ_mＸ_3-p-m： （２）
（式中、ｎは、０または１〜３の整数であり、ｍは０または１であり、ｍが０のときｐは１または２、ｍが１のときｐは１であり、Ｘは、Ｆ、Ｃｌ、ＢｒおよびＩからなる群から選ばれた１種または２種以上のハロゲン原子である。） （もっと読む）

【課題】本発明は、高効率な太陽電池用を作製するのに必要な、高品質で高均質な太陽電池用のＳｉ多結晶インゴット、Ｓｉ多結晶インゴットの製造方法およびＳｉ多結晶ウェハーの提供を目的とする。
【解決手段】インゴット全体積の２／３以上の体積部分が平均幅で１cm以上の大きさの結晶粒で占められており、かつ不特定の断面でこのインゴットを切り出した時、その断面積の70%以上が、±１５°の範囲内で面方位が同一の結晶面を有する結晶粒で構成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】一方向成長を利用したキャスト成長法で作製されるＳｉバルク多結晶インゴットにおいて、インゴット上部でも結晶品質の良い、高品質かつ高均質なＳｉバルク多結晶インゴットを得ることができる。これにより、通常は太陽電池特性が低下するインゴット上部においても太陽電池特性の劣化がなく、Ｓｉバルク多結晶インゴットの利用歩留まりを大幅に向上させることができる。
【解決手段】キャスト成長法を用いたＳｉバルク多結晶のインゴットの成長初期の段階に形成されるインゴット底部近傍のランダム粒界の割合が、全ての結晶粒界の30％以下になるよう作製される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｅを不活性ガス中で加熱して固液共存状態になるように溶解し、その中にＣｕを投入してＣｕ−Ｓｅ二元系合金溶湯を作製し、このＣｕ−Ｓｅ二元合金溶湯にＩｎを少量ずつ投入し溶解してＣｕ−Ｓｅ−Ｉｎ三元系合金溶湯を作製し、得られたＣｕ−Ｓｅ−Ｉｎ三元合金溶湯にＧａを投入して温度を上昇させることによりＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元合金溶湯を作製し、得られたＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金溶湯を鋳型に鋳造してインゴットを作製し、得られたインゴットを乾式粉砕してＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末を作製し、このＣｕ−Ｉｎ−Ｇａ−Ｓｅ四元系合金粉末を真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする。 （もっと読む）

【課題】薄板の単位時間当たりの製造量を維持し、不活性ガスの使用量の削減と、真空排気系および搬送系の簡素化を実現できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置１０００は、浸漬機構１１００と、下地板交換機構１００３と、薄板分離機構１２００と、主室１０１０とを備えている。浸漬機構１１００は、融液１００２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１００２が凝固することにより薄板Ｐを形成する。下地板交換機構１００３は、表面上に薄板Ｐが付着された下地板Ｓを浸漬機構１１００から取り外す。薄板分離機構１２００は、薄板Ｐを浸漬機構１１００から取り外された下地板Ｓから分離する。主室１０１０は、浸漬機構１１００と下地板交換機構１００３と薄板分離機構１２００とが内部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、キャスト成長法において、Ｓｉバルク多結晶の方位を｛１１０｝面のみに揃えることができる、簡便なＳｉバルク多結晶の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】ルツボを用いたＳｉバルク多結晶の融液成長において、Ｓｉ融液にＧｅを添加し、成長初期にルツボ底面に沿って＜１１２＞方向に伸びるデンドライト結晶を発現させ、デンドライト結晶の上面を｛１１０｝面とした後、上記デンドライト結晶の上面にＳｉバルク多結晶を成長させることを特徴とする、結晶粒方位の揃ったＳｉバルク多結晶の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する工程で固相シート表面に生じる液溜りによって、固相シートに亀裂を生じ、歩留りが低下している問題点を解決する固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】前記内側部の表面にスリット１０３を施す。また、好ましくは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方にスリット１０３を施す。特に好ましくは半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝１０２から内側部に複数スリット１０３を施す。 （もっと読む）

本発明は太陽電池級シリコンを含む、半導体級シリコンの鋳塊を生産するための装置および方法に関し、溶解および結晶化工程の加熱ゾーン内において酸素欠如材料を採用することによって、加熱ゾーン内の酸素の存在がほとんど減少されまたは排除されている。方法は、単結晶のシリコン結晶を成長させるためのブリッジマン法、ブロックキャスティング法、およびＣＺ工程のような、太陽電池級シリコン鋳塊を含んだ半導体級シリコン鋳塊の結晶化を含んだ任意の公知の工程に採用されてもよい。本発明は溶解工程および結晶化工程を実施するための装置にも関し、加熱ゾーンの材料は酸素欠如材料である。
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【課題】冷却プレートを用いてルツボに溶融したシリコンを凝固させることにより、均一な結晶粒を形成する太陽電池用の多結晶シリコンインゴットを製造するための装置を提供する。
【解決手段】多結晶シリコンインゴットの製造装置は、シリコンを溶融するためのルツボ２３０と、前記ルツボの高さを調節するための移送軸２５１と、前記ルツボ２３０を加熱するためのヒーター２２１，２２２と、前記ルツボ２３０の下部に位置して前記ルツボを冷却するための冷却プレート２６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属電極と半導体間のコンタクト抵抗を低減することによって、出力特性を向上させた光電変換素子、ならびにそれから構成される光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】表面に凹凸が形成された半導体基板と、前記半導体基板表面の凹凸上に形成された金属電極と、前記半導体基板表面と前記金属電極との界面の少なくとも一部に存在するガラス層と、ガラス層中であって前記半導体基板表面に接触して存在する金属粒子と、を有する光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板をカセット収納して処理する枚葉式の太陽電池セル製造工程において、シリコン基板に対し種々の応力が印加されることが、シリコン基板の破損の主な原因と推測されている。したがって応力によるシリコン基板の破損を防ぐために厚さ下限としては３００μｍ前後とならざるを得ない。本発明は、シリコン基板が製造工程で破損しない強度を保ったまま、その厚さを低減することが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】複数の半導体基板をその端部で互いに接続して帯状とした連続接続基板を用いて複数の光電変換素子を連続的に作製する光電変換素子の製造方法に関する。本発明の製造方法は、半導体基板の厚さ範囲が２０μｍ以上８０μｍ以下であることが好ましい。 （もっと読む）