【課題】排気配管の温度変化によりクリーニング完了時を判断することにより、より適切なクリーニングを行なうことができる、プラズマＣＶＤ装置のクリーニング方法およびプラズマＣＶＤ装置を提供する。
【解決手段】成膜室２の内部に、エッチングガスを導入した状態においてプラズマを発生させる第１工程を備える。また、排気配管の温度が、クリーニング開始前における排気配管の温度から所定の温度以上上昇した後に、プラズマの発生を停止する第２工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して、加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜をパターニングして固定化できる方法を提供する。
【解決手段】下記の式で表されるオリゴチオフェンの薄膜を固体基板上に真空蒸着により形成し、当該基板に紫外光を照射後、加熱処理することにより、固体基板上に近赤外光を吸収する薄膜のパターニングを形成する。


式中、Ｒ１，Ｒ２の一方はアンスリル基であり、他方はアンスリル基又はメチル基であり、ｎは１〜５の整数である。これにより、ドライプロセスで作成した薄膜を紫外光照射して加熱処理するだけで、近赤外光を吸収する薄膜を簡便にパターニング形成できる。 （もっと読む）

【課題】高い光閉じ込め効果を有する太陽電池を、簡単にかつ安価に製造する。
【解決手段】太陽電池は、基板上（１）に背面電極層（２）を形成するステップと、背面電極層（２）上に光電変換層（３）を形成するステップと、光電変換層（３）の上面に複数の開口（５）を有するパターン膜を形成するステップと、このパターン膜を介して異方性エッチングを行い、開口（５）下の光電変換層（３）に縦長の第１の孔部（５ａ）を形成するステップと、第１の孔部（５ａ）の形成後に、パターン膜を介して等方性エッチングを行って、第１の孔部（５ａ）下方に、最大幅が第１の孔部（５ａ）の開口幅よりも大きい湾曲した側面を有する第２の孔部（５ｂ）を形成するステップと、パターン膜を除去して光電変換層（３）上に透明導電被膜（４）を形成するとともに第１、第２の孔部中に透明導電被膜を埋め込むステップとによって製造される。 （もっと読む）

【課題】
反応性の単分子膜で被覆したシリコンナノ微粒子を用いたシリコンペーストを選択的に塗布し、レーザー照射することにより、単分子膜を分解除去し、微粒子から再結晶化されたポリシリコン薄膜を用いてＴＦＴを形成することを特徴とする。
【課題を解決するための手段】
表面に共有結合した第１の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子と、表面に共有結合した第２の反応性官能基を含む有機膜で被われたシリコン微粒子を有機溶媒中で混合して第１のシリコン微粒子ペーストを作成する工程と、
前記シリコン微粒子ペーストを基板表面に塗布する工程と、
硬化する工程と、
真空中または不活性ガス雰囲気中でレーザー照射してポリシリコン化する工程により、ｎ（またはｐ）型のポリシリコン薄膜を製造する。
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【課題】
ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。
【解決手段】
多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池である半導体装置の製造方法において、半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザを利用して大粒径多結晶シリコン薄膜をガラス上に形成し、この多結晶Ｓｉ層の表面側の領域に、Ｐ型領域とＮ型領域を、近接して設けてＰＮ接合を形成すること、さらにＰ型領域とＮ型領域を結ぶ方向が多結晶Ｓｉの結晶粒界の走る方向と概略平行になるようにすること、部分的にＳｉ層の存在しない領域を含むようにして半透明な半導体装置になるようにしたこと特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ナノチューブを用いることにより光電変換の効率が高く、かつ、大面積化が可能である、太陽電池を提供する。
【解決手段】ダイオードを含んで成る太陽電池１０であり、基板１上に形成され、ｎ型不純物が導入されている多結晶シリコン層３と、一端が多結晶シリコン層３に接続され、多結晶シリコン層３の各シリコン粒子から伸びて形成されたナノチューブ４を含み、ナノチューブ４の他端側の部分４ｐに、多結晶シリコン層３とは逆導電型のｐ型不純物が導入されており、多結晶シリコン層３と、ナノチューブ４の他端側の部分４ｐにより、ダイオードの不純物領域が構成されている太陽電池１０を構成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＩＧＳ型の太陽電池において、Ｍｏが適用された金属裏面電極層と光吸収層との間に形成される化合物の層を適切な厚さにするとともに均一に形成する薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】電極基板上に設置された金属裏面電極層の表面に、Ｃｕ，Ｉｎ，Ｓｅ，Ｇａからなる光吸収層を形成する工程Ｓ０１〜Ｓ０４と、前記光吸収層の表面にバッファ層を形成する工程Ｓ０５と、前記バッファ層の表面に透明電極層を形成する工程Ｓ０６と、前記透明電極層の側から前記光吸収層へ空間選択的にレーザ光を照射する工程Ｓ０７と、から構成される。 （もっと読む）

【課題】低コストで、太陽電池の大面積化を可能にし、異なるバンドギャップを有する薄い複数の光吸収層を多段階に積層させて効率を向上させる光吸収層の形成方法を提供する。
【解決手段】カルコパイライト型の結晶構造を有する化合物半導体の構成元素（Ｃｕ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｓｅ）と有機溶媒とを混合した組成の異なる複数の溶液を、裏面電極を表面に備えた基板上に、塗布、乾燥、急速焼成する工程を繰り返す。ここで、各溶液は、Ｇａの組成比率が高い方から順番に、塗布、乾燥、急速焼成される。 （もっと読む）

【課題】ガラス上に高効率な薄膜多結晶シリコン（Ｓｉ）太陽電池を実現することを目的とした半導体製造方法。
【解決手段】半導体励起（ダイオード励起）された固体連続波レーザーを利用して（１１０）と（１１１）に配向制御した大粒径多結晶シリコン（Ｓｉ）薄膜をガラス上に形成し、このＳｉ膜を種（シード）結晶として多結晶Ｓｉ層を直接成長する。
その後、本薄膜に対してＳｉ層が溶融しない条件でエネルギービームを照射してＳｉの固相成長を行うことを特徴とした太陽電池用半導体製造方法。 （もっと読む）

【課題】下部セルのｐｎ接合が破壊されることなくタンデム型薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に積層された複数の光電変換ユニットを備えたタンデム型薄膜太陽電池１００の製造方法であって、光電変換ユニットの第１電極層を形成する第１電極層成膜工程と、成膜された第１電極層上に複数の半導体前駆体層を成膜する前駆体層成膜工程と、成膜された半導体前駆体層上に第２電極層を成膜する第２電極層成膜工程と、第１電極層と第２電極層との間に半導体前駆体層とが成膜された光電変換ユニットの複数個を積層した後に、光電変換ユニットの半導体前駆体層を加熱し、半導体の結晶を生成させる前駆体層拡散工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明はマルチバンドギャップを備えるナノ結晶シリコン光電池を提供する。
【解決手段】本発明は光電池に関する。一つの実施例において、前記光電池は、第１導電層と、前記第１導電層上に形成されるＮ型ドープ半導体層と、前記Ｎ型ドープ半導体層上に形成される第１シリコン層と、前記第１シリコン層上に形成されるナノ結晶シリコン（ｎｃ−Ｓｉ）層と、前記ナノ結晶シリコン層上に形成される第２シリコン層と、前記第２シリコン層上に形成されるＰ型ドープ半導体層、及び前記Ｐ型ドープ半導体層上に形成される第２導電層とを備える。第１シリコン層と第２シリコン層の一方がアモルファスシリコンにより形成され、もう一方が多結晶シリコンにより形成される。 （もっと読む）

【課題】太陽電池の製造において、製造のための消費エネルギーの低減を図る。
【解決手段】シリコン基板上に不純物層を形成し、かつガラス基板にカーボンまたはカーボンを含む光吸収層を形成し、上記不純物層と上記光吸収層を密着させ、当該ガラス基板の方向から赤外レーザ光を照射することにより、光吸収層を加熱することにより、レーザ照射された箇所のシリコン基板に上記不純物を導入することを特徴とすることにより不純物の導入を行なう。 （もっと読む）

【課題】薄膜系太陽電池を構成する光発電素子であって、カルコパイライト構造を有する化合物半導体材料の薄膜からなり、エネルギー変換効率が高く、生産性と安全性に優れた光発電素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光照射により発電する光発電素子であって、絶縁性材料からなる基板と、基板上に形成され金属材料からなる裏面電極層と、裏面電極層上に形成されＡｌ、Ｃｕ、Ｉｎ及びＴｅを含むカルコパイライト構造を有する化合物半導体材料からなり光照射によりｐｎ結合を生じる半導体光吸収層と、半導体光吸収層上に形成され少なくとも半導体光吸収層を照射する光を透過する材料からなる表面電極層と、を少なくとも備える光発電素子。 （もっと読む）

【課題】低コスト化と光電変換効率向上とを両立可能な太陽電池とその製造方法を提供すること。
【解決手段】ＨＩＴ型太陽電池層と色素増感型太陽電池層とを積層して構成された太陽電池の製造方法であって、シリコン基板(1)の一面上に、第１の液体材料を塗布し、焼成することによって真性アモルファスシリコン層(3)を形成し、真性アモルファスシリコン層の上側に、第２の液体材料を塗布し、焼成することによって不純物アモルファスシリコン層(4)を形成し、不純物アモルファスシリコン層の上側に、第３の液体材料を塗布し、焼成することによって触媒層(6)を形成し、一面に半導体電極(12)及び色素層(13)を有する透明基板(10)を、当該一面側をシリコン基板の一面側と対向させて配置し、透明基板とシリコン基板との隙間に電解質層(15)を形成する、太陽電池の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】透明導電膜を薄膜化させた場合においても良好な光閉じこめ効果を有する凹凸構造を形成し、光吸収損失の低減および信頼性の高い薄膜太陽電池およびその製造方法を得ることを目的とする。
【解決手段】本発明における薄膜太陽電池２０の製造方法は、（a）透明絶縁基板１を準備する工程と、（b）透明絶縁基板１の表面に凹凸構造を形成する工程と、（c）透明絶縁基板１上に透明電極層４を形成する工程と、（d）透明電極層４上に光電変換層１２を形成する工程と、（e）光電変換層１２上に裏面電極層８を形成する工程と、を備え、工程（b）は、（f）透明絶縁基板１上に非晶質膜２を形成する工程と、（g）非晶質膜２にレーザ照射を行い、結晶化された結晶質膜３を形成する工程と、（h）結晶質膜３にエッチングを行い、結晶質膜３を除去する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】限られた資材を有効に利用して、需要を賄う量の光電変換装置を生産することが困難であった。そこで、シリコン半導体材料を有効に利用して光電変換特性の優れた光電変換装置を提供することを目的とする。
【解決手段】単結晶半導体層の一方の面に第１電極と一導電型の第１不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第２不純物半導体層が設けられた第１ユニットセルと、ｐ型有機半導体とｎ型有機半導体とを含む第２ユニットセルとを有し、第１ユニットセルと第２ユニットセルは、中間層を介して直列接続され、中間層は遷移金属酸化物を含んでおり、第１電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 （もっと読む）

【課題】接合される部材の構成材料によらず、２つの部材同士を高い寸法精度で強固に接合可能な接合方法、かかる接合方法により、２つの部材同士を強固に接合してなる接合体および半導体装置、および、前記半導体装置を備え、光電変換効率が高く容易に製造可能な光電変換素子を提供すること。
【解決手段】本発明の接合方法は、第１の基材２１と第１の接合膜３１とを備える第１の被着体４１と、第２の基材２２と第２の接合膜３２とを備える第２の被着体４２とを用意する工程と、各接合膜３１、３２にエネルギーを付与して、Ｓｉ−Ｈ結合を切断することにより、各接合膜３１、３２に接着性を発現させる工程と、各接合膜３１、３２同士が密着するように、各被着体４１、４２を貼り合わせる工程とを有する。ここで、第１の接合膜３１はＳｉ−Ｈ結合を含むアモルファスシリコンで構成され、第２の接合膜３２はＳｉ−Ｈ結合を含む多結晶シリコンで構成されている。 （もっと読む）

【課題】限りある資源を有効活用しつつ、優れた光電変換特性を有する光電変換装置を提供する。
【解決手段】単結晶半導体基板の一表面から１０００ｎｍ未満の深さの領域に脆化層を形成し、且つ単結晶半導体基板の一表面側に第１不純物半導体層、第１電極を形成する。第１電極と支持基板とを重ね合わせて貼り合わせた後、脆化層又は当該脆化層の近傍を分離面として単結晶半導体基板を分離させることにより、支持基板上に第１単結晶半導体層を形成する。第１単結晶半導体層の分離面上に非晶質半導体層を形成し、熱処理を行い、非晶質半導体層を固相成長させて第２単結晶半導体層を形成する。第２単結晶半導体層上に、第１不純物半導体層とは逆の導電型の第２不純物半導体層を形成し、第２不純物半導体層上に第２電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】積層型の光電変換装置において、上層ユニットセルと下層ユニットセルの間に金属薄膜若しくはシリサイド膜等を形成するためには、その薄膜を形成する工程が余計に必要になる。そのため、光電変換装置の生産性が低下するといった問題がある。
【解決手段】厚さが１０μｍ以下の単結晶半導体層を光電変換層に含む第１ユニットセルと、該第１ユニットセル上に設けられた非単結晶半導体層を光電変換層に含む第２ユニットセルを少なくとも有し、該ユニットセル間に金属クラスターを分散させる。導電性クラスターは、下層ユニットセルと上層ユニットセルの間にあってオーム接触を形成するので、両ユニットセル間にオーミック電流を流す。導電性クラスターは、分散配置されることにより、上層ユニットセルから下層ユニットセルへ入射する光の損失を低減する。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体材料を有効に利用して、光電変換特性の優れた光電変換装置の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池を用いた光電変換装置の製造方法に関し、絶縁表面を有する支持基板に、所定の深さに損傷層が形成された複数の単結晶半導体基板を配列し、損傷層を境界として単結晶半導体基板の表層部を薄く分離することにより支持基板の一面に単結晶半導体層を形成し、単結晶半導体層の分離により露出した面側からレーザビームを照射して、単結晶半導体層の表面を平坦化する。 （もっと読む）