２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する１種もしくはそれより多い金属酸化物又はそれらの混合物を用いて内部及び外部表面上で分光増感された２．９ｅＶより大きいバンドギャップを有する多孔質金属酸化物半導体；２．９ｅＶより大きいバンドギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物を準備し、熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解されると２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属酸化物を与える金属化合物又は塩の溶液を適用し、金属塩が適用された２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物を加熱して、塩を熱分解するか又は加水分解し且つ続いて熱分解し、２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属酸化物とする段階を含んでなる、２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ多孔質金属酸化物をその内部及び外部表面上で分光増感するための方法；ならびに（ｉ）２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有する金属酸化物半導体に熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解される金属化合物又は塩ならびに２．９ｅＶ未満のバンド−ギャップを有する金属酸化物に熱分解されるか又は加水分解され且つ続いて熱分解される金属化合物又は塩を含有する溶液を調製し、（ｉｉ）段階（ｉ）で調製された溶液に水溶性ポリマーを加え、（ｉｉｉ）段階（ｉｉ）で調製された溶液を支持体上にコーティングし、そして（ｉｖ）段階（ｉｉｉ）で調製されたコーティングされた支持体を、水溶性ポリマーがもはやコーティング支持体中に存在しない温度に加熱する段階を含んでなる、２．９ｅＶより大きいバンド−ギャップを有するナノ−多孔質金属酸化物をその内部及び外部表面上で分光増感するための第２の方法。
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【課題】 薄膜太陽電池に好適に用いられる透明導電膜つき基板において、好ましい凹凸形状をもつ基板を得る。
【解決手段】 透明導電膜の凹凸形状においては、その凹凸形状の凸部の頂上が略部分球面からなり、明瞭な稜線が見られない凹凸形状を透明導電膜が好ましい。その凹凸形状は、ピラミッド状の凸状突起群をもつ透明導電膜として、ＣＶＤ法を用いてフッ素ドープ酸化錫膜を作製し、その凸状突起群を遊離砥粒で適切に研磨することによって製造する。 （もっと読む）

【課題】 光電気化学電池用などの光電変換素子に、安価で資源枯渇の懸念のない半導体微粒子を用いても、該微粒子の表面に高い固定率で固定することができ、しかも、優れた光電変換効率を与える、新規な光電変換素子用色素を提供する。
【解決手段】 式（I）で示される光電変換素子用色素。


［式中、Ｘは、Ｏ、Ｓ、またはＮＨ等を表す。Ｒ_１〜Ｒ₈は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、トリフルオロメチル基、シアノ基、アルケニル基、ニトロ基、−ＯＨ、−ＳＨ、−ＮＨ_２、−Ｓ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｓ（＝Ｏ）_２ＯＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＯＨ、−Ｃ（＝Ｏ）ＮＨ_２、−ＮＨＣ（＝Ｏ）ＯＨ_、−ＰＯ（ＯＨ）_２、−Ｂ（ＯＨ）_２、または３〜３０員環の複素環残基等を表す。］ （もっと読む）

本発明は、多孔質半導体膜の製造方法と、そのような製造から得られる膜に関する。さらに、そのような膜を組み込んだ電子デバイスと、そのような膜の可能な使用に関する。
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本発明は、少なくとも1つの透明導電酸化物層、活性ポリマー層、背後電極層および基板層を備え、透明導電酸化物(TCO)層は、10nm〜500nmの範囲のX値および15nm〜1000nmの範囲のY値を有することにより特徴づけられる制御された表面構造を有し、X値およびY値の間の比率(X/Y)は多くとも1であり、X値は表面上のピーク高さの平均値として規定され、Y値は表面上の平均ピーク間距離として規定され、XおよびYの値はどちらも、SEM(走査電子顕微鏡)または原子間力顕微鏡(AFM)により測定される、ポリマー光電子デバイスに関する。 （もっと読む）

【課題】有機光起電（「ＰＶ」）装置を提供する。
【解決手段】本有機光起電（「ＰＶ」）装置は、直列に接続されて大面積をカバーした複数の有機ＰＶセルを含む。本有機ＰＶ装置は、随意的に各有機ＰＶセルに並列に接続された電気回路要素を有する。本有機ＰＶ装置は、セルの１つにおいて短絡が生じるか又は電気的中断が発生した時でさえも、継続的な作動を可能にする。本装置は、１つの装置内に幾つかの連続層を形成するのを可能にするシャドウマスクを使用して都合良く製造される。 （もっと読む）

太陽電池の構成を、基板（２１）と、基板（２１）上に形成された導電膜（２２）と、導電膜（２２）上に形成された、Ｉｂ族元素、ＩＩＩｂ族元素及びＶＩｂ族元素を含有するｐ形半導体結晶を有する化合物半導体層（２３）と、化合物半導体層（２３）上に形成され、開口（２９）を有するｎ形窓層（２４）と、ｎ形窓層（２４）上及びｎ形窓層（２４）の開口下における化合物半導体層（２３）上に形成されたｎ形透明導電膜とを含む太陽電池であって、化合物半導体層（２３）が、導電膜（２２）と反対側の表面近傍の一部に形成された、ｐ形半導体結晶にドープされたｎ形不純物を有する高抵抗部（２３Ｂ）を有し、高抵抗部（２３Ｂ）が、ｎ形窓層（２４）の開口（２９）下に配置されている構成とする。 （もっと読む）

本発明は、以下の工程を連続的に含む方法によって得ることのできる、ｐｎ−半導体材料。
−多孔性酸化物セラミック製の基板を、導電性重合体の１以上の前駆体で重合化され得る少なくとも１つの基、及び上記基板上に化学的にグラフトされ得る少なくとも１の基を有する１以上の化合物で化学グラフトによって機能化する工程；
−上述のようにして機能化された基板を、上記前駆体を含有する溶液に含浸する工程；及び
−上記前駆体を重合する工程。
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小さなガラス球（１０）の内部表面上に形成された多層光起電デバイス（１１）は、球の内部に固定された、センサ、通信、及びデータ処理手段用の持続可能な電力を供給する。球は、発射可能な小型モートが、インテリジェンス、防衛、セキュリティ、及び多くの他の民間用途で使用されることを可能にするために、透明ゴム状カバー（２１）でカプセル化される。

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集積した半導体素子を有する太陽電池の直列接続の方法を提供する。一つ以上の導電性素子、及び、球状、又は、粒状の半導体素子が絶縁性支持層にパターンに従って組み入れられ、また、前記素子は少なくとも前記絶縁性支持層の片側面からはみ出し、また、前記パターンは、少なくとも一つの連続した、幅Ｂの、導電性素子から成る分離線を有する、こととする。前記分離線の隣、又は、複数の分離線の間のエリアには、半導体素子が組み入れられる。
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【課題】電子デバイス用の複合電極を提供する。
【解決手段】複合電極は、アルカリ金属及びアルカリ土類金属からなる群から選択された少なくとも１つの金属の少なくとも１つのハライド化合物を含む第１の層（３２）と、導電性材料を含む第２の層（３４）とを含む。第２の層（３４）は、第１の層（３２）と電子デバイス（１０）の電子活性材料（４０）との間に配置される。本複合電極は、有機発光デバイス又は有機光起電力電池の陰極として機能させることができる。本複合電極は、実質的に透明であるように製造することができる。 （もっと読む）

Ｃ光源ヘイズ率の高い、光透過性に優れた、高い導電性を有する透明導電膜付き基体およびその製造方法、上記基板を用いた光電変換素子の提供。 基体上に導電層が形成され、該導電層上に厚みが０．５〜１０ｎｍの酸化チタン層を有することを特徴とする透明導電膜付き基体。前記導電層が酸化スズ層であり、前記透明導電膜付き基体のＣ光源ヘイズ率が５〜９０％であることが好ましい。前記基体と前記導電層との間に、基体側から高屈折率層、低屈折率層が順に積層されることが好ましい。 （もっと読む）

【解決手段】
本発明は、２室構造又は多室構造の光起電力電池、その使用方法及びその製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板上に透明電極を形成しても、ガラス基板が高い衝撃強度と優れた切断性を有する太陽電池基板の製造方法を提供する。
【解決手段】アモルファスシリコン太陽電池に使用される透明電極を備えた太陽電池基板の製造方法において、４８０℃〜５７０℃の温度に加熱したガラス基板上に透明電極膜を製膜する製膜工程と、製膜した該基板を２０℃／分以下の冷却速度で該温度から少なくとも４５０℃まで冷却する冷却工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 従来の半導体は平面構造をしており太陽電池を想定した場合は光の利用率が低く、またその利用波長領域も限られていた。
【解決手段】 半導体、混晶半導体、半導体組成物において微粒子を燒結し著しく表面積を向上すると同時に可視光領域にまで感度を持たせ、発電効率や界面機能性を格段に向上した事を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 大型基板上に形成された光電変換装置の複数の個々の装置への分割を、半導体層と裏面電極との間で剥離を生ずることなく行うことを可能とする、光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板上に、第１の電極層、半導体層、および第２の電極層を順次積層する工程と、前記第２の電極層の、複数のモジュールに分割される予定領域を所定の幅に除去し、前記第２の電極層をモジュールごとに複数に区分する工程と、前記複数に区分された第２の電極層の全体に封止樹脂を被覆する工程と、前記封止樹脂が被覆された構造を、前記第２の電極層が除去されている、前記複数のモジュールに分割される予定領域に沿って切断して、複数の光電変換装置モジュールを形成する工程を具備することを特徴とする。 （もっと読む）