【課題】
二つのガス系でＳｉＯ_２のデポジション（堆積層）をセルフマスクにしてテクスチャーを形成する、自然酸化膜を利用した太陽電池用テクスチャーの形成方法及び装置を提供する。
【解決手段】
結晶系太陽電池の製造に用いられる基板の表面にテクスチャーの形成において、塩素ガスと酸素ガスとの二つのガス系を用い、基板のエッチング中に生成されるＳｉＯ_２のポジションをセルフマスクとしてテクスチャーを形成する。 （もっと読む）

【課題】工数を低減して効率的に半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面の一部に第１導電型ドーパントを含有する第１導電型ドーパント拡散剤を塗布する工程と、第１導電型ドーパント拡散剤から半導体基板の表面に第１導電型ドーパントを拡散させることによって第１導電型ドーパント拡散層を形成する工程と、第１導電型ドーパント拡散層の形成後の第１導電型ドーパント拡散剤の残部の少なくとも一部を拡散抑制マスクとして半導体基板の表面に第２導電型ドーパントを拡散させることによって第２導電型ドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、受光面にフローティング電位を無くし、特性の安定した太陽電池を提供する。
【解決手段】 この発明の裏面接合型太陽電池は、ｎ型の単結晶シリコン基板１の非受光面側に形成された線状のｎ型領域３とｐ型領域４、ｎ型領域３と接続されるｎ電極６と、ｐ型領域４と接続されるｐ電極７と、基板１の受光面側に形成されたパッシベーション膜８と、パッシベーション膜８上に形成された透明導電膜９とを備え、透明導電膜９は基板１側面にまで延びて形成され、ｎ電極６と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】従来の技術で選択エミッタ構造に電極パターンを形成するときに発生しうるアラインメントの問題を解決するために、選択エミッタ構造の電極パターンのアラインメント方法を提供する。
【解決手段】本発明による方法は、基板を提供する段階と、基板に障壁層を形成し、更に障壁層をパターン化して基板の一部を露出させて電極パターン領域を形成する段階と、電極パターン領域の基板の表面特性を変えて、パターン化可視マークを形成する段階と、障壁層を除去する段階と、パターン化可視マークをアラインメントマークとする段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】さらなる特性の向上を達成することができる太陽電池セルを提供する。
【解決手段】第１導電型の半導体基板と、半導体基板の一方の表面側に形成された第１導電型不純物拡散領域と第２導電型不純物拡散領域とを備えており、第２導電型不純物拡散領域を複数有し、隣り合う第２導電型不純物拡散領域の間隔が４００μｍ以下である太陽電池セルである。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするもので、かつ抵抗値が低い電極を厚膜化することなくシリコン基板上に形成可能な太陽電池の電極形成に好適なペースト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
シリコン基材上に電極を形成するためのペースト組成物であって、５０重量％粒子径が２〜２０μｍ、かつ平均厚さが０．１〜１μｍの範囲にあるフレーク状アルミニウムを６０重量％以上含有する導電性成分（Ａ）ガラス粉末（Ｂ）、および酸価が２ｍｇＫＯＨ／ｇ以上のバインダー樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とするペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤによって半導体素子上に窒化シリコン薄膜を形成する成膜処理において、高い表面パッシベーション効果を得ると共に、成膜時間を短縮する。
【解決手段】半導体表面に窒化シリコン（ＳｉＮ_ｘ）膜の薄膜を形成する成膜方法において、高周波電極と対向電極とを平行して対向配置してなる平板電極間の放電によってプラズマを生成し、放電プラズマによって半導体表面上に２層からなる薄膜を成膜し、２層の薄膜の内、第１層目の薄膜は６０ｎｍ／ｍｉｎ以下の低速で膜厚１０ｎｍ以下に成膜し、第２層目の薄膜は１００ｎｍ／ｍｉｎ以上の高速で膜厚１０ｎｍ以上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするもので、かつ抵抗値が低い電極を厚膜化することなくシリコン基板上に形成可能な太陽電池の電極形成に好適なペースト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】
シリコン基材上に電極を形成するためのペースト組成物であって、５０重量％粒子径が２〜２０μｍ、かつ平均厚さが０．１〜１μｍの範囲にあるフレーク状アルミニウムを６０重量％以上含有する導電性成分（Ａ）ガラス粉末（Ｂ）、および塩基価が２ｍｇＨＣｌ／ｇ以上のバインダー樹脂（Ｃ）を含有することを特徴とするペースト組成物。 （もっと読む）

【課題】結晶シリコン基板内部および結晶シリコン基板とシリコン半導体層との界面における欠陥を、結晶シリコン基板にダメージを与えることなく、有効に修復することができる光起電力装置の製造方法を得ること。
【解決手段】少なくとも一方の層に例えば酸素を含ませて真性型シリコン層と不純物ドープ層とを基板に形成する工程（工程Ｐ６）と、基板に形成されたこれらの酸素を含む真性型シリコン層および不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程（工程Ｐ７）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光発電領域を広く確保しながら、絶縁溝によって表面電極と裏面電極との導通を確実に阻止する太陽電池の製造方法を提供すること。
【解決手段】ｐ型シリコン基板１１の表面に、ｎ型半導体層１２を形成する工程と、シリコン基板１１の裏面に裏面電極１４を形成する工程と、ｎ型半導体層１２の表面に表面電極１５を形成する工程と、表面電極１５と裏面電極１４との導通を阻止する絶縁溝１６を、シリコン基板１１の周側面に形成する工程とを有する。ここで、絶縁溝１６はレーザビームＬＢの照射によって形成するのが好ましい。 （もっと読む）

【課題】中間反射層の膜質、膜厚が均一である積層型光電変換装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板の一方の主面上に順次積層された透明電極層、ｐｉｎ接合からなりｉ型層が実質的に非晶質シリコンであり、n型層の一部がシリコンと酸素との非晶質合金中にシリコン結晶層を含むｎ型のシリコン系複合層である第一の光電変換ユニット、ｐｉｎ接合からなりｉ型層が実質的に結晶質シリコンである第二の光電変換ユニット、及び裏面電極層からなる積層型光電変換装置の製造方法であって、前記第一の光電変換ユニット形成後にn型層側から光を入射しラマン散乱スペクトルを測定した場合、結晶シリコン成分のＴＯモードピークのピーク位置が５１６ｃｍ^-1以上５１９ｃｍ^-1以下となるように光電変換ユニットを形成することを特徴とする積層型光電変換装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高い精度で配線材を出力取出電極に接続する太陽電池モジュールの製造方法及び太陽電池モジュールの製造装置の提供。
【解決手段】第１及び第２の太陽電池素子を有してなる太陽電池モジュールの製造方法であって、第１の太陽電池素子の第１出力取出電極または第１集電電極の第１位置情報を取得し、該第１位置情報に基づき、第１の太陽電池素子の第１出力取出電極と配線材６との位置合わせを行い、第１の太陽電池素子の第１出力取出電極と配線材６とを電気的に接続する工程と、第２の太陽電池素子の第２出力取出電極または第１集電電極の第２位置情報を取得し、該第２位置情報に基づき、第２の太陽電池素子の前記第２出力取出電極と配線材６との位置合わせを行い、第２の太陽電池素子の第２出力取出電極と配線材６とを電気的に接続する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 ウェーハに印刷された太陽電池の構成要素を、短時間・省エネルギーで乾燥することができるとともに、占有面積も狭小で足りる太陽電池印刷用乾燥装置を実現する。
【解決手段】 ペーストが塗布されたウェーハを加熱するための、内部にそれぞれ電熱ヒータを備え所定の間隔をおいて並置された３つの加熱用金属板を有する４つの加熱部１０−１〜−４を水平方向に配設する。各加熱用金属板にウェーハを吸着保持するための複数の吸気孔を設ける。ペーストが塗布されたウェーハを支持して搬送するための、３つの加熱用金属板間の２つの空隙部を挿通する、ウェーハを吸着保持するための複数の吸気孔を有する２本の搬送バー２０ａ，２０ｂを配設する。２本の搬送バー２０ａ，２０ｂにより支持されたウェーハを、水平方向および垂直方向において所定距離移動させる。 （もっと読む）

【課題】ガス沈殿製造法により、如何なるフォトマスクのマイクロ・リソグラフィー、エッチング製造法を使用する必要がない太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池の製造方法に於いて、太陽電池の両電極層はウエハーの同一側に設置し、別側に入射した太陽光が電極層によって遮られることがなく、光電転換効率を向上させる。更に各電極層は遮蔽カバー層によってガス沈殿製造法が実施され、任何なるフォトマスクのマイクロ・リソグラフィー、エッチング製造法を必要とせず，もちろん、高温製造を必要としないので、ウエハーの品質を破壊しない。 （もっと読む）

【課題】 簡単な装置構造により角形の半導体基板に対しても均一な裏面平坦化が可能な太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板の受光面と反対側の裏面を湿式エッチングにより平坦化する裏面エッチング工程において、受光面を被覆して半導体基板をエッチング液中に浸漬させた状態で、半導体基板が浸漬している領域外にあるエッチング液を裏面に噴き付ける。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、スライス台の適正化を図ることにより、固定砥粒ワイヤーを用いた場合であっても、固定砥粒ワイヤーとスライス台との間で滑りが発生することなく、確実にインゴットの切断を行える太陽電池用シリコンインゴットの切断方法を提供することにある。
【解決手段】スライス台１０に接着固定されたインゴット２０を、固定砥粒ワイヤー３０が少なくともスライス台１０の接着面に切り込む位置Ｘに達するまで切断する方法であり、前記スライス台１０の接着面１０ａの表面粗さ（Ｒａ）が、3μm以上であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の薄肉化に因る、太陽電池セルの反りに起因した歩留まりの低下および裏面側の電極に起因した出力の低下が防止された、歩留まりおよび出力特性に優れ、安価且つ高品質な太陽電池セルを得ること。
【解決手段】ＰＮ接合を有する半導体基板と、前記半導体基板の受光面側に形成された表面側電極と、前記半導体基板の裏面側において、裏面銀電極と、熱膨張率がアルミニウムよりも小さく、且つ溶融温度、軟化温度および分解温度のうちのいずれかがアルミニウムの融点よりも高い無機物成分を含有したアルミニウムを主成分とする第１のアルミニウム電極と、がアルミニウムを主成分とする第２のアルミニウム電極を介して接続されてなる裏面側電極と、を備える。 （もっと読む）

【課題】太陽電池モジュールの信頼性をより長く確保することが可能な裏面電極型太陽電池セル、配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の一方の面側に設置された第１導電型用電極と第２導電型用電極とを含み、第１導電型用電極の幅方向の中心に対して、第１導電型用電極が接触している半導体基板の領域である第１のコンタクト領域の幅方向の中心の位置がずれている裏面電極型太陽電池セル、それを用いた配線シート付き太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 （もっと読む）

【課題】収集電極及び配線材のパターンを簡易にしながら、収集電極の集電効率を向上することを可能とする太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】太陽電池モジュール１００に設けられた複数の太陽電池１０のそれぞれは、裏面１１Ｎに形成された第１導電型領域１１Ａ及び第２導電型領域１１Ｂを有する基板１１と、第１導電型領域１１Ａに設けられた第１電極１２と、第２導電型領域１１Ｂに設けられた第２電極１３とを有する。配線材２０は、裏面１１Ｎと略平行な投影面において、第１電極１２及び第２電極１３の双方と交差する。太陽電池１０Ｘにおいて、配線材２０は、第１電極１２と電気的に接続されるとともに、第２電極１３と絶縁される。太陽電池１０Ｙにおいて、配線材２０は、第２電極１３と電気的に接続されるとともに、第１電極１２と絶縁される。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池において、各半導体接合界面や集電極付着界面で各層の剥離が起こりやすく、生産性および耐久性に悪影響を与えるという課題があった。
【解決手段】
厚みが２００μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に導電性酸化物層を備え、さらに前記導電性酸化物層上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、前記単結晶シリコン基板から保護層までの間の少なくとも１層に１〜２０ｎｍの膜厚のアモルファスカーボン層が設けられていることを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）