【課題】太陽電池の電極を凹版グラビアオフセット印刷法によって形成する場合において、基板表面に従来よりも比して細幅で厚みもある電極を、従来に比して生産性を向上させて形成することができる太陽電池セル電極形成ペーストを得ること。
【解決手段】太陽電池セルの電極の形成に用いられる太陽電池セル電極形成ペーストにおいて、導電性粉末と、軟化点が３５０〜６００℃の範囲内にあるガラスフリットと、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、エチルセルロースからなる群から選択される少なくとも１つを含む結着用樹脂と、ポリアクリル酸、ポリアクリル酸アルキル、またはポリメタクリル酸アルキルの構造を有するアクリル樹脂からなる転写用樹脂と、２０℃での蒸気圧が０．１ｍｍＨｇ以下である低揮発性溶媒と、２０℃での蒸気圧が０．５〜５ｍｍＨｇである高揮発性溶媒と、を含む。 （もっと読む）

【課題】水平搬送方式の基板表面処理装置において、低濃度薬液の滞留によるエッチング速度の低下を抑えることのできる基板表面処理装置を得ること。
【解決手段】基板表面処理装置１は、基板１０６の表面処理を行う薬液を収容する薬液槽１０１と、薬液槽内に回転自在に設けられて基板を搬送する複数の搬送ローラー１０３と、を有し、基板を搬送しながら薬液で基板を表面処理する基板表面処理装置であって、薬液槽内に配置されるとともに、薬液の通過可能な開口１０７が形成されて開口を通して薬液の移送を行う薬液移送手段１２２をさらに有し、薬液移送手段は、隣接する搬送ローラー同士の間に開口が位置するように配置される。 （もっと読む）

【課題】光電変換効率を向上させることが可能な、光電変換素子を提供する。
【解決手段】ｐ層及びｎ層、ｐ層とｎ層との間に配設されたｉ層、ｐ層に接続された第１電極、並びに、ｎ層に接続された第２電極を備え、少なくともｉ層は、第１半導体によって構成される障壁層、及び、該障壁層に接触するように配設された第２半導体によって構成される量子構造部を有し、第１半導体のバンドギャップは第２半導体のバンドギャップよりも広く、第１電極及び／又は第２電極が、障壁層のエネルギーバンドに対応した電極と、量子構造部のエネルギーバンドに対応した電極とを有する、光電変換素子とする。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに導電型の異なるシリコン半導体２，３相互の接合部を少なくとも１つ有する半導体装置であって、上記シリコン半導体接合部の接合界面端部を含む表面を、Ｎを含有するＳｉＯ₂膜８で接合界面端部を覆うことにより、接合界面端部の大気との接触を避けることができ、この部分での不純物吸着を抑え、経年によるリーク電流の発生を抑えることができる。ＳｉＯ₂膜８にＮを含有させることで、ＮがＳｉＯ₂膜に含有されると同膜に正の固定電荷が発生し、これにより電場が形成され、接合界面端部を含む表面でのキャリアの再結合を抑え、リーク電流の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】鉛を含有しないにも拘わらず、良好な太陽電池特性が得られる表面電極を形成する太陽電池電極形成用導電性ペーストを提供する。
【解決手段】銀を主成分とする導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、溶剤とを含む太陽電池電極形成用導電性ペーストであって、前記ガラスフリットが、酸化テルルを網目形成成分としたテルル系ガラスフリットを含むことを特徴とする太陽電池電極形成用導電性ペースト。本発明の導電性ペーストは、基板側へのファイアースルーによる問題を起こすことなく、焼成温度に対する依存性の低い太陽電池電極を形成し、諸特性に優れた太陽電池を得ることを可能にする。 （もっと読む）

【課題】鉛系ガラスを含まない導電性ペーストを用いて形成された電極を備え、優れた太陽電池特性を有する太陽電池素子を提供すること、およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも導電性粉末と、ガラスフリットと、有機ビヒクルと、溶剤を含む導電性ペーストを、表面に窒化珪素層を備えた半導体基板上に塗布し、焼成することによって形成された電極を備えた太陽電池素子であって、前記電極が、銀を主成分とする表面電極層と、テルル系ガラスを主成分とするガラス層と、前記焼成により析出した複数の銀粒子を含む酸化珪素層を備えた構造を有することを特徴とする太陽電池素子。 （もっと読む）

【課題】拡散性能の向上、ひいては電気特性の向上および耐酸性の向上が可能な拡散剤組成物及びその組成物による太陽電池を提供する。
【解決手段】半導体基板１への不純物拡散成分の印刷に用いられる拡散剤組成物２、３であって、アルコキシシランの加水分解生成物（Ａ）と、アルコキシチタンの加水分解生成物、アルコキシジルコニウムの加水分解生成物、チタニア微粒子およびジルコニア微粒子のうち、少なくとも１種を含む成分（Ｂ）と、不純物拡散成分（Ｃ）と、有機溶剤（Ｄ）と、を含有する。 （もっと読む）

【課題】中間ナローバンドギャップ層をトンネル接合領域に有し、光電変換効率を大幅に改善するようにした多接合型太陽電池を提供すること。
【解決手段】ｐ型Ｇｅ基板を含む下部セル層１２と、第２のトンネル接合層１４と、ＩｎＧａＡｓからなる中間セル層１５と、第１のトンネル接合層１６と、ＩｎＧａＰからなる上部セル層１７と、表面電極１８とで構成され、第２のトンネル接合層１４は、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰ層１４１とＣドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層1４２とで挟持された中間ナローバンドギャップ層であるＩｎＳｂ層１４ａからなり、第１のトンネル接合層１６は、Ｓｉドープのｎ型ＩｎＧａＰ層１６１とＣドープのｐ型ＡｌＧａＡｓ層１６２とで挟持された中間ナローバンドギャップ層であるＩｎＳｂ１６ａからなっている。 （もっと読む）

【課題】安価で、結晶Ｓｉ型太陽電池の一般的な作製プロセスにおいて十分な焼結性を有するため低抵抗化が実現でき、Ｓｉ基板との間の界面抵抗が少ない結晶Ｓｉ太陽電池用電極を提供する。
【解決手段】本発明に係る太陽電池セルは、ｎ型半導体層とｐ型半導体層が形成されたＳｉ基板と、前記Ｓｉ基板受光面側の上に形成された反射防止層と、ｎ型半導体層に形成された第一の電極と、ｐ型半導体層に形成された第二の電極とを具備し、ｎ型半導体層に形成された第一の電極はアルミニウム，銅、もしくはそれらの合金を含む金属相と酸化物相とを含み、さらにｎ型半導体層の第一の電極と接している部分に、アルミニウムと銅の拡散層が配置されている。 （もっと読む）

【課題】従来の単結晶、多結晶、薄膜太陽電池よりも透明電極と集電極との接合を良好にする。
【解決手段】厚みが２５０μｍ以下の一導電型単結晶シリコン基板を用い、前記基板の一面にｐ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｐ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記基板の他面にｎ型シリコン系薄膜層を有し、前記基板と前記ｎ型シリコン系薄膜層の間に実質的に真正なシリコン系薄膜層を備え、前記ｐ型およびｎ型シリコン系薄膜層上に透明電極を備え、さらに前記透明電極上に集電極、さらにその上に保護層を設けた結晶シリコン系太陽電池であって、上記透明電極において、集電極と半導体層に挟まれた実質的に光が当たらない箇所とそれ以外の箇所でキャリア濃度が異なり、さらに、実質的に光が当たらない箇所の方がそれ以外の箇所よりもキャリア濃度が高いことを特徴とする、結晶シリコン系太陽電池。 （もっと読む）

【課題】太陽光の吸収層を傾斜組成構造とすることにより光電変換効率を大幅に改善できる接合型太陽電池を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板２２上に形成されたバッファ層２３上に、ＩｎＡｓ_0.4Ｐ_0.6からＩｎＰに徐々に組成を変化させながらｐｎ接合を形成した傾斜組成構造を有するＩｎＡｓ_zＰ_1-zセル層２４が積層され、その上にトンネル接合層を介してＩｎＰからＩｎ_0.52Ｇａ_0.48Ｐに徐々に組成を変化させながらｐｎ接合を形成した傾斜組成構造を有するＩｎ_yＧａ_1-yＰセル層２７が積層され、その上にトンネル接合層を介してＩｎ_0.8Ａｌ_0.2ＰからＩｎ_0.56Ａｌ_0.44Ｐに徐々に組成を変化させながらｐｎ接合を形成した傾斜組成構造を有するＩｎ_xＡｌ_1-xＰセル層３０が積層され、この化合物半導体混晶が、光の入射方向からバンドギャップが徐々に小さくなるような傾斜組成構造を有している。 （もっと読む）

【課題】 この発明は、透明導電膜の結晶粒界密度を減少させ、Ｎａイオンの拡散を抑制し、耐Ｎａ性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 この発明は、ｎ単結晶シリコン基板１と、このｎ型単結晶シリコン基板１表面に真性な非晶質シリコン層２を介して形成されたｐ型非晶質シリコン層３と、このｐ型非晶質シリコン３層上に形成された透明導電膜４と、を備えた光起電力装置であって、単結晶シリコン基板１の非晶質シリコン層２が設けられる表面は、表面の凹凸を近似直線からの標準偏差が１．０ｎｍ未満になるように規定している。 （もっと読む）

【課題】集光スポットサイズの大きいレーザビームで耐エッチング膜に微細なレーザパターニングを行う光起電力装置の製造方法及び製造装置を得ること。
【解決手段】反射率の低減のための微細な凹凸構造をシリコン基板の表面に備えた光起電力装置の製造方法であって、シリコン基板の表面に耐エッチング性を有する耐エッチング膜を形成する工程と、回折光学素子で分岐させたレーザビームによって耐エッチング膜に開口を形成する開口形成工程と、耐エッチング膜をマスクとしてシリコン基板をエッチングして、凹凸構造を形成する工程とを有し、開口形成工程においては、レーザビーム分岐パターン３００の各々の耐エッチング膜上でのビームスポット径を、ビームスポット３０１のピッチよりも大きくして、隣接するビームスポット同士を干渉させる。 （もっと読む）

【課題】太陽電池セルの基板の割れおよび電極の剥離を抑制でき、歩留まりの低下を抑制可能な太陽電池セル、太陽電池モジュールを提供することが課題である。
【解決手段】半導体基板の一方の主面上に形成される一方の主面側電極２３と、この半導体基板の他方の主面上に形成される他方の主面側電極２２を備え、一方の主面側電極２３上及び他方の主面側電極２２上に接続用導電性接続部材が設けられる太陽電池セルであって、半導体基板の端部側上に補助膜２３cを備え、この補助膜２３ｃはその輪郭領域が半導体基板の端部側上に設けられる接続用導電性接続部材の幅より幅広であり、且つ補助膜２３ｃは輪郭領域内に補助膜２３ｃが存在しない部分２３４ｃを有する。 （もっと読む）

【課題】原料からの切り出しロスを低減し太陽電池素子の太陽電池モジュール内での充填効率を高め、太陽電池素子を電気的に接続する際の歩留まりを抑制可能な太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】多角形状太陽電池素子を組み合わせてなる太陽電池モジュールであって、前記多角形状太陽電池素子を組み合わせた際に、隣接していない辺によって幾何学的に構成される空白部を有しており、隣接する前記多角形状太陽電池素子の電気的接続が前記空白部において成されていることを特徴とする太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】基板上に電極を形成する方法および装置において、低コストで、しかも優れた生産性で、幅の異なる電極を形成することのできる技術を提供する。
【解決手段】光硬化性樹脂を含む塗布液と吐出する吐出ノズル部と、吐出された塗布液に光照射して硬化させる光照射部とを２組設け、それぞれの照射条件を異ならせる。第１ヘッド部５に設けた吐出ノズル部５２と光照射部５３との間隔が、第２ヘッド部７に設けた吐出ノズル部７２と光照射部７３との間隔よりも小さい。このため、第１ヘッド部５では、塗布液が基板Ｗに塗布されてから光照射されるまでの時間が短く、幅が狭くて高さのある電極が形成される。一方、第２ヘッド部７では、塗布液が基板Ｗに塗布されてから光照射されるまでの時間が長いので塗布液が広がり、より幅広の電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】電極材料を含む塗布液をノズルから吐出させて基板上に電極を形成する方法および装置において、簡単な工程で、しかも交点での電極の盛り上がりを抑制することのできる技術を提供する。
【解決手段】バス電極Ｂが形成された基板Ｗに、バス電極高さＨ1と同じ高さを有する電極を塗布により形成する。塗布液Ａ2を吐出する先端ノズル７２１がバス電極から離れた位置にあるときには、塗布液の高さＨ2がバス電極高さＨ1と同じとなるように、吐出口７２１ａと基板Ｗ上面との間隔Ｈｇを設定しておく。一方、バス電極Ｂを横切るときには、吐出口７２１ａがバス電極Ｂの頂面Ｂａに対して微小距離だけ離れた状態で対向しながら通過するように、吐出口７２１ａと基板Ｗ上面との間隔を制御する。 （もっと読む）

【課題】導電性高分子膜、及び固体電解コンデンサなどの電子デバイスに用いられる導電性高分子膜の導電性の向上を目的とする。
【解決手段】本発明の導電性高分子膜は、導電性高分子のモノマーと、酸化剤と、添加剤とを含む重合液を用いて形成される導電性高分子膜である。添加剤として、ドーパントと塩基性物質からなる塩を用いる。本発明の電子デバイスとしての固体電解コンデンサは、導電性高分子層３として、前記導電性高分子膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】 材料の種類を少なくすることにより、半導体界面の数を少なくするとともに、製造工程の減少を図りながら、光電変換効率の向上を図ることができる太陽電池を提供する。
【解決手段】 表面負電極７と吸収層５との間には、障壁層６が設けられており、障壁層６にはエネルギー選択性コンタクトが設けられている。エネルギー選択性コンタクトは、量子井戸によって形成されている。また、表面負電極７を障壁層６とはショットキー接合されている。 （もっと読む）

【課題】例えば太陽電池等の光電変換装置において、比較的簡易な構成で、光電変換効率を向上させる。
【解決手段】光電変換装置は、一対の第１電極（１１０）及び第２電極（１２０）と、第１及び第２電極間に設けられ、複数の半導体又は絶縁体（２１０、２２０）を含んでなり、光を吸収する光吸収層（２００）と、光吸収層及び第１電極間に設けられ、光吸収層に光が吸収されることにより励起されたキャリアを光吸収層側から第１電極側へ透過させるための特定のエネルギー準位であって、複数の半導体又は絶縁体のうち少なくとも一の半導体又は絶縁体（２１０）の伝導帯における下端のエネルギー準位と同一であるエネルギー選択性コンタクト準位（ＥＳＣＬ）が形成されたエネルギー選択性コンタクト部（１６０）とを備える。 （もっと読む）