【課題】得られる電極の適切な電気的性能と基板との密着性を確保する。
【解決手段】導電性組成物は、銀粉末と、Ｂ₂Ｏ₃，ＺｎＯ及びアルカリ土類金属酸化物を含んだ無鉛でかつ無ビスマスのガラス粉末と、有機物からなるビヒクルとを含み、窒化ケイ素層１１を貫通してこの層１１の下に形成されたｎ型半導体層１２と導通する電極１３を形成する。アルカリ土類金属酸化物の組成物中の比率が２０モル％以上５０モル％以下である。ガラス粉末の塩基度が０．３以上１．０以下であって、ガラスの転移点が４００℃〜５５０℃である。Ｂ₂Ｏ₃の組成物中の比率が２０モル％以上７０モル％以下であり、かつＺｎＯの組成物中の比率が０．１モル％以上６０モル％以下であることが好ましい。アルカリ土類金属酸化物が、ＭｇＯ、ＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯからなる群より選ばれた１又は２以上を含むことが更に好ましい。 （もっと読む）

【課題】良好な電気的接続および低コスト化が可能な太陽電池セル、太陽電池モジュールおよび太陽電池システムを提供する。
【解決手段】複数の太陽電池セル４と、複数の太陽電池セル４を電気的に接続するための導電性接続部材５とを備える太陽電池モジュールであって、太陽電池セル４は、複数本の細線状電極４０aとこれらとそれぞれ交わるように構成された細線状電極４０ｂを有する一方の電極４０と、他方の電極４１を備え、電性接続部材５は、太陽電池セル４の電極４０が導電性接続部材５に食い込むように太陽電池セル４と樹脂からなる接着剤１０により接着されている。 （もっと読む）

【課題】電子輸送性の優れた有機ｎ型半導体として利用可能な新規共役系化合物を提供する。
【解決手段】式（Ｉ）及び／又は式（ＩＩ）で表される基を有する共役系化合物。




Ａｒは３価の芳香族炭化水素基又は３価の複素環基を示し、Ａ、Ｒ¹、Ｒ²、Ａ’は水素原子、ハロゲン原子又は１価の基を示す。Ａｒ’は炭素数６以上の２価の芳香族炭化水素基又は炭素数４以上の２価の複素環基を示す。 （もっと読む）

【課題】従来の多接合型太陽電池等において、太陽電池セルを積層するため半導体層の構造上の制約が多く十分な特性が得られないという問題があったので、積層構造の自由度を高め、光電変換効率を増大させることを目的とする。
【解決手段】複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】この発明は、光吸収ロスを抑制し、太陽電池の出力特性を向上させることをその課題とする。
【解決手段】 この発明は、表面部材４１と裏面部材４２との間に太陽電池１が封止樹脂４３で封止されてなる太陽電池モジュールであって、太陽電池１は、キャリア分離用電界を形成するための半導体接合部と、少数キャリアの再結合を抑制する抑制層とが設けられ、前記抑制層側が前記表面部材４１側に臨んで配置されるとともに、少なくとも前記抑制層側のコーナー部分に太陽電池の法線方向と非平行な傾斜面１０１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブリスターやＡｌの凝集が生じ難く、且つＡｌ−Ｓｉ合金層およびｐ＋電解層の形成に好適な電極形成用ガラス組成物および電極形成材料を創案することにより、シリコン太陽電池の光電変換効率等の特性を高めつつ、シリコン太陽電池の製造コストを低廉化すること。
【解決手段】本発明の電極形成用ガラス組成物は、ガラス組成として、下記酸化物換算の質量％表示で、Ｂｉ_２Ｏ_３ ６０〜９０％、Ｂ_２Ｏ_３ ２〜２５％、ＺｎＯ ０〜２５％、ＭｇＯ＋ＣａＯ＋ＳｒＯ＋ＢａＯ ０．０１〜２０％、ＳｉＯ_２ ０〜２５％含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換半導体装置である太陽電池を構成する半導体層に表面プラズモン共鳴の誘起により光電場増強効果を発生させる導電体部位にウエットプロセスを用いて製作する。
【解決手段】光電変換半導体装置は、ｐ型半導体基板の一方面上にそれぞれが分離する所定のパターンで分布するように導電体部位が形成され、導電体部位を封止するようにシリコン液体系材料を塗布し焼成してｉ型半導体を形成し、その上層にｎ型半導体層及び光照射面となる透明導電膜を形成して構成し、光照射時には導電体部位が表面プラズモン共鳴を誘起して光電変換を行う。 （もっと読む）

【課題】伝播光と非伝播光を利用することで、高い光電変換効率を有する太陽電池及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池は、光電変換層と、光入射面側電極層と、対向電極層と、を具備し、前記光入射面側電極層が前記層を貫通する複数の開口部を有し、かつ、その層厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、前記開口部の１つあたりの面積が８０ｎｍ^２以上０．８μｍ^２以下の範囲にあり、前記光入射面側電極の開口率が１０％以上６６％以下の範囲にあり、前記光電変換層の、前記開口部の直下部分に凹部が形成されていることを特徴とする。この太陽電池は、特定の構造を有する光入射面側電極を作製した後に、さらにエッチングなどにより光電変換層を加工することにより製造することができる。 （もっと読む）

【課題】
光電変換効率と耐ＥＭＩ性（耐ノイズ性）を両立させた太陽電池モジュールを提供すること。
【解決手段】
裏面電極と、前記裏面電極の上に形成される光電変換部と、前記光電変換部の上に形成され、第１メッシュパターンを有する表面電極と、前記表面電極上に形成され、前記表面電極とは電気的に絶縁されるとともに接地され、平面視において前記表面電極の第１メッシュパターンと少なくとも一部が重複する第２メッシュパターンを有するシールド電極と
を含む、太陽電池モジュール。 （もっと読む）

【課題】バックコンタクト単一ヘテロ接合型太陽電池及び関連する製造プロセスを提供する。
【解決手段】本発明の太陽電池の製造方法では、第１ドーパント型で低濃度にドープされた第１半導体基板を設ける。上記基板は第１エネルギーバンドギャップを有している。次に上記基板の裏面の領域に第２半導体膜を形成する。上記第２半導体膜は、第１エネルギーバンドギャップよりも大きな第２エネルギーバンドギャップを有している。上記基板の表面上には、第１ドーパントで中濃度にドープされ、さらに微小凹凸加工されている第３半導体層を形成する。上記基板の裏面には第１ドーパント型とは極性が逆の第２ドーパント型で高濃度にドープされたエミッタ、及び第１ドーパント型で高濃度にドープされたベースを形成する。上記ベース及びエミッタは電気接続がなされている。エミッタおよびベースの一方は第２半導体膜に形成されている。 （もっと読む）

【課題】光電変換層を薄膜化しても優れた変換効率が得られる薄膜太陽電池およびこのような薄膜太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板２と、基板２上に形成され、少なくともｐ型半導体層４ａと、ｎ型半導体層４ｃと、ｐ型半導体層４ａとｎ型半導体層４ｃとの間に位置するｉ型半導体層４ｂとを含む厚さ１μｍ以下の光電変換層４と、光電変換層４の光入射面４ｄに形成された光入射面側電極層５と、光入射面４ｄとは反対側の面に形成された対向電極層３とを具備し、光入射面側電極層５が光照射側電極層５を貫通する複数の開口部５ａを有し、かつその膜厚が１０ｎｍ以上２００ｎｍ以下の範囲にあり、開口部５ａの１つあたりの面積が８０ｎｍ^２以上０．８μｍ^２以下の範囲にあり、光入射面側電極層５の総面積に対する開口部５ａの総面積の割合である開口率が１０％以上６６％以下の範囲にあることを特徴とする、薄膜太陽電池１が提供される。 （もっと読む）

【課題】安価で容易に製造可能でありながら、広い波長領域の光から光電変換可能であり、発電効率を高めることが可能とした光発電素子を提供する。
【解決手段】 光発電素子は、ｐ型シリコンからなる基板２と、基板２の受光面２ａの表面にスリット状に配置された実質的に垂直な複数の溝３と、該溝３が形成されていない非溝形成部４と、受光面の反対面に形成された金属膜５を有する。
前記溝の内側面３ａに形成されたｐｎ接合層が、受光面２ａに対して垂直、すなわち、光入射方向に対し平行となるため、内側面３ａに形成されたｐｎ接合層近傍に浸透した光が効率的に吸収される。また、基板内部への浸透性が小さい短波長の光は、前記受光面の表面４ａおよび溝の底面３ｂにおいても吸収される。このように、波長の短い光は受光面の表面近傍で吸収され、長波長は溝の垂直面で吸収されるため、広い波長域の光を吸収することができる。 （もっと読む）

【課題】シート形成法を用いた薄板の製造において、下地板をシリコン融液から脱出させる際の薄板の剥がれ落ちを防止し、薄板を効率よく製造する方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、原料融液に下地板を浸漬させた後に該下地板を原料融液から脱出させて、原料融液の凝固により該下地板上に薄板を形成する薄板製造装置であって、前記下地板が前記原料融液に没入し始めるときに、前記下地板を円弧状の軌道で移動させるための浸漬機構を設け、前記下地板の浸漬面と前記原料融液の液面とがなす角度が大きくなるように、前記下地板の浸漬面が前記円弧状の軌道の接線方向に対して角度をなすように前記下地板が設けられたことを特徴とする薄板製造装置である。 （もっと読む）

【課題】防波機構を融液液面と離面しないように設けることにより、液面に生じる揺れの程度を減ずる多結晶体または単結晶体の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液４０１、４０３を貯留する第１の耐熱性容器３と第２の耐熱性容器２とを備え、第２の耐熱性容器２中の原料融液４０１を第１の耐熱性容器３中に供給する製造装置であって、第１の耐熱性容器３中の原料融液４０３の液面と離面しないように第１の耐熱性容器３中に防波機構３０１を設ける。 （もっと読む）

【課題】簡易な方法ながらも、従来よりも高精度にセル電極と、それに対向する配線の相対的位置合わせが可能となる、太陽電池モジュールの製造方法および太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】配線２ａが形成された基板３の配線形成面とセル電極１６が形成された太陽電池セル４の電極形成面とを対向配置し、基板３と太陽電池セル４との間に空隙を設けることにより、互いに対向するセル電極１６及び配線２ａからなるコンデンサを共振回路の一部とする発振回路を構成し、基板３と太陽電池セル４との相対的な位置関係を変化させ、前記発振回路から出力される信号の発振周波数を観測した結果に基づいて、基板３と太陽電池セル４との相対的な位置関係を決定する。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、従来は理想でしかなかった量子ドット導入層の多層化活性層を実現しすることを目的とする。
【解決手段】
本発明は、量子ドットが導入された層が多層化されてなる活性層を有する光素子であって、前記活性層の格子歪みがないことを特徴とし、前記の光素子において、前記量子ドットと、それを導入する母体とが、両者の格子定数が０．５％以下である材料よりなることを特徴とする。
本発明は、前記の光素子において、前記量子ドットを構成する材料よりも、これらが導入されている母体の材料のバンドギャップエネルギーが大きいことを特徴とし、活性層の上下に電極を配してなる太陽電池であって、前記活性層が、本発明のいずれかに記載の活性層であることを特徴とする。
本発明は、前記の太陽電池において、前記活性層を構成する量子ドットがＧａＡｓからなり、その母体がＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＡｓ（０＜ｘ≦１）からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ドーパント拡散層のドーパント濃度の低下を抑制して半導体装置の特性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の表面に拡散抑制マスクを形成する工程と、半導体基板の表面上に拡散抑制マスクと間隔を空けて第１導電型または第２導電型のドーパントを含有するドーパント拡散剤を塗布する工程と、ドーパント拡散剤から半導体基板にドーパントを拡散させることによってドーパント拡散層を形成する工程とを含む半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】キャリアの再結合を抑制可能とする太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１００の製造方法は、ｉ型非晶質半導体層１１ｉ及びｐ型非晶質半導体層１１ｐのパターニング工程の後、ｉ型非晶質半導体層１２ｉの形成工程前に、ｎ型結晶シリコン基板１０ｎの裏面のうち露出領域Ｒ２のクリーニング工程を備える。 （もっと読む）

【課題】第１半導体の外側に第２半導体層を有する複数の球状光電変換素子を個々に分離して支持する支持体を具備し、この支持体が各素子の側面を囲む反射鏡を有する低集光型球状太陽電池において、受光面に照射される光を有効に活用して素子当たりの出力を高め、素子の素材の使用量を低減することにより、低コスト化を計る。
【解決手段】反射鏡の光電変換素子に面する内面が放物面状を呈し、その放物面の焦点が光電変換素子の内部に位置するように光電変換素子を配置する。光反射部材は、光電変換素子を一個ずつ収容し、その内面が反射鏡面となる凹部を有し、第２半導体層と電気的に接続される導電部材を兼ねるものが好ましい。さらに、素子は前記放物面の焦点にその中心部が位置するように配置されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 太陽電池用シリコン基板の表面に微細な凹凸を形成するための反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）装置で、エッチング処理する際に生じるエッチングのムラを低減すること。
【解決手段】 アースに接続された筐体２と筐体２内に配置された高周波電圧を印加する平板電極１３と平板電極１３上に配置される複数の基板４を覆蓋するプレート部材５とを具備する反応性イオンエッチング装置において、プレート部材５がアースに接続されることを特徴とする。 （もっと読む）