【課題】膜厚の大きい高品位のシリコン膜及びそれを形成するための簡易な方法を提供すること。
【解決手段】シリコン膜は、複数形成されたドーム形状からなる部分を有することを特徴とする。
上記シリコン膜の形成方法は、シリコン前駆体又はシリコン前駆体を含有する溶液をパターン状に塗布し、次いで熱及び／又は光で処理する工程を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コスト性に優れた光電変換装置や光発電装置を提供すること。
【解決手段】 上面に多数個の半導体粒子101を載置した台板102を加熱炉内に導入し、半導体粒子101を加熱して溶融させる工程と、この溶融した半導体粒子101を台板102側から上方に向けて固化させる工程とを、２回以上繰り返すことによって結晶半導体粒子101とする結晶半導体粒子の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に変換効率特性に優れた高品質な結晶シリコン粒子101を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 薄板を形成するための薄板形成設備の稼働効率を向上させるとともに、薄板の材料の供給を継続して行うことができる溶融装置を提供する。
【解決手段】 坩堝３１には、薄板の材料２３を溶融した融液２４を貯留するための貯留空間３７が形成される。貯留空間３７内に供給された薄板の材料２３またはその融液２４は、加熱手段３２によって、加熱される。坩堝３１の貯留空間３７は、仕切り手段３４によって、基板２６の薄板形成面２５を融液２４に浸漬させるための浸漬領域６２と、薄板の材料２３を供給するための供給領域６３とに仕切られる。供給領域６３には、供給手段３３によって薄板の材料２３が供給される。薄板の材料２３は、融液２４の液面５０よりも上方から供給される。供給領域６３内で融液２４の液面５０に浮遊する薄板の材料２３は、沈下手段３５によって、融液２４の液面５０下に沈下される。 （もっと読む）

複数の半導体デバイスを有する電子的な基板を得るための方法および装置が、説明される。ナノワイヤ薄膜が、基板上に形成される。ナノワイヤ薄膜は、動作電流レベルを達成するのに十分なナノワイヤの密度を有するように形成される。複数の半導体領域が、ナノワイヤ薄膜に画定される。コンタクトが、半導体デバイス領域において形成され、それによって、電気的な接続を複数の半導体デバイスに提供する。さらに、ナノワイヤを製造するための様々な材料、ｐ型ドーピングナノワイヤおよびｎ型ドーピングナノワイヤを含む薄膜、ナノワイヤヘテロ構造、発光ナノワイヤヘテロ構造、ナノワイヤを基板上に配置するためのフローマスク、ナノワイヤを成膜するためのナノワイヤ噴霧技術、ナノワイヤにおける電子のフォノン散乱を減少または除去するための技術、および、ナノワイヤにおける表面準位を減少させるための技術が、説明される。
（もっと読む）

【課題】 冷却体表面に凝固析出して生成される析出板の自壊による破片を適正処理し、析出板の生産に対して悪影響を及ぼすことを防止する。
【解決手段】 溶解炉２４でシリコンを加熱して溶湯２３にし、析出板生成の原板である冷却体２５を、浸漬手段２６によって溶湯中へ浸漬し溶湯中から引上げてシリコンを冷却体の表面に凝固析出させてシート状シリコン２７を製造する。このシート状シリコンの製造に際し、冷却体が溶湯上方位置から離反する方向へ搬送される搬送経路途中に設けられる落下物受容手段２８が、冷却体から離脱して落下するシート状シリコンを受容し、落下物再投入手段２９が、落下物受容手段によって受容されたシート状シリコンを、溶解炉の坩堝３２内へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、薄膜トランジスタに用いられるゲート電極や半導体膜を、簡易かつ安価な工程によってサブミクロンオーダーの精度で形成する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板上に、半導体材料を含む液滴（１４）を配置する工程と、液滴を乾燥させ、該液滴の少なくとも周縁部に半導体材料を析出させることによって、半導体膜（１６）を形成する工程と、を含む半導体薄膜の形成方法、および／または、導電性材料を含む液滴を配置する工程と、液滴を乾燥させ、該液滴の少なくとも周縁部に導電性材料を析出させることによってゲート電極を形成する工程と、を含むゲート電極の形成方法を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

溶融装置アセンブリは、溶融したソース材料の装入材料を、結晶性の物体の製造に使用する結晶製造装置に供給する。溶融装置アセンブリは、ハウジングと、該ハウジングの中に配置されたルツボを有している。該ルツボの中に入れられた固体ソース材料を溶融させるために、ルツボに対してヒータが配置されている。ルツボが溶融したソース材料の流れを制御するためのノズルを有していることによって、溶融したソース材料の特定の流れを選択された流量で結晶製造装置へ供給することができる。結晶製造装置に溶融したソース材料を装入する方法、および１つの溶融装置アセンブリによって複数の結晶製造装置へ供給する方法を提供する。
（もっと読む）