【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する供給手段を有する。例えば、カバーに供給された不活性ガスは、カバーの側壁の底部の空間から排出される。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

本発明にかかるシート製造装置は、溶融物を保持する溝を備える容器を有する。溶融物は、溝の第１のポイントから第２のポイントに流れるように構成される。冷却プレートが、溶融物に近接して配置され、溶融物上にシートが形成される。スピルウェイは、溝の第２のポイントに配置される。このスピルウェイを、溶融物からシートを分離させるように構成する。 （もっと読む）

【課題】溶湯中の冷却体の溶湯中への浸漬軌道と干渉する物による生産性に対する悪影響を防止することができる析出板製造装置および析出板製造方法を提供する。
【解決手段】放射温度計５０が、溶湯２３の表面温度を検出すると、制御装置４５は、溶湯２３の表面温度の変化に基づいて、溶湯２３中の冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物の有無を判断する。具体的には、溶湯２３の表面温度の変化が、予め定める変化幅以上であり、かつその状態が予め定める期間継続したときに、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有るものと判断する。制御装置４５は、溶湯２３中に冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬軌道と干渉する物が有ると判断されたときは、冷却体基板２５の溶湯２３中への浸漬を停止する。 （もっと読む）

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】不純物の含有量を大幅に低減した球状に近似した形状の単結晶シリコン粒子を、多数個を一括的に製造できる単結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶シリコン粒子３の製造方法は、不純物が偏析した突起部１２を有するとともに表面に酸窒化膜１１が形成された単結晶シリコン粒子３の突起部１２を、単結晶シリコン粒子３の表面を実質的に加工変質させずに研磨加工によって除去する。研磨加工はバレル研磨加工により行なう。 （もっと読む）

【課題】金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれかを一方を含有材料の融液から直接基板の主面上に作製されるシートの厚さの分布を低減する。
【解決手段】本シート製造方法は、一方の主面１００ｍに複数の凸部１００ｐを有する基板の主面１００ｍを金属材料および半導体材料のうち少なくともいずれか一方を含有する材料の融液に接触させ、材料の固相を主面１００ｍ上で凸部１００ｐを起点として成長させることにより、材料を主成分とするシートを得るシート製造方法であって、基板１００の一部分の凸部１０１ｐの熱抵抗値が基板１００の他の部分の凸部１０４ｐの熱抵抗値に比べて大きいことを特徴とする （もっと読む）

【課題】 基板に塗布する場合の濡れ性、沸点および安全性の観点から分子量のより大きなシラン重合体、特に、良質なシリコン膜を容易に形成することができる組成物を提供する。
【解決手段】 光重合性を有するシラン化合物に、特定波長領域の光線を照射して光重合して得たシラン重合体を含有するシリコン膜形成用組成物並びにこの組成物を、基板に塗布し、そして熱処理および／または光処理を行うシリコン膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 溶融落下法によって結晶シリコン粒子を製造する際に、高い生産性及び安全性でもって、高品質の結晶シリコン粒子を製造できる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、グラファイトから成る本体部１ａと本体部１ａの表面に形成された炭化珪素から成る被覆層１ｂとを有しているとともに外表面に被覆層１ｂの非形成部１ｄが設けられた坩堝１の内部でシリコンを溶融し、坩堝１から排出された粒状のシリコン融液を落下中に冷却して固化させることによって結晶シリコン粒子４を製造する。 （もっと読む）

実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、液体シリコン材料中のＳｉ成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供することにある。
【解決手段】本発明に係るシリコン膜の形成方法は、少なくとも重合開始末端を有する化合物を含む液体材料を基板の上に塗布する工程と、少なくともケイ素化合物を含む液体材料を前記基板の上に塗布する工程と、重合反応を停止させるための工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】液体シリコン材料中のＳｉ成分を高効率に利用することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シリコン膜の形成方法は、インクジェット法により、少なくともケイ素化合物および溶媒を含む液体シリコン材料２２の液滴２４を基板１０上に吐出させ、該液滴に光３２を照射する工程を、繰り返し行って膜を形成するものである。 （もっと読む）

【課題】析出用基板を案内する移送用ガイド体と、析出用基板を保持する搬送手段との位置関係の調整を容易に、短時間で行うことができる基板保持装置およびこの基板保持装置を備える析出板製造装置を提供する。
【解決手段】中継用ガイド体５４は、鉛直方向Ｚおよび交差方向にそれぞれ位置調整可能である。この中継用ガイド体５４は、移送用ガイド体に接続可能に構成され、析出用基板を移送方向Ｘに案内する。搬送手段５５は、析出用基板を保持可能に構成され、移送される析出用基板を保持する保持位置、および析出用基板を融液２４に浸漬する浸漬位置の間を移動する。これら中継用ガイド体５４および搬送手段５５は、チャンバの収容空間２７を出入り自在に構成される移動体５６に搭載される。 （もっと読む）

【課題】低コストでシリコン太陽電池を製造するためのシリコン微粒子とその製造方法、およびそれらを用いた太陽電池とその製造方法を提供する。
【解決手段】太陽電池１０において、反応性基を有する膜化合物の形成する被膜３で表面が覆われたｐ型シリコン微粒子１４が積層されてなるｐ型シリコン微粒子層と、膜化合物の形成する被膜で表面が覆われたｎ型シリコン微粒子１５が積層されてなるｎ型シリコン微粒子層とが、透明電極１１と裏面電極１７との間に積層形成されており、ｐ型シリコン微粒子層とｎ型シリコン微粒子層は、反応性基と反応して結合を形成する複数の架橋反応基を有する架橋剤１６の架橋反応基との架橋反応により硬化している。 （もっと読む）

電子デバイスにおいて使用するためのエクスサイチュでドープされた半導体輸送層を製造する方法であって：コロイド溶液において表面有機配位子を有する半導体ナノ粒子の第一の組を成長させ;コロイド溶液において表面有機配位子を有するドーパント材料ナノ粒子の第二の組を成長させ;該半導体ナノ粒子の第一の組と該ドーパント材料ナノ粒子の第二の組の混合物を表面に付着させ、そこではドーパント材料ナノ粒子より多くの半導体ナノ粒子が存在し；該ナノ粒子の第一および第二の組の表面から該有機配位子がボイルオフするように、該付着したナノ粒子の混合物を第一アニーリングし；該半導体ナノ粒子が融合して連続的な半導体層を形成し、且つ該ドーパント材料原子が該ドーパント材料ナノ粒子から該連続的な半導体層に拡散するように、該付着した混合物を第二アニーリングすること、を含んでなる、方法。 （もっと読む）

【解決手段】窒素ドープされた多結晶シリコンおよび該多結晶シリコンからなる多結晶シリコン基体。好ましくは、赤外吸収スペクトルにおいて、９６３±５ｃｍ^-1および／または９３８±５ｃｍ^-1の波数位置にピークを有する。ならびに、窒素含有シリコン融液を調製する工程を含む多結晶シリコン基体の製造方法、および上記基体を用いた光電変換素子。
【効果】窒素ドープされた多結晶シリコン基体を用いた光電変換素子は、従来と比較して変換効率が高く、コストパフォーマンスが高い。 （もっと読む）

【課題】ルツボ内壁と半導体材料融液の界面付近から発生する凝固を抑制して、連続生産が可能な固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ内に半導体材料融液を収容し、半導体材料融液に基板を浸漬することにより、基板表面に固相シートを作製する固相シートの製造方法であって、ルツボ上面およびルツボ外側面の両面に接した輻射反射板を設け、輻射反射板は半導体材料融液からの輻射を反射することが可能な輻射反射部を備え、輻射反射部を半導体材料融液の直上に配置する。 （もっと読む）

【課題】高価かつエネルギー多消費型の大掛かりな装置を必要とせず、大面積の基板にも対応可能であり、容易、安価に半導体薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、一対の電極の間に、不純物の濃度および／または種類の異なる半導体薄膜を少なくとも二層以上積層した構造を有する太陽電池の製造において、該半導体薄膜のうちの少なくとも一層が、（Ａ）式Ｓｉ_ｎＲ_ｍで表されるポリシラン化合物 並びに（Ｂ）シクロペンタシラン、シクロヘキサシランおよびシリルシクロペンタシランよりなる群から選ばれる少なくとも１種のシラン化合物を含有することを特徴とするシラン組成物を基板上に塗布して塗膜を形成する工程と、該塗膜を熱処理および／または光処理する工程を含む形成方法により形成されていることを特徴とする、太陽電池の製造方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】薄板の単位時間当たりの製造量を維持し、不活性ガスの使用量の削減と、真空排気系および搬送系の簡素化を実現できる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】薄板製造装置１０００は、浸漬機構１１００と、下地板交換機構１００３と、薄板分離機構１２００と、主室１０１０とを備えている。浸漬機構１１００は、融液１００２に下地板Ｓの表面を浸漬し、下地板Ｓの表面に融液１００２が凝固することにより薄板Ｐを形成する。下地板交換機構１００３は、表面上に薄板Ｐが付着された下地板Ｓを浸漬機構１１００から取り外す。薄板分離機構１２００は、薄板Ｐを浸漬機構１１００から取り外された下地板Ｓから分離する。主室１０１０は、浸漬機構１１００と下地板交換機構１００３と薄板分離機構１２００とが内部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】品質の安定化により製造効率を大きく高めることができ、単位面積当りの製造コストを画期的に低下させることができる、薄板製造方法および薄板製造装置を提供する。
【解決手段】下地板Ｓを融液１００７の液面に浸漬させた後、引上げることで、下地板Ｓの表面に融液を凝固させて形成された薄板Ｐを下地板Ｓから取外し薄板Ｐを製造する薄板製造方法において、形成された薄板Ｐの板厚を特定可能なデータを測定し、測定した板厚に基いて融液１００７を加熱する加熱機構１００５の出力を制御することで、作製される薄板Ｐの板厚を一定に保つ温度に融液１００７の温度を制御し、薄板Ｐの品質を安定させる。 （もっと読む）

低炭素含量を有するシリコン膜の前駆体として、可溶性シリコンポリマーを生成するための、一般式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ及びＳｉ_ｎＨ_２ｎ＋２のもの並びにアルキル及びアリールシランを含むヒドロシラン化合物の、制御された重合及び／又はオリゴマー化のための組成物及び方法。 （もっと読む）