【課題】太陽光発電装置の発電効率を向上させることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ガス導入口１０ａからアルゴンガス、ガス導入口１０ｂから水素ガスをチャンバー１０に導入し、この状態で多結晶シリコンインゴット３３を育成する。これにより、シリコン融液３２に水素が直接導入されることから、多くの水素がシリコン融液３２内に取り込まれる。このため、最終的に得られる多結晶シリコンウェーハには従来よりも多くの水素が含まれ、且つ、その濃度分布が面内方向及び厚さ方向においてほぼ一定となる。 （もっと読む）

【課題】
【解決手段】 発明は、金属酸化物層（２）を有する基板（１）上に半導体ナノワイヤ（５）を製造する方法であって、
ａ）前記層（２）を還元して前記金属酸化物層（２）の表面上に半径（Ｒ_ｍ）の金属ナノドロップ（３）を形成するのに適した時間ｔの間出力Ｐの水素プラズマ（１１）を前記金属酸化物層（２）に照射するステップと、
ｂ）前記金属ナノドロップ（３）を含む前記金属酸化物層（２）上への、前記金属ナノドロップ（３）を被覆するのに適した厚さ（Ｈ_ａ）を有する半導体材料の薄層（４）の低温プラズマ助長蒸着ステップと、
ｃ）前記金属ナノドロップ（３）から薄層（４）として堆積された前記材料の触媒作用によりナノワイヤ（５）の横方向成長を促進するのに十分な温度Ｔにおいて熱アニールするステップと
を含む半導体ナノワイヤ（５）を製造する方法を提供する。発明はまた、発明の方法により得られたナノワイヤ（５）と、半導体ナノワイヤ（５）、例えばソース（１６）、ドレイン（１７）、及びゲート（１８）間に半導体接続部を形成するシリコンナノワイヤ（ＳｉＮＷ）を含むナノメータトランジスタとを提供する。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】半導体融液に板状半導体製造用下地板を浸漬し作製した板状半導体において、板状半導体作製時の割れを減少させ、板状半導体の反りを小さくする方法を提供する。
【解決手段】成長面を有する下地板を半導体融液に浸漬させて、下地板に半導体を成長させる半導体の製造方法に使用する半導体製造用下地板において、半導体製造用下地板の結晶成長面Ｓ１が浸漬方向前方部から後方部に延びる溝を有する。さらに、溝は浸漬方向と略平行である。 （もっと読む）

【課題】薄膜に微小凹凸部を形成するときに、エッチング液を用いることなく、且つ工程の簡略化を図ることを目的とする。
【解決手段】被処理体２１に薄膜の材料の粒子を溶媒に分散ないしは溶解させたインクを噴射する噴射ノズル５０を複数配列したインクジェットヘッド４２から、被処理体２１に形成される液膜に複数の気泡を巻き込むような噴射量および噴射速度でインクを多量且つ高速に噴射するようになし、また被処理体２１を加熱して溶媒を気化させ、材料を被処理体２１に熱硬化させるときに、溶媒の気化と並行して液膜に閉じ込められた気泡を膨張・破裂させるように急速加熱を行うようにしている。 （もっと読む）

【課題】粒径の均一な結晶シリコン粒子を高い生産性で低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法、坩堝、及び結晶シリコン粒子の製造装置を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子の製造方法は、坩堝１のノズル部１ｃからシリコン融液６を滴状に排出して、シリコン融液６を冷却して凝固させることによって結晶シリコン粒子を製造する結晶シリコン粒子の製造方法であって、坩堝１は窒化珪素を含む材料から成るとともに内面の表層部１ｂが酸窒化珪素から成る。 （もっと読む）

【課題】基板の浸漬角度も任意に変更することができ、浸漬条件の自由度を向上させることができる薄板製造装置を提供する。
【解決手段】浸漬機構６は、水平の第１の回転中心１２を中心に旋回する一対の腕部材１３と、腕部材１３の先端近傍に水平な第２の回転中心を有する回転軸部材１４と、回転軸部材１４に下地板を保持する台座を有し、一対の腕部材１３は、回転軸部材１４を挟持し、回転軸部材１４とは反対側にバランサー１５が配置されている。バランサー１５は円筒状部材で構成され、一対の腕部材１３を繋いでいる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン粒子を安定的かつ高効率に単結晶化するとともに、単結晶の結晶シリコン粒子を一括的にかつ低コストに製造することができる結晶シリコン粒子の製造方法を提供すること。
【解決手段】 結晶シリコン粒子の製造方法は、シリコン粒子１０１をその形状を保持したままシリコンの融点Ｔｍ以上の温度Ｔ１に加熱して内部のシリコンを溶融させて、温度Ｔ１から融点Ｔｍ未満であって１３８３℃以上の温度Ｔ２まで過冷却する工程１と、次に溶融したシリコン粒子１０１が全て凝固するまでＴｍ未満であって１３８３℃以上の範囲内の所定の温度に保持する工程２とを具備する。 （もっと読む）

【課題】シリコン膜の成膜性を向上させることができる前駆体液およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、基板の上部にシリコンの前駆体液を配置する工程と、前記シリコンの前駆体液に熱処理を施すことによりシリコン膜を形成する工程と、を有し、前記シリコンの前駆体液は、高次シランを含む環状飽和炭化水素化合物の溶液である。このように、環状飽和炭化水素化合物を溶媒として用いることにより高次シラン（例えば、平均分子量が２６００を超えるポリシラン化合物）を溶解させることができ、前駆体液の均一性を向上させることができる。よって、形成されるシリコン膜の成膜性を向上させることができる。また、高次シランを用いることで、膜材料の揮発を低減でき、装置の生産性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁部とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記側壁部に設けられた排出孔(110)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数の第１のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理装置を提供する。また、一の基板上の各部において、処理条件を変えることができる処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る処理装置は、天井部(105a)と、側壁部(105b)と、前記天井部と側壁とで構成される処理空間を複数の処理室に分割する仕切り壁(105c)と、前記複数の処理室にそれぞれ接続された複数のガスライン(107)と、を有するカバー(105)で、基板(100)の処理領域(E)を覆い、前記基板上に吐出された複数の吐出液(d)を前記処理室毎に処理する。かかる構成(方法）によれば、複数の処理室毎に処理条件を変化させることができ、成膜条件の最適化を容易に行うことができる。また、各処理室において、処理条件を変化させることで異なる膜を形成することができる。よって、半導体装置などの製造工程において、工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液１１０２を保持するための主坩堝１１０１と、融液１１０２を加熱するための主坩堝加熱装置１１０４と、融液１２０２を保持するための副坩堝１２０１と、融液１２０２を加熱するための副坩堝加熱装置１２０４と、固体原料１４０２を投入するための固体原料投入装置１４０１と、副坩堝１２０１から主坩堝１１０１に融液１２０２を供給するための融液搬送部１３０１と、固体原料投入装置１４０１から副坩堝１２０１への固体原料１４０２の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置１５０６とを備えた溶融炉１０００である。 （もっと読む）

【課題】高温で熱処理を施すことなく、結晶性の高い良好なシリコン膜を形成することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を調製（Ｓ１０１）したのち、基体の上にポリシラン修飾シリコン細線を含む液体を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０２）し、この塗布膜を加熱する（Ｓ１０３）ことにより、シリコン膜を形成する。これにより、高温で加熱せずに、塗布膜中においてシリコンの結晶化が促進される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｈ結合を確保することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】加熱により脱離可能な水素を含む基体を用意（Ｓ１０１）すると共に、シリコン化合物を含む溶液を調製（Ｓ１０２）したのち、この基体の上にシリコン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０３）し、この塗布膜を加熱（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。この場合、加熱された基体から脱離する水素によって、シリコン膜中でＳｉ−Ｈ結合が形成される。 （もっと読む）

【課題】 チャンバに向けて基板を搬送するときに、簡易な構成で、基板の表面に付着した酸素などのチャンバ外部の気体がチャンバ内に持ち込まれるのを防止することができる結晶成長装置を提供する。
【解決手段】 基板９表面に結晶を成長させる空間となるチャンバ２と、チャンバ２に向けて基板９が搬出されるリフター室３との間には、基板９がリフター室３からチャンバ２に向けて搬送される通路となる搬送路形成部４が形成される。そして、搬送路形成部４内には、基板９が搬送される搬送方向に平行に延びる筒状であり、基板９が通過可能な案内管５が形成される。そして、気体供給手段６から供給されてチャンバ２内に充填される不活性ガスが、案内管５を通過して搬送される基板９の表面に沿うように接触して流れる。 （もっと読む）

【課題】大面積の機能膜を安価に形成することが可能な成膜方法を得ること。
【解決手段】第１の機能膜層を形成する第１の工程と、前記第１の機能膜層上に犠牲層を形成する第２の工程と、前記第１の機能膜層上に前記第１の機能膜層と接続する接続層を形成する第３の工程と、前記犠牲層上に接続層と接続する第２の機能膜層を形成する第４の工程と、前記犠牲膜を除去する第５の工程と、を含み、前記第１の機能膜層と前記第２の機能膜層とが接続された機能膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】所望の領域に寸法精度良く薄膜を形成することが可能な薄膜形成方法を得る。
【解決手段】基板上に半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する薄膜形成方法であって、粒子径が１００ｎｍ以下の前記半導体粒子または導電性粒子が分散された分散液を、前記基板の所定の領域に配置する配置工程と、前記分散液を配置した基板を２０ＫＨｚ以上、５０ＭＨｚ以下の周波数で振動させて前記所定の領域以外の領域に存在する前記分散液を除去する振動工程と、前記基板上の分散液の溶媒を除去して前記基板上に前記半導体粒子または導電性粒子からなる薄膜を形成する溶媒除去工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】従来のバルクシリコンを用いた太陽電池に比して変換効率を改善させることができる太陽電池を得ること。
【解決手段】Ｐ型半導体層５とＮ型半導体層６とによって形成されるＰＮ接合体４と、ＰＮ接合体４の一方の導電型の半導体層に形成される金属電極と、ＰＮ接合体４の他方の導電型の半導体層に形成される透明電極層７と、を備える光電変換素子が基板１上に形成された太陽電池において、金属電極は、表面プラズモン共鳴を生じる金属ナノ粒子からなる金属ナノ粒子層３によって形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する第１供給手段(19)と、カバーの内部に不活性ガス以外の他のガスを供給する第２供給手段(40)と、を有する。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができるため、膜中に取り込まれる不純物（例えば、酸素など）を低減することができる。また、他のガスを供給することで他の処理（例えば、酸化処理やドーパントの混入処理）などを同一の装置内で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜方法は、基板(S1)上に液体材料(3)を吐出する第１工程と、基板を処理室内のステージ(15)上に搭載し、液体材料を加熱する第２工程であって、ステージ上に基板を覆うようにカバー(17)を配置し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給しながら液体材料を加熱する第２工程と、を有する。この第２工程は、カバーに供給された不活性ガスを、カバーの側壁の底部の空間(17c)から排出しつつ行なわれる。かかる方法によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）