【課題】 薄板製造装置において、薄板状多結晶体を成長させるための第１の坩堝内に収容される熔融原料から該原料の炭化物を除去し、炭化物をほとんど含有せず、品質が均一で、高い機械的強度を有し、良好な特性を有する薄板状多結晶体を製造する。
【解決手段】 第１の熔融加熱炉２と、第２の熔融加熱炉３と、固体原料供給手段４と、図示しない熔融原料供給手段と、第１の冷却部材５と、図示しない第１の保持手段と、第２の冷却部材６と、図示しない第２の保持手段と、図示しない第１の冷却部材搬送手段とを含む薄板製造装置１において、第２の冷却部材６を第１の熔融加熱炉２に含まれる第１の坩堝１０に収容される炭化物を含む熔融原料８中に浸漬させることによって、第２の冷却部材６表面に炭化物を付着させて炭化物を除去する。 （もっと読む）

【課題】溶融落下法によって粒状結晶を製造する際に、落下途中に結晶材料の融液の液滴が合体するのを大幅に抑制して、粒径の揃った多数の粒状結晶を製造できる粒状結晶の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】粒状結晶６の製造方法は、坩堝１の中の結晶材料を溶融して融液を作製する工程と、坩堝１のノズル１ａに３次元運動を行わせる工程と、ノズル１ａから融液を液滴４として排出する工程と、液滴４を落下させる工程と、液滴４を落下中に凝固させる工程と、を含む構成である。 （もっと読む）

【課題】多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置に好適な結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して凝固させることによって、不純物が偏析した突起部１０５を有する結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の突起部１０５を研磨加工によって除去する。 （もっと読む）

【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 （もっと読む）

【課題】生産効率が高く、製造装置の破損のおそれの少ない固相シートの製造方法およびそれに用いる固相シート成長用基体を提供する。
【解決手段】固相シート成長用基体は、主面と、主面を取り囲む側面とを有する。主面は周縁溝によって周縁溝より外側の周辺部と周縁溝より内側の内側部とに区画され、周辺部の側面には周縁溝から分離されたスリット溝が形成されている。 （もっと読む）

【課題】基体表面が周縁溝により周辺部と前記周縁溝で囲まれた内側部に区画、若しくは前記周辺部と内側部の一部が連結されている基体を、半導体材料の融液に接触させることにより、前記半導体材料の固相シートを基体の表面に製造する工程で固相シート表面に生じる液溜りによって、固相シートに亀裂を生じ、歩留りが低下している問題点を解決する固相シートの製造方法を提供する。
【解決手段】前記内側部の表面にスリット１０３を施す。また、好ましくは、基体の表面を半導体材料の融液に接触するときの移動方向後方にスリット１０３を施す。特に好ましくは半導体材料の融液に接触するときの移動方向に周縁溝１０２から内側部に複数スリット１０３を施す。 （もっと読む）

【課題】複数の細線状構造物を特定の配向方向で会合させる方法、および、その利用方法を提供する。
【解決手段】複数のＳｉナノワイヤ４が会合してなるＳｉナノワイヤ集合体４０の製造方法であって、基板１上に、Ｓｉナノワイヤ４を分散させた分散液パターン３０を形成するパターン形成工程と、分散液３を乾燥させることにより、分散液パターン３０上の一部に、複数のＳｉナノワイヤ４を析出させる乾燥工程とを有し、乾燥工程では、Ｓｉナノワイヤ４を、所定の方向に配向させながら会合させる。 （もっと読む）

【課題】ＩＶ族半導体ナノ細線の製造方法並びに構造制御方法を提供する。
【解決手段】 気相−液相−固相（Vapor-Liquid-Solid: VLS ）成長法により、Ｓｉと Ｇｅの混晶ナノ細線を成長し、酸化濃縮法によりＳｉＯ₂ 膜で被覆されたＧｅナノ細線 を作製する。また、気相- 液相- 固相成長法により、Ｓｉ結晶およびＳｉとＧｅの混晶からなる超格子ナノ細線を作製し、酸化濃縮法を利用してナノメートル（ｎｍ）スケールでサイズ制御された、ＳｉとＧｅの混晶から成るナノディスク又はナノドットを周期的に配列したナノ細線を作製する。 （もっと読む）

【課題】複数のワイヤからなるワイヤ群の長手方向の向きが揃った物品の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンナノワイヤシートを作成するために、シリコンワイヤをポリマーで被覆しておき、その後、交流磁場等で配向させ、固定化する。 （もっと読む）

【課題】
多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する装置、および、シート状基板の作製方法を提供する。
【解決手段】
ロールブラシと、多孔質成長基板を前記ロールブラシのブラシ毛に接触させながら移動させることができる基板移動手段と、を有し、ブラシ毛の線径が０．３ｍｍ以下であることを特徴とする多孔質成長基板クリーニング装置を用いることにより、多孔質成長基板表面の磨耗を抑制しながら多孔質成長基板表面に付着した酸化シリコン粉末を効率よく除去する。この多孔質成長基板クリーニング装置により清掃された多孔質成長基板の表面をシリコン融液に浸漬して前記多孔質成長基板の表面にシリコン状シート基板を成長させることにより、シート状基板を作製する。 （もっと読む）

【課題】 多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に変換効率が高く高性能で高信頼性の光電変換装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換装置は、導電性基板１０７の一主面に多数個の結晶シリコン粒子１０１が接合され、結晶シリコン粒子１０１の隣接するもの同士の間に絶縁体１０９を介在させるとともに結晶シリコン粒子１０１の上部を絶縁体１０９から露出させて配置し、これら結晶シリコン粒子１０１に透光性導体層１１１が設けられた光電変換装置であって、結晶シリコン粒子１０１は、表面が研磨加工によって滑らかな面とされている。 （もっと読む）

【課題】 融液から余分な飛沫の発生を抑制するとともに、安定して粒径の揃った粒状半導体を得ることができるとともに、高い結晶性を持った粒状半導体を得ることができる粒状半導体の製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝３のノズル部２からシリコンの融液１を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液１を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置であって、坩堝３を振動させる加振手段７と、坩堝３内を加圧して融液４を排出する加圧手段と、排出された融液１を観察する観察手段９と、観察された融液１の落下状態を調節するために加振手段７を制御する制御手段とを具備している粒状シリコンの製造装置である。 （もっと読む）

【課題】 所望の粒子径かつ均一粒子径の粒状半導体を高い生産性でもって再現性よく製造する製造装置および製造方法を提供すること。
【解決手段】 坩堝１のノズル部１ａからシリコンの融液を粒状に排出して落下させるとともに、この粒状の融液を落下中に冷却して凝固させることによって粒状シリコンを製造する粒状シリコンの製造装置において、坩堝１を振動させる加振手段と、坩堝１内を加圧して融液を排出する加圧手段と、排出された融液を観察する観察手段４と、観察された融液の液滴の粒子径を所定の粒子径と比較して、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも大きいときには加振手段による振動の振動数を上げ、液滴の粒子径が所定の粒子径よりも小さいときには加振手段による振動の振動数を下げるように制御する制御手段とを具備する。 （もっと読む）

【課題】膜の均一性を向上させるとともに、所望の膜厚を確保することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に空隙型の受容層２を形成し、受容層２上に、光重合性を有する液体状のシラン化合物に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シラン化合物を含有する溶液を塗布し、塗布膜３を形成した後、加熱し、シリコン膜（３ａ、３ｂ）を形成する。かかる方法によれば、上記溶液（高次シラン組成物）中の溶媒等が受容層２中に吸収され、受容層２上に高次シラン化合物を均一性良く残存させることができ、また、受容層２上の高次シラン化合物量を容易に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】高性能で均一な薄膜を、効率的に、かつ常温でも形成可能な薄膜形成方法とそれにより得られる薄膜を提供する。
【解決手段】ナノ粒子を基材に付与し、基材上に付与された該ナノ粒子を大気圧プラズマ処理することにより、薄膜を形成する薄膜形成方法であって、該大気圧プラズマ処理が、大気圧または大気圧近傍の圧力下で、対向する電極間にガスを供給し、該電極間に高周波電界を発生させることによって該ガスを励起ガスとし、該励起ガスに基材上に付与された該ナノ粒子を晒す処理であることを特徴とする薄膜形成方法。 （もっと読む）

一定量の粒子半導体材料と一定量のバインダーとを混合することを含む印刷可能な組成物を製造する方法。半導体材料は、典型的には、ほぼ５ナノメートルないし１０マイクロメートルの粒径を有するナノ粒子ケイ素である。バインダーは、天然油、またはその誘導体もしくは合成類似物を含む自己重合型材料である。好ましくは、バインダーは、天然油、あるいは対応する脂肪酸の純粋な不飽和脂肪酸、モノ−およびジ−グリセリド、またはメチルおよびエチルエステルを含む誘導体からなる前駆体の自己重合型材料である。方法は、単一または複数の層で基体に印刷可能な組成物を適用し、ついで印刷可能な組成物を硬化させて基体上にコンポーネントまたは導体を形成することを含むことができる。
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【課題】比較的低温の熱処理で、低抵抗な不純物ドープシリコン膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】高次シラン組成物、触媒およびドーパント元素を含有する溶液である、例えば、シクロペンタシランに紫外線光を照射した後、これをトルエン（溶媒）で希釈した液体（高次シラン組成物の溶液１）に、ドーパント元素含有化合物（例えば、黄燐）および触媒（塩化ニッケル）を混合した、塗布用溶液Ａを基板上に塗布し、塗布膜１３を形成した後、例えば３００℃〜６００℃で加熱（焼成）し、不純物ドープシリコン膜１３ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】原材料をあらかじめ選択的に基板上に供給することにより、使用する原材料の量を削減し、且つ、フォトリソグラフィ工程及びエッチング工程を省いて製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】液状原料を液滴１０２として所定の方向に複数回吐出、飛翔させて選択的に基板１０１上に塗布し液体パターン１０３を形成する工程と、その液体パターン１０３を固化して薄膜パターン１０４に形成する工程と、薄膜パターン１０４にレーザを照射して結晶化膜１０６に形成する工程とから成る、シリコン系半導体膜及び酸化シリコン系絶縁体膜等を形成する薄膜形成方法。リソグラフィ工程及びエッチング工程の省略による製造工程の簡略化と使用材料の量の削減とを図る。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの内部に金属ナノドットを均一に整列させることができ、ナノドットの大きさ及び間隔を調節することにより、多様な物性を持つナノワイヤおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】均一に整列された複数の金属ナノドット２１０と、前記複数の金属ナノドットが結合しているコア部とを含んでいる。 （もっと読む）

シリコンまたは他の結晶性物質のリボンを作るための装置および製造方法。この装置は、底部(２)および側壁(３)を有したるつぼ(１)を備える。このるつぼ(１)は、側壁(３)の底部に水平に配置された少なくとも一つの横方向スリット(４)を有している。横方向スリット(４)は、５０ｍｍより大きく、好ましくは１００ｍｍ〜５００ｍｍの幅を具備する。スリット(４)の高さ（Ｈ）は、５０〜１０００マイクロメートルである。結晶性物質は、横方向スリット(４)を介してるつぼから取り出されて結晶リボン(Ｒ)を形成する。この方法は、横方向スリット(４)から取り出される材料に種結晶(１３)を接触させる段階、およびリボン(Ｒ)を水平移動させる段階(１４)を含む。
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