【課題】 簡単な構成で生成された板状基板の落下を防止し、歩留改善効果を得ることができる板状基板製造装置を提供する。
【解決手段】 たとえばシリコンなどの半導体材料の融液２４に下地基板２１を搬送しながら浸漬し、下地基板２１の成長面３５上にシリコンを凝固成長させて板状基板２７を製造する板状基板製造装置２０には、下地基板２１の搬送方向前方側の端部２１ａおよび搬送方向後方側の端部２１ｂに、落下基板受部材４５が設けられる。この落下基板受部材４５は、下地基板２１の成長面３５上に生成され下地基板２１の成長面３５から離脱して落下する板状基板２７を受取ることができる。 （もっと読む）

線状及び架橋済みのＨＭＷ（高分子量）ポリシラン及びポリゲルマン、ポリペルヒドロシラン及びポリペルヒドロゲルマン、それを含む機能性液体の製造方法、並びに一連の望ましい用途における液体の使用方法を開示する。シラン及びゲルマンポリマーは一般に、Ｒ’置換基で置換されたＳｉ及び／またはＧｅの鎖で構成され、ここで、Ｒ’の各場合は、例えば、独立して、水素、ハロゲン、アルケニル、アルキニル、ヒドロカルビル、芳香族ヒドロカルビル、複素環式芳香族ヒドロカルビル、ＳｉＲ”_３、ＧｅＲ”_３、ＰＲ”_２、ＯＲ”、ＮＲ”_２、またはＳＲ”であり；ここで、Ｒの各場合は独立して、水素またはヒドロカルビルである。架橋済みポリマーを、脱ハロゲン化的カップリングまたはデヒドロカップリングによって合成することができる。線状ポリマーを、開環重合によって合成することができる。ポリマーを、ハロゲン化及び／または水素化物の源との反応によってさらに修正して、ペルヒドロシラン及びペルヒドロゲルマンポリマーを与えることができ、これらは、液体インキ配合物において使用される。合成は、液体特性（例えば、粘度、揮発度、及び表面張力）の適合に対処する。液体を、スピンコーティング、インクジェッティング、ドロップキャスティング等による膜及び物体の堆積のために使用でき、ＵＶ照射の使用はあってもなくてもよい。堆積した膜を、４００〜６００℃でのキュアリング及び（所望により）レーザー−または熱−誘起結晶化（及び／またはドーパントが存在する場合、ドーパント活性化）によって、アモルファス及び多結晶ケイ素またはゲルマニウム、並びにケイ素または酸化ゲルマニウムまたは窒化物に転換することができる。 （もっと読む）

【課題】 冷却体表面に凝固析出して生成される析出板の自壊による破片を適正処理し、析出板の生産に対して悪影響を及ぼすことを防止できる析出板製造装置および析出板製造方法を提供する。
【解決手段】 溶解炉２４でシリコンを加熱して溶湯２３にし、析出板生成の原板である冷却体２５を、浸漬手段２７によって溶湯中へ浸漬し溶湯中から引上げてシリコンを冷却体の表面に凝固析出させてシート状シリコン４８を製造する。このシート状シリコンの製造に際し、冷却体２５が溶湯上方位置から離反する方向へ搬送される搬送経路途中に設けられるバケット２７が、冷却体から離脱して落下するシート状シリコンを受容する。バケットに受容された落下物は、落下物移動手段２８によって、バケット内で収容容積が大きい方へ移動され、また必要に応じて落下物再投入手段２９によって溶解炉内へ投入される。 （もっと読む）

【課題】 基体上に成長させた固相シートの基体からの落下を防止して固相シートの回収率を向上させることによりコストを低減することが可能な固相シート製造方法および固相シート製造装置を提供する。
【解決手段】 基体上に金属材料および／または半導体材料を含有する原料からなる固相シートを成長させる固相シートの製造方法であって、固体シートの成長面を有する基体の該成長面に該原料の融液を接触させ、該成長面上の一部または全部に該原料の固相領域を形成する浸漬工程と、浸漬工程と同時にまたは該浸漬工程の後に、成長面上の原料と基体との間に電気的な力を付与することによって該原料を該基体に吸着する吸着工程と、成長面上の原料が固相シートを形成した後に基体を融液から引き上げ、基体への固相シートの吸着を開放して該固相シートを回収する回収工程とを含む固相シート製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 新規な液相合成ナノ粒子の製造方法および半導体表面の被覆方法と、それにより得られた発光可能な半導体ナノ粒子または半導体被覆を用いた発光素子の提供。
【解決手段】 不活性有機溶媒中において、半導体元素を含んでなる分子と還元剤とを化学反応させて半導体ナノ粒子または半導体被覆を形成させるに際し、前記半導体分子と前記還元剤とを、前記半導体分子に含まれる半導体元素のモル数Ａに対する前記還元剤の当量数Ｂの比Ｂ／Ａが、３以上４以下となるようにして、０℃以下の反応温度で反応させる。還元剤には不活性有機溶媒に可溶なものを用い、均一反応が起きる条件で、所望のナノ粒子を得ることができる。また、半導体材料を不活性有機溶媒中に浸漬し、前記の比Ｂ／Ａを１以上４以下とすることで、半導体材料の表面に半導体元素を含む被覆層を形成させることができる。 （もっと読む）

【課題】基体上に、シリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成する簡易な方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法によって達成される。 （もっと読む）

本発明は、粉末を焼結することによって得られる半導体材料の製造方法に関し、かつ半導体材料に関する。前記方法は、粉末の一部を融解又は粘凋にするための圧縮及び加熱処理の工程を有する。前記材料は光起電力分野で用いられる。
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【課題】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液によって作製された前駆体膜を、加熱または光照射によりシリコン膜に変換する際、不活性ガス雰囲気中から酸素を除去することによって、シリコン膜中に酸素が取り込まれることを防ぐ方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、液体状の高次シランまたは高次シラン溶液を基板に塗布し、シリコン膜の前駆体膜（１４）を形成する第一工程と、シリコン膜の前駆体膜（１４）を、加熱処理または紫外線照射処理によって、シリコン膜（１４’）に変換する第二工程と、を含み、前記第一および第二工程を不活性ガス雰囲気中で行い、該不活性ガス雰囲気には酸素と反応し高次シランとは反応しない酸素除去用ガスが添加されていることを特徴とする、シリコン膜の形成方法を提供するものである。 （もっと読む）

【課題】熱処理を行わずに、かつ少ない工程数で、シリコン含有膜を形成するシリコン含有膜の形成方法を提供する。
【解決手段】シクロペンタシラン溶液１２をセル１１内に充填し、シクロペンタシラン溶液１２とセル１１の内壁面１１ａとを接触させる。次いで、セル１１の外壁面１１ｂの一領域１１ｂ’にスポットＵＶ照射器１４を密着させて紫外線Ｖを照射することで、紫外線Ｖがセル１１の壁を透過し、領域１１ｂ’の裏面側となる内壁面１１ａの一領域１１ａ’付近のシクロペンタシラン溶液１２に照射される。これにより、領域１１ａ’にシリコン膜２１が形成される。 （もっと読む）

【課題】液相プロセスを用いて、均一な膜厚の膜を形成することができる高次シラン組成物、かかる高次シラン組成物を用いる膜付基板の製造方法、膜付基板を備える電気光学装置および電子デバイスを提供すること。
に関するものである。
【解決手段】高次シラン組成物は、高次シラン化合物と、液体状のシラン化合物と、該シラン化合物より沸点（常圧）の高い溶媒とを含有する。溶媒の沸点は、シラン化合物の沸点（常圧）をＡ［℃］とし、溶媒の沸点（常圧）をＢ［℃］としたとき、Ｂ−Ａが１０以上なる関係を満足するのが好ましい。このような高次シラン組成物は、例えば光重合性を有するシラン化合物と、溶媒を混合し、シラン化合物の一部が重合して高次シラン化合物に変化し、他の一部が未反応物として残存するような線量で紫外線を照射することによって調製することができる。 （もっと読む）

【課題】 工程を簡略化し得る半導体基板および太陽電池の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板表面及び／または裏面の一部に不純物を含む成長阻止層２を形成し、成長阻止層２以外の基板表面上に半導体層３をエピタキシャル成長させ、このエピタキシャル成長の際に基板へ加えられた熱によって成長阻止層２より基板内部に不純物４を拡散させる。 （もっと読む）

本発明は、初期結晶性基板（１）の表面に成長マスク（２０）を製造する方法に関し、本方法は、第一の材料からなる初期基板（１）の一方の側に第二の材料からなる層（２）を形成する工程、及び前記初期基板の表面領域を露出するため、第二の材料の層の厚さ内にパターンを形成することにより、前記初期基板の一方の側の領域を露出させ、前記領域を初期基板上の成長窓とする工程を含む。前記方法は、パターン形成が、第二の材料からなる層の下方に位置する初期基板（１）の表面層へのイオン注入によって行われ、この注入条件として、注入直後又は熱処理を行なった後で、前記初期基板の一方の側に、第一の材料が剥離された領域（５）ができることにより、第一の材料の剥離領域（５）を覆う第二の材料の領域が部分的に除去され、これによって初期基板（１）が部分的に露出し、初期基板上に成長窓（６）が形成されるような条件を用いることを特徴とする。本発明はまた、薄い結晶性の層を形成して受容基板上に移転する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 連続成膜が可能で量産性の高い多結晶Ｓｉ結晶の液相成膜法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 前記成膜部が所定の温度に保たれる一方で溶質供給部の温度が成膜部の温度に対して所定の範囲の温度幅で変化することにより、経時的に連続して過飽和度が変化したメルトを成膜部に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶融滴下法による半導体粒子の製造過程において発生する不純物成分を効果的に溶融装置の外部に排出することにより、高純度の半導体粒子を高速で製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】半導体材料を加熱し溶融させる工程および半導体融液を気相中に滴下する工程の少なくとも一方を、坩堝内または坩堝が収容された外套容器内に一方から希ガスを供給し、他方から希ガスを順次排出しながら行う。 （もっと読む）

【課題】 低純度シリコンを主要な原料とし従来の多結晶シリコン基板よりはるかに低コスト化が可能ながら、太陽電池を作り込んだ場合に従来の多結晶シリコン基板と同等以上の変換効率が得ることが可能な太陽電池用多結晶シリコン基板を提供する。
【解決手段】 金属シリコンを原料として、溶融・凝固して作製した多結晶シリコン基体１０１を用いた太陽電池用多結晶シリコン基板の作製方法であって、不純物元素が表面の一部に局在して露出している多結晶シリコン基体１０１上に、非晶質シリコン層を形成する工程と、前記非晶質シリコン層を水素雰囲気中で加熱し、前記多結晶シリコン基体の結晶方位に結晶化させたシリコン層１０３を形成する工程と、前記結晶化させたシリコン層上に液相法で太陽電池級のシリコン層１０５を形成する工程とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 原料投入による結晶成長の中断が無くて、結晶シートの製造効率を効果的に向上できる結晶シートの製造装置を提供すること。
【解決手段】 ヒータ１５で周囲が囲まれた外側ルツボ３の内側に、円筒形状の内側ルツボ４を備え、ヒータ１５で加熱されて溶融したシリコン材料を、内側ルツボ４の下端の開口を介して、外側ルツボ３内から内側ルツボ４内に供給する。複数の基板８を支持する基板支持部６が、回転機構１２で回転駆動されて、基板８を内側ルツボ４内の溶融シリコン中に順次浸漬する。内側ルツボ４内の溶融シリコンの液面が限界高さに低下すると、固体のシリコン原料を、原料投入器５及び原料投入管を介して、外側ルツボ３と内側ルツボ４との間に供給する。外側ルツボ３を外側ルツボ用回転昇降機構１０によって鉛直軸周りに回転駆動して、溶融シリコンを攪拌することにより、固体シリコン原料を溶融シリコン中に迅速に混入させて溶解させる。 （もっと読む）

【課題】 半導体材料の融液の湯面における湧出し位置が、基板の浸漬方向に対して直交する方向で対称の位置になるように、また湯面の盛上がり高さが０になるように調整して薄板の板厚分布を均一にする。
【解決手段】 坩堝２２内に収容される半導体材料の融液２１に基板２５を浸漬し引上げて薄板を生成する薄板生成装置２０は、坩堝２２に対するコイル２３の相対位置を修正するコイル設定位置修正手段２８と、融液２１の湧出し位置２９を検出する湧出位置検出手段３０と、融液２１の湯面２１ａの盛上がり高さを調整する湯面高さ調整手段３１とを備え、制御手段３２によって、湧出し位置２９の検出結果に応じて、基板２５の浸漬位置と湧出し位置２９との配置が好適になるようにコイル２３の設定位置を修正するとともに、湯面２１の盛り上がり高さを調整する。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 冷却体の表面に溶湯の一部を凝固析出させて析出板を形成する際に、冷却体表面に均一な厚みの析出板を形成することができる冷却体、ならびにそれを用いる析出板製造装置および析出板の製造方法を提供する。
【解決手段】 冷却体１を構成する基体部２１の一方の表面部２１ａを、厚み方向２９に垂直な仮想平面４０に対して傾斜する傾斜部分を有するように、たとえば凹曲面状に形成する。冷却体１を用いることによって、たとえば、溶湯の表面が凸状になる場合であっても、溶湯に浸漬されている時間を冷却体１の一方の表面部である基体部２１の一方の表面部２１ａ全体にわたって均一にすることができる。したがって、基体部２１の一方の表面部２１ａに形成される析出板の厚みを均一にすることができる。 （もっと読む）

【課題】 結晶性の高い無機物粒子を安定して、かつ低コストで製造することができる無機物粒子作製用坩堝を提供する。
【解決手段】 無機物の融液４を排出して粒状にするノズル部３を備え、坩堝１は無機物の融点よりも溶融温度が高い材料からなり、ノズル部３とともに融液４を保持する内坩堝２ａと、内坩堝２ａよりも溶融温度が高い材料から成り、内坩堝２ａおよびノズル部３を保持する外坩堝２ｂとからなる無機物粒子作製用坩堝１である。坩堝１の強度を確保でき、坩堝１の熱安定性が増し、組み立て精度が向上し、複数回の使用にも耐えうるものとできる。また、この坩堝１のノズル部３から無機物の融液４を排出して粒状にして落下させ、この粒状の融液５を落下中に凝固させることによって無機物粒子を作製することにより、不純物元素の凝縮による欠陥の発生や無機物の物性に影響を与えることを抑えることができ、高品質な無機物粒子を得ることができる。
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