【課題】固着、熱歪、転位の発生を抑制して、高品質で均一な単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成する技術を提供する。
【解決手段】カーボン原料または単結晶炭化珪素基板の片面にシリコン薄膜を形成する工程、カーボン原料と単結晶炭化珪素基板との間にシリコン薄膜が配置されて所定の式を満たすように、坩堝内に下からシリコン基板、支持台、単結晶炭化珪素基板を積層して配置すると共に、坩堝蓋側からカーボン原料支持台、カーボン原料を接合して配置する工程、坩堝蓋をかぶせた坩堝をシリコンの融点温度以上に加熱してシリコン基板およびシリコン薄膜を融解させると共に坩堝蓋を坩堝の内壁高さまで下降させる工程、単結晶炭化珪素エピタキシャル膜の成長温度以上に加熱してシリコン融液の表面張力により懸垂保持された単結晶炭化珪素基板上に単結晶炭化珪素エピタキシャル膜を形成させる工程を備えている単結晶炭化珪素基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察されるものである。シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されないものである。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストを低減する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれにおいて、表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値は、フィード材１１の方がシード材１２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％以上である。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察される。Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１以上である。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長に要するコストの低減が可能な単結晶炭化ケイ素の液相エピタキシャル成長用のシード材とフィード材のユニットを提供する。
【解決手段】フィード材１１及びシード材１２のそれぞれは、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。フィード材１１及びシード材１２のそれぞれの表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。フィード材１１の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、シード材１２の少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した回折ピークと、（１１１）結晶面に対応した回折ピーク以外の回折ピークとが観察される。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の、励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のＬ０ピークが観察され、Ｌ０ピークの９７２ｃｍ^−１からのシフト量の絶対値が４ｃｍ^−１未満である。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材１１は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Å以下である。 （もっと読む）

【課題】溶液内のＣ溶解度を高めてＳｉＣ単結晶の成長速度を向上させると共に、単結晶の成長に伴うＳｉＣ成分の消費等による溶液の組成変動を抑制し、単結晶成長のための条件を安定させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】黒鉛るつぼ１０内の底部にＳｉＣ種結晶２０を設置すると共に、るつぼ１０内にＳｉとＣとＸ（ＸはＳｃ及びＹを除く遷移金属、Ａｌ、Ｇｅ及びＳｎから選ばれる１種以上）を含む溶液３０を存在させ、溶液３０を過冷却させて種結晶２０上にＳｉＣ単結晶を成長させると共に、ＳｉＣ単結晶を成長させながら黒鉛るつぼ１０の上部から溶液３０に粉末状もしくは粒状のＳｉ及び／又はＳｉＣ原料４１を添加する。 （もっと読む）

【課題】ＭＳＥ法を用いて、不純物濃度の面内分布のバラツキが充分に抑制されたＳｉＣエピタキシャル膜を作製することができるＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置を提供する。
【解決手段】準安定溶媒エピタキシャル法により、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法であって、基板設置治具上に、複数の底面スペーサを所定の間隔を設けて配置し、底面スペーサ上に、炭素原子供給基板、複数の上部スペーサ、Ｓｉ板および単結晶ＳｉＣ種基板を、順に積み重ね、その後、Ｓｉの融点よりも高い所定の温度まで昇温して、単結晶ＳｉＣ種基板上に、単結晶ＳｉＣ膜をエピタキシャル成長させて、ＳｉＣ半導体薄膜を作製するＳｉＣ半導体薄膜の作製方法および作製装置。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板を用いた半導体装置の製造コストの低減を実現可能な炭化珪素基板の製造方法、半導体装置の製造方法、炭化珪素基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板１の製造方法は、炭化珪素からなるベース基板１０および単結晶炭化珪素からなるＳｉＣ基板２０を準備する工程と、ベース基板１０の主面１０Ａ上に接触するようにＳｉＣ基板２０を載置して、積層基板を作製する工程と、積層基板を、ＳｉＣ基板２０よりもベース基板１０の温度が高くなるように加熱することにより、ベース基板１０とＳｉＣ基板２０とを接合する工程と、ＳｉＣ基板２０が接合されたベース基板１０の、ＳｉＣ基板２０とは反対側の主面１０Ｂ上にエピタキシャル成長層３０を形成する工程とを備えている。 （もっと読む）

【課題】炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防止することができる炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素から作られた第１および第２の被支持部１１、１２の各々と、炭化珪素から作られた支持部３０とが互いに対向し、かつ第１および第２の被支持部１１、１２の間に隙間ＧＰが設けられるように、第１および第２の被支持部１１、１２、および支持部３０が配置される。支持部３０の炭化珪素を昇華および再結晶させることで、第１および第２の単結晶基板１１、１２の各々に支持部３０が接合される。この際、隙間ＧＰにつながるように支持部３０に貫通孔ＴＨが形成されることで、隙間ＧＰおよび貫通孔ＴＨを通って流体が通過し得る経路ＰＴが形成される。この経路ＰＴを塞ぐことで、炭化珪素基板中を貫通して流体が漏出することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】溶液法によって安定した品質のＳｉＣを長時間製造し得るＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】溶液法により、ＳｉＣとＣと前記２成分以外の溶液成分を含む原料溶液３からＳｉＣ種結晶基板９上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法であって、ＳＩＣ成長開始前にはＣを溶解させる工程を有し、ＳＩＣ成長開始後にはＳｉＣを補給する工程を有する。ここで、ＳｉＣを補給する工程は、溶液３内であってＳｉＣ種結晶基板９の支持棒５と黒鉛坩堝２との間に設けたＳｉＣ製の遮蔽壁４から補給する工程である。 （もっと読む）

【課題】低い格子欠陥密度で良質なＳｉＣ単結晶を、高い成長速度で、かつ長時間安定して成長させることのできるＳｉＣ単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ単結晶基板１５とＳｉを含む原料を加熱かつ融解して得られた融液層１６とを接触させることによって、基板１５上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶製造方法において、大気圧下または加圧下で、基板１５との接触部とは反対側の融液層１６の表面１６ｂ側から、Ｓｉを含む分子とＣを含む分子とを含むプラズマ１７を供給し、かつ融液層１６の基板１５との接触部における温度を融液層１６の表面１６ｂにおける温度より低くする。 （もっと読む）

【課題】発光デバイスや電子デバイス用基板として好適な平坦性の高い高品質のＳｉＣ単結晶基板の製造を安定して行うことを可能にする技術を提供する。
【解決手段】ＳｉまたはＳｉと他の金属との合金からなる融液にＣが溶解している原料溶液５に結晶成長用基板１を浸漬し、少なくとも基板１の近傍の溶液５を過飽和状態とすることによって基板１上にＳｉＣ単結晶を成長させるＳｉＣ単結晶の製造方法において、(１)融液の材料が少なくとも１種の酸化物を含む、(２)酸素を含む不活性ガス雰囲気下で結晶成長を行う、および(３)酸素を含む不活性ガスを原料溶液に吹き込みながら結晶成長を行う、の少なくとも１つに手法によって、原料溶液５中に酸素を含有させながら、ＳｉＣ単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】炭素ゲッター効果を有する嵌合容器に単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板５を収容し、前記嵌合容器の内部をシリコンの飽和蒸気圧下かつ高温真空下とし、更に、前記嵌合容器の内部圧力が外部圧力よりも高くなる状態を維持しながら１５００℃以上２２００℃以下で加熱制御する。これによって、当該単結晶ＳｉＣ基板５の表面が、単結晶ＳｉＣ基板を構成するＳｉＣ分子の積層方向の１周期分であるフルユニットの高さ又は半周期分であるハーフユニットの高さからなるステップで終端し、分子レベルで平坦化される。前記方法で製造した単結晶ＳｉＣ基板と炭素供給フィード基板とを対向配置し、その間にシリコンの極薄融液層を介在させつつ加熱することで、準安定溶媒エピタキシー法によって単結晶４Ｈ−ＳｉＣを液相エピタキシャル成長させる。 （もっと読む）

【課題】雑晶の発生を抑止し、良質な２Ｈ炭化珪素単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】圧力容器内において、珪素が溶解したリチウムフラックス２３に炭化珪素単結晶基板２５を接触させる工程と、前記圧力容器内にメタン２６を導入し、前記リチウムフラックス２３に前記メタン２６を接触させることにより、前記リチウムフラックス２３から前記単結晶基板２５上に２Ｈ炭化珪素単結晶２７を成長させる工程とを包含する炭化珪素単結晶の製造方法。 （もっと読む）