低炭素含量を有するシリコン膜の前駆体として、可溶性シリコンポリマーを生成するための、一般式Ｓｉ_ｎＨ_２ｎ及びＳｉ_ｎＨ_２ｎ＋２のもの並びにアルキル及びアリールシランを含むヒドロシラン化合物の、制御された重合及び／又はオリゴマー化のための組成物及び方法。 （もっと読む）

【課題】オン電流の向上を図ることでオン／オフ電流比を大きくとることが可能な半導体薄膜、およびこの半導体薄膜の形成方法、よびこの半導体薄膜を用いることでスイッチング特性の良好な半導体装置を提供する。
【解決手段】磁性微粒子とこれに結合した有機分子とからなる半導体薄膜７ａを、ソース電極９ｓ−ドレイン電極９ｄ間のチャネル領域として用いた半導体装置１ａである。この半導体薄膜７ａは、基板３（５）表面に磁性微粒子を分散させた状態で固定する工程と、有機分子を溶解させた溶媒に基板３（５）表面に固定した磁性微粒子を晒して結合させる工程とを行うことによって形成される。この半導体装置１ａは、半導体薄膜７ａにおける導電性が、磁界と共に電界によって制御されるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの電導性構成又は素子を製造するのに適した低価格の方法及び組成物を得る。
【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、半導体層と接触するソース電極と、半導体層と接触するドレイン電極と、半導体層とゲート電極との間に配置されたゲート誘電体とを含む薄膜トランジスタを製造する、ステップを含み、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極からなる群から選択される少なくとも１つの電極が、（ｉ）結果として堆積組成物をもたらすように、有機アミンと、銀化合物と、随意的に有機酸とを含む開始原料を含む低粘度組成物を液相堆積し、（ｉｉ）堆積組成物を加熱して、銀を含む電導性構成をもたらす、ステップを含む電極製造プロセスにより形成される、
ことを特徴とするプロセス。 （もっと読む）

安熱法という成長技術を用いて、窒素面またはＭ面を有するＩＩＩ−Ｖ族窒化物薄膜を成長する方法が開示される。この方法は、耐圧釜を用いるステップと、耐圧釜を加熱するステップと、耐圧釜にアンモニアを導入するステップとを含み、平坦な窒素面またはＭ面の窒化ガリウムの薄膜及びバルクＧａＮを作製する。
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【課題】複数の細線状構造物を特定の配向方向で会合させる方法、および、その利用方法を提供する。
【解決手段】複数のＳｉナノワイヤ４が会合してなるＳｉナノワイヤ集合体４０の製造方法であって、基板１上に、Ｓｉナノワイヤ４を分散させた分散液パターン３０を形成するパターン形成工程と、分散液３を乾燥させることにより、分散液パターン３０上の一部に、複数のＳｉナノワイヤ４を析出させる乾燥工程とを有し、乾燥工程では、Ｓｉナノワイヤ４を、所定の方向に配向させながら会合させる。 （もっと読む）

【課題】陰イオンをＯサイトへ添加することが可能で、電気特性や光学特性等の改善を図ることが可能な酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いた酸化亜鉛単結晶の製造方法において、亜鉛を含む原料溶液２として、リン酸塩を含む原料溶液２を用い、液相で酸化亜鉛単結晶をエピタキシャル成長させる。また、リン酸塩として、亜鉛のリン酸塩および／または亜鉛以外の物質のリン酸塩を用いる。また、リン酸塩として、Ｚｎ₃（ＰＯ₄）₂を用いる。 （もっと読む）

【課題】塗布膜から、簡便に、キャリア移動度の高い良好な結晶性有機半導体薄膜を提供し、またこれを用いた有機半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に有機半導体材料溶液を供給、塗布して有機半導体薄膜を形成する場合に、有機半導体薄膜に、０．５μｍ以上１００μｍ以下の短辺をもつ線状の非被膜部が存在させることにより単一結晶性領域を形成しやすくし異方性結晶の形成による不整合をなくし分子配列の歪や乱れによるキャリア移動度低下のない有機半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】シンプルな原理でありながら各種電子装置の基板として汎用性の著しく高いSi基体上に光機能素子などを構築するために、Si基体上にβ-FeSi₂単相膜を容易に形成する方法等を提供する。
【解決手段】Fe元素を含有する溶融塩２３をSi基体２２と接触させることによってβ-FeSi₂をSi 基体２２上に形成するβ-FeSi₂形成方法。この1例として、下記の(1)式で示される反応によってβ-FeSi2を形成するβ-FeSi2形成方法を挙げる。5Si＋2 FeCl₂＝2β-FeSi₂＋SiCl₄ (1) （もっと読む）

【課題】低コストで耐久性に優れた有機半導体素子を提供する。
【解決手段】基体上に結晶化促進層を設ける工程と、該結晶化促進層の上に有機半導体前駆体を付与する工程と、該有機半導体前駆体に光エネルギーと熱エネルギーとを同時に与えて有機半導体からなる層を形成する工程と、を少なくとも有する半導体素子の製造方法。前記基体を外部から加熱することにより前記熱エネルギーを付与することが好ましい。前記結晶化促進層が結晶粒同士の接合を促進する機能を有することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１つまたは２つ以上の界面活性剤を含む有機半導性配合体および導電性、光導性および半導性コンポネントおよびデバイスでの前記の使用に関し、少量の界面活性剤を有機半導性配合体に加えることにより、ＯＦＥＴ（有機電界効果トランジスタ）の電荷移動度及びオン電流を〜１０倍まで、オン／オフ比を５倍に改善することが可能な配合体を提供する。
【解決手段】１つまたは２つ以上の有機半導性化合物、１つまたは２つ以上の界面活性化合物および非極性および非アルコール有機溶媒から選択した１つまたは２つ以上の溶媒を含む、均質な溶液の配合体を基質上に提供し、任意に溶媒を除去することにより、有機半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】動作効率や静電耐圧性能の高い半導体光素子を提供する。
【解決手段】フラックス法により混合フラックスとIII族元素とを攪拌混合しながらIII族窒化物系化合物半導体結晶を結晶成長させて製造した光素子基板１０１はＳｉドープの厚さ約３００μｍのｎ型ＧａＮ結晶から成り、その上には、アンドープIn_0.1Ga_0.9N から成る層とアンドープGaN から成る層とを交互に２０ペア積層することによって構成された膜厚９０ｎｍの多重層１０５が形成されており、その上には、アンドープＧａＮから成る障壁層とアンドープIn_0.2Ga_0.8N から成る井戸層とが順次積層された多重量子井戸層１０６が形成されている。また、Ｍｇドープのｐ型Al_0.2Ga_0.8N から成るｐ型層１０７の上には、アンドープのAl_0.02Ga_0.98N から成る層１０８を形成した。ｐ側の電極は、ｐ型ＧａＮ層１１１の上に積層したＩＴＯからなるＩＴＯ電極１２０で構成した。 （もっと読む）

【課題】保存安定性が高く、特性に優れた有機半導体層を形成することができる有機半導体用組成物、これを用いて製造された信頼性の高いトランジスタを製造可能なトランジスタの製造方法、アクティブマトリクス装置の製造方法、電気光学装置の製造方法、および、電子機器の製造方法を提供すること。
【解決手段】有機半導体用組成物は、チオフェン環とアルキル鎖とを含む有機半導体材料と、シスデカリンを含有する有機溶媒とを含有する。この有機半導体用組成物は、例えば、互いに分離して設けられたソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂと、ソース電極２０ａおよびドレイン電極２０ｂを覆うように設けられた有機半導体層３０と、有機半導体層３０上に設けられたゲート絶縁層４０と、ゲート絶縁層４０上に設けられたゲート電極５０とを有するトランジスタの有機半導体層３０を形成するのに使用される。 （もっと読む）

【課題】膜の均一性を向上させるとともに、所望の膜厚を確保することができるシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の上方に空隙型の受容層２を形成し、受容層２上に、光重合性を有する液体状のシラン化合物に、紫外線を照射することにより光重合してなる高次シラン化合物を含有する溶液を塗布し、塗布膜３を形成した後、加熱し、シリコン膜（３ａ、３ｂ）を形成する。かかる方法によれば、上記溶液（高次シラン組成物）中の溶媒等が受容層２中に吸収され、受容層２上に高次シラン化合物を均一性良く残存させることができ、また、受容層２上の高次シラン化合物量を容易に調整することができる。 （もっと読む）

【課題】１回の成長操作で複数枚のエピタキシャルウェハを作製して、成長効率を向上できること。
【解決手段】溶液ホルダ１２と２段の基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂとを備えた成長治具１１の上記溶液ホルダ１２には、基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂのそれぞれに対応して原料溶液を収容する溶液溜１５Ａ及び１６Ａと、１５Ｂ及び１６Ｂとがそれぞれ設けられ、各基板ホルダには、溶液溜内の原料溶液に接触可能に基板１７を載置する基板載置部１８が形成され、溶液ホルダ１２に対して基板ホルダ１３Ａ、１３Ｂを同時にスライドさせて原料溶液を基板に接触させることにより、基板ホルダ１３Ａ及び１３Ｂに載置された２枚の基板にエピタキシャル層を同時に成長させるものである。 （もっと読む）

【課題】 高品質な結晶シリコン粒子を安定して作製でき、量産性や低コストに優れた光電変換装置や光発電装置を提供することである。
【解決手段】 半導体粒子１０１表面に珪素化合物被膜を形成し、加熱して溶融させた後に降温して凝固させることによって結晶化させる結晶半導体粒子１０１の製造工程において、前記珪素化合物被膜を形成する際に、前記半導体粒子１０１をシリコンウェーハ１０４上に載置して珪素化合物被膜を形成する結晶半導体粒子１０１の製造方法である。光電変換装置に用いる場合に光電変換効率性に優れた高品質な結晶シリコン粒子１０１を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】原料融液溜と融液中心部側との熱交換を促進する。
【解決手段】 原料融液溜８（９，１０）にエピタキシャル成長原料を投入してこの原料融液溜８（９，１０）の加熱により溶融した後、原料融液溜８（９，１０）の融液に基板７の成長面を接触させてエピタキシャル成長させるようにしたエピタキシャルウエハの製造方法において、前記原料融液溜８（９，１０）の融液に接する表面を原料融液溜の中心部側に拡大して、融液中心部側と前記原料融液溜との熱交換を促進する。 （もっと読む）

【課題】ワイヤの内部に金属ナノドットを均一に整列させることができ、ナノドットの大きさ及び間隔を調節することにより、多様な物性を持つナノワイヤおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】均一に整列された複数の金属ナノドット２１０と、前記複数の金属ナノドットが結合しているコア部とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】アルカリ金属をフラックスとして用いた結晶成長方法によって貫通転位を低減したＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】ＧａＮ結晶は、下地体５と、ＧａＮ結晶５３０，５５０とを備える。下地体５は、サファイア基板５０１と、ＧａＮ膜５０２とからなる。ＧａＮ膜５０２は、貫通転位５０２１を有する。ＧａＮ結晶５３０は、下地体５のＧａＮ膜５０２上に結晶成長され、各々が斜めファセット５２１を有する複数のドメイン５２０からなる。ＧａＮ結晶５５０は、ＧａＮ結晶５３０上に形成され、複数のドメイン５４０からなる。 （もっと読む）

【課題】カルシウムがドープされた強いｐ型のＳｒＣｕ_２Ｏ_２薄膜を製造する。
【解決手段】Ｃａ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、Ｓｒ（ＯＡｃ）_２、Ｃｕ（ＯＡｃ）_２・Ｈ_２Ｏ、および酢酸を調製し（１２）、これらを、混合した後に還流する（１４）。そして、溶液を濾過する（１８）。以上により得られた溶液をウェーハ上に塗布し（２２）、次いで、該ウェーハをベーキングして溶剤成分を蒸発させる（２８）。続いて、フォーミングガス中においてアニール処理を行う（３０）。最後に窒素雰囲気中において瞬間的に酸素を供給する（３２）。 （もっと読む）

【課題】電荷担体の移動度の高い半導体膜を安価に製造する方法を提供する。
【解決手段】半導体膜を製造する方法を提供するものであり、第１の有機半導体及び第２の有機半導体を含む溶液を基板の表面に付与する第１の工程を有する。溶液は乾燥され、半導体膜が形成される。半導体膜は第１の有機半導体の離散的領域を含んでおり、その離散的領域は第２の有機半導体のマトリクスの中に存在する。このマトリクスは互いに隣接する離散的領域同士を電気的に接続する。第１及び第２の有機半導体は同一の導電型を有しており、第１の有機半導体の離散的領域における電荷担体の移動度は第２の有機半導体のマトリクスにおける電荷担体移動度より高い。 他の形態においては、本発明は類似の半導体膜製品を製造する方法を提供する。第１の有機半導体の溶液は第２の有機半導体の溶液と別に塗布される。そして乾燥後は離散的領域が形成される。 （もっと読む）