【課題】 平坦性の高い有機膜及びそれを用いた電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】 本発明の好適な形態に係る電解効果型トランジスタは、絶縁性の表面エネルギー密度の異なる複数の領域４ａを有する絶縁層４ｂ上に設けられ、かつ配向している有機膜５及びそれを用いたものである。前記絶縁性の表面エネルギー密度の異なるそれぞれの領域の表面エネルギー密度差が１０ｄｙｎｅ／ｃｍ以上で、段差が０．５ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。また、前記有機膜を構成する化合物が導電性を有し、高分子で、液晶性を有していてもよい。 （もっと読む）

【課題】ガリウム砒素からなる基板の裏面から砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】ガリウム砒素からなる基板１を収容するための基板収納載置凹部１６を設けた基板ホルダ１２と、原料溶液溜を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液７、８、９に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、基板収納載置凹部１６の表面に鏡面加工１６ａを施すことにより、前記基板１から砒素が抜けることを防止する。 （もっと読む）

【課題】 溶液を用いて、転位、欠陥の少ない高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクを得ることは困難であった。
【解決手段】 特定のハロゲン化物を含むフラックス中に、Ｚｎ源としてハロゲン化亜鉛を混合した溶液を使用して、育成を行なうことにより、高品質のＺｎＯ単結晶薄膜／バルクが得られた。この場合、特定のハロゲン化物としては、アルカリ金属ハロゲン化物或いはアルカリ土類金属ハロゲン化物を用いることが好ましく、また、酸素源として、アルカリ金属酸化物或いはアルカリ金属の炭酸塩を使用することが望ましい。
また、酸素源としての酸化物或いは炭酸塩は、育成時間中に継続して酸素を供給できるよう、適度な速度の溶解度を実現するため、限られた表面積を有するタブレット状であることを特徴とする育成方法。タブレットは、単結晶状であっても良いし、溶融凝固させた多結晶体でも良い。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、薄膜トランジスタに用いられるゲート電極や半導体膜を、簡易かつ安価な工程によってサブミクロンオーダーの精度で形成する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、基板上に、半導体材料を含む液滴（１４）を配置する工程と、液滴を乾燥させ、該液滴の少なくとも周縁部に半導体材料を析出させることによって、半導体膜（１６）を形成する工程と、を含む半導体薄膜の形成方法、および／または、導電性材料を含む液滴を配置する工程と、液滴を乾燥させ、該液滴の少なくとも周縁部に導電性材料を析出させることによってゲート電極を形成する工程と、を含むゲート電極の形成方法を含む薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体粒子の分散体から半導体要素を製作する方法を提供することである。この要素は、積層後この要素を焼結しなくても、マイクロプロセッサーやその他の高性能電気装置に使用するのに適した十分なバルク電荷担体移動度を有する。
【解決手段】膜などの半導体要素を形成する方法が提供されている。この方法には、 （ｉ）第２半導体またはその前駆体を含む液相に懸濁された第１半導体粒子を含む混合物が基板上に生じるように、第１半導体の粒子を含む懸濁液および第２半導体またはその前駆体を含む溶液を基板表面に積層する工程と、 （ｉｉ）第１半導体の隣接粒子を電気的に接続する第２半導体のマトリックス中に第１半導体の粒子を含む半導体要素を形成するために混合物を凝固させる工程とが含まれ、 第１および第２半導体が、同じ伝導形式であり、且つ同じかまたは別の材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】 次世代の単結晶ＳｉＣの形成に好適な、圧力１０^-2Ｐａ以下又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下であっても短時間で１２００℃〜２,３００℃に加熱することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】 被処理物５を１２００℃〜２,３００℃に加熱する加熱室２を備える熱処理装置１を用い、前記被処理物５を密閉容器に収納した状態で、予め１２００℃〜２,３００℃に加熱された圧力１０^-2Ｐａ以下、又は予め圧力１０^-2Ｐａ以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の前記加熱室２に移動することで、前記被処理物を１２００℃〜２,３００℃に加熱する。前記加熱室２の内部には加熱ヒータ１１が前記被処理物５（密閉容器）を覆うように設けられており、その加熱ヒータ１１の周囲には反射鏡１２が配置されている。 （もっと読む）

【課題】小分子チオフェン化合物を備える装置の提供。
【解決手段】多くの電極と接触している半導体層を備える電子装置であって、半導体層は複数のチオフェン単位からなる小分子チオフェン化合物を含み、各チオフェン単位は構造(A)を表す。
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本発明は、電界効果トランジスタ、及び基板（480）上への堆積による電界効果トランジスタの製造方法を提供するものである。この方法は、半導電性材料を生成するように反応する材料の湿式化学析出を含んでいる。堆積される材料は、カドミウム、亜鉛、鉛、錫、ビスマス、アンチモン、インジウム、銅又は水銀を含んでいる。湿式化学析出は化学浴析出法又は噴霧熱分解法によることができる。真空堆積プロセスは不要である。
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【課題】ＧａＡｓ基板裏面からのＡｓ抜けを防止して特性不良の少ない発光ダイオードを製造することができる液相エピタキシャル成長方法を提供すること。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ、且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長する液相エピタキシャル成長方法において、所定の温度から冷却しながら成長用原料溶液にＧａＡｓ基板１を接触させて基板上にエピタキシャル層を成長するに際し、前記ＧａＡｓ基板１の裏面に予めＳｉＯ₂膜５を設けておき、成長中におけるＧａＡｓ基板１の裏面からのＡｓ抜けを防止する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、第１３族元素窒化物の層から本質的に製造される高電子移動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）を提供する。
【解決手ュ段】 このタイプの最近利用できるトランジスタとは反対に、本発明に係るトランジスタはホモ基板１１上に製造され、そのホモ基板はガリウム含有窒化物から製造され、核化層を有さず、そのバッファ層３は公知のＨＥＭＴより極めて薄い。好ましくは、少なくともバッファ層３は本発明にかかるトランジスタの一部であって、エピタキシャル法により製造され、エピタキシャルプロセスにおける上記層の成長方向は基板１１の成長方向と本質的に垂直をなす。この発明はまた、高電子動度トランジスタ（ＨＥＭＴ）の製造方法にも関するものである。 （もっと読む）

窒素を含む雰囲気下において、Ｇａ、ＡｌおよびＩｎから選ばれる少なくとも一つのＩＩＩ族元素とアルカリ金属とを含むフラックスに、Ｍｇを含有させ、そのフラックス中でＩＩＩ族窒化物結晶を成長し、ＩＩＩ族窒化物基板を形成する。Ｍｇは、ＩＩＩ族窒化物結晶のＰ型ドーピング材料であるため、結晶にＭｇが混入しても、結晶はＰ型若しくは半絶縁性の電気特性を示し、電子デバイス応用において問題となることがない。また、前記フラックスにＭｇを含有させることで、フラックス中への窒素の溶解量が増大し、速い成長レートでの結晶成長が可能となり、結晶成長の再現性も向上する。 （もっと読む）

第１ステージと第２ステージとを有する、ツリーの形態を持つナノ構造を形成する方法。第１ステージは、基板表面上に少なくとも１つの触媒粒子を供給し、かつ、各触媒粒子を介して第１ナノウィスカーを成長させる工程を含む。第２ステージは、各第１ナノウィスカーの周囲に、１つ以上の第２触媒粒子を供給し、各第１ナノウィスカーの周囲から横方向に伸びる第２ナノウィスカーを成長させる工程を含む。更なるステージは、以前のステージのナノウィスカーから伸びる１つ以上のさらなるナノウィスカーを成長させる工程を含み得る。ヘテロ構造は、ナノウィスカー中に形成され得る。このようなナノ構造は、太陽電池アレイまたは光放出フラットパネルのコンポーネントを形成し得る。その構造において、ナノウィスカーは光電性材料から形成される。神経ネットワークは、複数の第１ナノウィスカーを近くに一緒に配置し、連続するステージで成長したナノウィスカーを通して隣接するツリーが互いに接触し、ナノウィスカー内のヘテロ結合が電流の流れに対してトンネル障壁を形成するようにすることによって、形成され得る。
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【課題】マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面を改良するため、真空下で、約1200℃以上2300℃以下の温度で単結晶炭化ケイ素基板を加熱する。また、前記特長を有する単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、密閉容器内に設置して、高温熱処理を行うことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、前記単結晶炭化ケイ素基板上に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。好ましくは、前記加熱処理を、減圧下で約1600℃以上1800℃以下の範囲の所定の温度で行うことによって、成長する単結晶炭化ケイ素の表面の平坦度を制御する。 （もっと読む）