【課題】簡単な方法で特性のばらつきが少ない薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料を溶解または分散した半導体溶液の液滴を射出する複数のノズルを備えたヘッドを移動させて該液滴を射出し基板の上に順次半導体溶液を塗布する塗布装置を用いて、該基板の上の有効動作領域にマトリクス状に薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、有効動作領域と有効動作領域を囲む外周領域にノズルから液滴を射出し、基板の上に順次半導体溶液を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）

【課題】β相を含むポリフルオレン類等の高分子半導体化合物の薄膜を、効率的に形成できる簡便な製造技術を提供すること。
【解決手段】高分子半導体化合物をその良溶媒に溶解した溶液を作製し、次に、この溶液に弱い極性部位を持つ有機化合物を添加物として添加混合して添加物溶解溶液とし、その後、この添加物溶解溶液を用いた薄膜形成加工法により、直接、β相を有する薄膜を作製することからなるβ相を有する高分子半導体化合物の薄膜の製造方法。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長時の製造コストを高くすることなく、エピタキシャル成長層の形成後での重ね合わせ精度を向上することが可能な重ね合せ用のアライメントマークを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】アライメントマークＡＭ１１，Ａ１２が隣り合う間の凸部領域ＳＣ１の上方におけるエピタキシャル成長層ＥＰの表面には、第１アライメントマークＡＭ１１からのパターンダレと第２アライメントマークＡＭ１２からのパターンダレとが重なり合い、第１アライメントマークＡＭ１１および第２アライメントマークＡ１２の段差パターンの側壁に沿って並行に延びる凸部ＣＲ１が形成され、この凸部ＣＲ１に基づき、明確な光学的信号微分強度分布のピークＰＭ２を読取ることができる。 （もっと読む）

【課題】少ない高純度の融液原料で、低コストで、良質で、低欠陥の半導体結晶薄膜を得る半導体結晶薄膜の作製方法の技術を提供する。
【解決手段】Si、GeまたはSiGeからなる半導体融液を、Si、GeまたはSiGeの融点以上の温度に保持し、Si、GeまたはSiGeの単結晶、多結晶、ポーラス結晶のいずれかからなる基板の主面上に、融液から所定量を滴下させて基板の主面上にエピタキシャル成長を行い、Si、GeまたはSiGe結晶の薄膜を基板上に形成する。 （もっと読む）

【課題】少なくとも表面の転位密度が全面的に低い大型のＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法は、ＩＩＩ族窒化物種結晶を含み、ＩＩＩ族窒化物種結晶は主領域１ｓと主領域１ｓに対して＜０００１＞方向の極性が反転している極性反転領域１ｔとを有する下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主領域１ｓおよび極性反転領域１ｔ上に液相法によりＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程を含み、ＩＩＩ族窒化物結晶１０は、酸化物の反応容器７内で成長され、主領域１ｓ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の大きい第１の領域１０ｓが、極性反転領域１ｔ上に成長するＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長速度の小さい第２の領域１０ｔを覆う。 （もっと読む）

【課題】チアゾールを用いる有機半導体化合物、及びチアゾールを用いる有機半導体化合物を有機半導体層に使用する有機薄膜トランジスタ、を提供する。
【解決手段】チアゾールを用いる新規な有機半導体化合物は、液晶性を有し、熱的安定性に優れるため、有機薄膜トランジスタで有機半導体層に提供される。これを達成するために、シリコン基板上にシリコン酸化膜を形成し、シリコン酸化物上にチアゾールを含む有機半導体層を形成する。また、有機半導体層の上部の両側領域にはソース電極及びドレイン電極を形成する。有機半導体層を使用した有機薄膜トランジスタは、改善された点滅比を有し、優れた熱的安定性を有する。また、溶液工程が可能であるという利点がある。 （もっと読む）

【課題】ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンを含有する膜の製造方法、及び、それを用いた電界効果トランジスタ又は光電変換素子等の有機電子素子の製造方法、並びに、移動度に優れたナフタロシアニン膜を提供する。
【解決手段】膜の製造の際に、特定の化学式で表される前駆体化合物の逆ディールスアルダー反応によって、ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンに変換し、ポルフィリン及び／又はアザポルフィリンを含有する膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】大気中でも製造可能であり、製造が容易であり、かつ、高い結晶配向性を有する単結晶薄膜を形成することが可能な薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】基体１上の薄膜材料を含む液状体２に側部界面３を形成し、かつ、側部界面３の位置を移動しつつ、液状体２から薄膜材料の結晶を基体１上に成長させる。側部界面３の位置を結晶の成長速度に合わせて移動させる。 （もっと読む）

【課題】基板のＡｓ抜けを防止することで、結晶欠陥及び特性不良の少ないエピタキシャルウエハを製造するエピタキシャルウエハの製造方法を提供する。
【解決手段】原料溶液ホルダー２の底面を形成するスライダー３に、ＧａＡｓ基板４を保持する凹部５を形成し、その凹部５にＧａＡｓ基板４を保持させてエピタキシャル成長させるエピタキシャルウエハの製造方法において、上記凹部５にＧａＡｓ多結晶１０を入れ、成長時にそのＧａＡｓ多結晶１０のＡｓを昇華させつつ、エピタキシャル成長させる方法である。 （もっと読む）

【課題】被処理物を急速昇温でき、熱効率及びスループットに優れるとともに、構成の簡素な熱処理装置を提供する。
【解決手段】高温真空炉は、被処理物を１，０００℃以上２，４００℃以下の温度に加熱する本加熱室２１と、本加熱室２１に隣接する予備加熱室２２と、予備加熱室２２と本加熱室２１との間で被処理物を移動させるための移動機構２７と、を備える。本加熱室２１の内部には、被処理物を加熱するメッシュヒータ３３と、メッシュヒータ３３の熱を被処理物に向けて反射するように配置される第１多層熱反射金属板４１と、が備えられる。移動機構２７は、被処理物とともに移動可能な第２多層熱反射金属板４２を備える。被処理物が予備加熱室２２内にあるときには、第２多層熱反射金属板４２が本加熱室２１と予備加熱室２２とを隔てて、メッシュヒータ３３の一部が第２多層熱反射金属板４２を介して予備加熱室２２に供給される。 （もっと読む）

実施形態は、材料の前駆体を含有するインクから形体を印刷することに関する。該材料には、電気的活性な材料、例えば、半導体、金属、又はそれらの組合せのほか、誘電体を含む。該実施形態は印刷されるライン又はその他の形体の形状、輪郭及び寸法をより正確に制御できる改善された印刷工程条件を提供する。該組成物（複数可）及び／又は方法（複数可）は、インク中の成分の粘度及び質量負荷を増大させてピンニング制御を改善する。典型的な方法は、従って、材料の前駆体と溶媒とを含むインクを該基板上にパターンとして印刷するステップと、該前駆体を前記パターンとして沈殿させてピンニングラインを形成するステップと、該ピンニングラインによって画定されている該材料の前駆体の形体を形成するために、該溶媒を十分に蒸発させるステップと、該材料の前駆体を該パターン化材料に転化するステップとを含む。 （もっと読む）

所望の電気特性の連続膜が、予め作製されたナノ粒子の２つ又は３つの分散液を連続して印刷及びアニールすることによって得られる。
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【課題】帯電膜を用いて、カーボンナノチューブを特定位置に集積させ、カーボンナノチューブが架橋し易い薄膜トランジスタの製造方法及びその製造方法により製造された薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ１０は、基板２の上面には、ゲート電極３を覆うようにしてゲート絶縁層４が設けられ、ゲート絶縁層４の上面には、ソース電極５及びドレイン電極６が所定のチャネル長の離間幅をもって各々設けられている。ソース電極５とドレイン電極６との間には、互いに離間して形成された溝を埋めるように、自己組織化単分子膜（ＳＡＭ膜）からなる帯電膜８をマイクロコンタクトプリント（ＭＣＰ）法等で形成している。また、帯電膜８と、ソース電極５及びドレイン電極６の少なくとも一部、又は、全部を覆うように、半導体層７が設けられている。この半導体層７の材質は、シングルウォールのカーボンナノチューブから構成されている。 （もっと読む）

【課題】低コストで製造し、有害環境問題を解決し、性能を向上させることができるうえ、特定類型の電子機器に広く適用できるようにする、酸化チタニウムを活性層として有する薄膜トランジスタの製造方法およびその構造を提供すること。
【解決手段】本発明に係る薄膜トランジスタは、基板と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて形成される活性層と、前記活性層上に形成される絶縁膜とを含む。また、本発明に係る薄膜トランジスタの製造方法は、基板を形成する段階と、前記基板上に多結晶ないし非晶質の酸化チタニウムを用いて活性層を形成する段階と、前記活性層上に絶縁膜を形成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル成長（ＬＰＥ）法により、４Ｈもしくは６Ｈ炭化珪素単結晶基板上に２Ｈ炭化珪素単結晶が３０μｍ厚以上形成された基板と、その製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ３内でリチウムフラックス中で珪素と炭素の融液１２を形成し、種結晶基板１１として融液１２に浸漬した４Ｈ炭化珪素単結晶もしくは６Ｈ炭化珪素単結晶のＣ面［（０００−１）面］上に、２Ｈ炭化珪素単結晶のＬＰＥ膜を３０μｍ厚以上成長させる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層原料に含まれる酸素を効果的に除去し、成長溶液中の酸素濃度を低減することによって、エピタキシャル層中の酸素不純物が少なく発光特性が良好なＬＥＤ用エピタキシャルウエハを高い歩留りで製造する。
【解決手段】ｐ型ＧａＡｓ基板上に、所望する発光波長に必要なＡｌ混晶比のｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層、 ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層を有するエピタキシャルウエハを液相エピタキシー法により製造する方法であって、成長溶液の調合におけるドーパント材料および／またはアルミニウム材料の混合は、成長装置内で前記材料を所定の温度に加熱した状態で成長溶液に投入して行われ、前記所定の温度Ｔ〔単位：Ｋ〕を前記材料の融点Ｔ_ｍ〔単位：Ｋ〕に対して０．８Ｔ_ｍ≦Ｔ≦０．９９Ｔ_ｍの範囲とする。 （もっと読む）

【課題】光学分野、電気・電子工業分野において有用な3.30＜Eg≦3.54eVのバンドギャップを有するMg含有ZnO系混晶単結晶、その積層体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】溶質と溶媒の混合比が、ZnOのみに換算した溶質：溶媒＝5〜30mol％：95〜70mol%であり、溶媒であるPbOとBi2O3の混合比がPbO：Bi2O3＝0.1〜95mol%：99.9〜5mol%である融液に基板を直接接触させ、液相エピタキシャル成長法により、膜厚が5μｍ以上のMg含有ZnO系混晶単結晶を基板上に成長させる。このようにして製造したMg含有ZnO系混晶単結晶を基板として用い、この基板上に更にMg含有ZnO系混晶単結晶を成長させることによりMg含有ZnO系混晶単結晶積層体を製造する。 （もっと読む）

【課題】フラックス法において、半導体結晶の結晶性及びその均一性をより向上させると共に、その収率を従来よりも効果的に向上させること。
【解決手段】ＧａＮ単結晶層を有する種結晶１０のｃ軸は水平方向（ｙ軸方向）に配向され、種結晶１０の１つのａ軸は鉛直方向に配向され、１つのｍ軸はｘ軸方向に配向される。このため、挟持具Ｔ上の点ｐ１，ｐ２，ｐ３は、何れも種結晶のｍ面と接する。即ち、この挟持具Ｔは、挟持部材Ｔ１，Ｔ２を有しており、両方とも鉛直方向に延びているが、挟持部材Ｔ１は、育成原料溶液の上面αに対して３０°傾斜した端部Ｔ１ａを有している。この様に、種結晶をｍ面で支持する理由は、ｍ面がａ面よりも結晶成長速度が遅いことと、所望のｃ面成長を阻害させないためである。なお、種結晶１０及び挟持具Ｔは、それぞれｙ軸方向に複数周期的に配列されている。 （もっと読む）

【課題】各種特性を備えた単一溶媒を選定しなくても、各種特性が制御された溶媒に有機半導体材料を溶解させることができるとともに、薄膜トランジスタのキャリア移動度を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基体上に有機半導体層を備えた半導体装置の製造方法であって、異なる沸点の溶媒を混合してなる混合溶媒に有機半導体材料を溶解させた溶液を、基体上に塗布することで、有機半導体層１５を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】面内膜厚の均一なウェハが得られるエピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】基板２を収納するための基板ホルダー３の上部に、原料溶液Ｌを収納するための溶液ホルダー５を対向して設け、基板ホルダー３あるいは溶液ホルダー５をスライドして原料溶液Ｌに基板２を接触させ、基板２上に半導体結晶を成長させるエピタキシャルウェハの製造方法において、原料溶液Ｌに基板２側面の上部を接触させる製造方法である。 （もっと読む）