【課題】サイリスタ不良の発生を大幅に減少できるエピタキシャルウエハの製造方法及び発光ダイオードの製造方法を提供する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置内に設置したｐ型ＧａＡｓ基板１上に、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３を順次、液相エピタキシャル成長させた後、そのまま液相エピタキシャル成長装置内で再度温度を上昇させる熱処理を施してエピタキシャルウエハを作製する。エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 （もっと読む）

【課題】電子工学的電力デバイスで使用される高品質の炭化ケイ素構造体を提供する。
【解決手段】バルク単結晶炭化ケイ素基板と、この炭化ケイ素基板の表面における炭化ケイ素エピタキシャル層とを備える炭化ケイ素構造体において、エピタキシャル層がＸ線ロッキングカーブにおいて２５アーク秒以下の半値幅を有する。また、炭化ケイ素基板は、Ｘ線ロッキングカーブにおいて１００アーク秒以下の半値幅を有する。さらに、炭化ケイ素基板が６Ｈまたは４Ｈポリタイプのものであり、エピタキシャル層が基板と同じポリタイプを有する。 （もっと読む）

【課題】低圧または常圧で、工業的に安価な方法で良質の第１３族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】反応容器１４中に溶融塩６を入れ、溶解する。仕切り板５で仕切られた部分に、周期表第１３族金属元素および周期表第１３族以外の金属元素を含有する複合窒化物８を置き、溶融塩６中へ溶解させる。溶解した複合窒化物８は、イオン性溶媒に溶解してＧａＮ結晶１の表面に到達し、第１３族金属窒化物結晶が成長する。 （もっと読む）

【課題】 不純物である酸素を低減させ、赤色発光ダイオードを高輝度かつ高い歩留りで製造できるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法及びＬＥＤ用エピタキシャルウェハを提供する。
【解決手段】 基板上に、ＡｌＧａＡｓ活性層、ＡｌＧａＡｓクラッド層を液相エピタキシャル法により順次形成するシングルヘテロ接合構造のエピタキシャルウェハを製造する方法において、エピタキシャル層成長前に成長炉内温度を２５０℃程度に約２時間保持し、その間に真空引き及びＨ₂ パージを連続的に行うことで原料溶液及びグラファイト成長治具の純化を行った後、成長させるようにしたものである。 （もっと読む）

【課題】 基板を水平面内で回転させることにより、液相エピタキシャル成長におけるウェハ面内の特性の均一性を向上させるＬＥＤ用エピタキシャルウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】 円形基板４を水平面内で回転しながら、上方のメルト部５に貯留されている原料融液６又は上方から供給される原料融液に接触させることにより、目的とするＡｌＧａＡｓ層、ＧａＰ層、ＧａＡｓＰ層などの化合物半導体層を液相で成長する。 （もっと読む）

【課題】 新規な液相合成ナノ粒子の製造方法および半導体表面の被覆方法と、それにより得られた発光可能な半導体ナノ粒子または半導体被覆を用いた発光素子の提供。
【解決手段】 不活性有機溶媒中において、半導体元素を含んでなる分子と還元剤とを化学反応させて半導体ナノ粒子または半導体被覆を形成させるに際し、前記半導体分子と前記還元剤とを、前記半導体分子に含まれる半導体元素のモル数Ａに対する前記還元剤の当量数Ｂの比Ｂ／Ａが、３以上４以下となるようにして、０℃以下の反応温度で反応させる。還元剤には不活性有機溶媒に可溶なものを用い、均一反応が起きる条件で、所望のナノ粒子を得ることができる。また、半導体材料を不活性有機溶媒中に浸漬し、前記の比Ｂ／Ａを１以上４以下とすることで、半導体材料の表面に半導体元素を含む被覆層を形成させることができる。 （もっと読む）

薄膜トランジスタは、亜鉛酸化物含有半導体材料を含んでいる。このトランジスタはさらに、この材料と接触していて互いに離れた第1の接点手段または電極と第2の接点手段または電極を備えている。さらに、製造中に基板の温度が300℃を超えない薄膜トランジスタ・デバイスの製造方法も開示されている。
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【課題】 電荷移動度と配向性のよい均一な薄膜を塗布形成により容易に作製できる有機半導体層の形成方法を提供する。
【解決手段】 有機半導体材料と溶媒とを混ぜることによりサーモトロピック混合液晶相を発現することになる混合物を用いて、混合液晶状態の塗布膜を形成する工程と、その塗布膜を混合液晶状態を呈しない温度まで冷却させ、もしくは冷却させながら溶媒を除いて、前記有機半導体材料のスメクチック液晶相又は結晶相からなる有機半導体層を形成する工程とを有する。上記塗布膜については、混合物を加温して塗布することにより形成されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】隣接する第一及び第二の有機半導体ポリマー層のヘテロ接合を形成する方法を提供する。
【解決手段】初めに第一の有機半導体ポリマーの層１２を基板１０上に形成する。次に、その上に膜形成材料の溶液を堆積する。第一の有機半導体ポリマー１２は、この溶液に対して不溶なので、影響を受けることがない。乾燥することにより、厚さ２０ｎｍを有する仮膜１４が形成される。次に、有機溶媒に溶解された第二の有機半導体ポリマーの溶液１６を前記仮膜１４上に堆積し、乾燥させる。前記仮膜１４の厚みは、前記第二の有機半導体ポリマーの溶液１６が乾燥される時間の間に、厚み分を浸透するように設定される。これによって、前記第一の有機半導体ポリマーの層１２に損傷を与えることなく前記仮膜１４は分解され、前記第二の有機半導体ポリマーの層１９は前記第一有機半導体ポリマーの層１２上に接するように形成される。 （もっと読む）

【課題】 ガリウム砒素からなる基板の裏面からの砒素が抜けることを防止して、不良発生率の少ない発光ダイオードを製造することができる液相成長装置を提供すること。
【解決手段】 ガリウム砒素からなる基板を収容するための基板収納載置凹部１６を設けたスライダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、原料溶液に基板１を接触させて基板１上に化合物半導体からなる半導体層を成長する液相成長装置において、上記スライダ１２の基板収納載置凹部１６の底面に、基板１の底面を下方から部分的に支持する基板ホルダ部１７を形成する。 （もっと読む）

【課題】基体上に、シリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成する簡易な方法を提供すること。
【解決手段】上記課題は、基体上に、シラン化合物及び溶媒を含有する膜形成用組成物からシリコン膜及びシリコン酸化膜からなる積層膜を形成することを特徴とする、積層膜の形成方法によって達成される。 （もっと読む）

【課題】 特別な装置を用いることなく、高濃度のｐ型シリコンカーバイド層を形成する製造方法を提供する。
【解決手段】 シリコンカーバイド基板の表面に、アルミニウム部材と、このアルミニウム部材が融解したとき、アルミニウムへシリコンカーバイド基板表面のシリコン及び炭素の溶解を促進する元素を含む第１の板状部材とを積層し、昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。融解したアルミニウムがシリコンカーバイド基板上に凝集する場合には、第１の板状部材上に、融解したアルミニウムが凝集しない重量で、第１の板状部材と接合しない材料からなる第２の板状部材を、または第２の板状部材上にさらに昇温時に融解することがない高融点金属からなる錘部材とを積層して昇温、降温することでｐ型シリコンカーバイド層を形成する。 （もっと読む）

本発明は、初期結晶性基板（１）の表面に成長マスク（２０）を製造する方法に関し、本方法は、第一の材料からなる初期基板（１）の一方の側に第二の材料からなる層（２）を形成する工程、及び前記初期基板の表面領域を露出するため、第二の材料の層の厚さ内にパターンを形成することにより、前記初期基板の一方の側の領域を露出させ、前記領域を初期基板上の成長窓とする工程を含む。前記方法は、パターン形成が、第二の材料からなる層の下方に位置する初期基板（１）の表面層へのイオン注入によって行われ、この注入条件として、注入直後又は熱処理を行なった後で、前記初期基板の一方の側に、第一の材料が剥離された領域（５）ができることにより、第一の材料の剥離領域（５）を覆う第二の材料の領域が部分的に除去され、これによって初期基板（１）が部分的に露出し、初期基板上に成長窓（６）が形成されるような条件を用いることを特徴とする。本発明はまた、薄い結晶性の層を形成して受容基板上に移転する方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 基板表面の酸化膜及び不純物を最小限に除去できる液相エピタキシャル成長方法を提供することにある。
【解決手段】 ＧａＡｓ基板４上にＡｌＧａＡｓ層を液相エピタキシャル法によりエピタキシャル成長するに際し、上記ＡｌＧａＡｓ層の成長開始温度をＡｌ及びＡｓが飽和溶解する温度よりも１〜１０℃高めることで、基板４の表面を溶解しながら成長させる。 （もっと読む）

【課題】 塗布法によってキャリア移動度が高い半導体層を形成できる有機半導体膜の形成方法を提供することであり、また、有機半導体膜の繰り返し使用（測定）時の特性変動が抑制され、又ゲート電圧の閾値が低下した、有機薄膜トランジスタを売ることの出来る有機半導体膜の形成方法を提供することであり、更にはこれらの方法により形成された有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】 有機半導体材料溶液を基板上に供給、塗布して、乾燥させることにより、有機半導体材料薄膜を基板上に形成する有機半導体膜の形成方法において、
有機半導体材料溶液の塗布時に、不溶物を含む有機半導体材料溶液を用い、かつ、塗布後、形成される有機半導体膜に熱処理を施すことを特徴とする有機半導体膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】 連続成膜が可能で量産性の高い多結晶Ｓｉ結晶の液相成膜法およびその製造装置を提供する。
【解決手段】 前記成膜部が所定の温度に保たれる一方で溶質供給部の温度が成膜部の温度に対して所定の範囲の温度幅で変化することにより、経時的に連続して過飽和度が変化したメルトを成膜部に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 非特定領域への吸着を抑制した、中空状タンパク質微粒子の基板上への固定法を提供すること。
【解決手段】 微細な表面修飾膜パターンを有するシリコン半導体基板１０５上にフェリチン１０６の水溶液１０７を接触させて前記特定領域に前記フェリチンを固定する工程と、前記基板の表面を乾燥させることなく洗浄する洗浄工程と、前記基板を乾燥させる乾燥工程を有する微粒子固定方法であり、かつ前記水溶液の全イオン濃度が、１ｍＭ以下であり、かつ前記水溶液のｐＨが６．５以上７．５以下であることにより、非特定領域への吸着を抑制した、中空状タンパク質微粒子の基板上への固定ができる。 （もっと読む）

【課題】 昇温時のＺｎドーパントのＺｎ拡散を防止し、安定したＺｎドーパントを供給すること及びｎ型層への飛入を防止することで、従来よりも少ないＺｎチャージ量で結晶性のよい発光ダイオードを製造することを可能にする。
【解決手段】 成長用基板１を収容する基板ホルダ１２と、原料溶液溜１５を摺動方向に２以上有する原料溶液ホルダ１３とを対向させ且つ相対的に摺動可能としたエピタキシャル成長装置を用いて、化合物半導体のエピタキシャル層を成長させる発光ダイオード用エピタキシャルウェハの製造方法において、上記原料溶液溜１５の一つに仕切板２０、３０を挿入して原料溶液を上下三層に区切り、この仕切板２０、３０を引き抜くことで、各室の原料溶液を下層に落としてエピタキシャル成長に使用する。 （もっと読む）

【課題】半導体物質を溶解させた溶液中に発生する再結晶化物などの固形物を成長室に流入するのを防止して、異常成長を防止する。
【解決手段】液相エピタキシャル成長装置は、基板４を格納して基板４に液相エピタキシャル成長させる成長室２と、半導体物質を溶解させた溶液６を格納する溶液室３と、溶液室３から成長室２に溶液６が流れる経路と、溶液６を溶液室３から前記経路を通して成長室２に送り込む溶液送り手段７、８とを有する成長ボート１を備える。さらに、溶液室３内に溶液６中に発生する結晶化した固形物が溶液６とともに越流部１３に流れ出るのを防ぐ仕切り板９を越流部１３に近接して設けている。 （もっと読む）

【課題】 容易に作製することができ、信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】 基体１上に導体又は半導体材料を印刷法又は／及び塗布法によって島状パターン６に形成する工程と、この島状パターン６に有機半導体分子７を結合させて導電路８を形成する工程と、この導電路８を電界によって制御する制御部を形成する工程とを有する、半導体装置の製造方法。基体１と、導体又は半導体材料の印刷又は／及び塗布によって前記基体上に形成された島状パターン６と、この島状パターン６に有機半導体分子７が結合されて形成された導電路８と、この導電路８を電界によって制御する制御部とを有する、半導体装置。 （もっと読む）