【課題】アルカリ金属の酸素および水との反応を防止可能であり、かつ成長レートが向上した３族元素窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】３族元素、アルカリ金属および３族元素窒化物の種結晶基板２０を結晶成長容器１８に入れ、窒素含有ガス雰囲気下において、結晶成長容器１８内を加圧加熱し、種結晶基板２０を核として３族元素窒化物結晶を成長させる３族元素窒化物結晶の製造方法であって、さらに、第１の炭化水素および第１の炭化水素よりも沸点が高い第２の炭化水素を準備し、結晶成長容器１８内の加圧加熱に先立ち、アルカリ金属を、第１の炭化水素および第２の炭化水素の少なくとも第１の炭化水素により被覆した状態で結晶成長容器１８に入れ、アルカリ金属の被覆に使用した第１の炭化水素を結晶成長容器１８内から除去した後、第２の炭化水素の存在下、結晶成長容器１８内を加圧加熱して３族元素窒化物結晶を成長させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基材上に設けられた半導体ナノ粒子を含む印刷層を、低温かつ短時間で焼成処理して、ち密かつ平滑で性能に優れ、さらに薄い半導体層を形成してなる半導体基板を効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】基材上に、半導体ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法、である。 （もっと読む）

【課題】結晶成長速度を小さくしても、再現性よく転位密度が低いＩＩＩ族窒化物結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法は、液相法によるＩＩＩ族窒化物結晶１０の成長方法であって、下地基板１を準備する工程と、下地基板１の主面１ｍに、ＩＩＩ族金属とアルカリ金属とを含む溶媒３に窒素含有ガス５を溶解させた溶液６を接触させて、主面１ｍ上にＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程と、を備え、ＩＩＩ族窒化物結晶１０を成長させる工程において、結晶成長速度を０μｍ／ｈｒから１μｍ／ｈｒ²以下の速度変化率で徐々に増大させる。 （もっと読む）

【課題】太陽光発電装置の発電効率を向上させることが可能な多結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】ガス導入口１０ａからアルゴンガス、ガス導入口１０ｂから水素ガスをチャンバー１０に導入し、この状態で多結晶シリコンインゴット３３を育成する。これにより、シリコン融液３２に水素が直接導入されることから、多くの水素がシリコン融液３２内に取り込まれる。このため、最終的に得られる多結晶シリコンウェーハには従来よりも多くの水素が含まれ、且つ、その濃度分布が面内方向及び厚さ方向においてほぼ一定となる。 （もっと読む）

【課題】ブロードな発光スペクトルの赤外光を発する蛍光体、これを用いた発光素子及び発光装置、並びに蛍光体の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｎがドーピングされたＧａＡｓを液相成長法により成長した後、ＧａＡｓにＮｉをイオン注入法によりドーピングし、この後、ＧａＡｓに熱処理を施してイオン注入によるダメージを取り除くことにより、良好なドナー・アクセプタ・ペアの発光特性を有するＮｉ及びＳｎドープのＧａＡｓ蛍光体が製造される。 （もっと読む）

【課題】基板上の所望の位置に結晶を製造可能な結晶製造装置を提供する。
【解決手段】バネ２は、一方端が架台１に固定され、他方端が磁性体３に連結される。磁性体３は、一方端がバネに連結され、他方端がピストン６に連結される。コイル４は、磁性体３の周囲に巻回されるとともに、電源回路５と、接地ノードＧＮＤとの間に電気的に接続される。ピストン６は、シリンダ７内に挿入された直線部材６１を有する。シリンダ７は、中空の円柱形状からなり、底面７Ｂに小孔７１を有する。そして、シリンダ７は、シリコン融液１３を保持する。基板１１は、シリンダ７の小孔７１に対向するようにＸＹステージ１２によって支持される。電源回路５は、パルス状の電流をコイル４に流し、ピストン６を上下方向ＤＲ１に移動させる。その結果、液滴１４は、１．０２ｍ／ｓの初速度で小孔７１から基板１１へ向けて噴出される。 （もっと読む）

【課題】コストを低減し、かつ反りを低減したＡｌＧａＡｓ支持基板の製造方法、エピタキシャルウエハの製造方法、ＬＥＤの製造方法、ＡｌＧａＡｓ支持基板、エピタキシャルウエハおよびＬＥＤを提供する。
【解決手段】ＡｌＧａＡｓ支持基板１０は、主表面１１ａと、主表面１１ａと反対側の裏面１１ｂとを有するＧａＡｓ基板１１と、ＧａＡｓ基板１１の主表面１１ａ側に形成された第１のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１２と、ＧａＡｓ基板１１の裏面１１ｂ側に形成された第２のＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層１３とを備えている。ＡｌＧａＡｓ支持基板１０の製造方法は、以下の工程を備えている。ＧａＡｓ基板１１を準備する。主表面１１ａ側に、液相成長法により第１のＡｌ_xＧａ_(1-x)Ａｓ層１２を形成する。裏面１１ｂ側に、液相成長法により第２のＡｌ_yＧａ_(1-y)Ａｓ層１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】Li濃度が極低濃度で、抵抗率の高い各種デバイス用酸化亜鉛単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】実質的にLiを含まない原料２６および鉱化材溶液を用いるとともに、過酸化物の存在化で酸素分圧を高めて水熱合成することにより、所望の酸化亜鉛単結晶を得る。過酸化物は、過酸化水素に代表される過酸化物を少なくても１種以上、分解で生じる酸素換算で鉱化材溶液に対し0.02〜0.5モル/リットルの範囲の濃度で加える。 （もっと読む）

【課題】湿式塗布法により形成可能で、有機溶媒に対して耐性を有する有機半導体層を提供する。
【解決手段】有機顔料分散液は、有機溶媒と、この有機溶媒中に分散した有機顔料と、を含有し、有機トランジスタにおける有機半導体層を湿式塗布法によって形成する際の塗布液として用いられる。湿式塗布には、スピンコート法や、有機顔料分散液を微小液滴として吐出してドットまたは層を作製する液滴吐出法を採用できる。 （もっと読む）

【課題】電子デバイスの作製過程で成膜に使用可能な水性の有機半導体分散液を提供する。
【解決手段】少なくとも電荷輸送能力のある有機半導体粉体と、水を主成分とする溶媒と、を含有するとともに、有機半導体粉体が前記溶媒中に分散してなる電子デバイス作成用水性分散液が提供される。この電子デバイス作成用水性分散液は、有機トランジスタや感光体などの各種電子デバイスの製造にあたり、被処理体上に適用され、乾燥させることにより有機半導体膜を成膜する用途に用いられる。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低い溶液法を使用でき、さらに、有機半導体層への影響が少なく機械的強度や熱的安定性に優れた電極を備える有機トランジスタを提供する。
【解決手段】有機半導体層１４と、有機半導体層１４にゲート絶縁層１３を介して形成されたゲート電極１２と、有機半導体層１４に接して対向する位置に形成されている炭素材料からなるソース電極１５及びドレイン電極１６とを備える有機トランジスタを構成する。 （もっと読む）

【課題】融液に原料以外の不純物を添加することなく、また、結晶成長装置を大型化することなく、転位密度が低く結晶性が高いＧａＮ結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】本ＧａＮ結晶の成長方法は、一主面１０ｍを有するＧａ_xＡｌ_yＩｎ_1-x-yＮ種結晶１０ａを含む基板を準備する工程と、基板１０の主面１０ｍにＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を接触させて、８００℃以上１５００℃以下の雰囲気温度および５００気圧以上２０００気圧未満の雰囲気圧力下で、主面１０ｍ上にＧａＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。また、基板１０を準備する工程の後、ＧａＮ結晶２０を成長させる工程の前に、基板１０の主面１０ｍをエッチングする工程を、さらに備える。 （もっと読む）

【課題】 薄膜構成材料の配向性、薄膜の膜厚の均一性及びその制御性、成膜の安定性をより向上させること。
【解決手段】 カーボンナノチューブと界面活性剤とを混合して、カーボンナノチューブが分散されたカーボンナノチューブ分散液８を調製する第１工程と、環状の分散液膜保持リング３５の内周側に、カーボンナノチューブ分散液８からなる分散液膜３１を形成する第２工程と、分散液膜保持リング３５の内側空間の中央部と外周との間に分散液膜保持リング３５の内周に沿って配置した円筒状の基板３７と、分散液膜３１とを接触させた状態で相対的にスライド移動させることにより、カーボンナノチューブ分散液８を基板３７の表面に膜状に移行させる第３工程と、基板３７の表面に形成された膜状の分散液を乾燥させることを経て、カーボンナノチューブ薄膜１８を形成する第４工程とを有する、カーボンナノチューブ薄膜１８の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高品質の有機薄膜を、効率よく得る半導体デバイス用有機薄膜の作製装置およびこの装置も用いた半導体デバイス用有機薄膜の作製方法を提供する。
【解決手段】被製膜基板３０表面に、有機分子からなる単分子層を、化学結合を介して少なくとも１層積層し、有機薄膜を形成させるための半導体デバイス用有機薄膜の作製装置であり、前記装置は、前記被製膜基板３０を保持するための基板ステージ３１１と、前記有機分子を含有する流体を前記装置内に導入する手段３３と、前記化学結合を形成させる際に生じる副生成物を前記装置から除去する手段３２２と、前記装置内の流体を排出する手段３４とを備える。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｈ結合を確保することが可能なシリコン膜の形成方法を提供する。
【解決手段】加熱により脱離可能な水素を含む基体を用意（Ｓ１０１）すると共に、シリコン化合物を含む溶液を調製（Ｓ１０２）したのち、この基体の上にシリコン化合物を含む溶液を用いて塗布膜を形成（Ｓ１０３）し、この塗布膜を加熱（Ｓ１０４）することにより、シリコン膜を形成する。この場合、加熱された基体から脱離する水素によって、シリコン膜中でＳｉ−Ｈ結合が形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体特性に優れるＧｅナノ粒子を用いて、実用上十分な移動度を有する薄膜半導体を高い生産性で製造する方法を提供すること
【解決手段】基材上に、Ｇｅナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、該印刷層を焼成してパターン状の半導体層を形成する半導体基材の製造方法であって、該焼成が、還元性雰囲気下で６００℃以上の加熱を施すことによるもの、あるいは該焼成に、水素ラジカルを発生するプロセスを用いる、ことを特徴とする半導体基材の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｌｉ濃度が低い自立ＺｎＯ単結晶を提供する。
【解決手段】溶質であるＺｎＯと溶媒とを混合して融解させた後、得られた融液８に、種結晶基板７を直接接触させ、種結晶基板７を連続的あるいは間欠的に引上げることによって、液相エピタキシャル成長法によりＺｎＯ単結晶を種結晶基板７上に成長させることができる。ＺｎＯ単結晶を成長させた後、基板７を研磨またはエッチングで除去し、単結晶の液相エピタキシャル成長した−ｃ面側を研磨あるいはエッチングすることにより、自立ＺｎＯ単結晶を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】種結晶を用いることなく、結晶性の良い、高品質なＩＩＩ族元素窒化物結晶を成長させることができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】アニール炉２０において、サファイア基板７を１，０５０℃、アンモニア雰囲気下で、５分間アニールすることによって窒化処理する。次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】成膜雰囲気を良好にすることができる成膜装置および成膜方法を提供する。また、当該装置および方法により、特性の良好な膜を形成する。
【解決手段】本発明の成膜装置は、処理室(11)内の基板(S1)上に配置された液体材料(3)に熱処理を施すことにより液体材料を固化する成膜装置であって、処理室内に、基板が搭載されるステージ(15)と、基板を加熱する加熱手段(15a)と、基板を覆うカバー(17)と、を有し、カバーの内部に不活性ガス（Ｎ₂）を供給する供給手段を有する。例えば、カバーに供給された不活性ガスは、カバーの側壁の底部の空間から排出される。かかる装置によれば、カバーにより基板上の液体材料が接触し得る雰囲気ガスを制限しつつ加熱処理を行うことができる。また、基板上の液体材料上に、常に、クリーンな不活性ガスを供給し、加熱により生成した反応ガス（分解ガス）などの不純物をカバー外に排出しつつ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】簡単な方法で特性のばらつきが少ない薄膜トランジスタを作製する薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体材料を溶解または分散した半導体溶液の液滴を射出する複数のノズルを備えたヘッドを移動させて該液滴を射出し基板の上に順次半導体溶液を塗布する塗布装置を用いて、該基板の上の有効動作領域にマトリクス状に薄膜トランジスタを形成する薄膜トランジスタの製造方法において、有効動作領域と有効動作領域を囲む外周領域にノズルから液滴を射出し、基板の上に順次半導体溶液を塗布することを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 （もっと読む）