【課題】基板からの後方散乱により、リソグラフィ後にレジストに形成されるレジストパターンと設計上のパターンとのずれを軽減する。
【解決手段】描画パターンデザインを複数の単位区画に区切り、前記単位区画ごとの描画密度を取得して描画密度に基づく描画補正値を求め、前記単位区画内の密度別に区画されたパターン分布を取得してパターン分布に基づく描画補正値を求め、描画密度に基づく描画補正値とパターン分布に基づく描画補正値とを合わせた最適な露光補正値を求める。 （もっと読む）

【課題】近接効果補正を行う場合であっても、コラムセル間の線幅のばらつきを補正できるマルチコラム型の電子ビーム露光装置及び電子ビーム露光方法を提供する。
【解決手段】一つのウェハ上に複数のコラムセルを配置して並列して露光処理を行うマルチコラム型の電子ビーム露光装置において、各コラムセルの露光量と線幅の関係を求める（ステップＳ４１、Ｓ４４）。そして、各コラムセルのいずれか１から選ばれた基準コラムセルの露光量と線幅の関係に補正対象コラムセルの露光量と線幅の関係を一致させる補正パラメータを求める（ステップＳ４３、Ｓ４６）。以上のようにして求めた補正パラメータに基づいて基準コラムセルの露光時間を補正して、各コラムセルの露光時間を求める。 （もっと読む）

【課題】装置の動作時においてダウンタイムを短縮できる荷電粒子銃および荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子銃である電子銃１０は、荷電粒子源である電子源を備えて電子ビームを放出するカソード１３を複数備えて回転自在に配設された回転体バレル１２と、加熱機構２１とを有する。バレル１２はチャンバ１１内に収容されており、かつ動力部１４に接続された回転軸１５と、支持部１６によって支持される。そして、上部に設けられた加熱機構２１からの放射により加熱が可能とされる。電子ビーム描画装置は電子銃１０を用いて構成され、加熱機構２１によるバレル１２の加熱によってバレル１２の素早い加熱が可能とされ、カソード１３の素早い安定化が可能とされている。 （もっと読む）

【課題】ローディング効果による寸法変動量と描画されたレジストの経過時間による寸法変動量とを合わせて補正する描画装置、及び描画方法を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、近接効果補正係数と基準照射量との第１の組と、近接効果密度毎の裕度と、放置時間に起因するパターンの寸法変動量とを用いて、近接効果密度毎の荷電粒子ビームの第１の照射量を演算する照射量演算部４４と、第１の照射量を、裕度と寸法変動量とをパラメータとせず近接効果補正係数と基準照射量とをパラメータとする照射量演算式を用いてフィッティングして、近接効果補正係数と基準照射量との描画位置毎の第２の組を取得する近接効果補正係数及び基準照射量演算部５０と、第２の組を用いて荷電粒子ビームの第２の照射量を演算する照射量演算部５６と、描画位置毎に、演算された第２の照射量の荷電粒子ビームを用いて、試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】放電発生の判定を正確に行い、電子銃の電極等の有する放電要因を効果的かつ効率的に除去できる電子銃のコンディショニング法および電子線描画装置が提供する。
【解決手段】電子線描画装置１には、電子銃１００と、電子銃１００の電極に電圧を供給する電圧供給部３と、電子銃１００の電極間のリーク電流を検出する電流検出部４と、リーク電流の検出データに基づき電圧供給部３を制御する制御部５が備えられる。制御部５内には、リーク電流の検出データを保存する電流保存部６が設けられる。そして、電子銃１００の電極に電圧供給部３から電圧を供給し、電流検出部４がリーク電流を検出し、制御部５が電流保存部６に保存された検出データをオフセットとして用いてリーク電流を評価し、電極間に印加する電圧を制御し、電子銃１００のコンディショニング処理を行うようにする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビーム描画装置の自動調整方法及び荷電粒子ビーム描画装置に関し、寸法の制限された図形８の電流密度均一性を最良化し、線幅線形性を向上させることができる手段を提供することを目的としている。
【解決手段】第１の成形開口板３の前段に、第１の成形開口板を照射する荷電粒子ビームの同開口板の開口位置に対する位置を調節するためのビームアライメント手段２９を備え、第２の成形開口板７の開口を通過する荷電粒子ビームの、同開口板の高さ位置における電流密度分布を測定する手段と、該測定手段により得られた電流密度分布からその直線成分を抽出する手段とを備え、該測定手段及び抽出手段により得られた傾斜成分が除去されるように、前記ビームアライメント手段２９により第１の成形開口板３の照射位置を調節するように構成する。 （もっと読む）

【課題】多重描画する場合の描画時間の低減できる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、レイアウトデータに定義される図形を荷電粒子ビームの１回のショットで照射可能なサイズの複数のショット図形に分割するショット分割部６２と、多重描画の多重度がショット図形毎に可変になるように、ショット図形毎に、多重回数分の当該ショット図形の各ショットデータを生成するショットデータ生成部７９と、荷電粒子ビームを用いて、当該ショット図形用に生成された各ショットデータの回数に沿って、試料に当該ショット図形を重ねて描画する描画部１５０を備える。 （もっと読む）

【課題】ショット形状毎にドーズ量を対応付けたショット形状配列描画データを利用してマスクパターン等を製造する場合に、実際に電子線描画することなく、パターンの形状を確認できるパターン形状予測プログラム、パターン形状予測システムを提供する。
【解決手段】パターン形状予測装置５０は、段付データ２を記憶する段付データ記憶部５５ｅと、ドーズ量と補正量とを対応付けて記憶する辺補正テーブル５５ａ−１と、段付データ２の矩形３を、辺補正テーブル５５ａ−１の矩形３のドーズ量及び辺補正テーブル５５ａ−１の補正量に基づいて補正した形状を作成するショット形状補正部５６ａと、ショット形状補正部５６ａが形状に基づいて、パターン予測形状１４を作成する外形作成部５６ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】かぶり効果モデルで想定しきれていない寸法変動も合わせて補正可能な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、かぶり効果補正後のパターン寸法が近接効果補正にあうかぶり効果補正係数を取得するかぶり効果補正係数取得部２６と、かぶり効果を補正した際のかぶり効果の補正残り量を取得するかぶり効果補正残り量取得部２４と、かぶり効果補正残り量を近接効果と共に補正する基準照射量を算出する基準照射量算出部１６と、かぶり効果補正残り量を近接効果と共に補正する近接効果補正係数を算出する近接効果補正係数算出部１７と、かぶり効果補正係数と基準照射量と近接効果補正係数とを用いてかぶり効果補正照射係数を算出するかぶり効果補正照射係数算出部２０と、かぶり効果補正照射係数を用いてビームの照射量を算出する照射量算出部３４と、照射量で試料にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】レジストヒーティングによるパターンの寸法変動を抑制する描画が可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、複数段の偏向器によってそれぞれ偏向されるサイズの異なる偏向領域のうちの最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域内に照射される荷電粒子ビームの総電荷量を算出するＴＤ総電荷量算出部５８と、最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域よりも前に描画される他の最小偏向領域からの伝熱に基づく、当該最小偏向領域の代表温度を算出するＴＤ代表温度算出部６２と、最小偏向領域毎に、当該最小偏向領域に照射される照射量を入力し、当該最小偏向領域の代表温度を用いて当該最小偏向領域に照射される照射量を変調する照射量変調部６６と、複数段の偏向器を有し、複数段の偏向器を用いて、変調された照射量で当該最小偏向領域内にパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画装置の描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置に関し、元のパターンデータに忠実に精度よくパターンを描画することができるようにすることを目的としている。
【解決手段】材料面上に塗布されたレジストに可変成形された荷電粒子ビームを順次ショットする荷電粒子ビーム描画装置の描画方法において、個別のショットについて、前方散乱の影響による隣接するショットとの間の距離に応じた辺の補正量の関係を表すテーブルを有し、該テーブルから各ショットの隣接ショットに面する辺を平行移動させた補正ショットデータを求め、かつ該補正ショットデータに基づいて後方散乱の影響による近接効果の補正値を算出し、前記補正ショットデータと該補正値に基づいてショットを行なうように構成する。 （もっと読む）

【課題】適切な位置依存ベースドーズ・近接効果補正係数の値を計算する。
【解決手段】レジストが上面に塗布された試料Mの描画領域に荷電粒子ビーム10a1bを照射することにより、描画データに含まれている図形に対応するパターンを描画する荷電粒子ビーム描画装置10において、パターン面積密度ρ（ｘ，ｙ）と影響分布関数κ_Ｇとの畳み込み積分計算を畳み込み積分計算部10b1a4によって実行し、ローカル領域内のパターン面積密度Ｕとグローバル領域内のパターン面積密度Ｖとローカル領域内に描画されるパターンのドーズラチチュードＤＬとの関係であって、パターン面積密度Ｕおよびパターン面積密度Ｖの値を変化させた関係に基づくと共に、畳み込み積分計算部10b1a4により得られる値であって、パターン面積密度Ｖの値に対応する値に基づき、位置依存ベースドーズＤ_ｂ^ΔＣＤ（ｘ）および位置依存近接効果補正係数η（ｘ，ｙ）を計算する。 （もっと読む）

【課題】電子銃の異常放電を高い作業効率で効果的に抑制することのできる電子銃のコンディショニング方法および電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】アノードとウェネルトの間に電圧を印加するとともに印加電圧を徐々に増加させ、これらの表面に放電を生じさせる電子銃のコンディショニング方法であって、電子銃内の圧力を測定し、圧力の測定値の中の最小値を定めるとともに、測定値と最小値とを比較し、印加電圧を制御する。アノードとウェネルトの間への電圧の印加は、電子銃内の圧力が所定値より低くなったところで行うことが好ましい。さらに、電子銃内の圧力の測定値と最小値とを比較し、印加電圧を所定時間維持するか、または、降圧したうえで所定時間維持することが好ましい。 （もっと読む）

【課題】近接効果及びローディング効果を補正する照射量を計算するための、入力された複数の裕度の組合せが適正か判定することが可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、照射量制御によるパターン寸法補正機能を有する荷電粒子ビーム描画装置であって、パターン寸法と荷電粒子ビームの照射量との関係を示す係数となる複数の近接効果密度毎の裕度を入力し、裕度をパラメータとして用いた第１の式で、所定のパターン寸法補正量での各近接効果密度に対しての照射量を各近接効果密度の裕度から算出する照射量算出部１０と、裕度を用いた前記第１の式で算出した各裕度に対する照射量を、裕度をパラメータとして用いない第２の式でフィッティングするフィッティング演算部１２と、フィッティング結果を用いて、入力された複数の近接効果密度毎の裕度が適正値かどうかを判定する判定部１４と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は荷電粒子ビーム描画方法及び装置に関し、より高精度に近接効果補正が実施できる電子ビーム描画方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】近接効果補正を実施する荷電粒子ビーム描画装置において、描画領域を分割した領域に含まれる描画パターンをショート単位に分割し、該ショット単位の描画パターンについて、ショット単位の描画パターン（ビーム図形）のサイズに応じて予め決められているリサイズ値でリサイズ処理し、該リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づき近接効果補正量を算出する近接効果補正量算出工程と、該近接効果補正量に基づいて荷電粒子ビームのショット時間を制御すると共に、前記リサイズ処理したショット単位の描画パターンに基づいて荷電粒子ビームのサイズ及び位置を制御して、所望のパターンを描画する描画工程とを備えて構成される。 （もっと読む）

【課題】カソードの長寿命化を図ることが可能な電子銃の駆動方法と、この機能を備えた電子ビーム描画装置、さらには、カソードの長寿命化を図ることが可能な電子ビーム描画方法を提供する。
【解決手段】所定間隔毎に、電子ビームの電流密度を測定し、この値から得られる輝度が目標輝度のスペック内でない場合に、エミッション電流を調整して輝度がスペック内となるようにする。電子ビームの開き角の測定値が設定範囲内となるように調整してから、エミッション電流の調整を行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】かぶり補正照射量の精度を向上させると共に、描画順序が最も早いブロック枠内のパターンの描画を早期に開始する。
【解決手段】荷電粒子ビームを照射することによって、描画データに含まれている図形に対応するパターンを、レジストが上面に塗布された試料の描画領域に多重描画する荷電粒子ビーム描画装置において、近接効果補正照射量とパターン面積密度分布とに基づくかぶり補正照射量計算の前または計算中に、近接効果補正照射量が組み込まれており、かぶり補正照射量が組み込まれていない照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、パターンを試料の描画領域全体に描画し、かぶり補正照射量計算後に、近接効果補正照射量およびかぶり補正照射量が組み込まれている照射量の荷電粒子ビームを照射することにより、試料の描画領域全体に描画されているパターン上に同一形状のパターンを重ねて描画する。 （もっと読む）

【課題】多重描画する場合の描画時間の低減を図る荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、パターン形成されるチップ領域を複数の小領域に仮想分割する分割部５０と、チップ領域が仮想分割された複数の小領域の少なくとも一部に他とは異なる多重度が設定されるように、小領域毎に当該小領域内のパターンを描画するための多重度を設定する多重度算出／設定部６４と、小領域毎に、荷電粒子ビームを用いて、設定された多重度で当該小領域内のパターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多重描画する場合の描画時間の低減を図る電子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、少なくとも２種以上の多重度の１つが設定された複数の多重度設定領域情報に設定された多重度のうち、最大多重度に合うように、複数の図形パターンが配置されるチップ領域が仮想分割された複数の小領域で構成される複数の層を作成するレイヤ作成部５０と、多重回数目毎に層が分かれるように、各層の複数の小領域に当該小領域内の図形パターンをそれぞれ配置する図形配置部５２と、電子ビームを用いて、多重度に応じて複数の小領域に当該小領域内の図形パターンを描画する描画部１５０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子銃を最適な条件で動作させて描画する荷電粒子ビーム描画方法を提供する。また、荷電粒子銃を最適な条件で動作させる荷電粒子ビーム描画装置を提供する。
【解決手段】電子ビーム描画装置は、カソードに電圧を印加する高圧電源部４３と、フィラメント電力を一定としてバイアス電圧の経時変化を測定する測定部４１と、測定部で測定したバイアス電圧の変化量を求める演算部４２とを有する。変化量が所定値以下となったところで、測定部４１においてエミッション電流を一定としたときのフィラメント電力に対するバイアス電圧の変化を測定して、演算部４２でバイアス電圧がフィラメント電力に対して飽和するバイアス飽和点を求め、このバイアス飽和点に基づいて高圧電源部４３を制御する。 （もっと読む）