【課題】複数の荷電粒子線を一括して偏向して該複数の荷電粒子線による物体上の走査を行う走査偏向器の各荷電粒子線の偏向誤差を補償するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】荷電粒子線による物体上の走査を行う走査装置は、制御データに基づいて複数の荷電粒子線を個別にブランキングするブランキング偏向器と、前記複数の荷電粒子線を一括して偏向して前記走査を行う走査偏向器と、制御部と、を備える。前記制御部は、基準走査量及び基準走査方向に対する前記走査偏向器による走査量及び走査方向のずれを前記複数の荷電粒子線それぞれに関して求めるための第１データを保持し、前記物体上の目標領域に対して前記走査が行われるように、前記第１データに基づいて前記制御データを生成する。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム配列が完全正方行列でなく、一定の走査速度で各ビームのＯＮ／ＯＦＦ信号を独立のタイミングで制御する必要があり、制御データ量が膨大であった。走査方向と非走査方向でパターンのエッジのシャープネスが異なり、高精度なパターン描画が困難であった。
【解決手段】電子銃１からの電子ビームをビームサイズの整数倍の間隔の２次元平面内の正方格子行列ビーム群を形成する。描画すべきデバイスのメッシュの個別ブランカ１３をビットマップ信号によりＯＮ／ＯＦＦし、所望のビームを得る。また、偏向装置１７，１８によりビームを必要位置に偏向し、ビーム状態が静定した後、全体ブランカ１６を開としてビーム照射することにより、高精度かつ高速の描画パターンを得る。 （もっと読む）

【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う装置であり、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部とを有する。この制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御する。 （もっと読む）

【課題】ディスク状磁気記録メディア用の微細パターンを回転ステージを回転させつつ電子ビーム走査により描画する際の周方向描画位置の精度を向上させる。
【解決手段】各半径位置の周方向の所定領域毎に、その所定領域が電子ビーム照射位置に位置する前に生じる所定のエンコーダパルスE_nから所定時間Δt_nの経過後(t_n+Δt_n)に、その所定領域の描画データ信号群に基づくパターン描画を開始することを原則とし、回転速度ムラに起因してある所定領域についての描画開始の基準となるエンコーダパルスE_nから所定時間Δt_nが経過する前に、その所定時間Δt_nの経過後に生じるべきエンコーダパルスE_n+1が生じた場合には、その発生時刻t'_n+1にその領域のパターン描画を開始する。 （もっと読む）

【課題】複数の荷電粒子線に対して個別にブランキングを行う描画装置に有利な構成を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置は、同期クロックに同期してブランキング指令信号を送信するデータ送信部１０２と、ブランキング制御回路１０５と、を備える。データ送信部は、同期クロックに同期して、互いに識別可能な複数のデータを所定の順番で送信する。ブランキング制御回路は、複数のデータを受信して同期クロックの周期より短い周期を有する通信クロックに同期して順次読み出す受信部１３０と、同期クロックに同期して前記受信部から読み出された複数のデータのうちの１つのデータを検出する検出部と、検出部により検出された１つのデータと同期クロックの周期と通信クロックの周期とに基づいて、同期クロックに基づく所定の時点からブランキング制御部がブランキング指令信号を受信する時点までの遅延時間を判定する判定部１３１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する。
【解決手段】複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するためのブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系（１４０）と、アパーチャアレイ（１１７）と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ（１１９）と、複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１７０）と、を有する。レンズアレイ（１１９）は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ（１６２）と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ（１６３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムを提供することである。
【解決手段】 パターンをターゲットの表面に転写するマスクレスリソグラフィシステムであって、複数の小ビームを発生するための少なくとも１つのビーム発生装置と、小ビームの大きさを変調するための複数のモジュレータを備えた変調手段と、モジュレータの各々を制御する制御ユニットとを備え、制御ユニットは、それぞれの小ビームの大きさを制御するために、パターンデータを発生し、前記モジュレータにパターンデータを伝送し、この制御ユニットがパターンデータを記憶するための少なくとも１つのデータ記憶装置と、データ記憶装置からパターンデータを読み取るための少なくとも１つの読み取りユニットと、データ記憶装置から読み取られたパターンデータを少なくとも１つの被変調光ビームに変換するための少なくとも１つのデータ変換装置と、少なくとも１つの被変調光ビームを前記変調手段に伝送するための少なくとも１つの光伝送装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線をブランキングする機能の維持に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この荷電粒子線描画装置１は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置である。ここで、荷電粒子線描画装置１は、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするための複数の偏向器を含むブランキング偏向器アレイを少なくとも２段（ブランキング偏向器アレイ１４、１９）備える。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＢまでの時間の遅れによる寸法変動を補正し描画された微細パターンに応じたレジストパターンを得ることができるように電子ビーム描画を行う。
【解決手段】サーボパターンと、グルーブパターンとを含む微細パターンを描画する電子ビーム描画方法において、電子ビームEBの照射のタイミングを、電子ビームEBを遮断するブランキング手段26に対するオン・オフ信号により制御する際に、それぞれのパターン毎の露光後経過時間に対するレジスト11の感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームEBの照射のデューティ比を変化させて、レジスト11の露光量を調整する。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射光学系（１４０）と、照射光学系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と荷電粒子線を基板上に投影する複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、照射光学系の収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ１３は、荷電粒子線３０を偏向する偏向器３１を複数備える。ここで、偏向器３１を構成する、荷電粒子線３０が通過する開口部３２に対して設置される電極対３３、および該電極対３３に電圧を印加する制御回路３４は、第１層４０および第２層４１の少なくとも２つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも１つ（第１層４０）は、電極対３３と制御回路３４との間に、断熱部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】 特定のデザインルールのパターンを描画する信頼性およびスループットの点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 第１方向に延びた直線の上に配置されるべきパターンを複数の荷電粒子線で基板上に描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を前記基板上に投影する投影系（１−７，９）と、前記第１方向および該方向と直交する第２方向において前記複数の荷電粒子線と前記基板との間の相対走査を行う走査手段（８、１１）と、前記走査手段による前記相対走査を制御し、かつ、前記第１方向における第１間隔および前記第２方向における第２間隔で前記投影系による前記複数の荷電粒子線の前記基板への照射を制御する制御手段（１３−１６）と、を有し、前記投影系により前記基板上に投影された各荷電粒子線の前記第１方向の大きさと前記第２方向の大きさとを異ならせた描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線による描画動作に支障を与えることなく、ストッピングアパーチャに堆積される汚染物質を効率よく除去する。
【解決手段】 荷電粒子線描画装置は、荷電粒子線を偏向するブランキング偏向器１８と、前記ブランキング偏向器で偏向された荷電粒子線を遮断するストッピングアパーチャ１９と、前記ストッピングアパーチャに堆積された堆積物を分解する活性種を気体から生成するための触媒２４と、前記触媒に前記気体を供給する供給機構２５と、を備える。前記堆積物を除去する除去動作では、前記荷電粒子線描画装置は、前記供給機構によって前記気体を前記触媒に供給しながら、パターンを描画する描画動作では前記荷電粒子線が照射されない領域に前記荷電粒子線を照射することによって、少なくとも前記領域に位置する前記触媒によって前記気体から前記活性種が生成され、該生成された活性種により前記堆積物を分解して除去する。 （もっと読む）

【課題】 偏向器アレイに含まれる電極に電位を与えるデバイスの少なさの点で有利な描画装置の提供。
【解決手段】 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置であって、前記複数の荷電粒子線を偏向するための偏向器アレイと、前記偏向器アレイに対して複数の電位をそれぞれ与える複数のデバイスと、前記偏向器アレイに含まれる複数の電極のそれぞれを前記複数のデバイスのいずれかに接続し、かつ、前記複数の電極のうち与えられる電位が等しい電極どうしを接続する接続部と、を有し、前記複数のデバイスに含まれるデバイスの数が前記偏向器アレイに含まれる電極の数より少ない、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイの欠陥検査時間の短さの点で有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、被処理基板に対して複数の電子ビームによりパターンを描画する装置である。ここで、制御部は、移動体５を移動させながら、切り替え部により電流検出部１７ａに対して最初に入射する第１電子ビームＢ_１の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出し、次に、第１電子ビームＢ_１の照射をＯＦＦとし、第１電子ビームＢ_１の隣に位置し、第１電子ビームＢ_１の次に入射する第２電子ビームＢ_２の照射をＯＮとしたときの信号出力を検出する処理を繰り返す信号検出部と、信号検出部が検出した信号出力に基づいて、切り替え部における欠陥の状態を判定する欠陥判定部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ストライプ間でドリフト補正量のばらつきをより少なくすることが可能な描画可能な装置を提供する。
【解決手段】描画装置１００は、描画領域が短冊状に分割された複数のストライプ領域について、ストライプ領域毎に当該ストライプ領域を描画する描画時間を予測するストライプ描画時間予測部５２と、描画される前のストライプ領域に対し、当該ストライプ領域の予測された描画時間の中間時刻を用いて、当該ストライプ領域を描画する際の荷電粒子ビームのドリフトを補正する補正量を算出するドリフト補正量算出部５４と、当該ストライプ領域を描画する際に、当該ストライプ領域の描画開始位置から、算出された補正量で補正された描画位置に所望のパターンを描画する描画部１５０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 荷電粒子線の本数が増加すると、ブランキング偏向器アレイの製造における歩留まりが悪くなってしまう。
【解決手段】 偏向器アレイは、複数の開口が形成されたベース基板と、複数の開口が形成され、前記複数の開口のうち少なくとも一部の開口の両側に設けられた複数の電極対を有する複数の偏向器チップと、を備える。
さらにベース基板の複数の開口に対応する位置に偏向器チップの複数の開口が配置されるように、１枚のベース基板に対して複数の偏向器チップが固定される。 （もっと読む）