電子ビーム描画方法、電子ビーム描画システム、凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法
【課題】ＰＥＢまでの時間の遅れによる寸法変動を補正し描画された微細パターンに応じたレジストパターンを得ることができるように電子ビーム描画を行う。
【解決手段】サーボパターンと、グルーブパターンとを含む微細パターンを描画する電子ビーム描画方法において、電子ビームEBの照射のタイミングを、電子ビームEBを遮断するブランキング手段26に対するオン・オフ信号により制御する際に、それぞれのパターン毎の露光後経過時間に対するレジスト11の感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームEBの照射のデューティ比を変化させて、レジスト11の露光量を調整する。
【解決手段】サーボパターンと、グルーブパターンとを含む微細パターンを描画する電子ビーム描画方法において、電子ビームEBの照射のタイミングを、電子ビームEBを遮断するブランキング手段26に対するオン・オフ信号により制御する際に、それぞれのパターン毎の露光後経過時間に対するレジスト11の感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームEBの照射のデューティ比を変化させて、レジスト11の露光量を調整する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状磁気記録媒体用の原盤を作製する際に、所望の微細パターンを描画するための電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムに関するものである。
【０００２】
また、本発明は、電子ビーム描画方法を用いた描画を行う工程を有する凹凸パターン表面を有する凹凸パターン担持体の製造方法、さらには該凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンを転写する工程を有するディスク状磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
現状の磁気ディスク媒体では、一般にサーボパターンなどの情報パターンが予め形成されている。また、記録密度のさらなる高密度化の要請から、隣接するデータトラックを溝（グルーブ）で分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにしたディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）が注目されている。
【０００４】
従来、上記サーボパターン等の微細パターンは、磁気ディスク媒体に凹凸パターンまたは磁化パターンなどとして形成されており、高密度の磁気ディスク媒体を製造するための磁気転写用マスター担体の原盤作製のために、レジストが塗布された基板上に所定の微細パターンをパターニングするための電子ビーム描画方法が提案されている（特許文献１等）。
【０００５】
レジストとしては、化学増幅型レジストが用いられる。例えば、ポジ型の化学増幅型レジストを用いた場合、電子ビームによる所定のパターン描画の後、露光後ベーク処理、所謂ＰＥＢ（Post Exposure Bake)処理を行い、その後現像液で露光部を溶解させることにより、描画パターンに応じたレジストパターンを得ることができる。
【０００６】
磁気ディスク媒体用の微細パターンは記録密度の増加により、パターンの微細化が著しく、１枚の微細パターンの描画には２日〜１週間以上、長いものでは２週間程度を要する。そのため、パターンの描画後ＰＥＢ処理までの時間の遅れ、所謂ＰＥＤ（Post Exposure Delay)によるレジスト感度の低下が問題となる。これは、ＰＥＤが長くなるほどレジストの露光量に対する感度が低下し、露光部の現像後の寸法（仕上がり寸法）に細りが生じるという問題である。
【０００７】
ＰＥＤの影響は、１枚の基板についての微細パターン描画時間が長くなればなるほど大きいものとなる。また、パターンの設計線幅が小さいほど、感度変動による影響が大きく、ＰＥＤ時間が長くなると、線幅が細るだけでなく、解像できない場合も生じる。
【０００８】
光ディスク用スタンパの製造工程において同様の問題が知られており、特許文献２、３等においては、ＰＥＤの影響を抑制するための描画方法が提案されている。具体的には、特許文献２では、半径位置に応じて描画線速度を変化させ、露光量を調整する方法が提案されており、特許文献３においては、半径位置に応じて照射電流量を変化させ、露光量を調整する方法が提案されている。
【０００９】
特許文献２および３の方法によれば、半径方向位置に応じてＰＥＤの影響による寸法変動を補正するように露光量を調整するため、露光部のレジスト現像後におけるパターンの幅の均一性を確保することができる。なお、特許文献２、３で想定されているのは光ディスク媒体用のスタンパの製造である。光ディスク媒体用のスタンパは、描画パターンとしてピット及びグルーブを含むが、それらのパターンの描画幅（寸法）は通常同一であるため、半径方向位置に応じて露光量を調整することにより良好な凹凸パターンを得ることができる。
【００１０】
他方、電子ビームによるパターン描画においては、微細パターンの疎密程度に応じ近接効果の影響によって、電子ビームを走査して基板上に描画したパターン形状に対して、実際にレジストに感光される形状が異なり、パターンの密配置部では描画した形状に対して感光形状が大きくなることから、ドーズ量（照射線量）を変更する近接効果補正を行う必要があることが知られている。
【００１１】
本出願人は、パターンの疎密に応じた描画方法として、特許文献４においてパターンの疎密程度に応じ、密配置部の描画では電子ビームの照射時間を、疎配置部における描画の照射時間より短く設定してドーズ量を調整する方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４―１５８２８７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８５７８６号公報
【特許文献３】特開２００６−１０８６４号公報
【特許文献４】特開２００９−２３７００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
光ディスク媒体のパターン幅は最小でも１００ｎｍ程度であり、１枚の原盤パターンの描画に要する時間はせいぜい１日程度であるのに対し、磁気ディスク媒体用の微細パターンとして、現在目指している最小線幅は５０ｎｍ以下と非常に微細なものとなっており、１枚の原盤パターンの描画に２日〜１週間以上、長いものでは２週間程度を要する。
レジスト感度変動による影響は、線幅が小さいほど、また、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）までの時間が長いほど大きいため、磁気ディスク媒体用のパターン描画においては光ディスク媒体の場合よりも深刻なものとなる。
【００１４】
さらに、本発明者は、磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する際には、光ディスク媒体用のパターン描画とは異なる問題が生じることを見出した。
【００１５】
磁気ディスク媒体用の微細パターンは、光ディスク媒体用パターンとは異なり、サーボパターンとグルーブパターンなどのように、寸法が異なるパターンを含んでいる。
【００１６】
本発明者は、このような微細パターンの露光現像後のパターンを詳細に検討した結果、同一の描画半径（すなわちＰＥＤが同等である位置）においても、パターンが異なると、補正すべき露光量が異なることを見出した（図４参照）。
【００１７】
この原因は以下のように考察される。設計パターン寸法が異なるパターンでは、ＥＢ描画の走査軌跡により、描画幅方向の露光強度分布のコントラストが変わる。すなわち、グルーブ幅のような細い設計寸法では、分布がよりシャープになり、サーボのビット長のような太い設計寸法では、分布がよりブロードとなる。このため、同じ日数のＰＥＤ影響を受けた場合でも、細い設計寸法での線幅変動は小さく感度変化も小さいが、太い設計寸法での線幅変動は大きく、感度変化も大きくなる。これにより、パターン寸法が異なると、ＰＥＤ影響を受けた場合でも感度変化量が異なると考えられる。
すなわち、ディスク媒体用パターンがサーボパターンとグルーブパターンなどのように異なる設計寸法のパターンを含む場合に、特許文献２および３等に記載されているような方法を用いて、同一の描画半径における補正露光量を一定としたのでは、パターンの種によっては露光量不足、あるいは露光過多となる場合が生じるという問題を見出した。
【００１８】
既述の通り、特許文献４においては近接効果補正のために、パターンの疎密により同一の描画半径において露光量を変化させる方法を提案しているが、ＰＥＢまでの時間によるレジストの感度劣化については考慮されておらず、半径方向の寸法が異なるパターン間での露光量調整についても検討されていない。
【００１９】
本発明は、本発明者により見出された上述の新たな課題を解決するためになされたものであって、ＰＥＤによる寸法変動を補正し描画された微細パターンに応じたレジストパターンを得ることができる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画を行うための電子ビーム描画システムを提供することを目的とするものである。
【００２０】
また、本発明は、電子ビームにより精度よく描画された微細パターンを有する、インプリントモールドや磁気転写用マスター担体などの凹凸パターン担持体の製造方法を提供すること、および、その凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンもしくは磁気パターンが転写されてなる磁気ディスク媒体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の電子ビーム描画方法は、レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上に電子ビームを照射すると共に、１回転の描画後に前記電子ビームの描画半径位置を移動させることを繰り返してディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記微細パターンは、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含むものであり、
前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する際に、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、該パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整することを特徴とするものである。
【００２２】
前記パターン毎の前記露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データから、前記パターン毎の前記露光後経過時間に対して補正すべき露光量を算出し、
前記描画半径と前記露光後経過時間との関係から、前記パターン毎に各描画半径毎の補正露光量を求めて前記電子ビーム照射のデューティ比を設定すればよい。
【００２３】
前記サーボパターンを、１トラック幅、１ビット長のサーボエレメント毎に前記電子ビームを周方向もしくは半径方向に高速振動させると共に、高速振動の方向に直交する方向に偏向して形状を塗りつぶすように走査して描画し、
前記グルーブパターンを、周方向に複数のグルーブエレメントに分割し、該グルーブエレメント毎に前記電子ビームを周方向の前記回転ステージの回転の向きと逆向きに偏向走査して描画するものとすることができる。
【００２４】
本発明の電子ビーム描画システムは、本発明の電子ビーム描画方法を実現するのに適するものであり、回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、
レジストが塗布され前記回転ステージ上に載置された基板に描画するディスク状記録媒体用の、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含む微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、
前記描画データ信号が、前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する制御信号を含むものであり、
前記信号送出装置が、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、該パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整する制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであることを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の凹凸パターン担持体の製造方法は、本発明の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２６】
本発明の凹凸パターン担持体の製造方法は、本発明の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２７】
ここで、凹凸パターン担持体とは、具体的には、表面に所望の凹凸パターン形状を有する担体であり、その凹凸パターンの形状をディスク状記録媒体に転写するためのインプリントモールドである。
【００２８】
本発明のディスク状記録媒体の製造方法は、本発明の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムによれば、ディスク状記録媒体用の、サーボパターンとグルーブパターンとを含む微細パターンを描画するにあたり、電子ビームの照射のタイミングを、電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する際に、パターン毎の露光後経過時間に対するレジストの感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームＥＢの照射のデューティ比を変化させて、レジストの露光量を調整するので、パターン毎に、適正な補正量で補正することができるため、ＰＥＤによるレジストの感度劣化を適正に補償することができ、現像後にレジスト残渣が生じたり、ブリッジ部が生じたりすることがなく、設計寸法（線幅）に忠実な線幅の鮮鋭度の高いパターンを得ることができる。
【００３０】
さらに、本発明の凹凸パターン担持体の製造方法によれば、上記の電子ビーム描画方法により、レジストが塗布された基板に、ディスク状記録媒体用の微細パターンを描画し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て凹凸パターン担持体を製造するので、表面に高精度の凹凸パターン形状を有する担体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画する微細パターン例を示す平面図
【図２】微細パターンの一部の拡大図
【図３】描画方式（Ａ）およびその描画方式における偏向信号等の各種信号（Ｂ）〜(Ｇ)を示す図
【図４】ＰＥＤに対するレジストの感度変化を示す図
【図５】ＰＥＤに対する補正露光量を示す図
【図６】描画半径に対するＰＥＤを示す図
【図７】描画半径に対するＰＥＤ補正露光量
【図８】ＰＥＤ補正露光量に対するＤｕｔｙ比を示す図
【図９】本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画システムの要部を示す概略構成図
【図１０】電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えたインプリントモールドを用いて磁気ディスク媒体に微細パターンを転写形成している過程を示す概略断面図
【図１１】実施例および比較例のサーボ部における描画半径に対する線幅を示す図
【図１２】実施例および比較例のグルーブ部における描画半径に対する線幅を示す図
【図１３】実施例および比較例のサーボ部のＳＥＭ画像
【図１４】実施例および比較例のグルーブ部のＳＥＭ画像
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画するべきディスク状記録媒体、特にここでは、磁気ディスク媒体用の微細パターンを示す全体平面図であり、図２はこの微細パターンの一部の拡大図である。
【００３３】
図１に示すように、本実施形態における磁気ディスク媒体用の微細パターンは、ディスクリートトラックメディア用のパターンであり、周方向に交互に配置されたサーボ領域１２とデータ領域１５とにそれぞれ形成されるサーボパターンＳとグルーブパターンＧで構成され、円盤状の基板１０に、外周部および内周部を除く円環状領域に形成される。
【００３４】
サーボパターンＳは、基板１０の同心円状トラックに等間隔で、各セクターに中心部から湾曲放射状の細幅のサーボ領域１２に形成されてなる。サーボパターンＳは、例えば、プリアンブル、アドレス、バースト信号に対応するパターンを含み、一部を拡大した図２にはプリアンブル部のパターンが示されている。
サーボパターンＳは、１トラック幅、１ビット長（１Ｔ）の略平行四辺形の多数のサーボエレメントＳ1、Ｓ2、Ｓ3…から構成されている。このエレメントが１描画単位である。
【００３５】
一方、グルーブパターンＧは、隣接する各トラックを分離するようトラック方向に延びる同心円状に形成されてなるものである。
【００３６】
最終的なディスクリートトラックメディアでは、グルーブパターンＧおよびサーボパターンＳの描画部分が凹部に、その他の部分が磁性層による平坦部（ランド）となる。なお、凹部は非磁性体により埋め込まれていてもよい。
【００３７】
上記サーボパターンＳおよびグルーブパターンＧの描画は、表面にレジスト１１が塗布された基板１０を回転ステージ３１（図参照）に設置して回転させつつ、例えば、外周側のトラックより内周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、１トラックずつ電子ビームＥＢで走査しレジスト１１を照射露光するものである。基板１０は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなる。
【００３８】
既述の通り、全面の微細パターンを描画するには、長時間を要するため、ＰＥＢ処理までの時間（ＰＥＤ）が描画開始位置と描画終了位置とで大きく変わる。このＰＥＢ処理までの時間が長くなればなるほど、露光量に対する現像感度が低下し、露光直後にＰＥＢ処理を行った場合と比較して現像される幅が狭くなるという問題がある。
【００３９】
本発明の電子ビーム描画方法では、この寸法変動を補償するための露光補正を組み込んだ制御信号に基づいてパターン描画を行う。以下、電子ビーム描画方法の詳細を説明する、
【００４０】
一般的な磁気ディスク媒体は、角速度一定（ＣＡＶ）方式で信号の記録再生が行われる。したがって、最終的な磁気ディスク媒体として回転駆動された際に、ディスク全域においてサーボエレメントから読み出される信号が同じとなるように、磁気ディスク媒体用のパターンにおいては、同心円状のトラックの各トラック幅（トラックピッチ）は一定であるが、内周から外周にかけて、円周が大きくなるに伴ってエレメントの周方向の長さ（物理ビット長）は大きくなっている。
【００４１】
一方で、上記のような磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する際には、基板１０の描画領域における、描画半径位置の移動つまりトラック移動に対し、基板１０の外周側半径でも内周側半径でも全描画域で同一の線速度となるように、回転ステージ３１の回転数を外周トラック描画時には遅く、内周トラック描画時には速くなるように調整する。
【００４２】
図３は、本発明の電子ビーム描画方法を実行するためのタイミングチャートを示す図である。
図３（Ａ）電子ビームＥＢの半径方向Ｙおよび周方向Ｘの電子ビームＥＢの描画動作を示し、図３（Ｂ）に半径方向Ｙの偏向信号Ｄef(Y)を、（Ｃ）に周方向Ｘの偏向信号Ｄef(X)を、（Ｄ）に周方向Ｘの振動信号Ｍod(X)を、（Ｅ）にＥＢ照射のオン・オフ動作を、（Ｆ）にブランキング手段のオン・オフ信号を、（Ｇ）に描画クロックをそれぞれ示している。なお、(Ａ)の横軸は基板１０の位相を、(Ｂ)〜(Ｇ)の横軸は時間を示している。
【００４３】
本実施形態においては、1トラック分のグルーブパターンＧとサーボパターンＳを、基板１０の１回転で一度に描画する。
グルーブパターンＧは、基板１０（回転ステージ３１）を回転させつつ、周方向に分割されたグルーブエレメントＧｎ毎に一定の時間間隔をおいて描画される。グルーブエレメントＧｎは、電子ビームを周方向Ｘの回転の向きＡとは逆向きに偏向させて描画する。グルーブエレメントＧｎの描画の際には、電子ビームは高速振動することなく、グルーブエレメントは所謂一本描きで描画される。
【００４４】
他方サーボパターンＳはそれぞれトラック幅に亘るサーボエレメントＳ１,Ｓ２,…毎に、基板１０を回転させつつ、その形状を塗りつぶすように微小径の電子ビームＥＢで走査して、描画する。
エレメント形状を塗りつぶす電子ビームＥＢの走査は、電子ビームＥＢの照射のオン、オフを後述のブランキング手段２４の動作により制御しつつ、微小径の電子ビームＥＢを、周方向Ｘに一定の振幅で高速に往復振動させつつ、半径方向Ｙおよび周方向ＸへＸ−Ｙ偏向させることより行う。
【００４５】
なお、既述のとおり電子ビームＥＢ照射のオン、オフは、ブランキング手段のオフ、オンで制御する。後述の電子銃からの電子ビーム出力自体をオン・オフするのは電子ビームの安定性上好ましくなく、一般に電子ビームＥＢの照射のオン、オフは、電子ビームを遮蔽するブランキング手段のオフ、オンで行う。以下において、電子ビームＥＢの照射のオンはブランキング手段のオフ、電子ビームＥＢの照射のオフはブランキング手段のオンを意味する。
【００４６】
グルーブエレメントＧｎ−１、Ｇｎの基本的な描画動作は、それぞれａ，ｃ点で電子ビームＥＢの照射をオンとし、描画を開始するものであり、描画開始位置にある電子ビームＥＢを（Ｃ）の偏向信号Ｄef(X)により回転の向きＡと反対向きの周方向（−Ｘ）に偏向させ、ｂ，ｄ点でのブランキング信号ＢＬＫのオンにより電子ビームＥＢの照射を停止し、各グルーブエレメントの描画を終了する。それぞれの描画後に、周方向Ｘの偏向を基準位置に戻す。
【００４７】
また、各エレメントＳ１〜Ｓ４の基本的な描画動作は、それぞれｅ，ｇ，ｉ，ｋ点で電子ビームＥＢの照射をオンとし、描画を開始するものであり、描画開始位置にある電子ビームＥＢを（Ｄ）の振動信号Ｍod(X)により周方向Ｘに往復振動させつつ、（Ｂ）の偏向信号Ｄef(Y)により半径方向（−Ｙ）に偏向させて送るとともに、Ａ方向への基板１０の回転に伴う電子ビームＥＢの照射位置のずれを補償するために、（Ｃ）の偏向信号Ｄef(X)によりＡ方向と同方向の周方向Ｘに偏向させて送ることにより、矩形状のエレメントＳ１〜Ｓ４を塗りつぶすように走査し、ｆ，ｈ，ｊ，ｌ点でのブランキング信号ＢＬＫのオンにより電子ビームＥＢの照射を停止し、各サーボエレメントＳ１〜Ｓ４の描画を終了する。描画後に、半径方向Ｙおよび周方向Ｘの偏向を基準位置に戻す。なお、各サーボエレメントＳ1〜Ｓ4の周方向Ｘの長さ（１Ｔ）は、電子ビームＥＢの周方向往復振動の振幅によって規定される。
【００４８】
１つのトラックを１周描画した後、次のトラックに移動し同様に描画して、基板１０の全領域に所望の微細パターンを描画する。描画位置のトラック移動（径方向への移動）は、電子ビームＥＢを半径方向Ｙに偏向させて行うか、あるいは回転ステージ３１を半径方向Ｙに直線移動させて行う。回転ステージを直線移動させるのは、前述のように、電子ビームＥＢの半径方向Ｙの偏向可能範囲に応じて複数トラックの描画毎に行うか、１トラックの描画毎に行ってもよい。しかしながら、偏向手段により径方向へ移動させる方が効率的であることから、偏向手段による径方向への移動が可能な範囲では偏向させることによりトラック移動を行って複数トラック描画させた後に、ビームの偏向手段による径方向への偏向を一旦解除すると共に、直線移動手段３４を用いて回転ステージを複数トラック分程度半径方向に移動させるのが好ましい。
【００４９】
また、基板１０の描画領域における、描画部位の半径方向位置の移動つまりトラック移動に対し、基板１０の外周側でも内周側でも全描画域で同一の線速度となるように、回転ステージ３１の回転速度を外周側描画時には遅く、内周側描画時には速くなるように調整している。
【００５０】
電子ビームＥＢのビーム強度は、最小の補正露光量でレジスト１１の露光が十分に行える程度に設定されている。ビーム強度は描画全域において変化させず一定とする。電子ビームＥＢによる描画幅（実質露光幅）は、照射時間、振幅が大きいほど照射ビーム径および振幅より広くなる特性があり、最終的な描画幅を得るためには、その描画幅となる所定の照射線量で走査するために、振幅、偏向速度等を調整する。
【００５１】
本実施形態においては、ＰＥＤによるレジスト感度の低下を補償するために、グルーブパターンおよびサーボパターンのそれぞれについて、パターン毎の露光後経過時間に対するレジストの感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎において、パターン毎にブランキング手段２４に対するオン・オフ制御信号による電子ビームＥＢの照射のデューティ比（ｔg／Ｔg、ｔs／Ｔs）を変化させて、レジストに対する照射線量、すなわちレジストの露光量を調整している。
なお、ＰＥＤによる影響は、サーボパターンにおいては半径方向にサーボエレメントが連続して配置されてなるプリアンブルパターンの周方向幅に、周方向に延びるグルーブパターンにおいては、その半径方向の幅（グルーブ幅）に、それぞれ顕著に表れる。グルーブ幅は半径によらず一定であるが、プリアンブルパターンの周方向幅は半径毎で異なる。そのため、サーボパターンとグルーブパターンとでは、描画半径位置による補正露光量の変化が異なるのである。
【００５２】
半径方向Ｙの偏向信号Ｄef(Y)、周方向Ｘの偏向信号Ｄef(X)、周方向Ｘの振動信号Ｍod(X)を、ブランキング手段のオン・オフ信号は、予めレジスト感度の低下を補償するように補正された照射線量（露光量）で、電子ビームをレジストに照射するように設定された制御信号である。
【００５３】
補正制御信号の設定について、具体例を説明する。
【００５４】
微細パターンとして、プリアンブル、アドレスおよびバーストを含むサーボパターンと、グルーブパターンとを含むものを描画するものとする。
記録密度は８００Ｇｂｐｓｉクラスであり、描画領域は２．５吋（インチ）である。サーボパターンの描画単位であるサーボエレメントの半径方向の寸法（トラックピッチ）は６０ｎｍであり、周方向の長さ（１Ｔ）は半径位置によって変化し、半径３０ｍｍ位置において９５ｎｍ、半径１５ｍｍ位置において４７ｎｍとする。すなわち、描画単位であるサーボエレメントの大きさは半径３０ｎｍ位置で６０ｎｍ×９５ｎｍ、半径１５ｎｍ位置において６０ｎｍ×４７ｎｍである。
また、グルーブの半径方向の寸法（幅）は描画半径によらず一定であり、ここでは３０ｎｍとする。
【００５５】
電子ビーム描画は、Ｒθ型電子ビーム描画装置を用いて行うものとする。具体的には、加速電圧５０ｋＶの電子ビームを用い、外周から内周に向けて描画する。回転ステージの線速度は１００ｍｍ／Ｓで一定とすると、全面描画時間は約６日間である。
基板１０としてＳｉを用い、レジスト１１としてポジ型化学増幅レジスト（ＣＡＲ）を用いるものとする。
プリベーク（ＰｒｅＢ）は１２０℃で９０秒、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）は１１０℃で９０秒とする。
ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）２．３８％の現像液を用い、６０秒パドル現像を行うものとする。
【００５６】
（補正条件の決定）
補正条件は次のようにして決定する。
まず、微細パターンに含まれる、サーボパターンとグルーブパターンのそれぞれのＰＥＤに対するレジストの感度（必要露光量）の変化データを取得する（図４参照）。レジストの感度は、一般に現像に必要な露光量で示され、レジストの必要露光量の増加がレジスト感度低下を示す指標となる。図４において、露光後、その日のうち（ＰＥＤが０）にＰＥＢ処理を行った場合の感度（必要露光量）を１００％とし、異なるＰＥＤ後にＰＥＢ処理を行った場合に、ＰＥＤが０の場合と同等の現像後線幅を得るために必要な露光量を示している。
【００５７】
図４に示すように、サーボパターン（Ｓｒ部）とグルーブパターン（Ｇｒ部）とではこの感度変化の傾きが異なる。
なお、経過時間０においてサーボ部、グルーブ部の感度に差が生じているのは、レジストのコートを行ってからの時間の感度変化への影響と考えられるが、ＰＥＤと比較してＰＣＤ（ポストコートディレイ）による影響は小さいため無視している。
図４に示すように、ＰＥＤ経過時間に対する感度変化は、Ｓｒ部とＧｒ部とで大きく異なり、両者の補正露光量はそれぞれの感度変化に応じて決定する必要があることは明らかである。
【００５８】
パターン毎のＰＥＤに対するレジストの感度変化データから、パターン毎のＰＥＤに対する補正露光量を算出する（図５参照）。露光量に対しする現像時における感度低下を補償するために、ＰＥＤが大きくなるほど必要とされる露光量は大きくなる。感度変化に応じて、補正露光量もＳｒ部とＧｒ部とでは異なる。
【００５９】
回転線速度と、描画開始半径および描画終了半径から描画位置毎のＰＥＤを求める。図６においては、半径３１ｍｍの外周側から半径１３ｍｍの内周側に向けて順次描画を行うものとしている。描画終了半径１３ｍｍにおける露光後ベークまでの時間の遅れ（ＰＥＤ）を０としたとき、描画開始半径３１ｍｍにおける露光後経過時間は約５．６日となる。描画開始位置から終了位置へ向け徐々にＰＥＤは減少する。このとき、ＰＥＤは同一半径においても描画位置毎に少しずつ異なるが、同一半径においてはＰＥＤはほぼ同一と看做すことができる。
【００６０】
図５に示したＰＥＤに対する補正露光量および図６に示した描画半径に対するＰＥＤ関係から、図７に示す、各パターン毎の各描画半径に対するＰＥＤ補正露光量を求める。
いずれもＰＥＤが０のときの露光量を１００％とし、ＰＥＤが大きくなる描画半径位置ほど大きな露光量で露光する必要がある。図７に示すように、描画開始半径（３１ｍｍ）において、Ｓｒ部では２０％増し、Ｇｒ部では１３％増しの露光量とする必要がある。
【００６１】
そのために、ＰＥＤ補正露光量に対する電子ビーム照射のデューティ比（Ｄｕｔy比）を求める。図８が補正露光量に対するＤｕｔｙ比を示すグラフである。
最大の補正露光量よりもやや大きい補正露光量（図８においては１３０％）で、Ｄｕｔｙ比が５０％となるように設定している。すなわち、ＰＥＤが０の補正露光量が１００％の描画時のＤｕｔｙ比を小さく設定している。図８に示す描画半径に対するＰＥＤ補正露光量を達成するＤｕｔy比を、パターン毎に設定する。このとき、同一の描画半径であっても、Ｓｒ部とＧｒ部とでは補正露光量が異なるので、パターン毎で描画半径毎に適正なＤｕｔy比に設定する。
【００６２】
電子ビーム照射のＤｕｔy比に基づく照射時間の設定は、例えば、Ｓｖ部では１描画単位であるエレメントを描画するために割り当てられる基準描画時間に対応する描画クロック数を、整数個単位で加減算することにより行う。
各描画半径に対する電子ビーム照射のデューティ比を設定し、このデューティ比をブランキング手段へのオフ・オン制御信号により制御する。
【００６３】
既述のとおり、描画Ｄｕｔy比は、描画クロック数で規定される。すなわち、各サーボエレメント、グルーブエレメントの描画時間は、図３（Ｇ）の描画クロック信号におけるクロック数で定めている。
【００６４】
図３の(Ｇ)の描画クロック信号は、後述の信号送出装置内で生成される、状況に応じて変化することのない一定のクロック信号（基本クロック信号）に基づき生成される信号である。描画クロック信号は、内周トラック描画時と外周トラック描画時とで回転ステージ３１の回転数が変化しても、１回転（１周）でのクロック数が同一となるように、回転数の変更に応じてクロック幅（クロック長さ）が調整される。つまり、クロック幅は半径ｒに応じて所定トラックごとに、内周トラックで狭く、外周側トラックで広くなるように、変化するものである。
【００６５】
そして、周方向（回転方向Ａ）の寸法的および時間的幅を、描画クロック信号のクロック数で規定し、内周トラックおよび外周トラックで同じ描画クロック数で微細パターンを描画することを基本としている。これにより、内周側と外周側とでの、同一角度（位相）における描画クロック数を同じにして、相似形のパターンを簡易に描画できる。
【００６６】
すなわち、内周トラック描画時と比較すると、外周トラック描画時には、（Ｂ），(Ｃ)，（Ｆ）の各制御信号が、周方向Ｘの長さが所定倍率で長くなるように設定される。また、(Ｄ)の信号は内周側振幅に対し、外周側振幅がサーボエレメントの幅の増大に対応した所定倍率で大きく設定される。そして、周方向Ｘおよび半径方向Ｙの偏向送りの基準速度は、外周側トラックの描画で送りが遅く、内周側トラックの描画で送りが速くなる。一方、基本クロック信号は時間的に同じ間隔で一定に生起し、これに基づき（Ｇ）の描画クロック信号が半径に応じて１周で同じクロック数となるようにクロック幅が調整される。つまり、（Ｂ）〜（Ｆ）の倍率と同様の倍率でクロック幅が大きくなる。そして、上記描画クロック信号の信号数（クロック数）を数えて、各種制御信号のオン・オフタイミング、信号形状を設定する。
【００６７】
上記のように（Ｇ）の描画クロック信号は、クロック幅が外周トラックで広く内周トラックで狭くなり、回転ステージ３１の回転数は前述のように外周トラックで遅く内周トラックで速くなり、両者は同期させて同時に変更する。そして、同じ回転数の時は描画半径位置ｒを若干変更しても、１周のクロック数が同一であるので同じ描画クロック数による制御で同じ位相位置に略同じ形態のエレメントが描画できる。そのとき、電子ビームＥＢに対するレジスト１１の相対移動速度は、半径位置で異なり、外周で若干速くなり、単位面積の露光量が変化する。しかし、描画されたサーボエレメントの信号幅は(Ｄ)の振動信号の振幅に依存するので略同じとなり、回転数および描画クロック信号幅を変更せずに、描画トラック位置の若干の変動はレジストの感度、信号精度等で補償され、実際の記録情報としては問題なく使用できるものであり、１トラック移動ごとに回転数および描画クロック幅を変更する必要はなく、前述のように例えば８トラック描画毎に変更調整する。
【００６８】
そして、既述のとおり補正露光量を達成するためのＤｕｔｙ比に基づく、各エレメントの描画時間（電子ビーム照射オン時間）の調整は、整数個のクロック数を増減により行う。
【００６９】
例えば、各サーボエレメントの描画に割り当てられる基準描画時間をt＝６２クロックとする、このとき周期Ｔs＝１２４クロックである。最大露光補正量よりやや大きい補正量（１３０％）でのＤｕｔｙ比（ｔs／Ｔs＝６２／１２４）を５０％と設定しておく。描画半径３１ｍｍでは補正量が１２１％であり、Ｄｕｔｙ比は４７％であるから、１２４×０．４７＝５８．２８であるが、制御の容易化のために整数個のクロック数で増減させるため、描画時間は５８クロックとすればよい。
【００７０】
また、各グルーブエレメントの描画に割り当てられる基準描画時間をｔｇ、周期をＴｇとしてＤｕｔｙ比(ｔg／Ｔg）は、描画半径３１ｍｍで補正量が１１３％であるから、Ｄｕｔｙ比４４％程度となるように描画クロック数を設定する。ｔgのクロック数はサーボエレメントと同一であっても異なっていてもよい。なお、本実施形態においてはグルーブエレメントとサーボエレメントの描画クロック数は異なっている。
【００７１】
なお、それぞれ周期Ｔｇ、Ｔｓは、基準描画時間のクロック数の２倍としている。すなわち、ここで、電子ビームの照射のデューティ比とは、基準描画時間の２倍に対するエレメント描画時のオン時間の比である。
【００７２】
図３においては、最大補正露光を要する描画開始半径付近での描画におけるタイミングチャートを示している。グルーブエレメントＧｎを描画する際のＥＢ照射オン／オフのＤｕｔｙ比はｔg／Ｔgであり、サーボエレメントＳｎを描画する際のＥＢ照射オン／オフのＤｕｔｙ比はｔs／Ｔsである。最小補正の描画終了半径付近での描画におけるグルーブエレメントＧｎの照射時間ｔg0、サーボエレメントＳｎの照射時間ｔs0は、それぞれＤｕｔｙ比ｔgo／Ｔg、ｔs0／Ｔsが３９％程度となるように調整されている。
【００７３】
なお、照射オン時間を変化させるのに伴い、半径方向（Ｙ方向）および周方向（Ｘ方向）への偏向速度はいずれも照射オン時間内に所定の偏向量偏向できるように設定する必要がある。
【００７４】
以上により、描画後経過ＰＥＤ時間に応じて、描画開始半径から終了半径にかけて、描画オン時間を段階的に減らし、ＰＥＤによる線幅変動を露光量調整により補正することができ、設計通りの線幅を得ることができる。
なお、「背景技術」において挙げた特許文献２、３では、線速度あるいは照射電流量を半径位置に応じて変更することにより半径位置毎の露光量を補正しているが、これらの従来技術では同一半径における異なるパターン毎で露光量を変化させることはできない。一方、上述のように、Ｄｕｔｙ比を変化させる方法であれば、容易に同一半径においてパターン毎に補正露光量を変化させることができる。
【００７５】
上記のような本発明の電子ビーム描画方法を実施するための本発明の電子ビーム描画システムの実施形態について図９を参照して説明する。図９に示す本実施形態の電子ビーム描画システム１００は、電子ビーム描画装置４０および信号送出装置５０を備え、電子ビーム描画装置４０は、基板１０に対して電子ビームを照射する電子ビーム照射部２０と、基板１０を回転および直線移動させる機械駆動部３０とを備えている。
【００７６】
電子ビーム照射部２０は、鏡筒１８内に電子ビームＥＢを出射する電子銃２１、電子ビームＥＢを半径方向Ｙおよび円周方向Ｘへ偏向させるとともに円周方向Ｘに一定の振幅で微小往復振動させる偏向手段２２，２３、電子ビームＥＢの照射をオン・オフするためのブランキング手段２４としてアパーチャ２５およびブランキング２６（偏向器）を備えており、電子銃２１から出射された電子ビームＥＢは偏向手段２２、２３および図示しない電磁レンズ等を経て、レジスト１１が塗布された基板１０上に照射される。
【００７７】
ブランキング手段２４における上記アパーチャ２５は、中心部に電子ビームＥＢが通過する透孔を備え、ブランキング２６はＥＢ照射のオン・オフ信号の入力に伴って、オン信号時には電子ビームＥＢを偏向させることなくアパーチャ２５の透孔を通過させて照射させ、一方、オフ信号時には電子ビームＥＢを偏向させてアパーチャ２５の透孔を通過させることなくアパーチャ２５で遮断して、電子ビームＥＢの照射を行わないように作動する。すなわち、ブランキング手段２４のオフ／オン比が電子ビームＥＢ照射のオン／オフ比に相当するものとなる。
【００７８】
機械駆動部３０は、鏡筒１８が上面に配置された筐体１９内に原盤を支持する回転ステージ３１および該ステージ３１の中心軸と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ３２と備えた回転ステージユニット３３と、回転ステージユニット３３を回転ステージ３１の一半径方向に直線移動させるための直線移動手段３４とを備えている。直線移動手段３４は、回転ステージユニット３３の一部に螺合された精密なネジきりが施されたロッド３５と、このロッド３５を正逆回転駆動させるパルスモータ３６とを備えている。また、ステージユニット３３には、回転ステージ３１の回転角に応じたエンコーダ信号を出力する図示しないエンコーダが設置されている。エンコーダは、スピンドルモータ３２のモータ軸に取り付けられる、多数の放射状のスリットが形成された回転板と、そのスリットを光学的に読み取る光学素子とを備え、エンコーダスリットの読み取りによって所定回転位相で等間隔に生じるエンコーダ信号を信号送出装置５０に送出する。
【００７９】
上記スピンドルモータ３２の駆動すなわち回転ステージ３１の回転速度、パルスモータ３６の駆動すなわち直線移動手段３４による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２２、２３の制御、ブランキング手段２４のブランキング２６のオン・オフ制御等は信号送出装置５０から送出される制御信号に基づいて行われる。
【００８０】
信号送出装置５０は、所望のディスク媒体用の微細パターン（設計パターン）に基づく描画データを記憶し、電子ビーム描画装置４０に描画データ信号に基づく各種制御信号を送出するものである。
【００８１】
信号送出装置５０は、描画データを蓄積する描画データ蓄積部５２と、描画タイミングを計るための描画クロックを生成する描画クロック生成部５１と、描画データに基づく各種制御信号を生成し、描画データ信号として電子ビーム描画装置４０に送出する信号送出部５３とを備えている。信号送出装置５０は所謂フォーマッタにより構成することができる。
【００８２】
描画すべきパターンに関する設計パターンに基づく描画データは、電子ビーム描画を開始する前に、予め図示しない外部の設計データ処理装置から信号送出装置５０に送られ、描画データ蓄積部５２に蓄積される。
【００８３】
描画クロック生成部５１は、不変の基準クロックを発生する基準クロック発生部を内包し、この基準クロックおよび電子ビーム描画装置４０からのエンコーダ信号や半径位置信号に基づいて、各半径位置に応じたクロック幅の描画クロック信号を生成するものである。
【００８４】
本電子ビーム描画システム１００においては、信号送出装置５０が、ブランキングのオン・オフ制御、電子ビームＥＢのＸ−Ｙ偏向制御、回転ステージ３１の回転速度制御等の制御信号からなる描画データ信号を、各アンプおよびドライバに振り分けるものであり、それぞれのデータ信号はエンコーダ３７から入力されたエンコーダパルスと描画クロックに基づいて所定のタイミングで送出される。
【００８５】
そして、電子ビーム描画装置４０において、スピンドルモータ３２の駆動すなわち回転ステージ３１の回転速度、パルスモータ３６の駆動すなわち直線移動手段３４による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２２および２３の制御、ブランキング手段２４のブランキング２６のオン・オフ制御（すなわち電子ビーム照射のオフ・オン制御）等は信号送出装置５０から送出された描画データ信号に基づいて行われる。
【００８６】
この描画データ信号は、サーボパターンとグルーブパターンという異なる複数のパターンを含む磁気ディスク用微細パターンを描画するためのデータであり、既述の本発明の電子ビーム描画方法におけるＰＥＤによる寸法変動を補償する補正露光量が盛り込まれた、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、レジストの露光量が調整された制御信号である。
【００８７】
＜凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法＞
次に、上記のような電子ビーム描画システム１００により、前述の電子ビーム描画方法によって微細パターンを描画する工程を経て製造する凹凸パターン担持体の製造方法およびその凹凸パターン担持体を用いた磁気ディスク媒体の製造方法を説明する。図１０は、凹凸パターン担持体の一形態であるインプリントモールドを用いて微細凹凸パターンを転写形成している過程を示す概略断面図である。
【００８８】
インプリントモールド７０は、透光性材料による基板７１の表面にレジスト１１が塗布され、磁気ディスク用の微細パターンが描画される。その後、現像処理して、レジストによる凹凸パターンを基板７１に形成する。このパターン状のレジストをマスクとして基板７１をエッチングし、その後レジストを除去し、表面に形成された微細凹凸パターン７２を備えるインプリントモールド７０を得る。一例としては、上記微細凹凸パターン７２は、ディスクリートトラックメディア用のサーボパターンとグルーブパターンとを備えたものである。
【００８９】
このインプリントモールド７０を用いて、インプリント法によって磁気ディスク媒体８０を作製する。磁気ディスク媒体８０は、基板８１上に磁性層８２を備え、その上にマスク層を形成するためのレジスト樹脂層８３が被覆されている。そして、このレジスト樹脂層８３に、前記インプリントモールド７０の微細凹凸パターン７２が押し当てられて、紫外線照射によって上記レジスト樹脂層８３を硬化させ、微細凹凸パターン７２の凹凸形状を転写形成してなる。その後、レジスト樹脂層８３の凹凸形状に基づき磁性層８２をエッチングし、磁性層８２による微細凹凸パターンが形成されたディスクリートトラックメディア用の磁気ディスク媒体８０を作製するものである。
【実施例】
【００９０】
本発明の実施例および比較例について説明する。実施例として、上述の実施形態の電子ビーム描画方法で説明した具体例に沿って求めたＰＥＤに対するレジストの感度劣化を補償する補正条件に基づく描画データ信号によりパターン描画を行った。また、比較例として、ＰＥＤに対するレジストの感度劣化を補償する補正を含まない描画データ信号によりパターン描画を行った。
【００９１】
（評価条件）
実施例、比較例についてパターン描画後ＰＢＤおよび現像を行ったものについて、測長ＳＥＭを用いて線幅の自動測定を行った。
検査領域長は１μｍ（ラインアンドスペースの縦方向長さ）とし、検査領域長内での検出エッジ点間隔を２．５ｎｍとして、線幅の算出を行った。なお、計１００本のスペース線幅の幅を測定し、平均値を算出した。
【００９２】
図１１はＳｒ部の、各描画半径における設計値、実施例（補正あり）、比較例（補正なし）の線幅（１Ｔ）を示すグラフであり、図１２はＧｒ部の、各描画半径における設計値、実施例（補正あり）、比較例（補正なし）の線幅（グルーブ幅）を示すグラフである。図１１および図１２は、既述の評価条件に基づいて線幅を測定して得られたものである。
【００９３】
また、図１３、図１４は現像後のレジストパターンのＳＥＭ画像である。
図１３は、サーボ部のプリアンブルパターンの描画半径３１ｍｍ近傍におけるレジストパターンであり、（ａ）実施例、（ｂ）比較例である。
図１３において、灰色部分がサーボパターンとして露光した露光部（スペース部）であり、黒い部分が未露光部（ライン部）である。図１３（ａ）に示す比較例においては、２Ｔ幅のスペース部の中央に白い残渣１０１が残っているが、図１３（ｂ）に示す実施例においては、２Ｔ幅のスペース部分にも残渣なく、良好なパターン形成がなされていることが分かる。２Ｔ幅の部分は１Ｔ幅のエレメント毎に描画を行うが、このとき、露光量補正がなされず不十分になると、図１３（ａ）に示すように、エレメント間に露光量不足の部分が生じこれが残渣となって現像後に残ると考えられる。図１１に示すように、ＰＥＤ経過時間が長くなる外周部において補正を行わない場合、サーボ部で線幅（周方向の幅）の細りが生じていることが分かる。本発明の露光補正を行うことにより、外周部においてもほぼ設計値通りの線幅のスペースが得られた。
【００９４】
図１４は、グルーブ部の描画半径３１ｍｍ近傍におけるレジストパターンであり、（ａ）実施例、（ｂ）比較例である。
図１４において、黒い部分がグルーブパターンとして露光した露光部（スペース部）であり、灰色の部分が未露光部（ライン部）である。図１４（ａ）に示す比較例においては、ライン間を繋ぐブリッジ１０２が形成されており、この部分で露光量不足（感度低下）が生じていると考えられる。一方、図１４（ｂ）に示す実施例においては、ブリッジは形成されておらず、ラインとスペースの幅がほぼ１：１に形成されていることが分かる。図１２示すように、ＰＥＤ経過時間が長くなる外周部において補正を行わない場合、グルーブ部の線幅（半径方向の幅）の細りが非常に顕著であることが分かる。本発明の露光補正を行うことにより、外周部においても補正なしの場合と比較して設計値に非常に近い線幅のスペースが得られた。
【符号の説明】
【００９５】
１０ 基板
１１ レジスト
１２ サーボ領域
１５ データ領域
２０ 電子ビーム照射部
２２，２３ 偏向手段
２４ ブランキング手段
２５ アパーチャ
２６ ブランキング
３０ 機械駆動部
３１ 回転ステージ
３４ 直線移動手段
４０ 電子ビーム描画装置
５０ 信号送出装置
７０ インプリントモールド
８０ 磁気ディスク媒体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ディスク状磁気記録媒体用の原盤を作製する際に、所望の微細パターンを描画するための電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムに関するものである。
【０００２】
また、本発明は、電子ビーム描画方法を用いた描画を行う工程を有する凹凸パターン表面を有する凹凸パターン担持体の製造方法、さらには該凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンを転写する工程を有するディスク状磁気記録媒体の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００３】
現状の磁気ディスク媒体では、一般にサーボパターンなどの情報パターンが予め形成されている。また、記録密度のさらなる高密度化の要請から、隣接するデータトラックを溝（グルーブ）で分離し、隣接トラック間の磁気的干渉を低減するようにしたディスクリートトラックメディア（ＤＴＭ）が注目されている。
【０００４】
従来、上記サーボパターン等の微細パターンは、磁気ディスク媒体に凹凸パターンまたは磁化パターンなどとして形成されており、高密度の磁気ディスク媒体を製造するための磁気転写用マスター担体の原盤作製のために、レジストが塗布された基板上に所定の微細パターンをパターニングするための電子ビーム描画方法が提案されている（特許文献１等）。
【０００５】
レジストとしては、化学増幅型レジストが用いられる。例えば、ポジ型の化学増幅型レジストを用いた場合、電子ビームによる所定のパターン描画の後、露光後ベーク処理、所謂ＰＥＢ（Post Exposure Bake)処理を行い、その後現像液で露光部を溶解させることにより、描画パターンに応じたレジストパターンを得ることができる。
【０００６】
磁気ディスク媒体用の微細パターンは記録密度の増加により、パターンの微細化が著しく、１枚の微細パターンの描画には２日〜１週間以上、長いものでは２週間程度を要する。そのため、パターンの描画後ＰＥＢ処理までの時間の遅れ、所謂ＰＥＤ（Post Exposure Delay)によるレジスト感度の低下が問題となる。これは、ＰＥＤが長くなるほどレジストの露光量に対する感度が低下し、露光部の現像後の寸法（仕上がり寸法）に細りが生じるという問題である。
【０００７】
ＰＥＤの影響は、１枚の基板についての微細パターン描画時間が長くなればなるほど大きいものとなる。また、パターンの設計線幅が小さいほど、感度変動による影響が大きく、ＰＥＤ時間が長くなると、線幅が細るだけでなく、解像できない場合も生じる。
【０００８】
光ディスク用スタンパの製造工程において同様の問題が知られており、特許文献２、３等においては、ＰＥＤの影響を抑制するための描画方法が提案されている。具体的には、特許文献２では、半径位置に応じて描画線速度を変化させ、露光量を調整する方法が提案されており、特許文献３においては、半径位置に応じて照射電流量を変化させ、露光量を調整する方法が提案されている。
【０００９】
特許文献２および３の方法によれば、半径方向位置に応じてＰＥＤの影響による寸法変動を補正するように露光量を調整するため、露光部のレジスト現像後におけるパターンの幅の均一性を確保することができる。なお、特許文献２、３で想定されているのは光ディスク媒体用のスタンパの製造である。光ディスク媒体用のスタンパは、描画パターンとしてピット及びグルーブを含むが、それらのパターンの描画幅（寸法）は通常同一であるため、半径方向位置に応じて露光量を調整することにより良好な凹凸パターンを得ることができる。
【００１０】
他方、電子ビームによるパターン描画においては、微細パターンの疎密程度に応じ近接効果の影響によって、電子ビームを走査して基板上に描画したパターン形状に対して、実際にレジストに感光される形状が異なり、パターンの密配置部では描画した形状に対して感光形状が大きくなることから、ドーズ量（照射線量）を変更する近接効果補正を行う必要があることが知られている。
【００１１】
本出願人は、パターンの疎密に応じた描画方法として、特許文献４においてパターンの疎密程度に応じ、密配置部の描画では電子ビームの照射時間を、疎配置部における描画の照射時間より短く設定してドーズ量を調整する方法を提案している。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１２】
【特許文献１】特開２００４―１５８２８７号公報
【特許文献２】特開２００４−１８５７８６号公報
【特許文献３】特開２００６−１０８６４号公報
【特許文献４】特開２００９−２３７００１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１３】
光ディスク媒体のパターン幅は最小でも１００ｎｍ程度であり、１枚の原盤パターンの描画に要する時間はせいぜい１日程度であるのに対し、磁気ディスク媒体用の微細パターンとして、現在目指している最小線幅は５０ｎｍ以下と非常に微細なものとなっており、１枚の原盤パターンの描画に２日〜１週間以上、長いものでは２週間程度を要する。
レジスト感度変動による影響は、線幅が小さいほど、また、ＰＥＢ（Post Exposure Bake）までの時間が長いほど大きいため、磁気ディスク媒体用のパターン描画においては光ディスク媒体の場合よりも深刻なものとなる。
【００１４】
さらに、本発明者は、磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する際には、光ディスク媒体用のパターン描画とは異なる問題が生じることを見出した。
【００１５】
磁気ディスク媒体用の微細パターンは、光ディスク媒体用パターンとは異なり、サーボパターンとグルーブパターンなどのように、寸法が異なるパターンを含んでいる。
【００１６】
本発明者は、このような微細パターンの露光現像後のパターンを詳細に検討した結果、同一の描画半径（すなわちＰＥＤが同等である位置）においても、パターンが異なると、補正すべき露光量が異なることを見出した（図４参照）。
【００１７】
この原因は以下のように考察される。設計パターン寸法が異なるパターンでは、ＥＢ描画の走査軌跡により、描画幅方向の露光強度分布のコントラストが変わる。すなわち、グルーブ幅のような細い設計寸法では、分布がよりシャープになり、サーボのビット長のような太い設計寸法では、分布がよりブロードとなる。このため、同じ日数のＰＥＤ影響を受けた場合でも、細い設計寸法での線幅変動は小さく感度変化も小さいが、太い設計寸法での線幅変動は大きく、感度変化も大きくなる。これにより、パターン寸法が異なると、ＰＥＤ影響を受けた場合でも感度変化量が異なると考えられる。
すなわち、ディスク媒体用パターンがサーボパターンとグルーブパターンなどのように異なる設計寸法のパターンを含む場合に、特許文献２および３等に記載されているような方法を用いて、同一の描画半径における補正露光量を一定としたのでは、パターンの種によっては露光量不足、あるいは露光過多となる場合が生じるという問題を見出した。
【００１８】
既述の通り、特許文献４においては近接効果補正のために、パターンの疎密により同一の描画半径において露光量を変化させる方法を提案しているが、ＰＥＢまでの時間によるレジストの感度劣化については考慮されておらず、半径方向の寸法が異なるパターン間での露光量調整についても検討されていない。
【００１９】
本発明は、本発明者により見出された上述の新たな課題を解決するためになされたものであって、ＰＥＤによる寸法変動を補正し描画された微細パターンに応じたレジストパターンを得ることができる電子ビーム描画方法および電子ビーム描画を行うための電子ビーム描画システムを提供することを目的とするものである。
【００２０】
また、本発明は、電子ビームにより精度よく描画された微細パターンを有する、インプリントモールドや磁気転写用マスター担体などの凹凸パターン担持体の製造方法を提供すること、および、その凹凸パターン担持体を用いて凹凸パターンもしくは磁気パターンが転写されてなる磁気ディスク媒体の製造方法を提供することを目的とするものである。
【課題を解決するための手段】
【００２１】
本発明の電子ビーム描画方法は、レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上に電子ビームを照射すると共に、１回転の描画後に前記電子ビームの描画半径位置を移動させることを繰り返してディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記微細パターンは、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含むものであり、
前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する際に、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、該パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整することを特徴とするものである。
【００２２】
前記パターン毎の前記露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データから、前記パターン毎の前記露光後経過時間に対して補正すべき露光量を算出し、
前記描画半径と前記露光後経過時間との関係から、前記パターン毎に各描画半径毎の補正露光量を求めて前記電子ビーム照射のデューティ比を設定すればよい。
【００２３】
前記サーボパターンを、１トラック幅、１ビット長のサーボエレメント毎に前記電子ビームを周方向もしくは半径方向に高速振動させると共に、高速振動の方向に直交する方向に偏向して形状を塗りつぶすように走査して描画し、
前記グルーブパターンを、周方向に複数のグルーブエレメントに分割し、該グルーブエレメント毎に前記電子ビームを周方向の前記回転ステージの回転の向きと逆向きに偏向走査して描画するものとすることができる。
【００２４】
本発明の電子ビーム描画システムは、本発明の電子ビーム描画方法を実現するのに適するものであり、回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、
レジストが塗布され前記回転ステージ上に載置された基板に描画するディスク状記録媒体用の、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含む微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、
前記描画データ信号が、前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する制御信号を含むものであり、
前記信号送出装置が、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、該パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整する制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであることを特徴とするものである。
【００２５】
本発明の凹凸パターン担持体の製造方法は、本発明の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２６】
本発明の凹凸パターン担持体の製造方法は、本発明の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする。
【００２７】
ここで、凹凸パターン担持体とは、具体的には、表面に所望の凹凸パターン形状を有する担体であり、その凹凸パターンの形状をディスク状記録媒体に転写するためのインプリントモールドである。
【００２８】
本発明のディスク状記録媒体の製造方法は、本発明の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とする。
【発明の効果】
【００２９】
本発明の電子ビーム描画方法および電子ビーム描画システムによれば、ディスク状記録媒体用の、サーボパターンとグルーブパターンとを含む微細パターンを描画するにあたり、電子ビームの照射のタイミングを、電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する際に、パターン毎の露光後経過時間に対するレジストの感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームＥＢの照射のデューティ比を変化させて、レジストの露光量を調整するので、パターン毎に、適正な補正量で補正することができるため、ＰＥＤによるレジストの感度劣化を適正に補償することができ、現像後にレジスト残渣が生じたり、ブリッジ部が生じたりすることがなく、設計寸法（線幅）に忠実な線幅の鮮鋭度の高いパターンを得ることができる。
【００３０】
さらに、本発明の凹凸パターン担持体の製造方法によれば、上記の電子ビーム描画方法により、レジストが塗布された基板に、ディスク状記録媒体用の微細パターンを描画し、該微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を経て凹凸パターン担持体を製造するので、表面に高精度の凹凸パターン形状を有する担体を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画する微細パターン例を示す平面図
【図２】微細パターンの一部の拡大図
【図３】描画方式（Ａ）およびその描画方式における偏向信号等の各種信号（Ｂ）〜(Ｇ)を示す図
【図４】ＰＥＤに対するレジストの感度変化を示す図
【図５】ＰＥＤに対する補正露光量を示す図
【図６】描画半径に対するＰＥＤを示す図
【図７】描画半径に対するＰＥＤ補正露光量
【図８】ＰＥＤ補正露光量に対するＤｕｔｙ比を示す図
【図９】本発明の電子ビーム描画方法を実施する一実施形態の電子ビーム描画システムの要部を示す概略構成図
【図１０】電子ビーム描画方法によって描画された微細パターンを備えたインプリントモールドを用いて磁気ディスク媒体に微細パターンを転写形成している過程を示す概略断面図
【図１１】実施例および比較例のサーボ部における描画半径に対する線幅を示す図
【図１２】実施例および比較例のグルーブ部における描画半径に対する線幅を示す図
【図１３】実施例および比較例のサーボ部のＳＥＭ画像
【図１４】実施例および比較例のグルーブ部のＳＥＭ画像
【発明を実施するための形態】
【００３２】
以下、本発明の実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
図１は本発明の電子ビーム描画方法により基板に描画するべきディスク状記録媒体、特にここでは、磁気ディスク媒体用の微細パターンを示す全体平面図であり、図２はこの微細パターンの一部の拡大図である。
【００３３】
図１に示すように、本実施形態における磁気ディスク媒体用の微細パターンは、ディスクリートトラックメディア用のパターンであり、周方向に交互に配置されたサーボ領域１２とデータ領域１５とにそれぞれ形成されるサーボパターンＳとグルーブパターンＧで構成され、円盤状の基板１０に、外周部および内周部を除く円環状領域に形成される。
【００３４】
サーボパターンＳは、基板１０の同心円状トラックに等間隔で、各セクターに中心部から湾曲放射状の細幅のサーボ領域１２に形成されてなる。サーボパターンＳは、例えば、プリアンブル、アドレス、バースト信号に対応するパターンを含み、一部を拡大した図２にはプリアンブル部のパターンが示されている。
サーボパターンＳは、１トラック幅、１ビット長（１Ｔ）の略平行四辺形の多数のサーボエレメントＳ1、Ｓ2、Ｓ3…から構成されている。このエレメントが１描画単位である。
【００３５】
一方、グルーブパターンＧは、隣接する各トラックを分離するようトラック方向に延びる同心円状に形成されてなるものである。
【００３６】
最終的なディスクリートトラックメディアでは、グルーブパターンＧおよびサーボパターンＳの描画部分が凹部に、その他の部分が磁性層による平坦部（ランド）となる。なお、凹部は非磁性体により埋め込まれていてもよい。
【００３７】
上記サーボパターンＳおよびグルーブパターンＧの描画は、表面にレジスト１１が塗布された基板１０を回転ステージ３１（図参照）に設置して回転させつつ、例えば、外周側のトラックより内周側トラックへ順に、またはその反対方向へ、１トラックずつ電子ビームＥＢで走査しレジスト１１を照射露光するものである。基板１０は、例えばシリコン、ガラスあるいは石英からなる。
【００３８】
既述の通り、全面の微細パターンを描画するには、長時間を要するため、ＰＥＢ処理までの時間（ＰＥＤ）が描画開始位置と描画終了位置とで大きく変わる。このＰＥＢ処理までの時間が長くなればなるほど、露光量に対する現像感度が低下し、露光直後にＰＥＢ処理を行った場合と比較して現像される幅が狭くなるという問題がある。
【００３９】
本発明の電子ビーム描画方法では、この寸法変動を補償するための露光補正を組み込んだ制御信号に基づいてパターン描画を行う。以下、電子ビーム描画方法の詳細を説明する、
【００４０】
一般的な磁気ディスク媒体は、角速度一定（ＣＡＶ）方式で信号の記録再生が行われる。したがって、最終的な磁気ディスク媒体として回転駆動された際に、ディスク全域においてサーボエレメントから読み出される信号が同じとなるように、磁気ディスク媒体用のパターンにおいては、同心円状のトラックの各トラック幅（トラックピッチ）は一定であるが、内周から外周にかけて、円周が大きくなるに伴ってエレメントの周方向の長さ（物理ビット長）は大きくなっている。
【００４１】
一方で、上記のような磁気ディスク媒体用の微細パターンを描画する際には、基板１０の描画領域における、描画半径位置の移動つまりトラック移動に対し、基板１０の外周側半径でも内周側半径でも全描画域で同一の線速度となるように、回転ステージ３１の回転数を外周トラック描画時には遅く、内周トラック描画時には速くなるように調整する。
【００４２】
図３は、本発明の電子ビーム描画方法を実行するためのタイミングチャートを示す図である。
図３（Ａ）電子ビームＥＢの半径方向Ｙおよび周方向Ｘの電子ビームＥＢの描画動作を示し、図３（Ｂ）に半径方向Ｙの偏向信号Ｄef(Y)を、（Ｃ）に周方向Ｘの偏向信号Ｄef(X)を、（Ｄ）に周方向Ｘの振動信号Ｍod(X)を、（Ｅ）にＥＢ照射のオン・オフ動作を、（Ｆ）にブランキング手段のオン・オフ信号を、（Ｇ）に描画クロックをそれぞれ示している。なお、(Ａ)の横軸は基板１０の位相を、(Ｂ)〜(Ｇ)の横軸は時間を示している。
【００４３】
本実施形態においては、1トラック分のグルーブパターンＧとサーボパターンＳを、基板１０の１回転で一度に描画する。
グルーブパターンＧは、基板１０（回転ステージ３１）を回転させつつ、周方向に分割されたグルーブエレメントＧｎ毎に一定の時間間隔をおいて描画される。グルーブエレメントＧｎは、電子ビームを周方向Ｘの回転の向きＡとは逆向きに偏向させて描画する。グルーブエレメントＧｎの描画の際には、電子ビームは高速振動することなく、グルーブエレメントは所謂一本描きで描画される。
【００４４】
他方サーボパターンＳはそれぞれトラック幅に亘るサーボエレメントＳ１,Ｓ２,…毎に、基板１０を回転させつつ、その形状を塗りつぶすように微小径の電子ビームＥＢで走査して、描画する。
エレメント形状を塗りつぶす電子ビームＥＢの走査は、電子ビームＥＢの照射のオン、オフを後述のブランキング手段２４の動作により制御しつつ、微小径の電子ビームＥＢを、周方向Ｘに一定の振幅で高速に往復振動させつつ、半径方向Ｙおよび周方向ＸへＸ−Ｙ偏向させることより行う。
【００４５】
なお、既述のとおり電子ビームＥＢ照射のオン、オフは、ブランキング手段のオフ、オンで制御する。後述の電子銃からの電子ビーム出力自体をオン・オフするのは電子ビームの安定性上好ましくなく、一般に電子ビームＥＢの照射のオン、オフは、電子ビームを遮蔽するブランキング手段のオフ、オンで行う。以下において、電子ビームＥＢの照射のオンはブランキング手段のオフ、電子ビームＥＢの照射のオフはブランキング手段のオンを意味する。
【００４６】
グルーブエレメントＧｎ−１、Ｇｎの基本的な描画動作は、それぞれａ，ｃ点で電子ビームＥＢの照射をオンとし、描画を開始するものであり、描画開始位置にある電子ビームＥＢを（Ｃ）の偏向信号Ｄef(X)により回転の向きＡと反対向きの周方向（−Ｘ）に偏向させ、ｂ，ｄ点でのブランキング信号ＢＬＫのオンにより電子ビームＥＢの照射を停止し、各グルーブエレメントの描画を終了する。それぞれの描画後に、周方向Ｘの偏向を基準位置に戻す。
【００４７】
また、各エレメントＳ１〜Ｓ４の基本的な描画動作は、それぞれｅ，ｇ，ｉ，ｋ点で電子ビームＥＢの照射をオンとし、描画を開始するものであり、描画開始位置にある電子ビームＥＢを（Ｄ）の振動信号Ｍod(X)により周方向Ｘに往復振動させつつ、（Ｂ）の偏向信号Ｄef(Y)により半径方向（−Ｙ）に偏向させて送るとともに、Ａ方向への基板１０の回転に伴う電子ビームＥＢの照射位置のずれを補償するために、（Ｃ）の偏向信号Ｄef(X)によりＡ方向と同方向の周方向Ｘに偏向させて送ることにより、矩形状のエレメントＳ１〜Ｓ４を塗りつぶすように走査し、ｆ，ｈ，ｊ，ｌ点でのブランキング信号ＢＬＫのオンにより電子ビームＥＢの照射を停止し、各サーボエレメントＳ１〜Ｓ４の描画を終了する。描画後に、半径方向Ｙおよび周方向Ｘの偏向を基準位置に戻す。なお、各サーボエレメントＳ1〜Ｓ4の周方向Ｘの長さ（１Ｔ）は、電子ビームＥＢの周方向往復振動の振幅によって規定される。
【００４８】
１つのトラックを１周描画した後、次のトラックに移動し同様に描画して、基板１０の全領域に所望の微細パターンを描画する。描画位置のトラック移動（径方向への移動）は、電子ビームＥＢを半径方向Ｙに偏向させて行うか、あるいは回転ステージ３１を半径方向Ｙに直線移動させて行う。回転ステージを直線移動させるのは、前述のように、電子ビームＥＢの半径方向Ｙの偏向可能範囲に応じて複数トラックの描画毎に行うか、１トラックの描画毎に行ってもよい。しかしながら、偏向手段により径方向へ移動させる方が効率的であることから、偏向手段による径方向への移動が可能な範囲では偏向させることによりトラック移動を行って複数トラック描画させた後に、ビームの偏向手段による径方向への偏向を一旦解除すると共に、直線移動手段３４を用いて回転ステージを複数トラック分程度半径方向に移動させるのが好ましい。
【００４９】
また、基板１０の描画領域における、描画部位の半径方向位置の移動つまりトラック移動に対し、基板１０の外周側でも内周側でも全描画域で同一の線速度となるように、回転ステージ３１の回転速度を外周側描画時には遅く、内周側描画時には速くなるように調整している。
【００５０】
電子ビームＥＢのビーム強度は、最小の補正露光量でレジスト１１の露光が十分に行える程度に設定されている。ビーム強度は描画全域において変化させず一定とする。電子ビームＥＢによる描画幅（実質露光幅）は、照射時間、振幅が大きいほど照射ビーム径および振幅より広くなる特性があり、最終的な描画幅を得るためには、その描画幅となる所定の照射線量で走査するために、振幅、偏向速度等を調整する。
【００５１】
本実施形態においては、ＰＥＤによるレジスト感度の低下を補償するために、グルーブパターンおよびサーボパターンのそれぞれについて、パターン毎の露光後経過時間に対するレジストの感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎において、パターン毎にブランキング手段２４に対するオン・オフ制御信号による電子ビームＥＢの照射のデューティ比（ｔg／Ｔg、ｔs／Ｔs）を変化させて、レジストに対する照射線量、すなわちレジストの露光量を調整している。
なお、ＰＥＤによる影響は、サーボパターンにおいては半径方向にサーボエレメントが連続して配置されてなるプリアンブルパターンの周方向幅に、周方向に延びるグルーブパターンにおいては、その半径方向の幅（グルーブ幅）に、それぞれ顕著に表れる。グルーブ幅は半径によらず一定であるが、プリアンブルパターンの周方向幅は半径毎で異なる。そのため、サーボパターンとグルーブパターンとでは、描画半径位置による補正露光量の変化が異なるのである。
【００５２】
半径方向Ｙの偏向信号Ｄef(Y)、周方向Ｘの偏向信号Ｄef(X)、周方向Ｘの振動信号Ｍod(X)を、ブランキング手段のオン・オフ信号は、予めレジスト感度の低下を補償するように補正された照射線量（露光量）で、電子ビームをレジストに照射するように設定された制御信号である。
【００５３】
補正制御信号の設定について、具体例を説明する。
【００５４】
微細パターンとして、プリアンブル、アドレスおよびバーストを含むサーボパターンと、グルーブパターンとを含むものを描画するものとする。
記録密度は８００Ｇｂｐｓｉクラスであり、描画領域は２．５吋（インチ）である。サーボパターンの描画単位であるサーボエレメントの半径方向の寸法（トラックピッチ）は６０ｎｍであり、周方向の長さ（１Ｔ）は半径位置によって変化し、半径３０ｍｍ位置において９５ｎｍ、半径１５ｍｍ位置において４７ｎｍとする。すなわち、描画単位であるサーボエレメントの大きさは半径３０ｎｍ位置で６０ｎｍ×９５ｎｍ、半径１５ｎｍ位置において６０ｎｍ×４７ｎｍである。
また、グルーブの半径方向の寸法（幅）は描画半径によらず一定であり、ここでは３０ｎｍとする。
【００５５】
電子ビーム描画は、Ｒθ型電子ビーム描画装置を用いて行うものとする。具体的には、加速電圧５０ｋＶの電子ビームを用い、外周から内周に向けて描画する。回転ステージの線速度は１００ｍｍ／Ｓで一定とすると、全面描画時間は約６日間である。
基板１０としてＳｉを用い、レジスト１１としてポジ型化学増幅レジスト（ＣＡＲ）を用いるものとする。
プリベーク（ＰｒｅＢ）は１２０℃で９０秒、ポストエクスポージャーベーク（ＰＥＢ）は１１０℃で９０秒とする。
ＴＭＡＨ（水酸化テトラメチルアンモニウム）２．３８％の現像液を用い、６０秒パドル現像を行うものとする。
【００５６】
（補正条件の決定）
補正条件は次のようにして決定する。
まず、微細パターンに含まれる、サーボパターンとグルーブパターンのそれぞれのＰＥＤに対するレジストの感度（必要露光量）の変化データを取得する（図４参照）。レジストの感度は、一般に現像に必要な露光量で示され、レジストの必要露光量の増加がレジスト感度低下を示す指標となる。図４において、露光後、その日のうち（ＰＥＤが０）にＰＥＢ処理を行った場合の感度（必要露光量）を１００％とし、異なるＰＥＤ後にＰＥＢ処理を行った場合に、ＰＥＤが０の場合と同等の現像後線幅を得るために必要な露光量を示している。
【００５７】
図４に示すように、サーボパターン（Ｓｒ部）とグルーブパターン（Ｇｒ部）とではこの感度変化の傾きが異なる。
なお、経過時間０においてサーボ部、グルーブ部の感度に差が生じているのは、レジストのコートを行ってからの時間の感度変化への影響と考えられるが、ＰＥＤと比較してＰＣＤ（ポストコートディレイ）による影響は小さいため無視している。
図４に示すように、ＰＥＤ経過時間に対する感度変化は、Ｓｒ部とＧｒ部とで大きく異なり、両者の補正露光量はそれぞれの感度変化に応じて決定する必要があることは明らかである。
【００５８】
パターン毎のＰＥＤに対するレジストの感度変化データから、パターン毎のＰＥＤに対する補正露光量を算出する（図５参照）。露光量に対しする現像時における感度低下を補償するために、ＰＥＤが大きくなるほど必要とされる露光量は大きくなる。感度変化に応じて、補正露光量もＳｒ部とＧｒ部とでは異なる。
【００５９】
回転線速度と、描画開始半径および描画終了半径から描画位置毎のＰＥＤを求める。図６においては、半径３１ｍｍの外周側から半径１３ｍｍの内周側に向けて順次描画を行うものとしている。描画終了半径１３ｍｍにおける露光後ベークまでの時間の遅れ（ＰＥＤ）を０としたとき、描画開始半径３１ｍｍにおける露光後経過時間は約５．６日となる。描画開始位置から終了位置へ向け徐々にＰＥＤは減少する。このとき、ＰＥＤは同一半径においても描画位置毎に少しずつ異なるが、同一半径においてはＰＥＤはほぼ同一と看做すことができる。
【００６０】
図５に示したＰＥＤに対する補正露光量および図６に示した描画半径に対するＰＥＤ関係から、図７に示す、各パターン毎の各描画半径に対するＰＥＤ補正露光量を求める。
いずれもＰＥＤが０のときの露光量を１００％とし、ＰＥＤが大きくなる描画半径位置ほど大きな露光量で露光する必要がある。図７に示すように、描画開始半径（３１ｍｍ）において、Ｓｒ部では２０％増し、Ｇｒ部では１３％増しの露光量とする必要がある。
【００６１】
そのために、ＰＥＤ補正露光量に対する電子ビーム照射のデューティ比（Ｄｕｔy比）を求める。図８が補正露光量に対するＤｕｔｙ比を示すグラフである。
最大の補正露光量よりもやや大きい補正露光量（図８においては１３０％）で、Ｄｕｔｙ比が５０％となるように設定している。すなわち、ＰＥＤが０の補正露光量が１００％の描画時のＤｕｔｙ比を小さく設定している。図８に示す描画半径に対するＰＥＤ補正露光量を達成するＤｕｔy比を、パターン毎に設定する。このとき、同一の描画半径であっても、Ｓｒ部とＧｒ部とでは補正露光量が異なるので、パターン毎で描画半径毎に適正なＤｕｔy比に設定する。
【００６２】
電子ビーム照射のＤｕｔy比に基づく照射時間の設定は、例えば、Ｓｖ部では１描画単位であるエレメントを描画するために割り当てられる基準描画時間に対応する描画クロック数を、整数個単位で加減算することにより行う。
各描画半径に対する電子ビーム照射のデューティ比を設定し、このデューティ比をブランキング手段へのオフ・オン制御信号により制御する。
【００６３】
既述のとおり、描画Ｄｕｔy比は、描画クロック数で規定される。すなわち、各サーボエレメント、グルーブエレメントの描画時間は、図３（Ｇ）の描画クロック信号におけるクロック数で定めている。
【００６４】
図３の(Ｇ)の描画クロック信号は、後述の信号送出装置内で生成される、状況に応じて変化することのない一定のクロック信号（基本クロック信号）に基づき生成される信号である。描画クロック信号は、内周トラック描画時と外周トラック描画時とで回転ステージ３１の回転数が変化しても、１回転（１周）でのクロック数が同一となるように、回転数の変更に応じてクロック幅（クロック長さ）が調整される。つまり、クロック幅は半径ｒに応じて所定トラックごとに、内周トラックで狭く、外周側トラックで広くなるように、変化するものである。
【００６５】
そして、周方向（回転方向Ａ）の寸法的および時間的幅を、描画クロック信号のクロック数で規定し、内周トラックおよび外周トラックで同じ描画クロック数で微細パターンを描画することを基本としている。これにより、内周側と外周側とでの、同一角度（位相）における描画クロック数を同じにして、相似形のパターンを簡易に描画できる。
【００６６】
すなわち、内周トラック描画時と比較すると、外周トラック描画時には、（Ｂ），(Ｃ)，（Ｆ）の各制御信号が、周方向Ｘの長さが所定倍率で長くなるように設定される。また、(Ｄ)の信号は内周側振幅に対し、外周側振幅がサーボエレメントの幅の増大に対応した所定倍率で大きく設定される。そして、周方向Ｘおよび半径方向Ｙの偏向送りの基準速度は、外周側トラックの描画で送りが遅く、内周側トラックの描画で送りが速くなる。一方、基本クロック信号は時間的に同じ間隔で一定に生起し、これに基づき（Ｇ）の描画クロック信号が半径に応じて１周で同じクロック数となるようにクロック幅が調整される。つまり、（Ｂ）〜（Ｆ）の倍率と同様の倍率でクロック幅が大きくなる。そして、上記描画クロック信号の信号数（クロック数）を数えて、各種制御信号のオン・オフタイミング、信号形状を設定する。
【００６７】
上記のように（Ｇ）の描画クロック信号は、クロック幅が外周トラックで広く内周トラックで狭くなり、回転ステージ３１の回転数は前述のように外周トラックで遅く内周トラックで速くなり、両者は同期させて同時に変更する。そして、同じ回転数の時は描画半径位置ｒを若干変更しても、１周のクロック数が同一であるので同じ描画クロック数による制御で同じ位相位置に略同じ形態のエレメントが描画できる。そのとき、電子ビームＥＢに対するレジスト１１の相対移動速度は、半径位置で異なり、外周で若干速くなり、単位面積の露光量が変化する。しかし、描画されたサーボエレメントの信号幅は(Ｄ)の振動信号の振幅に依存するので略同じとなり、回転数および描画クロック信号幅を変更せずに、描画トラック位置の若干の変動はレジストの感度、信号精度等で補償され、実際の記録情報としては問題なく使用できるものであり、１トラック移動ごとに回転数および描画クロック幅を変更する必要はなく、前述のように例えば８トラック描画毎に変更調整する。
【００６８】
そして、既述のとおり補正露光量を達成するためのＤｕｔｙ比に基づく、各エレメントの描画時間（電子ビーム照射オン時間）の調整は、整数個のクロック数を増減により行う。
【００６９】
例えば、各サーボエレメントの描画に割り当てられる基準描画時間をt＝６２クロックとする、このとき周期Ｔs＝１２４クロックである。最大露光補正量よりやや大きい補正量（１３０％）でのＤｕｔｙ比（ｔs／Ｔs＝６２／１２４）を５０％と設定しておく。描画半径３１ｍｍでは補正量が１２１％であり、Ｄｕｔｙ比は４７％であるから、１２４×０．４７＝５８．２８であるが、制御の容易化のために整数個のクロック数で増減させるため、描画時間は５８クロックとすればよい。
【００７０】
また、各グルーブエレメントの描画に割り当てられる基準描画時間をｔｇ、周期をＴｇとしてＤｕｔｙ比(ｔg／Ｔg）は、描画半径３１ｍｍで補正量が１１３％であるから、Ｄｕｔｙ比４４％程度となるように描画クロック数を設定する。ｔgのクロック数はサーボエレメントと同一であっても異なっていてもよい。なお、本実施形態においてはグルーブエレメントとサーボエレメントの描画クロック数は異なっている。
【００７１】
なお、それぞれ周期Ｔｇ、Ｔｓは、基準描画時間のクロック数の２倍としている。すなわち、ここで、電子ビームの照射のデューティ比とは、基準描画時間の２倍に対するエレメント描画時のオン時間の比である。
【００７２】
図３においては、最大補正露光を要する描画開始半径付近での描画におけるタイミングチャートを示している。グルーブエレメントＧｎを描画する際のＥＢ照射オン／オフのＤｕｔｙ比はｔg／Ｔgであり、サーボエレメントＳｎを描画する際のＥＢ照射オン／オフのＤｕｔｙ比はｔs／Ｔsである。最小補正の描画終了半径付近での描画におけるグルーブエレメントＧｎの照射時間ｔg0、サーボエレメントＳｎの照射時間ｔs0は、それぞれＤｕｔｙ比ｔgo／Ｔg、ｔs0／Ｔsが３９％程度となるように調整されている。
【００７３】
なお、照射オン時間を変化させるのに伴い、半径方向（Ｙ方向）および周方向（Ｘ方向）への偏向速度はいずれも照射オン時間内に所定の偏向量偏向できるように設定する必要がある。
【００７４】
以上により、描画後経過ＰＥＤ時間に応じて、描画開始半径から終了半径にかけて、描画オン時間を段階的に減らし、ＰＥＤによる線幅変動を露光量調整により補正することができ、設計通りの線幅を得ることができる。
なお、「背景技術」において挙げた特許文献２、３では、線速度あるいは照射電流量を半径位置に応じて変更することにより半径位置毎の露光量を補正しているが、これらの従来技術では同一半径における異なるパターン毎で露光量を変化させることはできない。一方、上述のように、Ｄｕｔｙ比を変化させる方法であれば、容易に同一半径においてパターン毎に補正露光量を変化させることができる。
【００７５】
上記のような本発明の電子ビーム描画方法を実施するための本発明の電子ビーム描画システムの実施形態について図９を参照して説明する。図９に示す本実施形態の電子ビーム描画システム１００は、電子ビーム描画装置４０および信号送出装置５０を備え、電子ビーム描画装置４０は、基板１０に対して電子ビームを照射する電子ビーム照射部２０と、基板１０を回転および直線移動させる機械駆動部３０とを備えている。
【００７６】
電子ビーム照射部２０は、鏡筒１８内に電子ビームＥＢを出射する電子銃２１、電子ビームＥＢを半径方向Ｙおよび円周方向Ｘへ偏向させるとともに円周方向Ｘに一定の振幅で微小往復振動させる偏向手段２２，２３、電子ビームＥＢの照射をオン・オフするためのブランキング手段２４としてアパーチャ２５およびブランキング２６（偏向器）を備えており、電子銃２１から出射された電子ビームＥＢは偏向手段２２、２３および図示しない電磁レンズ等を経て、レジスト１１が塗布された基板１０上に照射される。
【００７７】
ブランキング手段２４における上記アパーチャ２５は、中心部に電子ビームＥＢが通過する透孔を備え、ブランキング２６はＥＢ照射のオン・オフ信号の入力に伴って、オン信号時には電子ビームＥＢを偏向させることなくアパーチャ２５の透孔を通過させて照射させ、一方、オフ信号時には電子ビームＥＢを偏向させてアパーチャ２５の透孔を通過させることなくアパーチャ２５で遮断して、電子ビームＥＢの照射を行わないように作動する。すなわち、ブランキング手段２４のオフ／オン比が電子ビームＥＢ照射のオン／オフ比に相当するものとなる。
【００７８】
機械駆動部３０は、鏡筒１８が上面に配置された筐体１９内に原盤を支持する回転ステージ３１および該ステージ３１の中心軸と一致するように設けられたモータ軸を有するスピンドルモータ３２と備えた回転ステージユニット３３と、回転ステージユニット３３を回転ステージ３１の一半径方向に直線移動させるための直線移動手段３４とを備えている。直線移動手段３４は、回転ステージユニット３３の一部に螺合された精密なネジきりが施されたロッド３５と、このロッド３５を正逆回転駆動させるパルスモータ３６とを備えている。また、ステージユニット３３には、回転ステージ３１の回転角に応じたエンコーダ信号を出力する図示しないエンコーダが設置されている。エンコーダは、スピンドルモータ３２のモータ軸に取り付けられる、多数の放射状のスリットが形成された回転板と、そのスリットを光学的に読み取る光学素子とを備え、エンコーダスリットの読み取りによって所定回転位相で等間隔に生じるエンコーダ信号を信号送出装置５０に送出する。
【００７９】
上記スピンドルモータ３２の駆動すなわち回転ステージ３１の回転速度、パルスモータ３６の駆動すなわち直線移動手段３４による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２２、２３の制御、ブランキング手段２４のブランキング２６のオン・オフ制御等は信号送出装置５０から送出される制御信号に基づいて行われる。
【００８０】
信号送出装置５０は、所望のディスク媒体用の微細パターン（設計パターン）に基づく描画データを記憶し、電子ビーム描画装置４０に描画データ信号に基づく各種制御信号を送出するものである。
【００８１】
信号送出装置５０は、描画データを蓄積する描画データ蓄積部５２と、描画タイミングを計るための描画クロックを生成する描画クロック生成部５１と、描画データに基づく各種制御信号を生成し、描画データ信号として電子ビーム描画装置４０に送出する信号送出部５３とを備えている。信号送出装置５０は所謂フォーマッタにより構成することができる。
【００８２】
描画すべきパターンに関する設計パターンに基づく描画データは、電子ビーム描画を開始する前に、予め図示しない外部の設計データ処理装置から信号送出装置５０に送られ、描画データ蓄積部５２に蓄積される。
【００８３】
描画クロック生成部５１は、不変の基準クロックを発生する基準クロック発生部を内包し、この基準クロックおよび電子ビーム描画装置４０からのエンコーダ信号や半径位置信号に基づいて、各半径位置に応じたクロック幅の描画クロック信号を生成するものである。
【００８４】
本電子ビーム描画システム１００においては、信号送出装置５０が、ブランキングのオン・オフ制御、電子ビームＥＢのＸ−Ｙ偏向制御、回転ステージ３１の回転速度制御等の制御信号からなる描画データ信号を、各アンプおよびドライバに振り分けるものであり、それぞれのデータ信号はエンコーダ３７から入力されたエンコーダパルスと描画クロックに基づいて所定のタイミングで送出される。
【００８５】
そして、電子ビーム描画装置４０において、スピンドルモータ３２の駆動すなわち回転ステージ３１の回転速度、パルスモータ３６の駆動すなわち直線移動手段３４による直線移動、電子ビームＥＢの変調、偏向手段２２および２３の制御、ブランキング手段２４のブランキング２６のオン・オフ制御（すなわち電子ビーム照射のオフ・オン制御）等は信号送出装置５０から送出された描画データ信号に基づいて行われる。
【００８６】
この描画データ信号は、サーボパターンとグルーブパターンという異なる複数のパターンを含む磁気ディスク用微細パターンを描画するためのデータであり、既述の本発明の電子ビーム描画方法におけるＰＥＤによる寸法変動を補償する補正露光量が盛り込まれた、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、レジストの露光量が調整された制御信号である。
【００８７】
＜凹凸パターン担持体の製造方法および磁気ディスク媒体の製造方法＞
次に、上記のような電子ビーム描画システム１００により、前述の電子ビーム描画方法によって微細パターンを描画する工程を経て製造する凹凸パターン担持体の製造方法およびその凹凸パターン担持体を用いた磁気ディスク媒体の製造方法を説明する。図１０は、凹凸パターン担持体の一形態であるインプリントモールドを用いて微細凹凸パターンを転写形成している過程を示す概略断面図である。
【００８８】
インプリントモールド７０は、透光性材料による基板７１の表面にレジスト１１が塗布され、磁気ディスク用の微細パターンが描画される。その後、現像処理して、レジストによる凹凸パターンを基板７１に形成する。このパターン状のレジストをマスクとして基板７１をエッチングし、その後レジストを除去し、表面に形成された微細凹凸パターン７２を備えるインプリントモールド７０を得る。一例としては、上記微細凹凸パターン７２は、ディスクリートトラックメディア用のサーボパターンとグルーブパターンとを備えたものである。
【００８９】
このインプリントモールド７０を用いて、インプリント法によって磁気ディスク媒体８０を作製する。磁気ディスク媒体８０は、基板８１上に磁性層８２を備え、その上にマスク層を形成するためのレジスト樹脂層８３が被覆されている。そして、このレジスト樹脂層８３に、前記インプリントモールド７０の微細凹凸パターン７２が押し当てられて、紫外線照射によって上記レジスト樹脂層８３を硬化させ、微細凹凸パターン７２の凹凸形状を転写形成してなる。その後、レジスト樹脂層８３の凹凸形状に基づき磁性層８２をエッチングし、磁性層８２による微細凹凸パターンが形成されたディスクリートトラックメディア用の磁気ディスク媒体８０を作製するものである。
【実施例】
【００９０】
本発明の実施例および比較例について説明する。実施例として、上述の実施形態の電子ビーム描画方法で説明した具体例に沿って求めたＰＥＤに対するレジストの感度劣化を補償する補正条件に基づく描画データ信号によりパターン描画を行った。また、比較例として、ＰＥＤに対するレジストの感度劣化を補償する補正を含まない描画データ信号によりパターン描画を行った。
【００９１】
（評価条件）
実施例、比較例についてパターン描画後ＰＢＤおよび現像を行ったものについて、測長ＳＥＭを用いて線幅の自動測定を行った。
検査領域長は１μｍ（ラインアンドスペースの縦方向長さ）とし、検査領域長内での検出エッジ点間隔を２．５ｎｍとして、線幅の算出を行った。なお、計１００本のスペース線幅の幅を測定し、平均値を算出した。
【００９２】
図１１はＳｒ部の、各描画半径における設計値、実施例（補正あり）、比較例（補正なし）の線幅（１Ｔ）を示すグラフであり、図１２はＧｒ部の、各描画半径における設計値、実施例（補正あり）、比較例（補正なし）の線幅（グルーブ幅）を示すグラフである。図１１および図１２は、既述の評価条件に基づいて線幅を測定して得られたものである。
【００９３】
また、図１３、図１４は現像後のレジストパターンのＳＥＭ画像である。
図１３は、サーボ部のプリアンブルパターンの描画半径３１ｍｍ近傍におけるレジストパターンであり、（ａ）実施例、（ｂ）比較例である。
図１３において、灰色部分がサーボパターンとして露光した露光部（スペース部）であり、黒い部分が未露光部（ライン部）である。図１３（ａ）に示す比較例においては、２Ｔ幅のスペース部の中央に白い残渣１０１が残っているが、図１３（ｂ）に示す実施例においては、２Ｔ幅のスペース部分にも残渣なく、良好なパターン形成がなされていることが分かる。２Ｔ幅の部分は１Ｔ幅のエレメント毎に描画を行うが、このとき、露光量補正がなされず不十分になると、図１３（ａ）に示すように、エレメント間に露光量不足の部分が生じこれが残渣となって現像後に残ると考えられる。図１１に示すように、ＰＥＤ経過時間が長くなる外周部において補正を行わない場合、サーボ部で線幅（周方向の幅）の細りが生じていることが分かる。本発明の露光補正を行うことにより、外周部においてもほぼ設計値通りの線幅のスペースが得られた。
【００９４】
図１４は、グルーブ部の描画半径３１ｍｍ近傍におけるレジストパターンであり、（ａ）実施例、（ｂ）比較例である。
図１４において、黒い部分がグルーブパターンとして露光した露光部（スペース部）であり、灰色の部分が未露光部（ライン部）である。図１４（ａ）に示す比較例においては、ライン間を繋ぐブリッジ１０２が形成されており、この部分で露光量不足（感度低下）が生じていると考えられる。一方、図１４（ｂ）に示す実施例においては、ブリッジは形成されておらず、ラインとスペースの幅がほぼ１：１に形成されていることが分かる。図１２示すように、ＰＥＤ経過時間が長くなる外周部において補正を行わない場合、グルーブ部の線幅（半径方向の幅）の細りが非常に顕著であることが分かる。本発明の露光補正を行うことにより、外周部においても補正なしの場合と比較して設計値に非常に近い線幅のスペースが得られた。
【符号の説明】
【００９５】
１０ 基板
１１ レジスト
１２ サーボ領域
１５ データ領域
２０ 電子ビーム照射部
２２，２３ 偏向手段
２４ ブランキング手段
２５ アパーチャ
２６ ブランキング
３０ 機械駆動部
３１ 回転ステージ
３４ 直線移動手段
４０ 電子ビーム描画装置
５０ 信号送出装置
７０ インプリントモールド
８０ 磁気ディスク媒体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上に電子ビームを照射すると共に、１回転の描画後に前記電子ビームの描画半径位置を移動させることを繰り返してディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記微細パターンは、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含むものであり、
前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する際に、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、前記パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項２】
前記パターン毎の前記露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データから、前記パターン毎の前記露光後経過時間に対して補正すべき露光量を算出し、
前記描画半径と前記露光後経過時間との関係から、前記パターン毎に各描画半径毎の補正露光量を求めて前記電子ビーム照射のデューティ比を設定することを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画方法。
【請求項３】
前記サーボパターンを、１トラック幅、１ビット長のサーボエレメント毎に前記電子ビームを周方向もしくは半径方向に高速振動させると共に、高速振動の方向に直交する方向に偏向して形状を塗りつぶすように走査して描画し、
前記グルーブパターンを、周方向に複数のグルーブエレメントに分割し、該グルーブエレメント毎に前記電子ビームを周方向の前記回転ステージの回転の向きと逆向きに偏向走査して描画することを特徴とする請求項１または２記載の電子ビーム描画方法。
【請求項４】
回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、
レジストが塗布され前記回転ステージ上に載置された基板に描画するディスク状記録媒体用の、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含む微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、
前記描画データ信号が、前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオフ・オン信号により制御する制御信号を含むものであり、
前記信号送出装置が、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、該パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整する制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであることを特徴とする電子ビーム描画システム。
【請求項５】
請求項１から３いずれか１項記載の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする凹凸パターン担持体の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【請求項１】
レジストが塗布され回転ステージ上に載置された基板を前記回転ステージを回転させることにより回転させつつ、該基板上に電子ビームを照射すると共に、１回転の描画後に前記電子ビームの描画半径位置を移動させることを繰り返してディスク状記録媒体用の微細パターンを描画する電子ビーム描画方法であって、
前記微細パターンは、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含むものであり、
前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオン・オフ信号により制御する際に、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、前記パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整することを特徴とする電子ビーム描画方法。
【請求項２】
前記パターン毎の前記露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データから、前記パターン毎の前記露光後経過時間に対して補正すべき露光量を算出し、
前記描画半径と前記露光後経過時間との関係から、前記パターン毎に各描画半径毎の補正露光量を求めて前記電子ビーム照射のデューティ比を設定することを特徴とする請求項１記載の電子ビーム描画方法。
【請求項３】
前記サーボパターンを、１トラック幅、１ビット長のサーボエレメント毎に前記電子ビームを周方向もしくは半径方向に高速振動させると共に、高速振動の方向に直交する方向に偏向して形状を塗りつぶすように走査して描画し、
前記グルーブパターンを、周方向に複数のグルーブエレメントに分割し、該グルーブエレメント毎に前記電子ビームを周方向の前記回転ステージの回転の向きと逆向きに偏向走査して描画することを特徴とする請求項１または２記載の電子ビーム描画方法。
【請求項４】
回転ステージと、前記基板上に電子ビームを走査する電子ビーム照射部とを備えた電子ビーム描画装置と、
レジストが塗布され前記回転ステージ上に載置された基板に描画するディスク状記録媒体用の、サーボパターンと、隣接トラック間を分離するトラック方向に延びるグルーブパターンとを含む微細パターンに応じた描画データ信号を、前記電子ビーム描画装置に送出する信号送出装置とを備え、
前記描画データ信号が、前記電子ビームの照射のタイミングを、該電子ビームを遮断するブランキング手段に対するオフ・オン信号により制御する制御信号を含むものであり、
前記信号送出装置が、前記パターン毎の露光後経過時間に対する前記レジストの感度変動データに基づいて、該パターン毎に、前記描画半径毎の前記オン・オフ信号による前記電子ビームの照射のデューティ比を変化させて、前記レジストの露光量を調整する制御信号を前記電子ビーム描画装置に送出するものであることを特徴とする電子ビーム描画システム。
【請求項５】
請求項１から３いずれか１項記載の電子ビーム描画方法により、ディスク状記録媒体用の微細パターンをレジストが塗布された基板に描画し、該微細パターンが描画された基板を用いて、前記微細パターンに応じた凹凸パターンを形成する工程を含むことを特徴とする凹凸パターン担持体の製造方法。
【請求項６】
請求項５記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としてのインプリントモールドを用い、該モールドの表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた凹凸パターンを転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【請求項７】
請求項５記載の製造方法により製造された凹凸パターン担持体としての磁気転写用マスター担体を用い、該マスター担体の表面に設けられた前記凹凸パターンに応じた磁化パターンを磁気転写する工程を含むことを特徴とするディスク状記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−２１６２６０（Ｐ２０１２−２１６２６０Ａ）
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−８０１８１（Ｐ２０１１−８０１８１）
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１１月８日（２０１２．１１．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年３月３１日（２０１１．３．３１）
【出願人】（３０６０３７３１１）富士フイルム株式会社 (25,513)
【Ｆターム（参考）】
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