【課題】マルチビーム配列が完全正方行列でなく、一定の走査速度で各ビームのＯＮ／ＯＦＦ信号を独立のタイミングで制御する必要があり、制御データ量が膨大であった。走査方向と非走査方向でパターンのエッジのシャープネスが異なり、高精度なパターン描画が困難であった。
【解決手段】電子銃１からの電子ビームをビームサイズの整数倍の間隔の２次元平面内の正方格子行列ビーム群を形成する。描画すべきデバイスのメッシュの個別ブランカ１３をビットマップ信号によりＯＮ／ＯＦＦし、所望のビームを得る。また、偏向装置１７，１８によりビームを必要位置に偏向し、ビーム状態が静定した後、全体ブランカ１６を開としてビーム照射することにより、高精度かつ高速の描画パターンを得る。 （もっと読む）

【目的】マルチビーム形成アパーチャによって散乱した荷電粒子によるブランキング偏向器アレイへの帯電とコンタミ成長を抑制する装置を提供することを目的とする。
【構成】描画装置１００は、荷電粒子ビームを放出する電子銃２０１と、マルチビームを形成するマルチビーム形成アパーチャ部材２０３と、マルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行う複数のブランカーが配置されたブランキングプレート２０４と、マルチビーム形成アパーチャ部材２０３とブランキングプレート２０４との間に配置された、電磁レンズ２１２，２１４と、電磁レンズ２１２，２１４の間であってマルチビームの集束点位置に配置され、集束点から外れた荷電粒子の通過を制限する制限アパーチャ部材２１６と、複数のブランカーによってビームｏｆｆの状態になるように偏向された各ビームを遮蔽する制限アパーチャ部材２０６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器アレイにより生じる磁場の影響の軽減に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】この描画装置は、複数の荷電粒子線で基板に描画を行う装置であり、複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングする複数のブランキング偏向器を含むブランキング偏向器アレイと、描画データに基づいてブランキング偏向器アレイを制御する制御部とを有する。この制御部は、描画データにしたがって制御した場合にブランキング偏向器アレイが生成する磁場による複数の荷電粒子線の基板上での位置誤差が低減するように、ブランキング偏向器アレイを制御する。 （もっと読む）

【課題】マルチビーム方式の描画装置で、異常な荷電粒子線が存在しても描画に有利な技術を提供する。
【解決手段】描画装置は、荷電粒子光学系と制限部と制御部とを備える。荷電粒子光学系は、第１方向に沿って第１ピッチで配置されたｎ以上のＮ本の荷電粒子線を含む行が、第１方向に直交する第２方向に沿って第２ピッチでｍ以上のＭ行存在し、Ｍ行のうち１番目からｍ番目の行は、各行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置が第１ピッチの（１／ｍ）ずつずれ、かつ、（ｍ＋ｉ）番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置がｉ番目の行の先頭の荷電粒子線の第１方向における位置と同じに配列された（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線を生成する。制御部は、（Ｍ×Ｎ）本の荷電粒子線の中に異常線が存在する場合、該異常線を含まず連続するｎ本の荷電粒子線を含む行が、ｍの約数分の行だけ第２方向に沿って連続して使用できるように、制限部を制御する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線描画装置におけるスループットの向上に有利な技術を提供する。
【解決手段】生成部から送信される描画データを第１記憶部１２１及び前記第２記憶部１２２のうち選択された一方に記憶させる動作と、前記第１記憶部及び前記第２記憶部のうち他方に記憶された描画データを読み出して前記第３記憶部１２３に記憶させる動作とが並行して行われるように、前記第１記憶部、前記第２記憶部及び前記第３記憶部の動作を制御する第２制御部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ディスク状磁気記録メディア用の微細パターンを回転ステージを回転させつつ電子ビーム走査により描画する際の周方向描画位置の精度を向上させる。
【解決手段】各半径位置の周方向の所定領域毎に、その所定領域が電子ビーム照射位置に位置する前に生じる所定のエンコーダパルスE_nから所定時間Δt_nの経過後(t_n+Δt_n)に、その所定領域の描画データ信号群に基づくパターン描画を開始することを原則とし、回転速度ムラに起因してある所定領域についての描画開始の基準となるエンコーダパルスE_nから所定時間Δt_nが経過する前に、その所定時間Δt_nの経過後に生じるべきエンコーダパルスE_n+1が生じた場合には、その発生時刻t'_n+1にその領域のパターン描画を開始する。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、ＸＹステージ１０５と、電子銃２０１と、複数の穴を有し、電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、各ビームの試料上のそれぞれの照射位置に、各ビームをまとめて偏向する偏向器２０８と、互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士を試料上において所定の制御グリッド間隔で描画処理を進めるように制御する描画処理制御部１８と、描画されるビーム同士の間隔が前記制御グリッド間隔からずれる場合に、ずれ量に応じて、ずれに関与するビームの照射量を可変に制御する照射量制御部１６と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】光学系の歪み等によるマルチビームの照射位置のずれによるパターン形状或いは寸法の変動を抑制する描画装置を提供する。
【構成】描画装置１００は、複数の穴を有し、複数の穴を電子ビームの一部がそれぞれ通過することにより、マルチビームを形成するアパーチャ部材２０３と、アパーチャ部材の複数の開口部を通過したマルチビームのうち、それぞれ対応するビームのブランキング偏向を行うブランキングプレート２０４と、複数の穴のうち互いに異なる穴を通過した複数のビーム同士が試料上で並ぶように描画処理を制御する描画処理制御部１８と、試料上で並ぶ各ビームのショット間隔が場所によって異なる場合に、最大ショット間隔が所定の量子化寸法で或いは所定の量子化寸法から所定の範囲内で規定された制御グリッド間隔以下になるように、ショット間隔を調整するショット間隔調整部１９と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向部を制御するための制御信号のデータレートを低減し、優れた描画精度を維持する。
【解決手段】複数の荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する描画装置であって、前記複数の荷電粒子線のそれぞれを偏向する複数の偏向器を含み、前記複数の偏向器のそれぞれの駆動によって荷電粒子線の照射又は非照射を行うブランキング偏向部と、前記ブランキング偏向部を制御するための制御信号を前記ブランキング偏向部に送信するブランキング制御部と、を有し、前記ブランキング偏向部は、描画パターンを表すパターンデータを記憶する記憶部と、前記描画パターンの描画位置を指定する位置情報を取得し、前記取得した位置情報で指定された描画位置に前記描画パターンを描画するためのブランキング信号を前記記憶部に記憶された前記パターンデータから生成する生成部と、前記ブランキング信号に応じて前記複数の偏向器を駆動する駆動部と、を含む。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線を照射する対象物からの飛散物や蒸発物等がレンズの重要な部分に付着するのを抑制でき、レンズと対象物との間隔を狭くすることが可能な静電型レンズ用の電極等を提供する。
【解決手段】静電型の荷電粒子線レンズに用いる電極１は、少なくとも１つの貫通孔４を有する。貫通孔４は、第一の開口輪郭を有する第一の領域αと、第一の領域αに対して荷電粒子線の上流側に位置させられるべき第二の開口輪郭を有する第二の領域βを有する。光軸３の方向から見て第一の開口輪郭は第二の開口輪郭内に含まれる。 （もっと読む）

【課題】 真空室内のデバイスに高速かつ大量に信号を伝送するにあたり、該デバイスへの熱の流入の少なさの点で有利な技術を提供する。
【解決手段】 複数の荷電粒子線で基板に描画を行う描画装置は、減圧室に配置され、前記複数の荷電粒子線をそれぞれブランキングするブランキング偏向器と、前記減圧室より気圧の高い外部室に配置され、前記ブランキング偏向器を制御するためのデバイスと、第１基板と、を備える。前記第１基板は、前記減圧室と前記外部室とを仕切る隔壁を構成し、かつ、該隔壁となる領域に形成された貫通孔に充填された電極を含む。前記デバイスは、前記電極を介して前記ブランキング偏向器と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 複数の荷電粒子線の間の不均一性の補償に有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 照射系（１４０）と、アパーチャアレイ（１１７）と、複数のクロスオーバーを形成するレンズアレイ（１１９）と、複数の開口を備えた素子（１２２）と複数の投影ユニットとを含む投影系（１７０）と、を有する。レンズアレイ（１１９）は、上記複数のクロスオーバーのそれぞれの位置が上記素子における対応する開口に整合するように、該開口に対して偏心している集束レンズを含む補正レンズアレイ（１６２）と、上記複数のクロスオーバーを形成するように、補正レンズアレイにより形成された複数のクロスオーバーをそれぞれ拡大して結像する拡大レンズアレイ（１６３）と、を含む。 （もっと読む）

【課題】露光装置の大型化を抑制し、荷電粒子線を用いてマスクレス露光方式で効率的にターゲットを露光する。
【解決手段】電子ビーム露光装置ＥＸは、電子ビームＥＢが照射される複数のアパーチャ１５が形成されたＢＡＡ部材１４と、電子ビームＥＢのオン／オフを制御する変調部１３と、アパーチャ１５に対応する配置の複数のアパーチャ２５がそれぞれ形成された複数のサブ・フィールド２３Ａ，２４Ａ等を有する固定アパーチャ部材２２と、変調部１３でオンにされた電子ビームを、一つのサブ・フィールドに偏向する主偏向系２０と、選択されたサブ・フィールドの像に対してウエハＷをＹ方向に移動するウエハステージＷＳＴと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射系を備えるも、複数の荷電粒子線の間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 発散する荷電粒子線を分割する第１アパーチャアレイと、第１アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線から第１の複数のクロスオーバーを形成する集束レンズアレイと、第１の複数のクロスオーバーが形成される主平面を有するコリメータレンズと、コリメータレンズから射出した複数の荷電粒子線の角度を補正し、かつ、第２の複数のクロスオーバーを形成する補正系と、第２の複数のクロスオーバーに対応する複数の開口を有する素子と、を有し、該主平面における第１の複数のクロスオーバーの配列を該複数の開口の配列に対して異ならせることにより、該素子上において第２の複数のクロスオーバーが該複数の開口に整合するように、第１アパーチャアレイ及び集束レンズアレイは、開口が配置されている、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】 リソグラフィシステムを提供することである。
【解決手段】 パターンをターゲットの表面に転写するマスクレスリソグラフィシステムであって、複数の小ビームを発生するための少なくとも１つのビーム発生装置と、小ビームの大きさを変調するための複数のモジュレータを備えた変調手段と、モジュレータの各々を制御する制御ユニットとを備え、制御ユニットは、それぞれの小ビームの大きさを制御するために、パターンデータを発生し、前記モジュレータにパターンデータを伝送し、この制御ユニットがパターンデータを記憶するための少なくとも１つのデータ記憶装置と、データ記憶装置からパターンデータを読み取るための少なくとも１つの読み取りユニットと、データ記憶装置から読み取られたパターンデータを少なくとも１つの被変調光ビームに変換するための少なくとも１つのデータ変換装置と、少なくとも１つの被変調光ビームを前記変調手段に伝送するための少なくとも１つの光伝送装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＢまでの時間の遅れによる寸法変動を補正し描画された微細パターンに応じたレジストパターンを得ることができるように電子ビーム描画を行う。
【解決手段】サーボパターンと、グルーブパターンとを含む微細パターンを描画する電子ビーム描画方法において、電子ビームEBの照射のタイミングを、電子ビームEBを遮断するブランキング手段26に対するオン・オフ信号により制御する際に、それぞれのパターン毎の露光後経過時間に対するレジスト11の感度変動データに基づいて、パターン毎に、描画半径毎のオン・オフ信号による電子ビームEBの照射のデューティ比を変化させて、レジスト11の露光量を調整する。 （もっと読む）

【課題】 照射角度の不均一な照射光学系を備えるも、複数の荷電粒子線間の特性の均一性の点で有利な描画装置を提供すること。
【解決手段】 コリメータレンズを含む照射光学系（１４０）と、照射光学系から射出した荷電粒子線を複数の荷電粒子線に分割するアパーチャアレイ（１１７）と、アパーチャアレイから射出した複数の荷電粒子線からそれぞれ複数のクロスオーバを形成する集束レンズアレイ（１１９）と、複数のクロスオーバに対応する複数の開口を備えた素子（１２２）と荷電粒子線を基板上に投影する複数の投影ユニットとを含む投影系（１６０）と、を有し、照射光学系の収差に依る入射角でアパーチャアレイに入射して集束レンズアレイにより形成される複数のクロスオーバのそれぞれの位置が前記素子における対応する開口に整合するように、集束レンズアレイは、前記素子における対応する開口に対して偏心している集束レンズを含む、描画装置とする。 （もっと読む）

【課題】ブランキング偏向器と位置制御偏向器との動作タイミングを高速、かつ高精度に調整し、描画スループットの向上に有利となる荷電粒子線描画装置を提供する。
【解決手段】荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線を用いて基板にパターンを描画する。荷電粒子線描画装置１は、荷電粒子線の照射に応じた電荷量を検出する検出部１７と、荷電粒子線の照射方向に沿って配置され、荷電粒子線を偏向可能な第１および第２の偏向器１３、１５と、第１および第２の偏向器１３、１５を御する制御部６とを備える。制御部６は、荷電粒子線の検出部１７への照射と非照射とを切り替えるための信号を所定のタイミングで第１および第２の偏向器１３、１５に送信し、該信号に応じた検出部１７の出力に基づいて、第１および第２の偏向器１３、１５の動作タイミングを調整する。 （もっと読む）

【課題】偏向器の電極対の温度上昇を抑制し、かつ、スループットの向上に有利な偏向器アレイを提供する。
【解決手段】偏向器アレイ１３は、荷電粒子線３０を偏向する偏向器３１を複数備える。ここで、偏向器３１を構成する、荷電粒子線３０が通過する開口部３２に対して設置される電極対３３、および該電極対３３に電圧を印加する制御回路３４は、第１層４０および第２層４１の少なくとも２つの層からなる積層構造体に形成され、層の少なくとも１つ（第１層４０）は、電極対３３と制御回路３４との間に、断熱部４２を有する。 （もっと読む）

【課題】例えば、偏向器に与えられる電位の安定化に有利な描画装置を提供する。
【解決手段】描画装置は、偏向器を有し、該偏向器で偏向された荷電粒子線で基板に描画を行う。ここで、偏向器１９は、荷電粒子線を偏向する電界を生成する電極対を構成し、かつ、線を介して電位を与えられる電極ｄ（ｄ１〜ｄ４）と、電極ｄに一端が接続され、かつ、他端が接地されたコンデンサ５０とを含む。 （もっと読む）