基板上のギャップを酸化シリコンで充填する方法を記載する。前記方法には、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップと、前駆物質を反応させて、基板上のギャップ内に第一酸化シリコン層を形成するステップと、該第一酸化シリコン層をエッチングして層内の炭素含量を減少させるステップと、が含まれるのがよい。前記方法には、第一層上に第二酸化シリコン層を形成するステップと；第二層をエッチングして第二層内の炭素含量を減少させるステップとが含まれるのがよい。ギャップを充填した後に酸化シリコン層をアニールする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流の発生が抑制されると共に、ガラス基板が使用できる温度で素子分離をおこない微細な素子を形成できる方法を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に下地膜を形成する第１工程と、下地膜上に半導体膜を形成する第２工程と、半導体膜上に該半導体膜の酸化又は窒化を防止する膜を所定のパターンに形成する第３工程と、ガラス基板の温度を該ガラス基板の歪点より１００℃以上低い温度とし、半導体膜の所定のパターンに覆われていない領域をラジカル酸化又はラジカル窒化して素子分離をおこなう第４工程とを有し、ラジカル酸化又はラジカル窒化は、プラズマ生成領域と離間して配置された半導体膜上において、電子温度が０．５ｅＶ以上１．５ｅＶ以下好ましくは１．０ｅＶ以下、電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上１×１０^１３ｃｍ^−３以下であるプラズマ処理室でおこなわれる。 （もっと読む）

【課題】選択的に塗布膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上の一部に撥水性樹脂からなる第１の塗布膜６０を選択的に形成し、半導体基板１０の上に塗布剤を塗布して、第１の塗布膜６０が選択的に形成された領域を除いた半導体基板１０上に第２の塗布膜６２を選択的に形成することを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＲＦバイアスを増大させること無く、かつ経済的・実用的な方法により、ボイドの無い絶縁膜（酸化膜）を所定の凹部に形成することができる酸化膜の埋め込み構造等を提供することを目的とする。
【解決手段】第一の発明によると、酸化膜埋め込み構造は、凹部（溝４）を有する下地（シリコン基板１）と、当該凹部に形成される酸化膜（シリコン酸化膜６）とを、備えている。ここで、当該酸化膜は、少なくとも一部にシリコンリッチのシリコン酸化膜領域を含んでいる。 （もっと読む）

本発明は、応用可能な品質の低誘電率(低k)隠微結晶層を最新技術の半導体ウエハー上に生成させるための、そして組織化されたナノ構造物を隠微結晶から生成させるための方法を提供し、これらの物質から得ることができる光学的・電子的なデバイスに関する。本明細書に開示されている結果は、化学気相堆積法(CVP)を使用して単結晶マトリックスの構造と化学組成を改良することで、均一であって且つ半導体ウエハーとの平滑なインターフェースを形成する高品質の隠微結晶層が得られる、ということを示している。この方法を使用すると、誘電性の隠微結晶層を形成するために、1μm/時という高い成長速度を達成することができる。本発明はさらに、隠微結晶を組織化されたシステムに変換することによってマイクロワイヤおよびナノワイヤを製造する方法を提供する。この方法を使用すると、数ナノメートル〜最大で1000ナノメートルの範囲の寸法と、最大で50マイクロメートルの長さを有するナノワイヤを製造することができる。隠微結晶、ナノワイヤ、および組織化された構造物は、次世代のインターコネクションにおけるインターレベル誘電体およびインターメタル誘電体として、超高密度のメモリセルを製造する際において、情報セキュリティにおけるキージェネレータとして、光通信部品を製造する際において、そしてマイクロエレクトロニクスとナノエレクトロニクスの高度な実装とセンサーにおける冷却チャンネルの作製において使用することができる。
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【課題】酸化パターンのより良い精度及び酸化層のより良い境界をもたらす製造方法を提供する。
【解決手段】第１、第２及び第３の半導体層を形成し、ここで、第１及び第３の層は第２の層に比べて酸化種の濃度が低く、
第３の層の上にマスクを形成し、
第３の層を通って酸化種を拡散させて第２の層を酸化する、
ステップを備える半導体デバイスの製造方法。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、表面に欠陥が少なく安定性の高い絶縁層を有するとともに、結晶性に優れたシリコンナノ結晶粒を形成することができ、しかも結晶の粒径制御性、充填密度に優れ、かつドライプロセスのみで生産性よく形成可能なシリコンナノ結晶構造体の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板を所定の温度に加熱して、シリコン元素を含む原料ガスの熱分解反応により粒径１０ｎｍ以下のシリコンナノ結晶粒を成長させる第一の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の表面を酸化又は窒化する第二の工程と、前記シリコンナノ結晶粒の成長温度よりも高温で熱処理する第三の工程とを所定の厚さの薄膜となるまで繰り返し行うことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、例えば炭化珪素（ＳｉＣ）等の電気絶縁性半導体基板のための酸化マグネシウムベース（ＭｇＯ）無機コーティング、及びそのような絶縁性コーティングを製造する方法に関する。本発明の方法は、水との加水分解／縮合反応によってオキシ水酸化マグネシウムのホモポリマー層を形成することが可能な、少なくとも一つの加水分解性有機マグネシウム化合物及び／又は少なくとも一つの加水分解性マグネシウム塩の処理溶液を調製する段階と；酸化マグネシウムベースの層を形成するために、加水分解性有機マグネシウム化合物又は加水分解性マグネシウム塩の処理溶液を表面上部に堆積する段階と；前記形成された層を１０００℃以下の温度で高密度化する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 III族窒化物半導体層を用いた半導体装置において、熱的安定性に優れ、且つリーク電流が少ない高抵抗領域を容易に形成する。
【解決手段】 III族窒化物半導体層における素子形成領域を分離させる絶縁酸化膜を形成する半導体装置の製造方法は、III族窒化物半導体層よりなる堆積層１１における素子形成領域を区画するように、堆積層１１にIII族窒化物半導体層の改質領域１３を形成する工程と、改質領域１３を酸化することにより、酸化領域１４を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ（溝部）の肩部のコーナ部のみならず底部のコーナ部も共に丸めて曲面形状にしてファセットの発生を防止するようにした被処理体の酸化方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に、表面に溝部４が形成された被処理体Ｗを収容し、前記処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して前記両ガスを反応させることによって発生した酸素活性種と水酸基活性種とを有する雰囲気中で前記被処理体の表面を酸化するようにした被処理体の酸化方法において、前記酸化時の処理容器内の温度を９００℃以下になるように設定する。これにより、トレンチ（溝部）の肩部のコーナ部のみならず、底部のコーナ部も共に丸めて曲面形状にしてファセットの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】面発光型レーザのメサに成形した部分のＡｌＡｓ層を周囲から酸化し周囲部分をＡｌ_ｘＯ_ｙにする装置であって酸化距離を正確に制御できるようにすること。
【解決手段】抵抗加熱ヒータを内蔵する加熱ステージ７に３本以上の昇降自在のピン３６を設け、酸化終了時にはヒータ加熱および水蒸気含有ガス供給を停止し、ピン３６を押し上げて基板ホルダー６を持ち上げ、加熱ステージ７から基板ホルダー６を切り離し熱容量を小さくしてパージガス４８を吹き付けて水蒸気を追い払って冷却し酸化の進行を直ちに停止させる。 （もっと読む）

【課題】堆積絶縁層内のボイドを消滅させ，ボイドの影響による素子特性の劣化を抑制した絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では，ゲートトレンチ２１および終端トレンチ６１を形成した後，各トレンチに対して不純物がドープされていない，いわゆるノンドープの絶縁膜の埋め込みを行う。その後，絶縁膜が形成された半導体基板に対し，酸化性雰囲気にてアニール処理を行う。これにより，ゲートトレンチ２１の壁面沿いに熱酸化膜８３が形成され，堆積絶縁層２３中のボイドが消滅する。その後，堆積絶縁層２３の一部をエッチバックし，エッチバックにて設けられたスペースにゲート材を充填する。 （もっと読む）