【課題】 自己制限的界面酸化による超極薄酸化物層および酸窒化物層の形成の提供。
【解決手段】 超極薄酸化物層および酸窒化物層は、基板の自己制限的酸化を達成するように、および超極薄酸化物並びに酸窒化物を提供するように、低圧プロセスを利用して形成される。被処理基板は、酸化物層、酸窒化物層、窒化物層、およびｈｉｇｈ−ｋ層のような初期の誘電体層を含むことができるか、あるいは、初期の誘電体層をなくすことができる。プロセスは、バッチ型処理チャンバを使用するか、あるいは、単一のウェーハ処理チャンバを使用することによって、実行されることができる。本発明の一実施例は、厚さ約１５ÅのＳｉＯ_２層をもたらす、Ｓｉ基板の自己制限的酸化を提供し、そこにおいて、ＳｉＯ_２層の厚さは、基板にわたって約１Å未満で変化する。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）

【課題】下層のポリシリコン膜を酸化させることなく、酸素アニールによりＨＴＯ膜を十分に改質させ、電気的にリークが少ないトンネル酸化膜を形成する半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】ポリシリコン膜からなる第１フローティングゲート１６上に、窒化膜２６又は酸窒化膜２８を介してＨＴＯ膜を成膜し、酸素アニール処理を施して、トンネル酸化膜１８（ＨＴＯ膜）を形成する。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】 パイロジェニック酸化処理とＮＯ酸窒化処理とからなる２つの処理をできるだけ連続に近い形で行わせて、パイロジェニック酸化処理で生じる残留水分を効率良く排出させる。
【解決手段】 反応室３内で、ボート２により支持されたウェハ１に対し、パイロジェニック酸化を行った後、ＮＯ酸窒化を連続して行う。このパイロジェニック酸化後、ＮＯ酸窒化を行う前に、反応室３からボート２をアンロード位置Ａまで引き出してボート２の全部を露出するのではなく、セミロード位置Ｃまで引き出しボート２の一部のみを露出させる。この状態で反応室３内の残留水分を除去する排除処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 有機樹脂系絶縁膜を層間絶縁膜等に用いた際の、コンタクトプラグの埋め込み形状不良やコンタクト抵抗の上昇を防止する。
【解決手段】 原料ガスとして、芳香族化合物あるいは複素環式化合物を含む原料ガスを採用し、プラズマＣＶＤ法により有機樹脂系絶縁膜４を形成する。
【効果】 有機樹脂系絶縁膜中の低分子量の揮発性成分が充分除去され、コンタクトプラグ形成時の脱ガスが防止される。このため、埋め込み形状に優れた低抵抗の層間接続を達成することができる。 （もっと読む）