【課題】シリコン酸化膜とシリコン基板のシリコン表面との間の窒素濃度の制御を可能とし、この間にリーク電流に対応する窒素濃度の境界膜を形成する。
【解決手段】プラズマ窒化によってシリコン基板１０の表面にシリコン窒化膜１４を形成するプラズマ窒化工程と、プラズマ酸化によって前記シリコン窒化膜１４の表面にシリコン酸化膜２０を形成することにより当該シリコン酸化膜２０とシリコン基板１０のシリコン表面との間に、シリコン窒化膜からなる境界膜２１を形成するプラズマ酸化工程と、を含み、前記プラズマ窒化工程では前記シリコン酸化膜分の厚みに前記境界膜分の厚みを加えた膜厚のシリコン窒化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体の存在下に被処理基板に対して成膜工程、エッチング工程、レジスト剥離工程等の加工を容易に行うことのできる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の基板の製造方法は、基板が設置された反応室内に超臨界流体を充填し、該超臨界流体に溶解させた原料を基板の表面近傍で反応させることで基板の表面を加工する基板の製造方法であって、基板を、反応室内の天井部１０に基板の表面を下方に向けて設置するものである。 （もっと読む）

【課題】酸化膜で配線層を被覆した場合に、配線層の電界腐食を促進させない半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】主面が絶縁性である基板上に設けられた配線層と、前記配線層を被覆する様に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜を被覆するように設けられた第２絶縁膜と、前記配線層、前記第１絶縁膜、及び前記第２絶縁膜の設けられた基板の主面側に、塗布法によって形成された平坦化膜と、を具備し、前記第１絶縁膜は、酸化膜であり、前記第２絶縁膜は、酸窒化膜又は窒化膜であること。 （もっと読む）

【課題】膜中における窒素原子の分布を最適化できる酸化膜の窒化方法を提供する
【解決手段】基板処理方法は、１ｎｍを超える厚さの酸化膜を有するシリコン基板を処理容器内に準備する工程と、前記処理容器内にＡｒと窒素を供給して、該処理容器内にプラズマを形成する工程と、前記酸化膜を、前記プラズマ中において励起された窒素ラジカルあるいは窒素イオンに曝露し、前記酸化膜中に窒素原子を導入する工程と、を備え、前記酸化膜中に窒素原子を導入する工程は、前記処理容器内が６０Ｐａ以下の処理圧力下で前記酸化膜を前記窒素ラジカル又は窒素イオンに曝露することにより、窒素を前記酸化膜に導入することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度の低いシリコン酸窒化膜／シリコン窒化膜の２層ゲート絶縁膜を製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１表面に、シリコン酸化膜１１又はシリコン酸窒化膜からなる第１ゲート絶縁膜１０を形成した後、第１ゲート絶縁膜１０をプラズマ窒化処理する。次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、窒素酸化物ガス又は窒素酸化物を含むガス中で熱処理する（第１熱処理工程）。次いで、第１ゲート絶縁膜１０を、不活性ガス又は真空中で、第１熱処理温度よりも高温で熱処理する第２熱処理工程を行なう。その後、第１ゲート絶縁膜１０上に、気相堆積法を用いてシリコン窒化膜からなる第２ゲート絶縁膜１２を堆積する。第２熱処理工程により第１ゲート絶縁膜が緻密化され、第２ゲート絶縁膜１２の堆積の際に生成する活性種の拡散が阻止され、界面順位を増加させない。 （もっと読む）

【課題】従来の熱酸化技術ないしプラズマ酸化技術を用いて、薄い下地膜を直接に電子デバイス用基材上に成膜速度や面内均一性を制御しながら形成することは、極めて困難であった。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された絶縁膜の表面に、少なくとも酸素原子含有ガスを含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜と電子デバイス用基材との界面に下地膜を形成する。絶縁膜と、電子デバイス用基材との間の界面に、該絶縁膜の特性を向上させるべき良質な下地膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の窒化処理において、電気特性の良い半導体を製造する基板処理装置及び基板処理装置における半導体製造方法を提供することを目的とする。また、生産効率の良い基板処理装置及び基板処理装置における半導体製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板を処理する処理室と、プラズマを生成するプラズマ生成部と、基板を加熱する加熱部と、ガス供給部と、第１の工程として供給された窒素含有ガスをプラズマ生成部によりプラズマ化し、さらに加熱部により基板を加熱し、第２の工程としてプラズマ生成を停止し、さらに基板温度を４５０℃以上で加熱する制御部を有する基板処理装置、基板処理装置における半導体製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ型ＭＯＳトランジスタ及びＰ型ＭＯＳトランジスタのそれぞれが最適な特性のゲート絶縁膜を有し、駆動力及び信頼性が高い半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１と、Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２とを備えている。Ｎ型ＭＯＳトランジスタ１１は、第１のゲート絶縁膜３１と第１のゲート電極３２とを有している。Ｐ型ＭＯＳトランジスタ１２は、第２のゲート絶縁膜４１と第２のゲート電極４２とを有している。第１のゲート絶縁膜３１及び第２のゲート絶縁膜４１は酸窒化シリコンからなり、第１のゲート絶縁膜３１の窒素濃度プロファイルと、第２のゲート絶縁膜４１の窒素濃度プロファイルとは互いに異なっている。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜の薄膜化を図りつつ、特性ばらつきが改善されたＴＦＴを容易に作製することができる薄膜トランジスタの製造方法及び薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層、ゲート絶縁膜、ゲート電極及びキャップ絶縁膜をこの順に備える薄膜トランジスタの製造方法であって、上記製造方法は、ゲート絶縁膜及びゲート電極上にキャップ絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜及びキャップ絶縁膜を介して半導体層に不純物を注入する薄膜トランジスタの製造方法である。 （もっと読む）

【課題】熱化学気相堆積の膜に比較してエッチング速度、水素濃度、およびストレスなどの改善された特性を有する膜を与える方法の提供。
【解決手段】Ｓｉ−Ｈ₃を有するアルキルアミノシラン、好ましくは式（Ｒ¹Ｒ²Ｎ）ＳｉＨ₃、（ここでＲ¹およびＲ²は独立してＣ₂からＣ₁₀から選ばれる。）および窒素源もしくは酸素源、好ましくはアンモニアもしくは酸素、から窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、シリコンカルボキシナイトライドおよび炭素をドープした酸化ケイ素を、周期的リモートプラズマ化学気相堆積方法、又はリモートプラズマ原子層堆積方法、で膜形成する。 （もっと読む）

【課題】例えばゲート絶縁層として用いる場合に特性の良好な絶縁層を形成することができる絶縁層の形成方法を提供する。
【解決手段】被処理基板Ｗの表面に絶縁層を形成する方法において、前記被処理基板の表面に露出するシリコンを窒化処理して前記シリコン基板の表面にシリコン窒化膜を形成する第１の窒化工程と、前記シリコン窒化膜が形成された被処理基板をＮ_２ Ｏ雰囲気中で、且つ圧力を５０〜７０Ｔｏｒｒ（６６６５〜９３３１Ｐａ）の範囲内に維持した状態で熱処理してシリコン酸窒化膜４を形成する第１のアニール工程と、を有する。これにより、例えばゲート絶縁層として特性の良好な絶縁層を形成する。 （もっと読む）

【課題】 高速スイッチングバルブを用いずにかつ高い生産性で、ＡＬＤ法を利用することができる成膜装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗを収容するチャンバー１１内に、複数の基板Ｗを平面的に円周状に配置された状態で支持する基板支持部材１２を設け、ＴｉＣｌ_４を吐出する第１の処理ガス吐出ノズル２０と、ＮＨ_３を吐出する第２の処理ガス吐出ノズル２１とを複数交互に配置し、基板Ｗ上に吐出されたＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を基板Ｗ上で交互に走査させ、ＴｉＣｌ_４およびＮＨ_３を交互に吸着させて、基板Ｗに、ＴｉＣｌ_４による単原子層とＮＨ_３による単原子層とを交互に形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの仕事関数の半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板の第１領域及び第２領域上にデバイスを設けることを備える。これは、基板の第１領域及び第２領域上に誘電性層を設けること、及び第１及び第２領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けることによってなされる。第１領域上のゲート電極及び第２領域上のゲート電極の両方は仕事関数を有する。上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 （もっと読む）

【課題】銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。
【解決手段】銅配線層を有する半導体装置において、半導体装置が、銅配線、バリア層、このバリア層に直接接する酸化ケイ素系ポーラス絶縁層、このケイ素系ポーラス絶縁層に直接接するバリア層、銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有し、バリア層の少なくとも一つが密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜であり、このアモルファス炭素膜と銅配線との間にこれらに直接接するケイ素系絶縁層が存在する。 （もっと読む）

【課題】安定した特性が得られる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜と、前記シリコン酸化膜の上に設けられ、前記シリコン酸化膜よりも誘電率が高い金属シリケート絶縁膜と、前記金属シリケート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、を備え、前記金属シリケート絶縁膜における、前記ゲート電極と接する側の金属元素の組成比率が、前記シリコン酸化膜と接する側の金属元素の組成比率よりも低い。 （もっと読む）

【課題】 膜厚１．２ｎｍ以下の薄いＳｉＯ_２膜であっても増膜を抑えつつ、より高濃度に窒素を導入する。
【解決手段】 基板表面に形成されたシリコン酸化膜中に窒素を導入して該シリコン酸化膜を窒化する方法において、被処理膜の法線に対して５０°以上の角度を持って窒素イオンを照射する工程と、イオン照射量以上の窒素原子を照射する工程とを、同時または交互に行う。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの疲労特性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＰＺＴ膜２４ａの形成では有機金属気相成長（ＭＯＣＶＤ）法を採用し、その厚さを約５ｎｍとする。ＰＺＴ膜２４ｂの形成でもＭＯＣＶＤ法を採用し、その厚さを約９５ｎｍとする。但し、ＰＺＴ膜２４ａの組成とＰＺＴ膜２４ｂの組成とを比較すると、ＰＺＴ膜２４ｂの組成において、Ｔｉ含有量が少なく、Ｚｒ含有量が多くなるように、原料ガスの供給量を調整する。ＰＺＴ膜２４ｃの形成では、例えば化学溶液堆積（ＣＳＤ）法を採用し、その厚さを約２０ｎｍとする。但し、ＰＺＴ膜２４ｃ中のＰｂ含有量が、ＰＺＴ膜２４ａ及び２４ｂよりも、化学量論組成に近くなるよう、原料ガスの供給量を調整する。例えば、Ｚｒ含有量及びＴｉ含有量の総和と同程度とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、集積回路向けの高品質な高Ｋ誘電体を得ることである。
【解決手段】方法は、基板の上に材料を形成するステップと、この材料にパターンを形成して、材料の部分を除去し、その下の基板の部分を露出させるステップとを含む。この方法はさらに、酸化プロセスを実行して、基板の露出した部分の上および材料と基板の間の界面に酸化層を形成するステップを含む。回路は、非クリティカル・デバイスと、この非クリティカル・デバイスの部分として形成された酸化物とを含む。この回路内のクリティカル・デバイスの部分として、基板の上に高Ｋ誘電材料が形成される。この高Ｋ誘電材料とその下の基板の間に酸化物ベースの界面が提供される。第２の方法は、最初の材料として窒化物または酸窒化物を形成する。 （もっと読む）

【課題】薄膜化しても書き込み／消去を繰り返したときの耐性（エンデュランス特性）が悪化しないトンネル絶縁膜を有する半導体記憶装置を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板２と、半導体基板上に形成され、第１シリコン酸窒化層８ｂ、シリコン窒化層８ｂ、および第２シリコン酸窒化層８ｃの積層構造を有するシリコン酸窒化膜８と、シリコン酸窒化膜上に形成されたシリコンリッチなシリコン酸化膜１０とを備えた第１絶縁膜６と、第１絶縁膜上に形成された電荷蓄積層１２と、電荷蓄積層上に形成された第２絶縁膜１４と、第２絶縁膜上に形成された制御ゲート１６と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高誘電率絶縁膜を備えていても、素子特性の劣化を防止することができる半導体装置およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板に離間して形成されたソース領域８ａおよびドレイン領域８ｂと、ソース領域とドレイン領域との間の半導体基板上に形成された第１絶縁膜３と、第１絶縁膜上に形成された電荷蓄積膜４と、電荷蓄積膜上に形成された高誘電率材料で形成された第２絶縁膜５ｂと、第２絶縁膜上に形成された制御ゲート電極６と、三配位の窒素結合を有しかつ窒素の第二近接原子の少なくとも１つが窒素であるシリコン窒化層５ａ、５ｃと、を備え、電荷蓄積膜と前記制御ゲート電極との少なくとも一方がシリコンを含み、前記シリコン窒化層は、第２絶縁膜と、電荷蓄積膜および制御ゲート電極のうちのシリコンを含む方との界面に設けられている。 （もっと読む）