【課題】窒素の外方拡散を抑制しつつ、窒素のリフトアップが可能なシリコン酸窒化膜の形成方法および形成装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷ上にシリコン酸化膜５１を形成した後、シリコン酸化膜５１に窒素を導入して、半導体ウエハＷ上にシリコン酸窒化膜５２を形成する。次に、シリコン酸窒化膜５２が形成された被処理体を少なくとも９５０℃の温度でアニールする。続いて、半導体ウエハＷとシリコン酸窒化膜５２との界面に酸素を侵入させ、両者の間にシリコン酸化膜５３を形成する。 （もっと読む）

【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】膜中の窒素濃度を安定化して再現性を向上させることができ、しかも膜厚の面内均一性を向上させることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体の表面にシリコン含有膜よりなる薄膜を形成する成膜方法において、処理容器内へシリコン系ガスを供給してシラン系ガスを前記被処理体の表面に吸着させる吸着工程と、被処理体の表面に吸着したシラン系ガスを窒化ガス又は活性化された窒化ガスを用いて窒化してシリコン窒化膜を形成する窒化工程と、シリコン窒化膜の一部又は全部を活性化された酸素を用いて酸化する酸化工程とを有する。これにより、例えばシリコン酸窒化膜等のシリコン含有膜を成膜するに際して、直前に行ったシリコン含有膜の成膜処理に対する依存性をなくして膜中の窒素濃度を安定化させ、再現性を向上させる。 （もっと読む）

本明細書に開示される実施形態は、概して、ＴＦＴ及びＴＦＴを製造する方法に関する。ＴＦＴにおいて、アクティブチャネルは、ソース及びドレイン電極間で電流を運ぶ。アクティブチャネルの組成を調整することによって、電流を制御できる。アクティブチャネルは、ゲート制御層、バルク層、インタフェース制御層の３層に分割されてもよい。別々の層は、異なる組成を有してもよい。ゲート制御層、バルク層、バックチャネルインタフェース制御層の夫々は、異なる組成を有することができる多重層を更に含んでもよい。アクティブチャネルの様々な層の組成は、酸素、窒素、及び、亜鉛、インジウム、カドミウム、スズ、ガリウム及びそれらの組み合わせから成る群から選択される１以上の元素を含む。所望の特性を有するＴＦＴを生産するために、層の中で組成を変えることによって、様々な層の移動度、キャリア濃度、及び導電性を制御してもよい。
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【課題】炭素の混入と、組成のばらつきを低減した絶縁膜を形成する。
【解決手段】絶縁膜の形成方法において、基板上にシリコン層と金属層を順次形成してシリコンと金属の２層構造を形成し、前記シリコンと前記金属とが目標とする組成で金属珪化物を生成する反応温度を選択し、前記２層構造を加熱して金属珪化物層を形成する。前記金属のうち、未反応で残る部分を除去する。前記金属珪化物層を酸化又は窒化して、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

超高純度ハフニウム含有有機金属化合物を使用して高Ｋ（誘電率）膜を作るためのプロセスが、開示される。高純度ハフニウム含有有機金属化合物で作られた高Ｋ膜を組み込むデバイスもまた、述べられる。
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表面上にシリコン薄膜または酸化シリコン薄膜を各々が有する２つのウェハが、少なくとも１つのウェハの薄膜に、５ｎｍ未満の厚さを有する薄い酸窒化シリコン表面膜を形成する表面処理を施すことによって接合される。薄膜は、誘導結合プラズマ源によって発生した窒素系プラズマによって形成される。加えて、プラズマと前記ウェハを支持する基板ホルダとの間の電位差は、表面処理中、５０Ｖ未満、有益には、１５Ｖ未満、好ましくは、０である。これにより、接触ステップ後に実行される任意の熱処理の温度にかかわらず、欠陥がない接合界面を得ることができる。
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本発明は、窒化ケイ素、酸窒化ケイ素、酸化ケイ素、炭素ドープ窒化ケイ素、炭素ドープ酸化ケイ素、炭素ドープ酸窒化フィルムを低い堆積温度で形成する方法を開示する。この堆積に用いられるケイ素含有前駆体は、モノクロロシラン（ＭＣＳ）及びモノクロロアルキルシランである。この方法は、好ましくは、プラズマ原子層堆積、プラズマ化学気相成長、及びプラズマサイクリック化学気相成長を用いることによって実行される。 （もっと読む）

【課題】バリア層上に膜質のよい高誘電率材料の絶縁体が形成され得る、絶縁体の成膜方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の面上に、第１の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜上に、第１の比誘電率より大きな第２の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第２の絶縁膜を第１の絶縁膜の膜厚より厚く形成する第２の工程と、を具備し、第２の工程が、処理室内に第１の原料ガスを流す工程と、第１の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第１の酸化剤を流す工程と、第１の酸化剤をパージする工程と、処理室内に第２の原料ガスを流す工程と、第２の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第２の酸化剤を流す工程と、第２の酸化剤をパージする工程とを順次繰り返してなされる。 （もっと読む）

【課題】膜の剥がれの度合いを低減することで、半導体装置の防水性を向上させ且つ信頼性を高めることを課題とする。
【解決手段】基板上に、第１の無機絶縁層、半導体素子層、第２の無機絶縁層、有機絶縁層、及び第３の無機絶縁層が順次積層して設け、第２の無機絶縁層は、半導体素子層に設けられた開口部で第１の無機絶縁層と接して設け、第３の無機絶縁層は、有機絶縁層に設けられた開口部で第２の無機絶縁層と接して設け、第２の無機絶縁層及び第３の無機絶縁層が接する面において、第２の無機絶縁層に、複数の凹凸または開口部を設ける。また、第２の無機絶縁層に設けられた複数の凹凸または開口部と重畳する領域の第３の無機絶縁層の表面に複数の凹凸を設ける。 （もっと読む）

【課題】多値化を実現するのに十分なメモリーウインドウと電荷保持特性を両立できる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に設けられたトンネル絶縁膜１０３と、トンネル絶縁膜１０３上に設けられ、第１および第２の電荷蓄積層１０４，１０５を含む電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に設けられたブロック絶縁膜１０６と、ブロック絶縁膜１０６上に設けられた制御ゲート電極１０７とを備え、電荷蓄積層において、第２の電荷蓄積層１０５はブロック絶縁膜１０６側に最も近い側に設けられ、第１の電荷蓄積層１０４はトンネル絶縁膜１０３と第２の電荷蓄積層１０５の間に設けられ、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもトラップ密度が高く、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４よりもバンドギャップが小さく、第２の電荷蓄積層１０５は第１の電荷蓄積層１０４、シリコン窒化膜よりも誘電率が高い。 （もっと読む）

【課題】メモリセルトランジスタ及びセレクトトランジスタともに良好な特性を有する優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に設けられた第１の下層絶縁膜２０ａと、第１の下層絶縁膜上に設けられた第１の中間絶縁膜３０ａと、第１の中間絶縁膜上に設けられた第１の上層絶縁膜４０ａと、第１の上層絶縁膜上に設けられた第１のゲート電極５０ａと、を有するメモリセルトランジスタ１００ａと、半導体基板上に設けられた第２の下層絶縁膜２０ｂと、第２の下層絶縁膜上に設けられた第２の中間絶縁膜３２ｂと、第２の中間絶縁膜上に設けられた第２の上層絶縁膜４０ｂと、第２の上層絶縁膜上に設けられた第２のゲート電極５０ｂと、を有するセレクトトランジスタ１００ｂと、を備え、第２の中間絶縁膜３２ｂのトラップ密度は、第１の中間絶縁膜３０ａのトラップ密度よりも低い。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶シリコン粒子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の表層部に窒化珪素膜を形成する第１の工程と、酸素ガスから成る雰囲気ガスまたは酸素ガス及び不活性ガスから成る雰囲気ガス中で、結晶シリコン粒子１０１を加熱することによって、窒化珪素膜を酸窒化珪素膜とするとともに、結晶シリコン粒子１０１のシリコン部に接する酸窒化珪素膜の内表面に窒素の高濃度層を形成しながら結晶シリコン粒子１０１の形状を保持した状態でシリコン部を溶融させ、ついで降温し凝固させて単結晶化する第２の工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ステップカバレッジの優れた高品質な膜を、効率よく形成する。
【解決手段】成膜方法は、処理容器中に被処理基板を導入する工程と、前記処理容器中に少なくとも第１および第２の処理ガスを交互に、間にパージ工程を介在させながら導入し、前記被処理基板表面に第１の膜を形成する工程と、前記第１の膜を形成する工程の後、前記処理容器中に複数の原料ガスを同時に導入し、前記第１の膜上に第２の膜を形成する工程とよりなり、前記第１の膜を形成する工程は、前記被処理基板を静止させた状態で実行され、前記第２の膜を形成する工程は、前記被処理基板を回転させながら実行される。 （もっと読む）

【課題】プラズマ窒化方法において、絶縁膜へのダメージを低減する。
【解決手段】ウエハの半導体層上に形成された第１の絶縁膜をＮ（窒素）を含むプラズマに暴露し、Ｎ原子を第１の絶縁膜に導入して、第２の絶縁膜を形成する。その際、Ｎを含むプラズマ内にイオンが断続的に生じるように、プラズマ発生用の電力を印加する。Ｎを含むプラズマへの電力供給を周期的に変化させることで、ラジカル粒子の供給を長時間維持しつつ、イオンの存在時間を制限することができる。イオンによる絶縁膜中のダメージの発生を抑制することにより、絶縁膜の信頼性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】
ウエハ面内の膜厚均一性に優れた条件でハフニウムシリコン酸化物膜を形成し、エッチング処理によって閾値変動を抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置の製造方法であって、半導体基板表面にシリコン酸化膜あるいは酸窒化膜（酸化膜）を形成し、この酸化膜の表面にハフニウムとシリコンを含有する高誘電率酸化物膜を形成し、このハフニウムとシリコンを含む高誘電率酸化物膜に対し、ＨｆＯに対するエッチング速度がＳｉＯに対するエッチング速度より大きなエッチング液によるＨｆＯ優先エッチングを行ない、エッチング後の前記高誘電率酸化物膜の上にポリシリコンのゲート電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】異なる誘電体材料を含む、デュアル仕事関数半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】第１領域Ｉと第２領域ＩＩとを有する基板５を用意し、（ｉ）第１領域Ｉと第２領域ＩＩを覆うようにホスト誘電体層１を形成し、（ｉｉ）第１領域Ｉと第２領域ＩＩの上のホスト誘電体層１を覆うように第１誘電体キャップ層２を形成した後、（ｉｉｉ）第１領域Ｉの上の下位層１に対して選択的に、第１誘電体キャップ層１を除去して、第１領域Ｉの上の下位層１を露出させ、（ｉｖ）第１領域Ｉの上の下位層１と、第２領域ＩＩの上の第１誘電体キャップ層２とを覆うようにＨｆベースの誘電体キャップ層３を形成し、（ｖ）第１領域Ｉと第２領域ＩＩの上のＨｆベースの誘電体キャップ層３を覆うように制御電極４を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に適用される比較的膜厚の厚い絶縁膜中の水素濃度を大幅に低減する。
【解決手段】半導体装置７０には、半導体基板１上に複数のメモリセルトランジスタが設けられる。ｎ型拡散層７、シャロートレンチアイソレーション（ＳＴＩ）２、及び絶縁膜６上と、側壁絶縁膜８の側面とには積層シリコン窒化膜９が形成される。メモリセルトランジスタのゲートの周囲に積層シリコン窒化膜９が設けられる。積層シリコン窒化膜９は、例えば膜厚が略１００ｎｍであり、ｎ層のシリコン窒化膜から構成される。ｎ層のシリコン窒化膜の膜厚は、それぞれ３ｎｍ以下に設定される。ｎ層のシリコン窒化膜は、それぞれ膜中の水素結合がプラズマ処理で置換され、水素が離脱され、膜中の水素濃度が大幅に低減されたシリコン窒化膜である。 （もっと読む）

構成素子をカプセリングするバリア層を有する電子構成素子を作製する本発明の方法には殊に以下のステップが含まれる。すなわち、− 少なくとも１つの機能層（２２）を有する基板（１）を準備するステップと、− プラズマ支援原子堆積法（ＰＥＡＬＤ）を用いて上記の機能層（２２）に少なくとも１つの第１バリア層（３）を被着するステップと、− プラズマ支援化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）を用いて前記の機能層（２２）に少なくとも１つの第２バリア層（４）を被着するステップとを有する。
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【課題】ゲート絶縁膜に用いる高誘電体金属酸化膜又は高誘電体金属シリケート膜におけるリーク電流を低減できるようにする。
【解決手段】高誘電体金属シリケートからなるゲート絶縁膜の形成において、金属等を含む前駆体の暴露時間には、表面吸着反応により成膜レートが飽和する時間を用い、酸化剤の暴露時間には、金属酸化膜の組成が化学量論値の９７％以上となる時間を用いてＡＬＤ堆積を行う。 （もっと読む）