【課題】スパッタ法により、酸化物半導体膜上に薄膜を成膜する際に、酸化物半導体膜のプラズマダメージを膜面内均一性良く抑制して成膜する。
【解決手段】基板Ｂ上に成膜された、Ｉｎと、Ｇａ，Ｚｎ，Ｍｇ，Ａｌ，Ｓｎ，Ｓｂ，ＣｄおよびＧｅからなる群より選ばれる少なくとも１種の元素とを含む酸化物半導体膜１上に、基板ＢとターゲットＴとを対向させて、プラズマを用いるスパッタ法によりターゲットＴの構成元素を含む薄膜２を形成する成膜方法において、薄膜２の成膜時のプラズマ中のプラズマ電位Ｖｓ（Ｖ）と、基板Ｂの基板電位Ｖｓｕｂ（Ｖ）との電位差を０Ｖ超２０Ｖ以下とする。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルの回転速度を高めた場合でも良好な成膜処理を行うことができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器１内にて、複数のウエハＷを載置した回転テーブル２を回転して、前記ウエハＷが第１及び第２の処理領域Ｐ１，Ｐ２に供給された第１及び第２の反応ガスと順次接触して、前記ウエハＷの表面に薄膜を形成するにあたり、ウエハＷ表面に第１の反応ガスを吸着させる処理を行う第１の処理領域Ｐ１と、この第１の処理領域Ｐ１よりも面積が大きく、ウエハＷ表面に吸着された第１の反応ガスと第２の反応ガスとを化学反応させる処理を行う第２の処理領域Ｐ２とを設ける。これにより吸着に比べて化学反応の処理時間を長く確保することができ、回転テーブル２の回転速度を高めても、金属の吸着よりも長時間を要する化学反応を十分に進行させて、良好な成膜処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体薄膜の形成を湿式法だけで行い得る金属酸化物半導体薄膜の製造方法、３端子型電子デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】金属酸化物半導体薄膜の製造方法においては、金属酸化物半導体薄膜を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる。また、（Ａ）少なくとも、第１電極及び第２電極、並びに、（Ｂ）第１電極と第２電極１６の間に設けられ、金属酸化物半導体から成る能動層２０を備えた電子デバイスの製造方法は、能動層２０を構成する金属酸化物半導体にリガンド分子を吸着させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】実質的なリーク電流を生じることなく膜厚を減少させることができる高品質で均一な酸化膜、窒化膜あるいは酸窒化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をＫｒあるいはＡｒを不活性ガスとしたプラズマに伴い生成された原子状酸素Ｏ*あるいは原子状窒化水素ＮＨ*に曝し、膜質を改変する工程とよりなる絶縁膜の形成方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】塗布法や堆積法を用いて高品質な絶縁部材を半導体素子周辺に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００の製造方法は、半導体基板２上に、Ｓｉ系絶縁材料からなる絶縁膜１０を付加的に形成する工程と、絶縁膜１０上に触媒金属膜１１を形成する工程と、触媒金属膜１１を触媒として用いて絶縁膜１０に酸化処理を施す工程と、酸化処理を施した絶縁膜１０を加工してゲート絶縁膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜４を含むＭＯＳＦＥＴ１を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することができる絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る絶縁膜の成膜方法においては、反応性ガスとして、窒素と酸素の混合ガスが用いられる。酸素に窒素を混合することで成膜レートが上昇し、窒素の流量比が８０〜８５％のときに成膜レートの最大値が得られる。このときの成膜レートは、窒素の流量比が０％のときの約２倍である。窒素の流量比が９０％を超えると、成膜レートの低下が顕著となる。得られたシリコン酸窒化膜は、スパッタリング法で成膜されたシリコン窒化膜よりも高い絶縁耐圧特性を有する。したがって、上記成膜方法によれば、スパッタリング法によって絶縁特性に優れた絶縁膜を高い成膜レートで成膜することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】温度変化に起因したパッシベーションクラックを適切に防止することができる半導体装置の提供。
【解決手段】本発明による半導体装置１は、絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されるバリア層１６と、バリア層１６上に配されるアルミ配線１２と、アルミ配線１２の上部に設けられるキャップメタル１８又は防腐処理部２１と、アルミ配線１２の側部に設けられるサイドウォール１７と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法：ＲＲ１ＮＳｉＨ３（式Ａ）ＲＮ（ＳｉＨ３）２（式Ｂ）ＳｉＨ３ＲＮ（Ｒ２）ＮＲ１ＳｉＨ３（式Ｃ）式中、Ｒ及びＲ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され；式Ａ及び式Ｃ中において、ＲとＲ１は、環状基（ＣＨ２）ｎになっていてもよく（ｎは１〜６、好ましくは４及び５）、且つＲ２は、一重結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す。 （もっと読む）

【課題】 高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。
【解決手段】 シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第１の原料ガスと所定元素を含む第２の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第１の原料ガスおよび第２の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第１の原料ガスは第２の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第１の原料ガスの供給量を第２の原料ガスの供給量よりも少なくする。 （もっと読む）

【課題】シリコン半導体のＰ/Ｎ接合界面端部が、大気と接することで生じるリーク電流等の欠陥を抑制し、不良を起こしにくくしたＰＮ接合ダイオードおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】互いに導電型の異なるシリコン半導体２，３相互の接合部を少なくとも１つ有する半導体装置であって、上記シリコン半導体接合部の接合界面端部を含む表面を、Ｎを含有するＳｉＯ₂膜８で接合界面端部を覆うことにより、接合界面端部の大気との接触を避けることができ、この部分での不純物吸着を抑え、経年によるリーク電流の発生を抑えることができる。ＳｉＯ₂膜８にＮを含有させることで、ＮがＳｉＯ₂膜に含有されると同膜に正の固定電荷が発生し、これにより電場が形成され、接合界面端部を含む表面でのキャリアの再結合を抑え、リーク電流の発生を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜およびメタルゲート電極を有するＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置の信頼性向上を図る。
【解決手段】ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＬａとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ａを形成し、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴ用の高誘電率ゲート絶縁膜としてＨｆとＡｌとＯとを主成分として含有するＨｆ含有絶縁膜４ｂを形成する。それから、金属膜７とシリコン膜８を形成し、これらをドライエッチングでパターニングしてゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２を形成する。その後、ゲート電極ＧＥ１，ＧＥ２で覆われない部分のＨｆ含有絶縁膜４ａ，４ｂをウェットエッチングで除去するが、この際、フッ酸を含有しない酸性溶液でのウェット処理とアルカリ性溶液でのウェット処理とを行ってから、フッ酸を含有する酸性溶液でのウェット処理を行う。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いて信頼性の高い表示装置を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】非晶質の酸化物半導体を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と金属材料で形成されるソース電極層及びドレイン電極層のそれぞれの間には、結晶領域を有する酸化物導電層が形成されている。これにより、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層間の接触抵抗を低減することができ、電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び、それを用いた信頼性の高い表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】スループットを高く維持しつつリーク電流を抑制してリーク特性も高く維持することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体の表面とゲート電極との間に介在されるゲート絶縁層を形成する成膜方法において、シリコンを含む界面膜を所定の温度で形成する界面膜形成工程Ｓ１と、被処理体を冷却する冷却工程Ｓ２と、冷却された被処理体に対して界面膜形成工程の所定の温度より低い温度でゲート絶縁膜を形成するゲート絶縁膜形成工程Ｓ３とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜中への窒素の導入を促し、酸化膜の誘電率や信頼性を向上させることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された酸化膜４０１を第１の処理部により窒化する第１の工程と、窒化された酸化膜４０１ｎ上に第２の処理部によりシリコン酸化膜４０２を形成する第２の工程と、シリコン酸化膜４０２を第１の処理部により窒化４０２ｎする第３の工程と、を有し、第１の工程を実施した後、第２の工程と第３の工程とを１サイクルとし、このサイクルを所定回数実施する。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、大気圧よりも低い圧力に設定された処理容器内に酸素を含むガスと水素を含むガスとを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート構造としてメタル電極／Ｈｉｇｈ−ｋ膜構造を用いた半導体装置において、仕事関数の制御とＥＯＴの薄膜化とを両立させる。
【解決手段】半導体基板１０１におけるｎチャネルＭＩＳトランジスタ形成領域の上に、ゲート絶縁膜として、第１の高誘電率絶縁層２０２、アルミニウム含有層２０３、ランタン含有層２０４及び第２の高誘電率絶縁層２０５を順次形成する。その後、ゲート電極形成を行う。 （もっと読む）

【課題】配線間の寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】ボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ゲート電極層と重なる酸化物半導体層の一部にチャネル保護層となる酸化物絶縁層を形成し、その酸化物絶縁層の形成時に酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層を形成する。酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層（ソース配線層や容量配線層など）との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。酸化物半導体層の周縁部を覆う酸化物絶縁層は、チャネル保護層と同一工程で形成されるため、工程数の増加なく、寄生容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極を有するメモリセルの高集積化を実現する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層１１の表面にトンネル絶縁膜１２を介してシリコンを含む第１の導電体層を形成する工程と、第１の導電体層の表面から半導体層１１に至る分離溝９を形成し、第１の導電体層が所定幅で分離された、浮遊ゲート電極となる複数の導電板１３ｂを形成する工程と、導電板１３ｂ側面の中間部まで、分離溝９を素子間絶縁膜１５で埋め込む工程と、複数の導電板１３ｂの間隔を所定幅と同等以上の幅に維持しながら、導電板１３ｂの露出面にシリコン窒化膜１６ａを形成する工程と、制御ゲート電極１９ａとなる第２の導電体層を形成して分離溝９の上部を埋め込む工程と、を備え、シリコン窒化膜１６ａは、窒素元素を含む原料ガスを励起させて生成する窒素ラジカルによって、導電板１３ｂに含まれるシリコンを窒化して形成される。 （もっと読む）