【課題】非常に薄い酸化物層の品質を改良するための方法を提供する。
【解決手段】濃くドープされたＮ＋層上の半導体本体の表面領域上にかつゲート領域の表面上に初期の酸化物層（１０４）を形成するために半導体本体をはじめに酸化させることによって、ＥＥＰＡＬ装置などのプログラマブル装置に適切な高品質のトンネル酸化膜が濃くドープされたＮ＋層上の半導体本体の表面領域上に形成され、さらにゲート酸化膜がゲート領域上に形成される。次に、濃くドープされたＮ＋層の上層の初期の酸化物層（１０４）の少なくとも一部分が取除かれる。初期の酸化膜の残りの部分の厚みを増しそれによってゲート酸化膜を形成するために、さらに濃くドープされたＮ＋層上にトンネル酸化膜を形成するために、半導体本体は酸化に適切な環境にその後さらされる。半導体本体を窒素源に導入することによって、ある濃度の窒素がゲートおよびトンネル酸化膜両方に導入される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜のリーク電流の増加を抑制することができる半導体装置を得ること。
【解決手段】シリコン基板１上にＳｉＯＮ膜１２−１ａを形成する工程と、ＳｉＯＮ膜１２−１ａ上にハフニウムと酸素とが結合したハフニウムオキサイドを含むハフニウムオキサイド膜１２−２ａを形成する工程と、ハフニウムオキサイド膜１２−２ａ中にハフニウムをイオン注入する工程と、ハフニウムをイオン注入したハフニウムオキサイド膜１２−２ａをアニール処理して活性化させる工程と、ハフニウムオキサイド膜１２−２ａ上にゲート電極となるＰｔ膜を形成する工程と、Ｐｔ膜、ハフニウムオキサイド膜１２−２ａ、ＳｉＯＮ膜１２−１ａを所定の形状にパターニングする工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】膜特性に優れる絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。特に、緻密で高耐圧な絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。また、電子トラップの少ない絶縁膜を製造する技術を提供することを目的とする。
【解決手段】酸素を含む絶縁膜に対して、高周波を用いて電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３以上、且つ電子温度が１．５ｅＶ以下の条件でプラズマ処理を行う。また、プラズマ処理は、酸素を含む雰囲気下で行う。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）

【課題】下に横たわる装置構成要素を効果的に保護するばかりでなく、従来的パッシベーション構造の形成方法よりも迅速かつ低廉に製造されるパッシベーション構造が必要である。
【解決手段】本発明によるパッシベーション構造は、最小限の層の数を用いて強化されたパッシベーション効果を供する高紫外線透過性珪素（ＵＶ−ＳｉＮ）層を有する半導体装置のためのパッシベーション構造である。このＵＶ−ＳｉＮ層は実質的に形状に追随して、半導体基板の上に形成された複数の上部金属線上に横たわり、隣接する上部金属線の間に、形状的窪みが明確に示される。スピンオンガラス（ＳＯＧ）材料が該形状的窪みに埋められる。比較的厚く、上面が実質的に平坦な酸窒化珪素層は、下に横たわる形態を水分から保護するのみならず、アルカリ金属イオンがそこを通ることを防ぐ。酸窒化珪素層は、続く湿潤エッチング処理の間、ＳＯＧ材料を保護する。 （もっと読む）

【課題】基板（薄膜）に対して、基板を厚く（増膜）することなく、基板の表面に基板とは異なる物質を高濃度に導入することができるプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマを用いて、基板の表面に前記基板とは異なる物質を導入するプラズマ処理方法であって、導入される前記異なる物質が前記基板中を拡散しない状態を維持することができる時間を照射時間として、前記基板に前記プラズマを照射する照射ステップと、前記プラズマに含まれるイオンが完全に消滅し、且つ、前記基板の表面温度と前記基板の内部温度とが均熱化するまでの時間を非照射時間として、前記基板への前記プラズマの照射を停止する非照射ステップとを有し、前記照射ステップと前記非照射ステップとを繰り返すことを特徴とするプラズマ処理方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤによって基材上に酸化ケイ素層を堆積するための方法を提供する。
【解決手段】アルキル基が少なくとも２つの炭素原子を有する有機アミノシラン前駆体を酸化剤の存在下で反応させることにより酸化ケイ素膜を形成することができる。有機アミノシランは、以下の式、即ち、


によって表される。ジイソプロピルアミノシランは酸化ケイ素膜の形成に関して好ましい前駆体である。 （もっと読む）

【課題】 化合物半導体装置及びその製造方法に関し、パッシベーション効果を保ったままで絶縁膜とレジストとの密着性を改善して、デバイス特性及び信頼性を向上する。
【解決手段】 化合物半導体基体１の表面の少なくとも一部を化合物半導体基体１に接する側４の被覆性が表面側３より高く、且つ、表面側３のレジスト膜に対する密着性が化合物半導体基体１に接する側４より高い窒化珪素系絶縁膜２で被覆する。 （もっと読む）

【課題】 立体的形状を有するシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を、その部位によって区別して把握することが可能な窒素濃度の測定方法を提供する。
【解決手段】 被測定基板表面に形成されたシリコン酸化膜を窒化処理して得られたシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を測定する窒素濃度の測定方法であって、シリコン酸窒化膜が形成された被測定基板を再酸化処理し、その再酸化レート減少率ＲＯＲＲを算出して検量線と照合することにより、被測定基板のシリコン酸窒化膜中の窒素濃度を決定する、窒素濃度の測定方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高出力、高耐圧、高速、高周波化などを達成し得る新規なGaN系ヘテロ接合トランジスタを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)、及び前記絶縁膜上に形成されたオーミック電極を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 （もっと読む）

【課題】制御電極と電荷蓄積層との間に優れた絶縁膜を形成することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に形成された第１の絶縁膜１２と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層３１と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜３０と、第２の絶縁膜上に形成された制御電極２５と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第２の絶縁膜を形成する工程は、塩素を含まない成膜ガスを用いてシリコンを含有した絶縁膜２１を形成する工程と、シリコンを含有した絶縁膜上に、酸素及び金属元素を含有した絶縁膜２２を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 薄膜化されたゲート絶縁膜として高誘電率材料が使用されている。しかしゲート絶縁膜として要求されるボロンもれの抑制、界面準位密度増加の抑制、固定電荷発生の抑制、リーク電流増加の抑制などの特性を満足するゲート絶縁膜が得られていないという問題がある。
【解決手段】 本発明におけるゲート絶縁膜の形成は、絶縁膜の表面側に窒素原子分率のピーク値を有する高誘電率膜に、プラズマ酸化を行う。プラズマ酸化はシリコン基板界面近くの絶縁膜中にその酸素原子分率のピーク値を有するように形成する。この形成方法によりシリコン基板界面側には窒素が存在しない、酸化膜のみの領域とする。さらに酸素と窒素の原子分率のピーク位置を異ならせることで高品質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に窒素含有ゲート絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、ゲート絶縁膜のシリコン基板との界面付近への窒素の拡散を抑制しつつ、界面とは逆側のゲート絶縁膜の表面付近の窒素濃度を高めることにより、良好な特性を有するＦＥＴを形成する。
【解決手段】シリコン基板１１上にＳｉＯ_２層１３を形成する工程と、ＳｉＯ_２層１３上にＡＬＤ法を用いてＳｉＮ膜の化学量論的組成よりも窒素が少ないＳｉＮ層１４を形成する工程と、ＳｉＮ層１４を５００℃未満の基板温度でプラズマ窒化処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、誘電層を形成する方法、及びそれに関連するデバイスを提供する。
【解決手段】 誘電層は、中間の厚さまで誘電層を沈着することによって、かつ中間の厚さの誘電層に窒化処理を適用することによって形成されてよい。次いで、誘電層は最終的な所望の厚さまで沈着されてよい。 （もっと読む）

【課題】オゾンＴＥＯＳ膜をＣＶＤ装置で成膜する場合に、高い成膜レートを安定して確保すると共に、均一性良く良好な膜質のオゾンＴＥＯＳ膜の成膜を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、配線構造が形成された半導体基板上にプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を成膜する第１の層間絶縁膜形成工程と、該第１の層間絶縁膜形成工程により成膜したプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の表面改質のためのプラズマ処理を行う表面改質工程と、該表面改質工程により表面の改質が行われたプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の上にオゾンＴＥＯＳ膜を成膜する第２の層間絶縁膜形成工程とを有し、さらに、前記表面改質工程において、表面改質のためのプラズマ処理を行う前に、該プラズマ処理を行う装置内に堆積した堆積物の除去を行う。 （もっと読む）

【課題】厚さを正確に制御し、界面構造を改善し、電子トラップを低密度とし、さらに、誘電体層および基板から／へのドーパントの不純物拡散を阻止することができるプロセスを提供する。また、既存の製造プロセスに容易に統合することができ、しかも、コストはほとんど増すことがないプロセスを提供する。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲート酸化物またはＥＥＰＲＯＭのトンネル酸化物として使用するための、極薄誘電体層を成長させるためのプロセスを記載する。ウェハと酸窒化物との界面におよび酸窒化物の表面に窒素濃度のピークを有し、かつ、酸窒化物のバルク内に低い窒素濃度を有する、シリコン酸窒化物層が、酸化窒素および窒素性酸化ガス内で一連のアニールを行なうことによって形成される。 （もっと読む）

【課題】シリコン窒化膜上に厚さを異にする複数のシリコン酸化膜を簡単に且つ精度良く形成する。
【解決手段】半導体基板１０の一方の主面を覆うシリコン酸化膜１２の上にシリコン窒化膜１４をＣＶＤ法により形成した後、レジスト層をマスクとするイオン注入処理によりシリコン窒化膜１４の一部分（酸化速度を減少すべき部分）にアルゴンイオンＡｒ^＋を例えば加速電圧１００ｋｅＶ、ドーズ量５×１０^１５ｉｏｎｓ／ｃｍ^２の条件で注入する。この後、シリコン窒化膜１４に熱酸化処理を施すことによりイオン注入された部分には薄いシリコン酸化膜１８ａを、イオン注入されなかった部分には厚いシリコン酸化膜１８ｂをそれぞれ形成する。このようなシリコン酸化膜形成法は、容量素子の製法又はＭＯＳ型ＩＣの製法等に応用可能である。シリコン窒化膜の代りにシリコン酸化窒化膜を用いてもよい。 （もっと読む）

【課題】高性能化および／又は低消費電力化等の優れた特性を有する電子デバイスのための優れた膜質の絶縁膜を与えることが可能な絶縁膜の改質方法を提供する。
【解決手段】電子デバイス用基材上に配置された気相堆積に基づく絶縁膜に対して、酸素原子含有ガスを少なくとも含む処理ガスに基づくプラズマを照射して、該絶縁膜を改質する。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を使った半導体装置において、ゲート絶縁膜への電荷のトラップを抑制する。
【解決手段】ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第１の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第２の絶縁膜の積層により形成する。 （もっと読む）

本発明は、一般的には、基板上に高品質誘電体ゲート層を形成するように適合されている方法及び装置を提供する。実施形態は、標準窒化プロセスの代わりに金属プラズマ処理プロセスを用いて、基板上に高誘電率層を形成する方法を企図するものである。実施形態は、更に、二酸化シリコンのようなゲート誘電体層に対するイオン衝撃損傷を減少させるとともに金属原子の下に横たわるシリコンへの混入を避けるために比較的低エネルギーの金属イオンを“注入”するように適合された装置を企図するものである。一般に、プロセスには、高ｋ誘電体を形成するステップと、次に、堆積された物質を処理して、ゲート電極と高ｋ誘電物質との間の良好な接合部を形成するステップとを含む。実施形態は、また、高ｋ誘電物質を形成し、高ｋ誘電物質の表面を終了させ、望ましい後処理ステップを行い、ゲート層を形成するように適合されているクラスタツールを提供するものである。 （もっと読む）