【課題】移動度の低下を極力抑えつつゲートリーク電流が低い良好なゲート絶縁膜を有するＭＯＳＦＥＴを含む半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体層と、ゲート電極と、膜厚が１ｎｍ以上で少なくとも半導体層側からその厚み方向に１ｎｍまでの領域は窒化酸化シリコン膜（ＳｉＯＮ）から構成され、かつシリコンと酸素の原子数比（Ｏ／Ｓｉ）が０．０１〜０．３０、シリコンと窒素の原子数比（Ｎ／Ｓｉ）が０．０５〜０．３０であるゲート絶縁膜と、ソース／ドレイン領域と、を備えたＭＯＳＦＥＴを有する半導体装置。 （もっと読む）

【課題】浮遊ゲート電極または制御ゲート電極の特性ばらつきを可及的に抑制し、トンネル絶縁膜の信頼性の低下を防止し、かつストレス誘起リーク電流を抑制することを可能にする。
【解決手段】第１導電型の半導体層を有する基板１と、半導体層に対向して設けられた一対の第２導電型のソース／ドレイン領域１２と、ソース／ドレイン領域間の半導体層上に設けられた第１の絶縁膜１４と、第１の絶縁膜上に設けられ、ソース／ドレイン領域が対向する方向に沿って亜粒界１７が形成された単結晶の半導体を含む浮遊ゲート電極１６と、浮遊ゲート電極上に設けられた第２の絶縁膜１８と、第２の絶縁膜上に設けられた制御ゲート電極２０と、を有するメモリセルと、を備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、２つの仕事関数の半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、基板の第１領域及び第２領域上にデバイスを設けることを備える。これは、基板の第１領域及び第２領域上に誘電性層を設けること、及び第１及び第２領域の両方の誘電性層の上部にゲート電極を設けることによってなされる。第１領域上のゲート電極及び第２領域上のゲート電極の両方は仕事関数を有する。上記方法は、さらに、誘電性層とゲート電極との間で第１領域上にキャッピング層を設けることで第１領域上のゲート電極の仕事関数を変更し、及び第２領域における誘電性層とゲート電極との間の界面でスピーシーズを導入するようにスピーシーズを埋め込むことにより第２領域上のゲート電極の仕事関数を変更することを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ_x膜、ＳｉＯＮ膜などのシリコン化合物薄膜の形成において、所望の屈折率と所望の希土類添加状態とが実現できるようにする。
【解決手段】まず、内部を所定の圧力に減圧した後、ガス導入部１０６からガスを導入し、プラズマ生成室１０１で第１プラズマを発生させる。また、ガス導入部１３３からＡｒなどのスパッタガスを導入しスパッタ室１０３内で第２プラズマを発生させる。このように２つのプラズマを生成した状態で、第１プラズマとソースガス導入部１０７から供給されるシリコンソースガスとにより、成膜室１０２内の設置されている基板１０５の表面にＰＥＣＶＤ法により薄膜を形成させる。同時に、スパッタ室１０３において、第２プラズマにより希土類元素ターゲット１２１をスパッタし、このことにより発生した元素を基板１０５に形成されている薄膜に添加させる。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、およびソース電極、ドレイン電極からなる薄膜トランジスタにおいて、良好なトランジスタ特性を保ちつつ、膜がはがれにくい信頼性の高いフレキシブルなトランジスタを実現する。
【解決手段】可撓性プラスチックの基材上に、無機材料からなる密着層、金属からなるゲート電極、ゲート電極と接する側のゲート絶縁層がシリコン及び酸素を主体として化学蒸着法（ＣＶＤ法）で炭素を０．５〜４％（原子分率）を含有するように形成した層と、半導体活性層と接する側のゲート絶縁層が、シリコン及び窒素を主体としてスパッタ法で炭素を０．０５〜０．５％（原子分率）を含有するように形成した層の２層以上の異なる組成からなるゲート絶縁層、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極の順に多層構成であって、可撓性プラスチック基材とゲート電極の層間に密着層を形成した薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

上に重なる第１の金属酸化物層（１６，４６）を有する半導体基板（１２，４２）、第１の金属と窒素または炭素のうちの一方とを有する上に重なる中間層（１８，４８）、および上に重なる第２の金属酸化物層（２０，５０）を有するデバイス構造（１０，４０）、ならびにそのデバイス構造を形成する方法に関する。次いで、中間層（１８，４８）に酸素が提供される。酸素は導体層から誘電体層（１９，５３）へと中間層（１８，４８）を変化させる効果を有する。次いで、例えば、ゲート（２４，５８）および２つの電流電極（２９，３０，６２，６４）を形成することによって、最終デバイスが形成され得る。
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【課題】 ＨＤＰ−ＣＶＤなどにより層間絶縁膜を形成するに際に発生する水素イオンを除去し、デバイスへの水素イオンの影響を解消する。
【解決手段】 ゲート電極を形成した半導体基板上に、コンタクト層と、金属配線と、層間絶縁膜とを備える半導体装置であって、層間絶縁膜は、水素原子を含む原料ガスを用いて、バイアス印加したプラズマＣＶＤにより金属配線上に形成し、金属配線および層間絶縁膜の下層にシリコン酸窒化膜を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】原子層蒸着法を用い、シリコン原子の層、酸素原子の層、金属原子の層等を吸着させて金属シリケートの層を形成し、それを窒化および酸化することで、比誘電率、耐熱性、電流リーク特性に優れた高性能なキャパシタ絶縁膜を得ることを可能とする。
【解決手段】原子層蒸着法を用いた薄膜の製造方法であって、シリコン原子の層を形成するとともにシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する工程（「Ｓｉ−Ｏサイクル」Ｓ２０）および金属原子の層を形成するととも金属原子の層上に酸素原子の層を形成する工程（「金属−Ｏサイクル」Ｓ３０）のいずれも少なくとも一回以上行う成膜工程Ｓ２を備え、前記成膜工程Ｓ２で成膜された金属シリケートの層に窒素を含むガスを供給する窒素供給工程Ｓ３と、前記成膜工程で成膜された金属シリケートの層に酸素を含むガスを供給する酸素供給工程Ｓ４とを備えた製造方法である。 （もっと読む）

【課題】 基板と隣接する界面部位における窒素濃度を減少させた複合誘電膜を前記基板上に形成する方法を提供すること。
【解決手段】 半導体基板上に高誘電率物質から構成される第１誘電膜とシリコンを含む予備誘電膜を形成する。前記予備誘電膜を選択的にプラズマ窒化処理して前記予備誘電膜から窒素を含む第２誘電膜を修得する。前記プラズマ窒化処理を行う期間、窒素はイオンエネルギーによって前記第１誘電膜よりは前記予備誘電膜に含まれたシリコンと結合するので、前記半導体基板と前記複合誘電膜との間の界面部位にて窒素濃度を減少させることができる。 （もっと読む）

金属原子とシリコン原子を含む膜中の窒素濃度分布を容易に制御でき、高品質な半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供する。 基板３０上に金属原子とシリコン原子を含む膜を反応室４で成膜するステップと、前記膜に対して窒化処理を行うステップとを有し、前記成膜ステップでは、少なくとも２段階でシリコン濃度を変化させて成膜するようにした。 （もっと読む）

【課題】半導体用途における誘電体膜を形成するためのシステム及び方法、特に、混合気化前駆体を用いて基板上に多成分誘電体膜を作製するためのシステム及び方法を提供する。
【解決手段】本発明は、気化した前駆体の混合物が、原子層堆積（ＡＬＤ）処理における単一パルス段階中にチャンバ内に一緒に存在して多成分膜を形成するような気化前駆体の混合をもたらすためのシステム及び方法を提供する。気化前駆体は、少なくとも１つの異なる化学成分から成り、そのような異なる成分が単層を形成して多成分膜を生成することになる。本発明の更に別の態様では、組成勾配を有する誘電体膜が提供される。 （もっと読む）