【課題】界面準位密度のゲート酸化膜／半導体界面が形成された半導体装置、および作製方法の提供。
【解決手段】半導体基板とゲート絶縁膜、層間絶縁膜、配線層、保護絶縁膜等の半導体装置に形成される膜又は層の界面近傍での重水素元素濃度が1x10¹⁹cm^-3以上であることを特徴とする金属−絶縁膜−半導体（MIS）構造を有する半導体装置とする。シリコンカーバイド領域を含む半導体基板上に形成された金属-絶縁膜（あるいは酸化膜）-半導体（MISあるいはMOS）構造を有する半導体装置（電界効果型トランジスタ(MISあるいはMOSFET)）に対して、高温に加熱された熱触媒体表面での重水素を含んだガスの熱触媒作用によって生成された活性化した重水素を用いることにより、６００°Ｃ以下の低温においてゲート絶縁膜／シリコンカーバイド半導体界面近傍に存在するダングリングボンドの重水素終端を図る。 （もっと読む）

【課題】 耐湿性が低下し難いパシベーション膜を有する半導体装置の製造方法であって、より汎用性が高い製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法であって、基板上に第１パシベーション膜１６を形成する工程と、第１パシベーション膜１６にクラックを生じさせる工程と、クラックを生じさせた第１パシベーション膜１６上に第２パシベーション膜１８を形成する工程を備えていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅを含有する半導体基板に効果的な洗浄方法が適用された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｇｅを含有する半導体基板を、ＨＣｌガス、ＨＢｒガスまたはＨＩガスの少なくとも一種を含むハロゲン化ガスで洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。Ｇｅを含有する半導体基板を、７５℃以上１１０℃以下のＨＣｌ溶液で洗浄処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。例えば、ＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜の前処理、ソース・ドレイン電極形成の前処理、コンタクトの金属プラグ形成の前処理に適用される。 （もっと読む）

本製造方法は、厚さ１００ｎｍ未満の金属酸化物活性層を有する半導体装置の製造に用いられ、その上部主要表面および下部主要表面は、下部界面および上部界面を形成するための接合する材料を有する。本製造方法は、金属酸化物活性層のために金属酸化物を選択することにより、および、接合する材料のために特定の材料を選択することにより、下部界面と上部界面との界面相互作用を制御することを含む。さらに、本方法は、下部界面の成分を形成する下部材料の表面処理によって下部界面内の相互作用を制御する段階、および、金属酸化物層上の材料の堆積に先立って実行される金属酸化物フィルムの表面処理によって上部界面の相互作用を制御する段階、の一方または両方の段階を含む。
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【課題】ガスクラスターイオンビーム処理プロセスの適用により、集積回路の相互接続構造に使用される、銅の相互接続配線層の表面上で、層をキャップ化する、改良された集積相互接続、集積回路の構造を形成する方法ならびに機器である。
【解決手段】
銅の拡散が抑制され、電気泳動寿命が向上し、選択金属キャップ化技術の使用、およびそれに付随した問題が解消される。銅のキャップ化処理、清浄化処理、エッチング処理、および膜形成処理用の、ガスクラスターイオンビーム処理モジュールを含む、各種クラスターツール構成について示した。 （もっと読む）

【課題】基板とｈｉｇｈ−ｋ誘電体との界面の品質を最適化する技術を提供する。
【解決手段】ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体を形成する方法であって、半導体基板を準備する工程と、基板を洗浄する工程と、熱処理を行う工程と、ｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料を堆積する工程とを含み、熱処理工程は非酸化雰囲気中で行われて、半導体基板とｈｉｇｈ−ｋ誘電体材料との間に薄い界面層を形成し、薄い界面層の膜厚は１０Åより小さい方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成された絶縁膜の加工部の表面の平坦化を行なう半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁膜２４に所定の加工を施し、前記絶縁膜２４の加工部の表面２８ａに、少なくともＳｉ含有化合物を含む原料を反応させた１次反応物を供給し、その１次反応物について脱水縮合を行なうことにより、加工部の表面２８ａにシリコン酸化膜３０を形成する。 （もっと読む）

【課題】 単一横モード発振をさせるために多層膜反射鏡の横方向から酸化処理を行う必要がなく、歩留まりよく製造可能な面発光レーザ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 反射鏡を有する面発光レーザ装置において、一方の反射鏡は、高屈折率層と、低屈折率層とが交互に積層されている多層膜反射鏡１５０である。また、低屈折率層のうち少なくとも一層は、酸化アルミニウムを含む第１の領域１７５と、第１の領域を取り囲む第２の領域１７０を有する。また、第１の領域１７５と第２の領域１７０との境界は、レーザ光が出射する範囲１９０に存在する。そして、多層膜反射鏡１５０において、第１の領域を含む部分の反射率は、第２の領域を含む部分の反射率よりも高い。 （もっと読む）

【課題】 誘電体層における膜亀裂を減少させる方法を記載する。
【解決手段】 方法には、基板上に第一誘電体膜を堆積させるステップと、膜上でエッチングを行うことにより第一誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。方法には、また、エッチングされた第一膜の上に第二誘電体膜を堆積させるステップと、第二誘電体膜の最上部を除去するステップとが含まれるのがよい。更に、方法には、第一誘電体膜と第二誘電体膜をアニールして、誘電体層を形成するステップが含まれるのがよく、第一誘電体膜と第二誘電体膜から最上部を除去することにより誘電体層における応力レベルが低下している。 （もっと読む）

基板上のギャップを酸化シリコンで充填する方法を記載する。前記方法には、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップと、前駆物質を反応させて、基板上のギャップ内に第一酸化シリコン層を形成するステップと、該第一酸化シリコン層をエッチングして層内の炭素含量を減少させるステップと、が含まれるのがよい。前記方法には、第一層上に第二酸化シリコン層を形成するステップと；第二層をエッチングして第二層内の炭素含量を減少させるステップとが含まれるのがよい。ギャップを充填した後に酸化シリコン層をアニールする。 （もっと読む）

【課題】 シリサイド膜を有する半導体装置において配線抵抗を低減し、また配線抵抗のばらつきを低減する。
【解決手段】 コバルトシリサイドあるいはニッケルシリサイドを使う超高速半導体装置において、シリサイド膜形成のためシリコン表面に金属膜を堆積する前に、シリコン表面から自然酸化膜をウェットエッチングプロセスで除去した後、化学酸化膜を形成する。 （もっと読む）

シリコン基板(11)上に純粋なゲルマニウムの層(12)を堆積することができる方法及び装置。このゲルマニウム層は、非常に薄く、約１４Åのオーダーであり、シリコン上の純粋なゲルマニウムに関する臨界厚さよりも小さい。該ゲルマニウム層(12)は、シリコン基板(11)と高ｋゲート層(13)との間の中間層として役立ち、該高ｋゲート層(13)はゲルマニウム層(12)の上に堆積される。ゲルマニウム層(12)は、高ｋ材料の適用中、酸化物界面層の発生を避けるのに役立つ。半導体構造におけるゲルマニウム中間層の適用は、酸化物不純物のための直列キャパシタンスの不利益無しで機能的な高ｋゲートを生じさせる。ゲルマニウム層(12)は更に移動度を改善する。
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