【課題】溶媒中に溶解している低揮発性固体ＡＬＤ前躯体の使用を可能にする溶液安定化技術及びデリバリ技術と特定のＡＬＤ操作モードとの新規な組み合わせを提供する。
【解決手段】ＴＨＦなどの溶媒中に溶解している広範囲の低揮発性固体ＡＬＤ前駆体を用いる。不安定な溶質は溶液中で安定化されてもよく、溶液の全量が室温でデリバリされてもよい。溶液が気化された後、気相前駆体溶液及び反応溶液はは交互に堆積室内にパルス状に供給し、所定厚のＡＬＤ膜を成長をする。 （もっと読む）

【課題】表面疎水化方法によって、表面疎水化処理が施された層を含む半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０の上方に絶縁膜２０が形成され、絶縁膜２０に反応性イオンエッチングなどにより凹部２２が設けられる。凹部２２の内壁２２ａにはダメージが生じるため、凹部２２の内壁２２ａには疎水性膜２４が形成される。表面疎水化方法は、（Ａ）ジアセトキシメチルシランを層の表面に接触させた後、（Ｂ）非プロトン系溶媒を前記表面に接触させる工程と、前記層を加熱する工程と、を含む。 （もっと読む）

ナノレイヤ堆積（「ＮＬＤ」）と呼ばれる、ＣＶＤ及びＡＬＤのハイブリッド堆積プロセスが提供される。このナノレイヤ堆積プロセスは、非自己制御型堆積プロセスにおいて、第１の複数の前駆体をチャンバに導入し、第１の層を基板上に堆積させる第１のステップと、次に、該第１の組の前駆体をパージする第２のステップと、第２の複数の前駆体を導入し、堆積された薄膜を修正する第３のステップとを含む周期的シーケンス堆積プロセスである。第１の組の前駆体を用いるＮＬＤプロセスにおける堆積ステップは、非自己制御型であり、基板温度及びプロセス時間の関数である。第２の組の前駆体が、既に堆積された膜の特徴を修正する。第２の組の前駆体は、膜の組成の修正、ドーピング、又は堆積された膜からの不純物の除去のように、堆積された膜の処理を行うことができる。第２の組の前駆体は、堆積された膜上に別の層を堆積させることもできる。追加の層は、既存の層と反応して複合層を形成するか、又は最小の反応を起こしてナノラミネート膜を形成することができる。
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【課題】 ５００℃程度以下の低温基板温度で低抵抗率を有する結晶性SiC膜を効率的に作製しうる方法を提供する。
【解決手段】 基板上に結晶性SiC膜を堆積させるに際して、基板温度を５００℃以下、好ましくは３００℃以下、として、好適にはシラザン類を用いて窒素をドーピングする。堆積は好適にはCVD法、そしてさらに好適には触媒CVD法による。シラザン類としては、ヘキサメチルジシラザン、ヘキサエチルジシラザン、ヘプタメチルジシラザン、もしくはジビニルテトラメチルジシラザンが挙げられる。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の成膜方法において、シリコン原子を堆積させる第１ステップと、シリコン原子を窒化する第２ステップとを有するＡＬＤ法を用い、フラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性を有する薄い絶縁膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】第１及び第２ステップでの成膜温度と圧力を同一とし、成膜温度を５１０℃以下の低温とし、圧力を７０Ｐａ以下、ＲＦパワーを０．１ＫＷ以上とすることでフラットバンド電圧及び界面準位の小さい好適な特性の絶縁膜が得られる。これらの好適な絶縁膜を備えた半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板と絶縁膜の界面を改質して、特性の向上を図ること。
【解決手段】 シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置のコンタクト抵抗並びにショットキー特性の向上を図る。
【解決手段】サファイアからなる基板１１の上に、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）からなるバッファ層１２と、ｉ型ＧａＮからなる第１の窒化物半導体層１３と、ｉ型ＡｌＧａＮからなる第２の窒化物半導体層１４が順次形成されている。第２の窒化物半導体層１４の表面に、プラズマを電離することにより生成した窒素イオンガス１８を、プラズマを発生させる陰極と被処理基板の距離を十分離して照射する。その後、ソース電極１５及びドレイン電極１６、ゲート電極１７を形成する。この構成により、半導体表面にダメージを与えることなく、窒素空孔を含む基板表面の窒素不足を補完してから電極を作製することが可能となる。そのため、コンタクト抵抗の低減やショットキー特性の改善が実現できる。 （もっと読む）

【課題】 多孔質材料を特徴づける方法とシステムを提供することである。
【解決手段】 多孔質材料上の処理の有効性を診断するための方法とシステムである。たとえば、多孔質材料は、多孔質低誘電率材料を含むことができる。特に、方法は、材料の多孔率を特徴づけるためにＦＴＩＲスペクトロスコピーを利用することができ、材料の孔をシーリングする有効性を評価することができる。 （もっと読む）

【課題】 粒子衝突による損傷から保護し、かつ低応力な保護膜を形成した保護膜付きマイクロシステム構造体を提供する。
【解決手段】 粉塵の大きさをｄ［ｍ］、粉塵の密度をρ［ｋｇ／ｍ³］、粉塵の衝突速度をｖ［ｍ／ｓ］としたときに、保護膜（６）の少なくとも一部を構成する第１膜（７）は、ナノインデンテーション法にて、Ｂｅｒｋｏｖｉｃｈ ｔｉｐ、荷重０．５ｇｆの条件で測定したときの硬さをＨａ［ｋｇｆ／ｍ²］としたときに、保護膜（６）の膜厚：ｔ［ｍ］、保護膜（６）を構成する材料の降伏歪εＢ［−］に対して、
【数１】


を満たす硬さの物性値となるようにする。 （もっと読む）

集積回路（２）を有するチップ（１）の場合、少なくとも２つの誘電体層（６、７、・・・・・Ｈ、Ｌ、Ｈ）を有する誘電体ミラーコーティング（３）が、少なくとも１つの集積回路（２）用の光保護手段として、チップ（１）の表面の少なくとも一部分上に付着される。
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【課題】 半導体分野における集積回路の高機能化に利用することができる低誘電率絶縁膜の形成材料及び形成方法を提供する。
【解決手段】 本発明の低誘電率絶縁膜の形成材料は、１，３，５，７−テトラメチルシクロテトラシロキサン (ＴＭＣＴＳ) の全ての立体異性体分子の中で、Ｓｉ−Ｈ結合を構成する全ての水素原子４個がＳｉ−Ｏ環平面に対して同じ側にある立体異性体が１５％以上１００％以下含まれている。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを劣化させるゲート酸化物ラップアラウンド現象を解消する。
【解決手段】
マスク材料は、タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種を含んでいる。開口部が、マスク材料を通って半導体基板内に至るように形成されている。トレンチ分離材料が、分離トレンチを過剰充填する効果量で形成されている。トレンチ分離材料は、マスク材料のタングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種の少なくとも最外側面に至るまで研磨される。タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種は基板からエッチング除去される。 （もっと読む）

ゲート電極と、ゲート誘電体と、ソースおよびドレイン電極と、半導体層とを含む薄膜トランジスタを提供する工程と、封止材料をアパーチャマスクのパターンを通して前記半導体層の少なくとも一部の上に蒸着する工程とを含む、薄膜トランジスタの封止方法。
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