【課題】 凹凸形状を有するシリコンの酸化処理において、側壁に形成されるシリコン酸化膜の膜厚を底部に比べて極力薄く形成する。
【解決手段】 複数のマイクロ波放射孔３２を有する平面アンテナ板３１によりチャンバー１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、載置台２に高周波電力を印加しながら、処理ガス中の酸素の割合が０．１％以上５０％以下の範囲内であり、かつ処理圧力が１．３Ｐａ異常６６７Ｐａ以下の範囲内の条件でプラズマを生成させる。このプラズマにより、ウエハＷ上に形成された凹凸形状のシリコンの側壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下の範囲内となるようにする。 （もっと読む）

【課題】酸化亜鉛を含む半導体膜を用い、ソース電極及びドレイン電極にｎ型又はｐ型の不純物を添加した酸化亜鉛を含む膜を用いたときでも欠陥や不良が生じない半導体装置及びその作製方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜を形成し、絶縁膜上に第１の導電膜を形成し、第１の導電膜上にｎ型又はｐ型の不純物が添加された酸化亜鉛を含む第２の導電膜を形成し、第２の導電膜を第１のエッチングによって島状にし、第１の導電膜を第２のエッチングによって島状にし、絶縁膜及び島状の第２の導電膜上に酸化亜鉛を含む半導体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ基板上のＳｉＯ₂膜の窒化において、Ｎラジカルの生成効率が高く、かつＮ₂⁺ラジカルの生成効率が低減することにより、ＳｉＯ₂表面を充分窒化し、かつＳｉＯ₂／Ｓｉ界面の窒化を防止し、トランジスタの閾値電圧のシフトを防止した半導体装置の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造装置は、Ｎ₂⁺のＳｉ基板上ＳｉＯ₂膜への到達を防止し、ＳｉＯ₂／Ｓｉ界面の窒化を防止するものであり、第１の態様として、処理室と、ラジアルラインスロットアンテナと、第１ガスを導入する第１ガス導入口と、第２ガスを導入する第２ガス導入口とを少なくとも備える半導体装置の製造装置であって、処理室に、負に帯電した金属製のイオン除去プレートを備え、第１ガス導入口と第２ガス導入口とが、処理室に設けられ、第１ガスがイオン除去プレートを通過した後、第２ガスと混合される位置に設けられる半導体装置の製造装置である。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ装置において、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタの大きさを平衡させる。
【解決手段】 シリコン基板の（１００）面上に他の結晶面を有する構造を形成し、かかる構造上にマイクロ波プラズマ処理により、高品質なゲート絶縁膜を形成し、その上にゲート電極を形成する。その際、ｐチャネルＭＯＳトランジスタとｎチャネルＭＯＳトランジスタのキャリア移動度が平衡するように、前記構造の寸法・形状を設定する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の真空状態を維持したまま、載置台の上面の周辺部に対してカバー部材を載置・除去できるようにする。
【解決手段】処理容器３０内に供給された処理ガスをプラズマ化させることにより、相対的に小型の基板Ｗ２と相対的に大型の基板Ｗ１を処理容器３０内において選択的に処理可能なプラズマ処理装置５であって、処理容器３０内には、基板Ｗ１、Ｗ２を選択的に上面に載置させる載置台３１が設けられ、載置台３１の上面の中央部３１’には、載置台３１の上面の中央部３１’に載置される小型の基板Ｗ２の裏面を支持可能な位置に配置された中央昇降部材７０が設けられ、載置台３１の上面の周辺部３１”には、載置台３１の上面の中央部に載置された小型の基板Ｗ２の外側において昇降自在な周辺昇降部材７５が設けられ、周辺昇降部材７５は、載置台３１の上面に載置される大型の基板Ｗ１の裏面を支持可能な位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性をプラズマにより成膜する技術及びそのバリア膜を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】不純物の混入を低減された膜を有する半導体素子を有する半導体装置の作製方法を提案することを課題とする。さらには、歩留まり高い半導体装置の作製方法を提案する。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に設けられた半導体層に接して、プラズマＣＶＤ装置を用いて絶縁膜を形成する半導体装置の作製方法において、当該絶縁膜の不純物を含まない膜でプラズマＣＶＤ装置の反応室の内壁をコーティングした後、反応室に基板を挿入し、基板上に上記絶縁膜を成膜することにより、不純物を低減した絶縁膜を基板上に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、低温での処理を行うことで高いＨ₂パッシベーション効果を得る。
【解決手段】表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、成膜処理の前処理としてＮ₂ガスを用いたプラズマ処理を行うことで、イオンボンバードメント作用によって半導体表面に存在する自然酸化膜を除去し、この自然酸化膜の除去によって半導体表面での熱拡散を促進させ、これによって低温での成膜を可能とするものであり、成膜温度を低温とすることで、Ｈ₂パッシベーション効果の高い反射防止膜を形成する。 （もっと読む）

本発明は、フッ素を含有する絶縁膜を有する半導体装置であって、前記絶縁膜の上に直接形成されたＳｉＣＮ膜を有し、前記ＳｉＣＮ膜において、前記絶縁膜との界面から遠ざかる方向に、窒素含有量が低下する半導体装置でもよい。本発明において、ＣＦｘ膜との界面近傍においては耐フッ素性の高いＳｉＣＮ膜であって、ＳｉＣＮ膜全体としては誘電率の低い膜をハードマスクとして形成することができる。

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【課題】薄膜トランジスタの特性を低減することなく、量産が可能な表示装置の作製方法を提案することを課題とする。
【解決手段】微結晶半導体膜と、微結晶半導体膜に接するゲート絶縁膜と、ゲート電極とが重畳する薄膜トランジスタを備えた表示装置において、微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜が形成されている。微結晶半導体膜の表面に酸化防止膜を形成するため、微結晶粒の表面が酸化することを低減することが可能であるため、薄膜トランジスタの移動度の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】 単一セルに２ビット以上の複数ビットの情報を記憶させる方式の不揮発性半導体メモリ装置において、書き込み不良を防止し、高い動作信頼性を確保する。
【解決手段】 不揮発性半導体メモリ装置２００は、ラウンド状壁部２０３ｂを有するトレンチ２０３と、トンネル酸化膜２０５と、電荷捕獲領域としての窒化珪素膜２０７ａ，２０７ｂと、二酸化珪素膜２０９と、ゲート電極２１１と、ゲート電極２１１を間に挟んでその両側のＳｉ基板２０１に形成された第１のソース／ドレイン領域２１３ａおよび第２のソース／ドレイン領域２１３ｂと、を備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体メモリ装置の電荷蓄積層として有用な優れた電荷蓄積能力を有する窒化珪素膜を提供する。
【解決手段】 膜の厚さ方向に略均等なトラップ密度を有する窒化珪素膜は、高い電荷蓄積能力を有する。この窒化珪素膜は、複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、チャンバー１内に窒素含有化合物と珪素含有化合物とを含む原料ガスを導入してマイクロ波によりプラズマを発生させ、該プラズマにより被処理体の表面に窒化珪素膜を堆積させるプラズマＣＶＤによって成膜される。 （もっと読む）

【課題】ギャップ充填内のボイド及び脆弱なシームを低減する化学気相堆積法を提供する。
【解決手段】基板上に形成されたトレンチ内に誘電体材料を形成する化学気相堆積法であって、水素ガス及び酸素ガスを水蒸気生成触媒と接触させることにより水蒸気を生成して、水蒸気を処理チャンバに提供するステップを含む。また、この方法は、シリコン含有前駆物質を、基板を収容する処理チャンバ内に流すステップと、酸化ガスを前記チャンバ内に流すステップと、シリコン含有前駆物質、酸化ガス及び水蒸気の間の反応を起こし、トレンチ内に誘電体材料を形成させるステップと、を含む。また、この方法は、時間の経過と共に、チャンバ内に流されるシリコン含有前駆物質と酸化ガスの比を増加させて、誘電体材料の堆積速度を変更するステップを含んでもよい。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。そして、供給タンクＴに収容されるＺｒ（ＢＨ_４）_４をＡｒガスによってバブリングし、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を含むＡｒガスをＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスとして反応室Ｓに導入する。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板とＳｉＮ膜との界面での膜質制御を首尾よく行うことができ、しかも、短時間で高品質のＳｉＮ膜を形成することのできる絶縁膜形成方法、絶縁膜形成装置及びプラズマ処理ユニットを提供する。
【解決手段】ケイ素を主成分とするウエハＷを処理容器内に収容し、処理ガス雰囲気下で、処理容器の上部を塞ぐ誘電体上に当該誘電体と接して配置された複数のスリットを有する平面アンテナ部材ＲＬＳＡを介してマイクロ波を照射することにより酸素、又は窒素、又は酸素と窒素とを含むプラズマを形成し、このプラズマを用いてウエハＷ表面に直接に酸化、窒化、又は酸窒化を施して絶縁膜２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ基板上に、通常のシリコン酸化膜形成技術によってゲート絶縁膜を形成した場合、良好な電気的な特性を持つゲート酸化膜が得られない。
【解決手段】ＳｉＣ基板上におけるゲート絶縁膜中の炭素含有量を減少させることによって、ヒステリシスが小さく、高耐圧の膜を得ることができた。このため、プラズマ処理装置を用いて、ＳｉＣ基板上にシリコン酸化膜を形成した後、窒素原子を含むラジカルに、形成されたシリコン酸化膜を曝して改質を行うことにより、電気的特性の優れたゲート絶縁膜を得ることができた。 （もっと読む）

【課題】比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。
【解決手段】成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜しているので、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられ、その結果、低誘電率であり、かつＣｕなどの金属に対するバリア性を有するといった利点を生かすことができる。 （もっと読む）

例えば層間絶縁膜として使用されるフッ素添加カーボン膜について、弾性率及び機械的強度の大きいフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置からＣ_５Ｆ_８ガスを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．３２Ｗ／ｃｍ^２ 以下となるように、前記載置部にバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】熱処理を行っても低い比誘電率を維持する低誘電率ＳｉＯＣＨ膜を提供する。
【解決手段】ＳｉＯＣＨ膜の成膜方法は、被処理基板上のプロセス空間中においてシロキサン員環構造を有する有機シロキサンプリカーサをプラズマにより解離させる工程と、前記被処理基板上に前記ＳｉＯＣＨ膜を成膜する工程とを含み、前記成膜工程は、室温以上、２００℃以下の温度で実行されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】リーク特性、線膨張係数や機械的強度の良好なフッ素添加カーボン膜を得る技術を提供する。
【解決手段】Ｃ_５Ｆ_８ガスと水素ガスとを活性化させて得られた活性種によりフッ素添加カーボン膜を成膜する。フッ素添加カーボン膜中ではフッ素が水素と共に抜けていき減少するため、重合が促進される。これによりフッ素添加カーボン膜中の炭素の未結合手が減少し、リーク電流が小さくなる。また重合が促進され、膜が強固になることから、硬度や弾性率といった機械的強度が大きいフッ素添加カーボン膜を得ることができる。 （もっと読む）