【課題】 薄膜化されたゲート絶縁膜として高誘電率材料が使用されている。しかしゲート絶縁膜として要求されるボロンもれの抑制、界面準位密度増加の抑制、固定電荷発生の抑制、リーク電流増加の抑制などの特性を満足するゲート絶縁膜が得られていないという問題がある。
【解決手段】 本発明におけるゲート絶縁膜の形成は、絶縁膜の表面側に窒素原子分率のピーク値を有する高誘電率膜に、プラズマ酸化を行う。プラズマ酸化はシリコン基板界面近くの絶縁膜中にその酸素原子分率のピーク値を有するように形成する。この形成方法によりシリコン基板界面側には窒素が存在しない、酸化膜のみの領域とする。さらに酸素と窒素の原子分率のピーク位置を異ならせることで高品質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】 慣用される方法は、高い炭素含量を有する、上述のダイヤモンド状炭素膜および炭素ポリマー膜を含めた非晶質炭素膜のような、炭素質膜をクリーニングするには、効果的ではない。
【解決手段】 予め選定された回数、基板の上に炭素質膜を堆積させたプラズマ反応炉をセルフクリーニングする方法であって、それに含まれるのは：（ｉ）酸素ガスおよび／または窒素酸化物ガスを励起させてプラズマを発生させる工程；および（ｉｉ）反応炉内に具備された上側電極の上に蓄積された炭素質膜および反応炉の内壁の上に蓄積された炭素質膜をそのプラズマに暴露させる工程、である。 （もっと読む）

【課題】基材上に、ゲート電極、ゲート絶縁層、半導体活性層、およびソース電極、ドレイン電極からなる薄膜トランジスタにおいて、良好なトランジスタ特性を保ちつつ、膜がはがれにくい信頼性の高いフレキシブルなトランジスタを実現する。
【解決手段】可撓性プラスチックの基材上に、無機材料からなる密着層、金属からなるゲート電極、ゲート電極と接する側のゲート絶縁層がシリコン及び酸素を主体として化学蒸着法（ＣＶＤ法）で炭素を０．５〜４％（原子分率）を含有するように形成した層と、半導体活性層と接する側のゲート絶縁層が、シリコン及び窒素を主体としてスパッタ法で炭素を０．０５〜０．５％（原子分率）を含有するように形成した層の２層以上の異なる組成からなるゲート絶縁層、酸化物からなる半導体活性層、ソース電極、ドレイン電極の順に多層構成であって、可撓性プラスチック基材とゲート電極の層間に密着層を形成した薄膜トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が低く、リーク電流が小さい、炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成すること。
【解決手段】処理容器内に基板を載置し、この処理容器内に環状構造のシロキサンを含む成膜ガスと、パラフィン炭化水素ガス又は水素ガスを含む添加ガスとを導入し、これらのガスをプラズマ化することにより、基板に対して炭素、水素添加シリコン酸化膜を形成する。このようにすると、炭素、水素添加シリコン酸化膜中に存在する未結合のＳｉダングリングボンドが、添加ガスのプラズマ化により生成するＣやＨのダングリングボンドと結合することにより終端される。このため膜中に存在するＳｉダングリングボンドが少なくなるので、膜中のＳｉダングリングボンドの存在が原因となるリーク電流の発生が抑えられ、これにより比誘電率が低い炭素、水素添加シリコン酸化膜を得ることができる。 （もっと読む）

半導体ウェーハをプロセスするための統合型システムであって、このシステムは熱吸収層を堆積させるトロイダルソースプラズマリアクタを含み、このリアクタは、ウェーハ支持部と、チャンバの一般的に両側に結合しているリアクタチャンバおよび外部再入トロイダル導管と、外部再入導管の１区間に電力を結合するためのＲＦソース電力アプリケータと、熱吸収材料前駆物質ガスを含有するプロセスガスソースとを含む。統合型システムはさらに光アニーリングチャンバを含む。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物例えばＴｉＯをバインダーとして含むセラミックプレートを載置台として用い、この載置台の上に被処理基板を載置して処理ガスとして有機シランガスにより成膜処理を行うにあたって、被処理基板の金属汚染を防止すること。
【解決手段】 処理ガスとして有機シランガス例えばトリメチルシランガス（ＳｉＨ（ＣＨ3）3）を用いてＳｉＣＮ膜を成膜するにあたって、プリコート工程については有機シランガスを用いずに無機シランガスを用いる。あるいは無機シランガスを用いてプリコートを行った後、ダミー基板を載置台の上においてクリーニングすることで、被処理基板の載置領域のみ無機シランガスでプリコートし、その他の部位は有機シランガスによりプリコートする。無機シランガスはＨが少ないので、ＴｉＯの還元量が少なくなる。 （もっと読む）

【解決手段】 本発明は、成膜、エッチング、あるいは、表面変質等のプラズマを用いたプロセスの際、Ｘｅを含むガスを用いて行うことを特徴とする。
【課題】 本発明は、基板、あるいは、新たに基板上に堆積・形成する膜および基板の中に、イオン照射に起因して導入される欠陥を劇的に減少させるプラズマプロセス方法を提供することを目的とする。 （もっと読む）

【課題】ＭＬＭ(Metal Layer Metal)工程の際に絶縁膜に発生するクラック(crack)の抑制に適した半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体素子の製造方法は、（ａ）第１絶縁膜の形成された基板上にメタルラインを形成する段階と、（ｂ）前記メタルラインをパターニングする段階と、（ｃ）前記メタルライン上に第２絶縁膜を形成する段階と、（ｄ）熱処理工程を行う段階とを含んでなる半導体素子の製造方法において、前記（ｂ）段階の完了後、前記（ｃ）段階を行う前に熱処理工程により前記メタルラインの応力を緩和させる（ｅ）段階を行う。 （もっと読む）

【課題】 プラズマを用いてフッ素添加カーボン膜を成膜にするにあたり、原料ガスを分解してＣ4Ｆ6やＣ4Ｆ5を多く含む成膜種を得ることにより、リーク特性や熱的安定性に優れた特性を有するフッ素添加カーボン膜を成膜すること。
【解決手段】 気密な処理雰囲気内に載置された基板に対し、ラジアルラインスロットアンテナにマイクロ波を導くことによりプラズマを発生させる。処理雰囲気の圧力が７．３２Ｐａ以上８．６５Ｐａ以下、マイクロ波電力が２０００Ｗ以上２３００Ｗ以下、基板表面と原料ガス供給口との距離が７０ｍｍ以上１０５ｍｍ以下、基板と第１のガス供給部との距離が１００ｍｍ以上１４０ｍｍ以下の条件で、例えば環状Ｃ5Ｆ8ガスよりなる原料ガスをマイクロ波のエネルギーに基づいて活性化させると、Ｃ4Ｆ6イオン又はラジカルを多く含む成膜種が得られ、これによりフッ素添加カーボン膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】 フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

窒化シリコン膜を形成する方法が記載される。本発明によれば、シリコン/窒素含有原料ガス又はシリコン含有原料ガスと窒素含有原料ガスを低堆積温度（例えば、５５０℃未満）で熱分解して窒化シリコン膜を形成することにより窒化シリコン膜が堆積される。次に、熱堆積された窒化シリコン膜を水素ラジカルで処理して処理した窒化シリコン膜を形成する。
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【課題】窒素含有材料を形成するために窒素を組み込むための改良方法を提供すること。
【解決手段】ＮＨ_３の供給源とガス連通しており、励起種ジェネレータとガス連通している単一基板反応チャンバを備えること；該反応チャンバ中に半導体基板を提供すること；
該励起種ジェネレータ中で励起種を生成すること；ＮＨ_３を該基板の上流及び該励起種ジェネレータの下流で該励起種に曝露すること；および該ＮＨ_３の該励起種への曝露の後に、該基板を該ＮＨ_３及び該励起種に曝露することを含む半導体加工方法。 （もっと読む）

【課題】膜の強度が高く、メンブレンの応力制御が可能であるとともに、電子線透過特性に優れたメンブレンマスクおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】基体と、この基体により支持されたメンブレンと、このメンブレン上に形成され、荷電粒子線が透過する透過孔パターンを有するマスク母体とを具備し、前記メンブレンは、３×１０^１８ｃｍ^−３以上の窒素を含むダイヤモンド膜からなることを特徴とするメンブレンマスク。前記メンブレンは、基板上に、炭化水素、水素、及び０．５％以上の窒素源ガスを含む原料ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成される。 （もっと読む）

連続プロセスをバッチ反応チャンバ内で行って超高品質のシリコン含有化合物層、例えば窒化シリコン層を低温で形成する。反応速度制限条件化で、シラン前駆体としてトリシランを用いて基板上にシリコン層を堆積する（６９０）。トリシラン流を遮断する（６９２）。そしてシリコン層を窒素ラジカルで窒化することにより、例えばトリシランステップの後、プラズマ電力（リモートまたはインサイチュ）を律動的にオンすることより、窒化シリコン層を形成する（６９４）。窒素ラジカル供給を停止する（６９６）。場合によっては非活性化アンモニアも連続的にまたは間欠的に供給する。所望ならば、各トリシランおよびシリコン化合ステップの後、リアクタをパージして気相反応を回避し、各サイクルが約５〜７オングストロームの窒化シリコンを作製するプロセスを繰り返して厚さをより大きくする。
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基板（４０、１２５）上におけるケイ素−窒素−含有膜の低温プラズマ化学蒸着のための方法である。前記方法は、プロセスチャンバ（１０、１１０）に基板（４０、１２５）を提供し、リモートプラズマ源（９４、２０５）の反応物ガスを励起し、その後励起された反応物ガスをシラザン前駆体ガスと混合し、及び化学蒸着プロセスで励起したガス混合物から基板（４０、１２５）上にケイ素−窒素−含有膜を堆積する段階を含む。ひとつの実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＨ膜を堆積するため窒素含有ガスを含んでよい。また他の実施形態では、前記反応物ガスは、ＳｉＣＮＯＨ膜を堆積するため酸素含有ガスを含んでよい。
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【解決課題】 低誘電率と高機械強度を両立する絶縁膜を得ること
【解決手段】 エチル基、ビニル基、エチニル基、プロピル基、アリル基、ブチル基またはフェニル基よりなる群から選ばれる置換基を有する環状シロキサンを含むＣＶＤ用絶縁膜原料組成物及び、該ＣＶＤ用絶縁膜原料組成物を気化または昇華して生成させたガスを、基材を静置した反応容器に導入した後、該ガスをプラズマ化して該基材上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】イオン損傷が少なく、しかも、膜厚の均一性の良好な絶縁膜を得ることができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】電磁波入射面Ｆを有する真空容器２と、この真空容器２内に設けられた第１のガス噴出口４２、真空容器２内に、第１のガス噴出口４２より電磁波入射面Ｆから遠い位置に設けられた第２のガス噴出口５２を有するプラズマ成膜装置１ａにより絶縁膜１０１を形成する。第１のガス噴出口４２から真空容器２内にプラズマ発生用ガスとしての第１のガスを供給する工程と、第２のガス噴出口５２から真空容器２内に有機珪素化合物ガスおよび有機金属化合物ガスのうち少なくとも一方のガスと酸素ガス及び希釈ガスのうち少なくとも一方のガスとを含む第２のガスを供給する工程とを有する。 （もっと読む）

本発明に従った実施形態は、化学気相堆積された低誘電率材料の多段階硬化プロセスに関する。特定の実施形態では、電子ビーム放射および熱暴露ステップの組合せが、膜に組み込まれているポロゲンの選択的脱ガス化をコントロールするために採用されてもよく、ナノ細孔の形成をもたらす。一具体的な実施形態によると、シリコン含有成分と、不安定基を特徴付ける非シリコン含有成分との反応に起因する低誘電率層は、電子ビーム形態の放射印加が続く熱エネルギーの初期印加によって硬化されてもよい。 （もっと読む）

【課題】 全体として低いｋをもつＩＬＤを提供し、ＩＬＤに内在する接着性の欠陥に対する抵抗性だけでなく、ＩＬＤと基板との間の良好な接着性を提供する構造体と方法を提供すること。
【解決手段】 全般的に低い誘電率、半導体基板への良好な接着、及び熱循環によるクラッキングへの良好な抵抗性を有する、半導体デバイスのための誘電体層（１２）である。誘電体層（１２）は、誘電率の勾配をもつ誘電体層を提供するために、誘電体材料の堆積条件の連続的変化を含むプロセスによって生成される。 （もっと読む）

【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）