【課題】経時変化に伴う劣化が少ない膜を気相化学成長によって高速で形成することができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】互いに異なる原料ガスが供給され、該供給された原料ガスをそれぞれ異なる分解手法によって選択的に分解することにより、膜の形成に寄与する成膜前駆体をそれぞれ生成させる複数の分解室１０，２０と、前記複数の分解室がそれぞれ独立して連結されており、内部に基板が配置される成膜室３０と、を備え、前記複数の分解室でそれぞれ生成した前記成膜前駆体を含むガスを前記成膜室の内部に配置された基板４０にそれぞれ供給することにより、該基板の表面に膜を形成することを特徴とする成膜装置１。好ましくは、ＳｉＨ_４を含む第１の原料ガスと、ＮＨ_３を含む第２の原料ガスをそれぞれ供給して窒化シリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁性の高いシリコン酸化膜を低温下で成膜することができるシリコン酸化膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】シリコン酸化膜の成膜方法は、被処理基板Ｗを保持する保持台３４の表面温度を３００℃以下に保った状態でシリコン化合物ガス、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗにシリコン酸化膜を形成する工程と、酸化性ガスおよび希ガスを処理容器３２内に供給し、処理容器３２内にマイクロ波プラズマを生成し被処理基板Ｗ上に形成されたシリコン酸化膜をプラズマ処理する工程とを含む。 （もっと読む）

プラズマ反応処理を用いたフルオロカーボン層の形成方法は、マイクロ波出力及びRFバイアスを印加する工程を有する。前記マイクロ波出力及びRFバイアスは、20mTorr〜60mTorrの範囲の圧力下で印加される。
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基板上に酸化シリコン層を堆積させる方法は、一様な酸化シリコン成長速度が基板表面全域にわたって実現されるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることを伴う。実施形態により成長した酸化シリコン層の表面粗さは、添加剤前駆体を用いて成長させることにより低減させることができる。本発明の別の態様では、トレンチが、内部のボイドの数量が少なくおよび／またはサイズが小さい酸化シリコンフィラー材料で埋められるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることによって、表面上にトレンチを具備するパターン形成基板上に酸化シリコン層を堆積させる。
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一態様における方法は、デバイスの製造を含む。このデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、このＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。他の態様におけるデバイスは、窒化ガリウム（ＧａＮ）層と、ＧａＮ層上に配置されたダイアモンド層と、ＧａＮ層およびダイアモンド層に接触して配置されたゲート構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好な薄膜トランジスタを、生産性高く作製する方法を提供する。
【解決手段】基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極上にゲート絶縁層を形成し、ゲート絶縁層上に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、ヘリウム、アルゴン、ネオン、クリプトン、キセノン等の希ガスとを用い、プラズマを発生させて、厚さ３〜１０ｎｍ、好ましくは３〜５ｎｍの第１の半導体層を形成する。次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第１の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第２の半導体層を形成する。次に、一導電型を付与する不純物元素が添加された半導体層を形成し、導電層を形成して、薄膜トランジスタを作製する。 （もっと読む）

【課題】 膜中に実質的に水素を含まず、絶縁性が高く良質な酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上６．７Ｐａ以下の範囲内に設定し、ＳｉＣｌ_４ガスまたはＳｉ_２Ｈ_６ガスと酸素含有ガスとを含む処理ガスを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより、０．５％希フッ酸溶液によるエッチングレートが、０．１１ｎｍ／秒以下である緻密で絶縁性に優れ、高品質な酸化珪素膜（ＳｉＯ_２膜、ＳｉＯＮ膜）を形成する。 （もっと読む）

窒化ケイ素系誘電体層を堆積する方法が提供される。該方法は、ケイ素前駆体及びラジカル窒素前駆体を堆積チャンバーに導入することを含む。前記ケイ素前駆体は、Ｎ−Ｓｉ−Ｈ結合、Ｎ−Ｓｉ−Ｓｉ結合及び／又はＳｉ−Ｓｉ−Ｈ結合を有する。前記ラジカル窒素前駆体は、内包酸素を実質的に含まない。前記ラジカル窒素前駆体は、堆積チャンバーの外で発生させる。前記ケイ素前駆体及び前記ラジカル窒素前駆体は、相互作用して前記窒化ケイ素系誘電体層を形成する。
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【課題】原料ガスの混合を十分に低減して適切な分子層堆積を実現すると共に、スループットを向上し得る成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、気密可能な円筒状の容器２１内に設けられ、開口部を有し、容器の中心軸に沿った第１の方向に一の間隔で配列される複数の第１板状部材２３ｂと、第１の方向に一の間隔で配列され、複数の第１板状部材２３ｂが有する開口部の内側を往復運動可能な複数の第２板状部材２４ｂとを備える。複数の第１板状部材２３ｂのうち第１の一対の第１板状部材２３ｂにより、容器の内周面に向かう第２の方向に第１のガスが流れる第１の流路が画成され、複数の第１板状部材２３ｂのうち第２の一対の第１板状部材２３ｂにより、第２の方向に第２のガスが流れる第２の流路が画成され、複数の第２板状部材２４ｂのうち一対の第２板状部材２４ｂの間に基板が保持される。 （もっと読む）

【解決手段】プラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法において、成膜原料として用いるシラン化合物として、反応性基として水素原子又はアルコキシ基を有すると共に、分子中には２個以上のケイ素原子を含有し、かつ２個以上のケイ素原子は飽和炭化水素基を介して結合され、かつ、アルコキシ基に含まれる炭素原子を除いた炭素原子数［Ｃ］とＳｉ原子数［Ｓｉ］の比［Ｃ］／［Ｓｉ］が３以上であり、全てのケイ素原子は２以上の炭素原子と直接の結合を有するシラン化合物を用いるプラズマＣＶＤ法によるＳｉ含有膜の成膜方法。
【効果】有効な成膜速度が得られると共に、膜の疎水性の確保と、ケイ素原子の求核反応に対する反応性の抑制を同時に達成することができ、膜の化学的安定性を確保することができる。 （もっと読む）

【課題】銅拡散バリア性を有しかつ極めて低い比誘電率を有した絶縁膜を提供する。
【解決手段】５−シラスピロ［４，４］ノナン、４−シラスピロ［３、３］ヘプタン、４−シラスピロ［３、４］オクタン、４−シラスピロ［３、５］ノナン、４−シラスピロ［３、６］デカン、５−シラスピロ［４、５］デカン、５−シラスピロ［４、６］ウンデカン、６−シラスピロ［５、５］ウンデカン、６−シラスピロ［５、６］ドデカン、７−シラスピロ［６、６］トリデカンなどのケイ素化合物を絶縁膜材料とし、プラズマＣＶＤ法により成膜された絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】Ｆ添加カーボン膜を層間絶縁膜として使った多層配線構造ににおいて、開口部内のバリアメタル膜とＦ添加カーボン膜との反応を抑制し、配線と絶縁膜の密着性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】開口部４４Ａ内のＦ添加カーボン膜４４の露出表面に、Ｔａバリアメタル膜４７の堆積に先立って、少なくとも前記開口部の側壁面および底面を覆うように、Ｆと反応した場合に安定な化合物を形成するＡｌなどの金属元素よりなる金属膜４９を堆積する。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＣＶＤ装置に適した化合物を原料として窒化炭素膜を形成し、窒素含有量が高く、ガスバリア及び半導体用の絶縁膜として使用できる膜を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）


（式中、Ｒ^１，Ｒ^２，Ｒ^３，Ｒ^４，Ｒ^５，Ｒ^６は、水素原子または炭素数１〜２０の炭化水素基を表し、互いに結合していても良い。ｍ、ｎは、０〜２０の整数を表す。）で示される化合物を原料として用い、プラズマ励起化学気相成長法により窒化炭素含有膜を製造し、それを用いてガスバリア膜や半導体デバイスを製造する。 （もっと読む）

プラズマ処理装置１のチャンバ２内に、シリコン化合物ガス、酸化性ガス、および希ガスを供給する。マイクロ波をチャンバ２内に供給し、マイクロ波により生成されたプラズマで、被処理基板上にシリコン酸化膜を形成する。希ガスの分圧比は、シリコン化合物ガスと酸化性ガスと希ガスを併せたトータルガス圧の１０％以上の割合であって、シリコン化合物ガスと酸化性ガスの有効流量比（酸化性ガス／シリコン化合物ガス）は、３以上１１以下とする。
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【課題】 ＣＶＤ法によりバンドギャップの大きさを制御して窒化珪素膜を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００において、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される一定の処理圧力で、シリコン含有化合物ガスと窒素ガスとの流量比（シリコン含有化合物ガス流量／窒素ガス流量）を０．００５以上０．２以下の範囲内から選択してプラズマＣＶＤを行い、膜中に含まれるＳｉ／Ｎ比をコントロールしてバンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさが異なる絶縁膜積層体を有するＭＯＳ型半導体メモリ装置を容易に製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、少なくとも隣接する絶縁膜を形成する際の圧力条件とは異なる圧力条件でプラズマＣＶＤを行い、絶縁膜積層体を構成する隣り合う絶縁膜のバンドギャップの大きさを変えて順次成膜する。 （もっと読む）

【課題】Ｎ−Ｈ結合を減少させることができ、Ｎ−Ｈ結合の量とＳｉ−Ｈ結合の量とを合計した総膜中水素量を減らすことが可能なプラズマＣＶＤ窒化珪素膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】処理容器１内に、珪素含有ガスと、窒素及び水素含有ガスとを導入する工程と、マイクロ波を処理容器１内に放射し、処理容器１内に導入された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスをプラズマ化する工程と、プラズマ化された珪素含有ガス及び窒素及び水素含有ガスを、被処理基板Ｗの表面上に供給し、被処理基板Ｗの表面上に窒化珪素膜を成膜する工程と、を備え、窒化珪素膜の成膜条件を、処理温度を３００℃以上６００℃以下、珪素含有ガスと窒素及び水素含有ガスとの流量比を０．００５以上０．０１５以下、マイクロ波パワーを０．５Ｗ／ｃｍ^２以上２．０４５Ｗ／ｃｍ^２以下、処理圧力を１３３．３Ｐａ以上１３３３３Ｐａ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法により個々の窒化珪素膜のバンドギャップの大きさを変えて窒化珪素膜積層体を製造する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１によりチャンバー１にマイクロ波を導入するプラズマＣＶＤ装置１００を用い、シリコン含有化合物ガスとアンモニアガスとを含む成膜ガスを用い、シリコン含有化合物ガス／アンモニアガス流量比を０．０１５以上０．２以下の範囲内に設定し、０．１Ｐａ以上１３３３Ｐａ以下の範囲内から選択される処理圧力でプラズマＣＶＤを行い、バンドギャップの大きさが２．５ｅＶ以上７ｅＶ以下の範囲内の窒化珪素膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体集積回路に用いる絶縁膜として、膜厚が薄くとも信頼性を確保することができる絶縁膜の作製方法を提供することを課題とする。特に、ガラス等の大面積化が可能な絶縁表面を有する基板上に低い基板温度で高品質の絶縁膜を提供することを課題とする。
【解決手段】チャンバーにモノシランガス（ＳｉＨ_４）と亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスを導入し、１０Ｐａ〜３０Ｐａの圧力下で高密度プラズマを発生させてガラス等の絶縁表面を有する基板上に絶縁膜を形成する。その後、モノシランガスの供給を停止し、大気に曝すことなく亜酸化窒素（Ｎ_２Ｏ）と希ガスとを導入して絶縁膜表面にプラズマ処理を行う。 （もっと読む）