本発明は、少なくとも１つの機能層を、液体を少なくとも１つの領域に塗布させることによって、半導体デバイスの表面の少なくとも１つの領域に製造する方法に関する。機能層は層厚ｄ_１を有し、厚さｄ_１の機能層を形成するために必要な前記液体は、層厚ｄ_２を有する。所望の薄いかつ均等な厚さの機能層を再現可能に形成するために、液体を、表面の少なくとも１つの領域に、層厚ｄ_３で、但し、ｄ_３＞ｄ_２であって、余分に塗布すること、および、続いて、半導体デバイスが並進運動されるか、または動かないように設けられているときに、余分な液体を、液層が厚さｄ_２またはほぼ厚さｄ_２を有する程度に、非接触で除去することが提案される。 （もっと読む）

原子層を基板（６）の表面（４）に堆積させるための装置（２）。装置（２）は前駆体注入ヘッド（１０）を含み、前駆体注入ヘッド（１０）は前駆体供給部（１２）と、使用時に前駆体注入ヘッド（１０）と基板表面（４）とに界接する堆積空間（１４）とを備える。前駆体注入ヘッド（１０）は、基板表面（４）に接触させる前駆体ガスを前駆体供給部（１２）から堆積空間（１４）に注入するように構成される。装置（２）は、堆積空間（１４）と基板（６）との間の相対運動を基板表面（４）の平面で行うように構成される。装置（２）には、注入された前駆体ガスを基板表面（４）に隣接した堆積空間（１４）に閉じ込めるように構成された閉じ込め構造（２６）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に改質する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層を酸化層または酸窒化層に改質する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを少なくとも１回以上行う。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＮＯＳ構造のブロック絶縁膜として金属酸化膜を用いて不揮発性半導体記憶装置を製造することができ、且つ金属酸化物の物性値に相応した絶縁特性を得ることにより、電荷保持特性及び書込み／消去特性の向上をはかる。
【解決手段】 半導体基板１０１上に、トンネル絶縁膜１０５，電荷蓄積層１０６，金属酸化物を含有するブロック絶縁膜１０７，及び制御ゲート電極１０８を積層して構成されるＭＯＮＯＳ型の不揮発性半導体記憶装置の製造方法であって、半導体基板１０１上に、トンネル絶縁膜１０５，電荷蓄積層１０６，及びブロック絶縁膜１０７を積層形成した後、酸化性ガスを含む雰囲気下で熱処理を施し、次いでブロック絶縁膜１０７上に制御ゲート電極１０８を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコン含有膜を堆積させるためのアミノシラン前駆体、およびこれらのアミノシラン前駆体からシリコン含有膜を堆積させる方法を提供すること。
【解決手段】シリコン含有膜を堆積させるための次式（I）：
（Ｒ^１Ｒ^２Ｎ）_ｎＳｉＲ^３_４−ｎ （I）
（式中、置換基Ｒ^１およびＲ^２はそれぞれ独立にＣ１〜２０のアルキル基およびＣ６〜３０のアリール基から選択され、置換基Ｒ^１およびＲ^２の少なくとも１つはＦ、Ｃｌ、Ｂｒ、Ｉ、ＣＮ、ＮＯ_２、ＰＯ（ＯＲ）_２、ＯＲ、ＲＣＯＯ、ＳＯ、ＳＯ_２、ＳＯ_２Ｒから選択される電子吸引性置換基を含み、そしてＲ^３はＨ、Ｃ１〜２０のアルキル基、又はＣ６〜１２のアリール基から選択され、そしてｎは１〜４の範囲の数である。）から成るアミノシラン前駆体。 （もっと読む）

【課題】レジストポイゾニングの発生を抑制する半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁層を介して形成された第１配線と第２配線を電気的に接続するビアを備える半導体装置において、半導体基板上に形成された低誘電率の第１絶縁層であって、表面の誘電率が内部より高く、かつ当該第１絶縁層上に形成される絶縁性バリア膜の誘電率より低い表面改質領域が形成された第１絶縁層と、前記第１絶縁層に形成された第１配線と、前記第１配線上に形成された絶縁性バリア膜と、前記絶縁性バリア膜上に形成された第２絶縁層と、前記第２絶縁層に形成された第２配線と、前記第２絶縁層に形成された、前記第１配線と前記第２配線を電気的に接続するビアを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、絶縁膜の誘電率を低く維持すると共に、半導体装置の信頼性を高めること。
【解決手段】シリコン基板１の上方に層間絶縁膜２９を形成する工程と、層間絶縁膜２９に配線溝２９ａを形成する工程と、層間絶縁膜２９の上面と配線溝２９ａの中とに導電膜２７を形成する工程と、導電膜２７を研磨することにより、層間絶縁膜２９の上面から導電膜２７を除去すると共に、配線溝２９ａの中に導電膜２７を残す工程と、導電膜２７の表面を還元性プラズマに曝す工程と、導電膜２７の表面にシリサイド層３４を形成する工程と、シリサイド層３４の表面に窒化層３６を形成する工程と、炭素を含むガス又は液に層間絶縁膜２９の上面を曝す工程と、層間絶縁膜２９の上面に紫外線を照射する工程と、導電膜２７の上にバリア絶縁膜４０を形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】基板上に酸化ガスを供給して酸化膜を形成する際に、処理時間を短縮し、面内膜厚の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内に原料ガスを供給する原料ガス供給工程と、処理室内に残留する原料ガスおよび原料ガスの中間体を除去する原料ガス除去工程と、処理室内の雰囲気の排気を実質的に止めた状態で、処理室内にオゾンを供給するオゾン供給工程と、処理室内に残留するオゾンおよびオゾンの中間体を除去するオゾン除去工程と、を複数回繰り返して原料ガスとオゾンとを互いに混合しないよう交互に供給し、基板の表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。
【解決手段】メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で引き起こし、反応中存在する酸素の量を調節して、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。 （もっと読む）

【化１】


基板上にタンタル含有層を形成する方法であって、少なくとも以下の工程：ａ）式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＴａ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³） （Ｉ）：の少なくとも１種の前駆体化合物を有する蒸気を供給する工程と：ここで：Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を有する直鎖または分枝ヒドロカルビル基からなる群において選択される有機基である；ｂ）式（Ｉ）の少なくとも１種の化合物を有する蒸気を、原子層堆積プロセスに従って基板と反応させて、基板の少なくとも１つの表面上にタンタル含有錯体の層を形成する工程とを有する方法。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の凹部が逆テーパ形状やオーバーハング形状を有する場合においても、埋め込み性や膜質の劣化を抑制しつつ、埋め込み絶縁膜の応力を低減することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上にトレンチ５を形成し、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内の一部を埋め込む埋め込み絶縁膜６を半導体基板１上に成膜し、埋め込み絶縁膜６の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜６を熱処理した後、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内の一部を埋め込む埋め込み絶縁膜７を埋め込み絶縁膜６上に成膜し、埋め込み絶縁膜７の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜７を熱処理した後、熱ＣＶＤ法を用いることで、トレンチ５内を完全に埋め込む埋め込み絶縁膜を埋め込み絶縁膜７上に成膜し、埋め込み絶縁膜の成膜時よりも高い温度にて埋め込み絶縁膜を熱処理する。 （もっと読む）

【課題】十分な蒸気圧を有し、配管輸送上のトラブルが生じ難い、基板上に金属酸化膜を形成するための成膜原料を用いて基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を成膜する成膜方法を提供すること。
【解決手段】真空保持可能な処理容器内に被処理体を挿入し、ＨｆまたはＺｒを含むアミン系の有機金属化合物からなる成膜原料と、酸化剤とを処理容器内に供給してこれらを反応させることにより基板上にＨｆＯ_２膜またはＺｒＯ_２膜を形成する成膜方法において、有機金属化合物は、常温で固体でありかつ高蒸気圧である第１有機金属化合物に、常温で液体の第２有機金属化合物を混合してなり、常温で液体である。 （もっと読む）

【課題】 真空ポンプを備えた真空排気系内で故障の原因となる不要な膜が生成されることを防止することが可能な処理装置を提供する。
【解決手段】処理装置において、被処理体を収容する処理容器２２と、処理容器内へ原料ガスを供給する原料ガス供給系５０と、処理容器内へ反応性ガスを供給する反応性ガス供給系５２と、真空ポンプ４４、４６を有する真空排気系３６と、処理容器を迂回させるために原料ガス供給系と真空排気系とを連通す原料ガスバイパス系６２と、処理容器を迂回させるために反応性ガス供給系と真空排気系とを連通する反応性ガスバイパス系６６と、原料ガスバイパス系内に介設されて原料ガスの流出を防止する原料ガス流出防止開閉弁Ｘ１と、反応性ガスバイパス系内に介設されて反応性ガスの流出を防止する反応性ガス流出防止開閉弁Ｙ１とを備え、真空排気系内に原料ガスと反応性ガスとが同時に流れ込まないようにする。 （もっと読む）

【課題】金属製のゲート電極（メタル電極）のダメージを熱酸化により修復する際の高誘電率ゲート絶縁膜の結晶化を抑制する。
【解決手段】エッチングにより側壁が露出した高誘電率ゲート絶縁膜とメタル電極とを有する基板を処理室内に搬入する工程と、処理室内で、基板を高誘電率ゲート絶縁膜が結晶化しない温度に加熱した状態で、基板に対してプラズマで励起した水素含有ガスと酸素含有ガスとを供給して酸化処理を施す工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する。 （もっと読む）

基板を処理するための方法が提供され、ここで第１の有機シリコン前駆体、第２の有機シリコン前駆体、ポロゲン、および酸素源が、処理チャンバーに提供される。第１の有機シリコン前駆体は、一般に低い炭素含有量を有する化合物を含む。第２の有機シリコン前駆体は、より高い炭素含有量を有する化合物を含む。ポロゲンは、炭化水素化合物を含む。ＲＦ電力は、基板上に膜を堆積させるために印加され、さまざまな反応物の流れの流量は、膜の部分が堆積されるにつれて炭素含有量を変化させるために調節される。一実施形態では、堆積膜の最初の部分は、低い炭素含有量を有し、従って酸化物のようであり、一方次に続く部分は、より高い炭素含有量を有し、オキシ炭化物のようになる。他の実施形態は、酸化物のような最初の部分を特徴としない。膜を後処理するステップは、より高い炭素含有量を有する膜の部分に細孔を発生させる。
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【課題】残渣の少ないＣＶＤ用シリコン組成物の提供
【解決手段】環状アルケン、直鎖／分岐／環状アルキル基を有するシリコン含有化合物と安定剤化合物を含有し、安定剤化合物が２００ｐｐｍより多く２００００ｐｐｍ以下の量である組成物。前記安定剤化合物が２６５℃未満の沸点を有する安定化された環状アルケン化合物（例えば、４−メトキシフェノール）であり、安定化された環状アルケン組成物およびシリコン含有化合物よりなる組成物を用いる、炭素をドープした酸化ケイ素層を基材上に形成する方法。 （もっと読む）

【課題】界面準位密度が低い金属酸化物薄膜を成膜することができる金属酸化物薄膜の成膜方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に有機金属化合物を付着させ、重水を含む水よりなる酸化剤によって有機金属化合物を酸化させて金属酸化物薄膜を生成させる金属酸化物薄膜の成膜方法において、該水の金属不純物濃度が１ｗｔｐｐｂ以下であることを特徴とする金属酸化物薄膜の成膜方法。この水は、浄化装置１５において、ＵＶ及び混床イオン交換樹脂によって浄化処理される。 （もっと読む）

【課題】次世代デバイスに求められる低リーク電流及び高キャパシタ容量を実現する高誘電体容量の製造方法の提供。
【解決手段】半導体基板の上に、ＴｉＡｌＮを含む第１の電極膜３０と、酸化タンタルを含む主誘電体膜３１とを形成する。第１の電体膜３０と主誘電体膜３１とが形成されている状態でアニールを行うことにより、第１の電極膜中のアルミニウム（Ａｌ）と主誘電体膜中の酸素（Ｏ）とを反応させて、第１の電極膜と主誘電体膜との界面に、酸化アルミニウムを含む副誘電体膜３５を形成する。主誘電体膜と副誘電体膜とを介して第１の電極膜に対向する位置に第２の電極膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩの圧縮応力を減少し、チャネル方向とチャネル幅方向の応力を印加することにより、駆動能力を増大したＣＭＯＳ半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ＮＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ１、ＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２を画定する素子分離溝ＳＴと、素子分離溝の下部のみを埋め、その上に凹部を画定する酸化シリコン膜ＯＸと、ＮＭＯＳＦＥＴ領域ＡＲ１に形成されたＮＭＯＳＦＥＴと、ＰＭＯＳＦＥＴ領域ＡＲ２に形成されたＰＭＯＳＦＥＴと、ＮＭＯＳＦＥＴ構造を覆い、ＮＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ１の周囲における凹部上及びＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２のゲート幅方向外側における凹部上に延在して形成された引張応力膜ＴＳＦと、ＰＭＯＳＦＥＴ構造を覆い、ＰＭＯＳＦＥＴ用活性領域ＡＲ２のチャネル長方向外側における凹部上に延在して形成された圧縮応力膜ＣＳＦとを有する。 （もっと読む）

【目的】半導体デバイスに内蔵される水分ゲッター材であって、半導体デバイスの小型化が可能であり、且つこれの形成に専用の原料や専用の設備を必要としない水分ゲッター材を提供する。
【構成】テトラアルコキシシランを原料としてプラズマCVD法で生成される二酸化珪素薄膜であるが、緻密な薄膜を形成する条件に比べて原料ガスの流量を多くすることによってその膜質を多孔性とし、水分を吸収する性能を備えさせる。 （もっと読む）