低誘電率及び優れた電気特性等の改良されたバリア誘電体特性を有する、ケイ素、炭素、酸素及び水素を有する前駆体を含む誘電体バリアフィルムを堆積させるための方法を与える。この方法は、相互接続構造のためのダマシン又は二重ダマシン集積で、又は他の誘電体バリア用途で用いられるバリア層に関して重要となるであろう。この例では、バリア性能を改良する特定の構造特性が注目される。
（もっと読む）

【課題】絶縁信頼性の劣化を低減し、銅配線の信頼性を改善する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０と、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含み、半導体基板１０に形成された第一の多孔質絶縁膜１１ａ及び第二の多孔質絶縁膜１１ｂと、第一の多孔質絶縁膜１１ａ中に埋め込まれた第一の銅配線１２ａと、第二の多孔質絶縁膜１１ｂ中に、それぞれ、埋め込まれた第二の銅配線１２ｂ及び銅ビア２２と、第二の銅配線１２ａ上に形成された第一のメタルキャップ膜１３ａと、第二の銅配線１２ｂ上に形成された第二のメタルキャップ膜１３ｂと、を有する。第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂは、少なくとも上層のＣ／Ｓｉ比が１．５以上であり、かつ、第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂの少なくとも上層に含有される空孔の最大径が１．３ｎｍ以下である。 （もっと読む）

ＡＬＤ及びＭＯＣＶＤ法などの薄膜堆積プロセスに使用される前駆体材料を保持するための前駆体ソース容器を記載する。特に、該容器は、液体前駆体又は溶解前駆体溶液及び濯ぎ溶媒の両方を別個のチャンバに保持し、総体的なスペース要件を削減している。一態様において、シリンダー内シリンダーの配置が、二つの別個のチャンバ、すなわち一つは前駆体溶液用、もう一つは濯ぎ溶媒用のチャンバを提供している。 （もっと読む）

【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく金属酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】基板処理装置は、ウエハ２００を処理室２０１内に搬入する工程と、ＴＥＭＡＨとＯ_３とを加熱しながら処理室２０１内に交互に供給してウエハ２００にＨｆＯ_２膜を形成する工程と、ウエハ２００を処理室２０１内から搬出する工程と、を備える。ＨｆＯ_２膜を形成する工程では、ＴＥＭＡＨの加熱温度とＯ_３の加熱温度とを異ならせる。 （もっと読む）

【課題】酸化剤の供給量や供給時間を増大させることなく酸化膜の被覆性やローディング効果を改善する。
【解決手段】少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する基板搬入工程と、前記基板を加熱しながら第１の反応物質と酸素原子を含む第２の反応物質とを前記処理室内に交互に供給して前記基板上に酸化膜を形成する酸化膜形成工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する基板搬出工程と、備え、前記酸化膜形成工程では、基板温度が前記第１の反応物質の自己分解温度以下であり、前記第２の反応物質に紫外領域の光を照射することを特徴とする半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜を用いた導波路およびシリコンナノ結晶を含むシリコン酸化膜を用いた光増幅方法を提供する。
【解決手段】本発明は、シリコンナノ結晶を含むシリコン酸化物（ＳｉＯｘ）を用いた光増幅方法を提供する。本発明の光増幅方法は、１０％を越える量子効率を有するシリコンナノ結晶を含むＳｉＯｘ（ｘは２以下）導波路を形成する。シリコンナノ結晶を含むＳｉＯｘ導波路には、７００〜９５０ｎｍの第１波長で第１パワーを有する光入力信号が供給される。シリコンナノ結晶を含むＳｉＯｘ導波路は、２５０〜５５０ｎｍの第２波長で第２パワーを有する光源によって励起される。その結果。第１波長で、第１パワーよりも大きい第３パワーを有する光出力信号が生成する。例えば、第３パワーは、シリコンナノ結晶を含むＳｉＯｘ導波路ストライプの長さに応じて増加する。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】磁性層及び非磁性層の特性が劣化するのを抑制する。
【解決手段】磁気抵抗素子は、磁化方向が固定された固定層１４と、磁化方向が可変である記録層１２と、固定層１４及び記録層１２に挟まれた非磁性層１３とを有する積層構造と、この積層構造の側面を覆い、かつ窒化シリコンからなる第１の保護膜１６と、第１の保護膜１６の側面を覆い、かつ窒化シリコンからなる第２の保護膜１７とを含む。第１の保護膜１６は、水素の含有量が４ａｔ％以下であり、第２の保護膜１７は、水素の含有量が６ａｔ％以上である。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。
【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で５００℃以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】２０％を超える光量子効率を有する、ナノ結晶性ケイ素含有ＳｉＯ_Ｘ薄膜フィルムを提供する。
【解決手段】本発明に係る製造方法は、発光用途に関する、高量子効率のシリコン（Ｓｉ）ナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを備える発光素子の製造方法において：底部電極を供給する工程と；底部電極上に、シリコンナノ粒子を含有する不定比のＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルム（Ｘ＋Ｙ＜２であり、Ｙ＞０である）を堆積する工程と；シリコンナノ粒子を含有するＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムをアニール処理する工程と；６３２ｎｍにて測定された０．００１未満の消衰係数（ｋ）および２０％を超えるＰＬ量子効率（ＰＬＱＥ）を有する、アニール処理されたシリコンナノ粒子含有ＳｉＯ_ＸＮ_Ｙフィルムを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜におけるリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、基板上１０にＧａＮ系半導体層１５を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層上１５に、ＴＭＡと、Ｏ_２またはＯ_３とを用い、酸化アルミニウムからなるゲート絶縁膜１８をＡＬＤ法により形成する工程と、ゲート絶縁膜１８の上にゲート電極２４を形成する工程と、を含む。本半導体装置の製造方法によれば、ゲート絶縁膜中のリーク電流を抑制し、安定なＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

ビスアミノシラシクロブタンと、窒素供給ガス、酸素供給ガスおよびこれらの混合物から選択した原料ガスとの反応ガス混合物の熱重合によるシリコン含有薄膜の生成方法。堆積膜は窒化ケイ素、炭窒化ケイ素、二酸化ケイ素または炭素ドープ二酸化ケイ素であってもよい。これら膜は、半導体デバイスにおける誘電体、不動態化膜、バリア膜、スペーサ、ライナおよび／またはストレッサとして有用である。
（もっと読む）

【課題】 ＣＺ基板を用いた絶縁ゲート型の半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を十分に確保することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によって、ＣＺ基板６の表面に水素が含有されたゲート酸化膜１０を形成する工程と、ゲート酸化膜１０を熱処理する工程を備えている。ゲート酸化膜１０を熱処理することによって、ゲート酸化膜１０内の水素と、ゲート酸化膜１０とＣＺ基板６の界面近傍のＣＺ基板６内に存在する酸素析出欠陥との間で還元反応が生じる。これによって、ＣＺ基板６内の酸素が除去され、ゲート酸化膜１０の絶縁耐圧を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】原料ガスを間欠的に供給する際に、安全性を維持しつつ多量の原料ガスを処理容器内へ供給することができ、この結果、成膜レートを向上できるのみならず、膜中における原料ガスに含まれる元素の濃度をコントロールして、例えばこの元素濃度を高くすることが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗが収容されて真空引き可能になされた処理容器４内で被処理体Ｗの表面に薄膜を形成する成膜方法において、処理容器４内へ原料ガスを、間に間欠期間を挟んで複数回供給して原料ガスを被処理体Ｗの表面に吸着させる吸着工程と、処理容器４内へ反応ガスを供給して被処理体Ｗの表面に吸着している原料ガスと反応させて薄膜を形成する反応工程とを交互に複数回繰り返し行うようにする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に使用されるシリコン酸化膜の下地依存性を改善することによって、シリコン酸化膜の狭スペースへの埋め込み性やモフォロジーを向上させる。
【解決手段】半導体素子部を有するＳｉ基板１の表面に有機基を含まないＳｉ含有分子を吸着させ、Ｓｉ含有分子による吸着層１２を形成する。あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。吸着層１２またはＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜上から有機シリコン材料ガスとオゾン等の活性化された酸素を含むガスとを供給し、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化物からなる絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ゲート絶縁膜等の用途に適した、優れた絶縁特性を有するシリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナ３１により処理容器１にマイクロ波を導入するプラズマ酸化処理装置１００において、処理ガス中の酸素の割合を０．１％以上１０％以下の範囲内、処理容器１内の圧力を１．３Ｐａ以上２６６．Ｐａ以下の範囲内に設定し、高周波電源４４から、ウエハＷを載置する載置台２の電極にウエハＷの面積当り０．１４Ｗ／ｃｍ^２以上２．１３Ｗ／ｃｍ^２以下の範囲内の出力で高周波電力を供給し、ウエハＷにＲＦバイアスを印加しながら、ウエハＷのシリコンに対してプラズマ酸化処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 膜中に実質的に水素を含まず、絶縁性が高く良質な酸化珪素膜をプラズマＣＶＤ法により形成する。
【解決手段】 複数の孔を有する平面アンテナにより処理容器内にマイクロ波を導入してプラズマを生成するプラズマＣＶＤ装置を用い、処理容器内の圧力を０．１Ｐａ以上６．７Ｐａ以下の範囲内に設定し、ＳｉＣｌ_４ガスまたはＳｉ_２Ｈ_６ガスと酸素含有ガスとを含む処理ガスを用いてプラズマＣＶＤを行うことにより、０．５％希フッ酸溶液によるエッチングレートが、０．１１ｎｍ／秒以下である緻密で絶縁性に優れ、高品質な酸化珪素膜（ＳｉＯ_２膜、ＳｉＯＮ膜）を形成する。 （もっと読む）

【化１】


式Ｃｐ（Ｒ¹）_mＭ（ＮＲ²₂）₂（＝ＮＲ³）（Ｉ）の化合物であって：Ｍはバナジウム（Ｖ）またはニオブ（Ｎｂ）から独立して選択される金属でありｍ≦５であり；Ｒ¹は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ²は有機配位子であって、各々がＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において独立して選択され；Ｒ³はＨ、１ないし６個の炭素原子を含む直鎖または分枝のヒドロカルビル基からなる群において選択される有機配位子である化合物。 （もっと読む）