原子層堆積、化学気相堆積および有機金属化学気相堆積のような成膜プロセスにおいて出発原料として用いるための溶液型の先駆物質。この溶液型の先駆物質は、蒸発する間に分解と凝固を起こす傾向があるために気相堆積法のためには不適切であった固体先駆物質の使用を可能にする。 （もっと読む）

【課題】
ＣＭＯＳトランジスタの一方のキャップ誘電体膜に対するアニール条件を、ＣＭＯＳトランジスタの他方のキャップ誘電体膜に対するアニール条件とは独立に設定する。
【解決手段】
シリコン基板に、ｎ型ウェルおよびｐ型ウェルを形成し、シリコン基板上方にＨｆＯ等の第１の高誘電率絶縁膜、ＡｌＯ等の第１のキャップ誘電体膜を積層し、ｐ型ウェル上方から、少なくとも第１のキャップ誘電体膜を除去し、第１の温度で第１のアニールを行なって、第１のキャップ誘電体膜の構成元素Ａｌ等をｎ型ウェル上方の第１の高誘電率絶縁膜中へ拡散させ、ｐ型ウェルおよびｎ型ウェル上方にＨｆＯ等の第２の高誘電率絶縁膜、ＬａＯ等の第２のキャップ誘電体膜を積層し、ｎ型ウェル上方の第２のキャップ誘電体膜を除去し、第１の温度より低い第２の温度で、第２のアニールを行なって、第２のキャップ誘電体膜の構成元素Ｌａ等をｐ型ウェル上方の第２の高誘電率絶縁膜中へ拡散させる。 （もっと読む）

【課題】より安定的なプロセス制御を実現しながら、スループットを向上させることが求められている。
【解決手段】原料ガスと反応ガスとを交互に供給して半導体基板１１上に薄膜を形成する半導体製造装置１０であって、半導体基板１１を収容し、排気されるようになっている反応室１２と、反応室１２に原料ガスを供給する原料ガス供給配管３５と、反応室１２からの排気量を調節する開度調節可能なバルブ２３と、原料ガス供給配管３５に設けられ、原料ガスの供給圧力を検出する圧力計Ｐ２と、反応室１２に原料ガスが供給されている時に、圧力計Ｐ２で検出される圧力に基づいてバルブ２３の開度を制御する制御部４１と、を備えている。 （もっと読む）

絶縁層上にアモルファスカーボン層を形成する方法は、プラズマ反応プロセスを用いることによってアモルファスカーボン層を形成する工程を有する。前記アモルファスカーボン層は、プラズマ励起ガス、一連のC_xH_yガス、シリコン含有ガス、及び酸素含有ガスを含む雰囲気中で形成される。
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【課題】ＡＬＤがＣＶＤに比べて優れたコンフォーミティ（ｃｏｆｏｒｍａｌｉｔｙ）、成膜速度及び均一性を備えた気相堆積方法を提供する。
【解決手段】シリコンナイトライド層を含む、超高品質シリコン含有化合物層を形成するため、複数の順次的なステップ１４０が、反応チャンバー中で実施される。好ましい実施態様において、シリコン前駆物質としてトリシランを用いて、シリコン層が基板上に堆積１００される。シリコン前駆物質は、反応チャンバーから除去される１１０。その後、シリコンナイトライド層が、シリコン層を窒化すること１２０によって形成される。窒素反応物質は、反応チャンバーから除去される１１０。これらのステップ１００、１１０、１２０及び１３０を繰り返すことによって、所望の厚さのシリコンナイトライド層が形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜として高誘電体膜を使用すると、半導体装置の微細化を図ることができるが、半導体装置の性能低下を招来する場合があった。
【解決手段】半導体装置では、半導体基板１０１の上面上に、界面酸化層１０２、ゲート絶縁膜１０４及びゲート電極１０７が順に設けられている。ゲート絶縁膜１０４は、第１の高誘電体膜１０３と第２の高誘電体膜１０５とを有している。第１の高誘電体膜１０３は、界面酸化層１０２の上に設けられ、窒素を含有している。第２の高誘電体膜１０５は、第１の高誘電体膜１０３の上に設けられ、窒素を含有している。第１の高誘電体膜１０３における窒素濃度は、第２の高誘電体膜１０５における窒素濃度よりも低い。 （もっと読む）

基材（６）およびプラズマ成長層（６ａ）を含む基材構造。得られる基材構造（７）の表面は、相関するスケーリング成分により特徴づけられる。該スケーリング成分は、粗さ指数α、成長指数βおよび動的指数ｚを含み、該成長指数βは０．２未満の値を有し、該動的指数ｚは６を超える値を有する。そのような基材構造を提供するための方法も開示する。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜する際に良好なステップカバレッジを得ることができるシリコン酸化膜用成膜原料およびそれを用いたシリコン酸化膜の成膜方法を提供すること。
【解決手段】ＣＶＤ法により基板上にシリコン酸化膜を成膜するにあたり、カルボニル基を有するシロキサン系化合物からなり、エネルギーが与えられることにより分解してＣＯが脱離し、ＣＯが脱離して生成された成膜に寄与する生成物が化学構造上ダングリングボンドが存在しないシリコン酸化膜用成膜原料を用いる。 （もっと読む）

【課題】 原料供給サイクルに同期させたプラズマを用いる時分割的な原料供給ＣＶＤ法により半導体またはフラット表示素子の基板上に優れた特性を有する金属酸化物、金属窒化物及び金属の薄膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマを用いる原子層蒸着装置の反応器内において基板上に金属酸化物膜を形成する方法であって、反応器内に金属原料化合物を供給する段階と、反応器内に酸素ガスを供給する段階と、反応器内に所定時間中に酸素プラズマを生じさせる段階と、を含む金属酸化物膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】３００〜５００℃といった低温での成膜が可能であり、さらに、反応性が良好なプロセスを与える有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料を提供すること。
【解決手段】ＨＳｉ（ＣＨ_３）（Ｒ^１）（ＮＲ^２Ｒ^３）（Ｒ^１は、ＮＲ^４Ｒ^５または炭素数１〜５のアルキル基を表し、Ｒ^２およびＲ^４は、炭素数１〜５のアルキル基または水素原子を表し、Ｒ^３およびＲ^５は、炭素数１〜５のアルキル基を表す）で表される有機シリコン含有化合物を含有してなる化学気相成長用原料。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯ₂からなるゲート絶縁膜を常圧ＣＶＤによって形成することで、十分なノーマリオフ特性が得られるＧａＮ系半導体素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にバッファ層１３を介して積層されたｐ型のＧａＮ系化合物半導体からなるチャネル層１４とゲート電極Ｇとの間にゲート絶縁膜１７が形成されたＧａＮ系半導体素子１において、ゲート絶縁膜１７が、常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ₂膜である。常圧ＣＶＤ法により成膜されたＳｉＯ₂膜は、Ｓｉ−Ｈ結合や未結合手の発生が抑制された高品質のＳｉＯ₂膜である。このようなＳｉＯ₂膜により、ＧａＮ系半導体素子のしきい値の制御に及ぼす悪影響も抑制されるので、十分なノーマリオフ特性が得られる。 （もっと読む）

【課題】 膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成する。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に窒素を含むガスを活性化して供給することで、所定元素含有層を窒化層に変化させる工程と、処理容器内に原料ガスを供給することで、窒化層上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に酸素を含むガスを活性化して供給することで、窒化層上に形成された所定元素含有層および窒化層を、酸化層また酸窒化層に変化させる工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜または酸窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア移動度を示す有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供することにあり、更には、非真空系の連続生産、例えば、所謂ロールツーロール（Ｒｏｌｌ ｔｏ Ｒｏｌｌ）工程により製造するのに適しており、低コストの大量生産が可能になる有機薄膜トランジスタ素子及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】放電ガスを励起させて励起放電ガスを発生させる手段と、反応ガスと前記励起放電ガスとを接触させて前記反応ガスをプラズマ化させる手段と、を有し、前記プラズマ化した反応ガスを基材の表面に接触させて前記基材の表面処理を行う、大気圧プラズマ処理装置において、前記反応ガスが前記励起放電ガスに挟みこまれるようにして接触することを特徴とする気圧プラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜の下地となる金属膜の酸化を抑制し、成膜処理の生産性を向上させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に第１の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に第１酸化源とは異なる第２酸化源を供給し排気する工程と、を交互に繰り返すことで、第１の高誘電率絶縁膜上に第２の高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】高い蒸気圧を持ち、ケイ素含有薄膜を製造する際の優れた材料となる新しいケイ素化合物を提供し、またそれを危険性の無い安価な原材料を使用して収率良く製造する方法を提供する。
【解決手段】一般式（１）で表されるジアザシラシクロペンテン誘導体を、ジイミン、すなわち１，４−ジアザ−１，３−ブタジエン誘導体にアルカリ金属及びオルトケイ酸テトラアルキルを反応させることにより製造し、それを用いてケイ素含有薄膜を製造する。
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一般式：（Ｒ_１Ｒ_２Ｒ_３Ｒ_４Ｒ_５Ｃｐ）_３＊Ｍ（式中、Ｒ_１、Ｒ_２、Ｒ_３、Ｒ_４、及びＲ_５は、Ｈ、又は炭化水素Ｃ_ｎＨ_ｍ（ｎ＝１〜１０；ｍ＝１〜２ｎ＋１）であり；Ｃｐはシクロペンタジエニルであり；Ｍはランタニド系列又は第ＩＩＩ族材料からの元素である）を有する酸素を含まないシクロペンタジエニルの溶媒ベースの前駆体配合物。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向において第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段との間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設けることで分離領域Ｄに前記反応ガスが侵入することを阻止すると共に、前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出し、前記分離領域Ｄの両側に拡散する分離ガス及び前記中心部領域から吐出する分離ガスと共に前記反応ガスが回転テーブルの周縁と真空容器の内周壁との隙間を介して排気する。 （もっと読む）

自己制御型の等角法でＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を成長させるためのＡＬＤプロセスにおいて用いるための酸素を含まない溶液ベースのジルコニウム前駆体を開示する。（ｔ−ＢｕＣｐ）_２ＺｒＭｅ_２の酸素を含まない溶液ベースのＡＬＤ前駆体が、ＺｒＯ_２又は他のＺｒ化合物の膜を堆積させるために特に有用である。 （もっと読む）

【課題】不揮発性メモリセルの電荷保持特性の劣化の抑制を図れる半導体装置を提供する。
【解決手段】不揮発性メモリセルは、トンネル絶縁膜2と、電荷蓄積層3と、絶縁層４（４₁，４₂）と、制御電極５と、ソース／ドレイン領域６とを含み、素子分離絶縁膜７とを備し、チャネル幅方向において、絶縁層４は、電荷蓄積層３の上面に接した第１の絶縁層４₁と、電荷蓄積層３の端部に接した第２の絶縁層４₂とを含み、かつ、第２の絶縁層４₂の外側にある素子分離絶縁膜７の上面は、トンネル絶縁膜２と電荷蓄積層３との界面よりも上にある。 （もっと読む）

【課題】 ジルコニウム含有膜の原子層堆積に有用なジルコニウム前駆体を提供する。
【解決手段】 式


で示されるジルコニウム前駆体。そのような前駆体は、室温で液体であり、ジルコニウム含有膜、たとえば高κ誘電体膜をマイクロ電子デバイス基板上に形成するためのＡＬＤなどの気相堆積プロセスで利用されうる。ジルコニウム前駆体は、熱安定化用アミン添加剤によりそのような気相堆積プロセスにおいて安定化されうる。 （もっと読む）