【課題】 被処理基板や絶縁膜に損傷が与えられるのを抑制しつつ、被処理基板に良好に絶縁膜を形成することができる絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 電磁波入射面Ｆを有する真空容器２の内部に被処理基板１００を配設する。希ガス及び酸素ガスのうちの少なくとも一方を含む第１のガスは、電磁波入射面Ｆからの距離が１０ｍｍ未満となる位置から真空容器２の内部に導入し、有機シリコン化合物を含む第２のガスは、電磁波入射面からの距離が１０ｍｍ以上となる位置から真空容器２の内部に導入する。真空容器２の内部に、電磁波入射面Ｆから電磁波を入射させることにより真空容器の内部で表面波プラズマを生じさせ、被処理基板１００に酸化シリコンを堆積させる。 （もっと読む）

【課題】薄膜への不純物の混入をできるだけ防止し得る薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】真空容器１内に設けられて薄膜を形成するための基板Ｋを水平面内で回転させる回転ステージ２と、真空容器１内の基板に２種類の原料ガスの超音速分子線Ｍを略９０度の交差角でもって供給する第１及び第２分子線発生装置4A，4Bと、超音速分子線Ｍにそれぞれ励起用のレーザ光Ｒ１を照射する第１及び第２レーザ照射装置5A，5Bと、回転ステージ２の基板Ｋ表面の前方位置に配置されて各超音速分子線Ｍの交差領域に生成した反応生成物を選択し通過させるためのピンホール3aが形成された生成物選択部材３とから構成すると共に、予め検出されている反応生成物の散乱角を入力して反応生成物が生成物選択部材３のピンホール3aを通過するように回転ステージ２の回転位置を制御するようにしたもの。 （もっと読む）

【課題】金属ゲート電極／高誘電体ゲート絶縁膜構造のＭＩＳトランジスタを有する半導体装置を高性能化する。
【解決手段】シリコン基板１上に、順に、ハフニウムおよび酸素を主体とする高誘電体膜ｈｋ１と、第１金属および酸素を主体とし、化学量論的組成よりも多くの第１金属を含むｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１を形成する。その後、シリコン基板１に、第１熱処理と第２熱処理とを順に施す。続いて、ｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１上にゲート電極用金属膜ＥＭ１を形成し、これらを加工することでｐＭＩＳ用金属ゲート電極ｐＧ１とｐＭＩＳ用高誘電率ゲート絶縁膜ｐＩ１とを形成する。特に、第１熱処理では高誘電体膜ｈｋ１中の余剰酸素を除去し、第２熱処理では高誘電体膜ｈｋ１中にｐＭＩＳ用キャップ膜Ｃｐ１中の第１金属を拡散させる。第１熱処理は、第２熱処理よりも低い温度で施す。 （もっと読む）

【課題】膜質を高く維持し、且つスループットも低下させることなく原料ガスの消費量を大幅に抑制することが可能な成膜方法及び成膜装置を提供する。
【解決手段】被処理体Ｗを収容する処理容器２２と、原料ガスを供給する原料ガス供給系５４と、反応ガスを供給する反応ガス供給系５６と、弁開度が調整可能な開閉弁８０Ｂを有して真空引きする真空排気系７８とを備えた成膜処理装置２０による成膜方法において、真空排気系の開閉弁８０Ｂを閉じた状態で原料ガス供給系の開閉弁６２Ｂを最初の所定の期間は開状態した後に直ちに閉状態にして処理容器内へ原料ガスを一時的に供給して吸着させる吸着工程と、反応ガス供給系の開閉弁６６Ｂを開状態にして反応ガスを処理容器内へ供給しつつ真空排気系の開閉弁８０Ｂを最初は開状態としてその後は弁開度を徐々に小さくして反応ガスを反応させて薄膜を形成する反応工程とを、間欠期間を挟んで交互に複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を提供することを課題の一とする。また、高信頼性の半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。酸化物半導体層を減圧されたチャンバー内に導入後、窒素雰囲気下で加熱処理工程、プラズマ（少なくとも酸素プラズマを含む）の導入工程を行い、成膜ガスを導入して酸化物絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチに対しても、ゲート構造または埋込み層などの層を再現性良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ１６に対して、１００Ｐａ以下の減圧下で、チャネル層１７、ゲート絶縁膜１８およびゲート電極１９を形成する。具体的には、炭素原料として不飽和炭化水素および有機シランの少なくとも一方を含む原料ガスを用い、１００Ｐａ以下の減圧下で、エピタキシャル成長を行うことによって、ＳｉＣから成るチャネル層１７またはゲート電極１９を形成する。また１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種を供給することによる酸化および、１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種およびシラン原料を供給することによる堆積の少なくとも一方によって、ゲート絶縁膜１８を形成する。 （もっと読む）

コバルト含有薄膜を蒸着工程により形成する方法が提供される。該方法は、構造が式（Ｉ）に対応する少なくとも１種の前駆体を使用することを含み；式中、Ｒ^１及びＲ^２は独立にＣ_２〜Ｃ_８アルキルであり；ｘはゼロ、１又は２であり；並びにｙはゼロ又は１であり；ｘ及びｙの両方が同時にゼロであることはできない。

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【課題】オフ電流が低く、オン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】逆スタガ型の薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層として窒化シリコン層と当該窒化シリコン層が酸化された酸化シリコン層を積層して形成し、該ゲート絶縁層の酸化シリコン層との界面直上から結晶成長した微結晶半導体層を形成する。ゲート絶縁層の直上から結晶成長するため、結晶性の高いオン電流及び電界効果移動度が高い薄膜トランジスタとすることができる。また、バッファ層を設けてオフ電流を低減させる。 （もっと読む）

【課題】 成膜温度を低下させ、成膜速度を増大させる。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にシリコン含有ガスとボロン含有ガスとを供給して基板上にシリコン含有及びボロン含有膜を形成するシリコン含有及びボロン含有膜形成工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理室内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給して基板上に形成したシリコン含有及びボロン含有膜をボロン及びシリコン含有酸化膜に改質するシリコン含有及びボロン含有膜改質工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】酸化剤である水を噴射弁により直接噴射する際の不具合を解消した成膜方法及びその成膜装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを内部に保持し、ポンプ７１により減圧されている成膜室２内に、有機金属化合物を含む液体原料を噴射弁４１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記液体原料を気化させて、基板表面に有機金属化合物を吸着させる吸着工程と、成膜室２内に、酸化剤である水と水よりも気化潜熱の小さい有機溶媒との混合溶液を噴射弁５１により直接噴射して減圧沸騰現象により前記混合溶液を気化させて、基板表面上に吸着した有機金属化合物を酸化する酸化工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】メモリ機能等を有する機能膜の水による劣化を防止すること。
【解決手段】成膜装置内で、機能膜が形成された基板上に、上記機能膜を覆うように、絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、形成した上記絶縁膜の表面をプラズマに曝すプラズマ処理工程とを繰り返すこと。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、取り扱いが容易で、且つ酸化的熱分解が起こり易いジアルキルアミノ基を有する気相成長シリコン原料を提供することにある。
【解決手段】 本発明の課題は、ジアルキルアミノ基を有する気相成長用シリコン原料によって解決される。 （もっと読む）

チタン含有薄膜形成のための組成物と方法が提供される。この組成物は（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（エチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（イソプロピルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅ_２）_３、（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＥｔ_２）_３、（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）_３、（エチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＮＭｅＥｔ）_３、および（メチルシクロペンタジエニル）Ｔｉ（ＯＭｅ）_３からなる群から選択される少なくとも１種の前駆体と、前記少なくとも１種の前駆体以外の少なくとも１種の液化補因子とを含み、前記液化補因子は少なくとも１種の前駆体と協働するのに十分な量存在し、少なくとも１種の前駆体と組み合わされて液体組成物を形成する。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ作業効率の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０の上に回路パターンを形成し、回路パターンが形成されたシリコン基板１１０の上に層間絶縁膜１４０を形成する。層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。続いて第１の加速電圧より高い第２の加速電圧でイオン注入を行い第２イオン層３２０を形成する。その後、層間絶縁膜１４０を、第２イオン層３２０の波形上端部３２０Ｐｕが表出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】基板上に第１の金属元素および第２の金属元素を含む第３の金属酸化膜を形成する際に、第３の金属酸化膜の膜厚方向における組成の均一性を向上させる。
【解決手段】基板を収容した処理室内２０２で、基板２００に対し、第１の金属元素を含む第１の金属酸化膜を形成する工程と、第２の金属元素を含む第２の金属酸化膜を形成する工程と、を交互に複数回繰り返すことで、基板上に前記第１の金属元素および前記第２の金属元素を含む所定組成の第３の金属酸化膜を形成する工程を有し、第３の金属酸化膜を構成する第１の金属元素および第２の金属元素のうち組成比の大きい方の金属元素を含む金属酸化膜をＣＶＤモードもしくはＡＬＤ飽和モードにて形成し、組成比の小さい方の金属元素を含む金属酸化膜をＡＬＤ非飽和モードにて形成する。 （もっと読む）

【課題】高い比誘電率が確保されており且つ熱的に安定なゲート絶縁膜を用いた半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】基板２０上に、水素を含むＨｆＯ_２ 膜２２Ａを形成した後、ＨｆＯ_２ 膜２２Ａに対して熱処理を行なうことにより、基板２０側からシリコンをＨｆＯ_２ 膜２２Ａ中に拡散させてシリコン含有ＨｆＯ_２ 膜２２を形成する。その後、シリコン含有ＨｆＯ_２ 膜２２の上にゲート電極となるポリシリコン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】比較的低い温度のもとで、良質で、かつ、薄いシリコン酸化膜等を均一に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ステップ１では、半導体基板がモノシラン（ＳｉＨ₄）に暴露される。次に、ステップ２では、残存するモノシラン（ＳｉＨ₄）が排気される。そして、ステップ３では、半導体基板が亜酸化窒素プラズマに晒される。ステップ１〜３を１サイクルとして、必要とされる膜厚が得られるまでこのサイクルを繰り返すことで、所望のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】 高誘電率絶縁膜を形成する際の下地である金属膜の酸化を抑制する。
【解決手段】 基板を収容した処理室内にアルミニウム原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源または窒化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、基板表面に形成された電極膜上にアルミニウムを含む絶縁膜を形成する工程と、処理室内に原料を供給し排気する工程と、処理室内に酸化源を供給し排気する工程と、を交互に行うことで、アルミニウムを含む絶縁膜上に、アルミニウムを含む絶縁膜とは異なる高誘電率絶縁膜を形成する工程と、高誘電率絶縁膜が形成された基板に対して熱処理を行う工程と、を有する。 （もっと読む）

ＩＶ族金属含有前駆体と、ＩＶ族金属含有膜｛窒化物、酸化物および金属）の高い処理温度での堆積におけるその使用とを開示している。金属中心に結合したシクロペンタジエニル配位子およびイミド配位子の使用は熱安定性を確保し、広範な堆積温度ウィンドウおよび不純物の低い混入を可能にする。ＩＶ族金属（チタン、ジルコニウム、ハフニウム）含有膜の堆積は、熱および／またはプラズマ強化ＣＶＤ、ＡＬＤおよびパルスＣＶＤによって行うことができる。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数の基板を積層して収容する反応管２０３と、第１の原料ガスを供給する第１のガス供給手段２３２ａと、Ｏ含有ガスとＨ含有ガスとを含む第２の原料ガスを供給する第２のガス供給手段２３２ｂと、反応管内を排気する排気手段２４６と、を有し、第１のガス供給手段は、反応管の下部に接続され第１の原料ガスを供給する第１のガス供給配管と、反応管内に立設され複数のガス供給口２４８ａを有するガスノズル２３３と、を備え、第２のガス供給手段は、反応管の頂部に接続され第２の原料ガスを供給する第２のガス供給管を備え、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを互いに混合することなく交互に供給して基板上に酸化膜を形成する。 （もっと読む）