【課題】ライン間キャパシタンスを減少できる構造を有する集積回路および不純物が多層集積回路構造の次の層に存在する導電性要素に対し破壊的反応を起こすのを防止できる集積回路の製造方法を提供する。
【解決手段】低誘電率材料中での不純物の移動を防止できるキャップ層あるいはバリヤ層により、不純物が多層集積回路構造の次の層に存在する導電性要素に対し破壊的反応を起こすのを防止する。集積回路は第一の誘電体層と集積回路のより上層の導電層間に拡散防止バリヤ層を堆積して製造される。拡散防止バリヤ層はその次の金属層で不純物を含む誘電体層へその場で形成され、さらに、研磨を含む処理が多層誘電体構造に対してなされる。キャップ層あるいはバリヤ層にその場堆積は不純物を含む層を雰囲気にさらすのを防止し、そしてキャップ層あるいはバリヤ層により、水分、水素あるいはそのたのものにより、層が汚染されるのを防止することができる。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積させる方法は、一様な酸化シリコン成長速度が基板表面全域にわたって実現されるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることを伴う。実施形態により成長した酸化シリコン層の表面粗さは、添加剤前駆体を用いて成長させることにより低減させることができる。本発明の別の態様では、トレンチが、内部のボイドの数量が少なくおよび／またはサイズが小さい酸化シリコンフィラー材料で埋められるように、処理チャンバ中にシリコン含有前駆体、酸化性ガス、水、および添加剤前駆体を流入させることによって、表面上にトレンチを具備するパターン形成基板上に酸化シリコン層を堆積させる。
（もっと読む）

【課題】特定の金属先駆物質を用いたＡＬＤ法により、基板表面に、均一で共形的な厚さと平滑な表面とを有する金属含有皮膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】加熱基板を、一種以上の揮発性金属（Ｉ）、（ＩＩ）あるいは（ＩＩＩ）アミジナート化合物又はそのオリゴマーの蒸気に、次いで、還元性ガス、窒素含有ガス又は酸素含有ガスあるいはそれらの蒸気に交互に暴露して、当該基板表面に金属皮膜、金属窒化物皮膜又は金属酸化物皮膜を形成させることを含んでなる、金属を含む薄膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの側壁に湿性の高い層間絶縁膜が露出しない構造を、より少ない処理工程数で実現可能な半導体素子の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の第１の態様に係る半導体素子の製造方法は、基板上に下層金属配線パターンを形成する工程と；前記下層金属配線パターンを覆うようにシリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜を形成する工程と；前記第１層間絶縁膜上にＯ_３−ＴＥＯＳ膜または絶縁塗布膜からなる第２層間絶縁膜を形成する工程と；前記下層金属配線パターンの直上部に形成された前記第２層間絶縁膜を除去する工程と；前記第１及び第２層間絶縁膜上に第３層間絶縁膜として、シリコン酸化膜を形成する工程と；前記第１及び第３層間絶縁膜を貫通して前記下層金属配線に達するスルーホールを形成する工程と；を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、膜中の炭素、水素、窒素、塩素等の不純物濃度が極めて低い絶縁膜を低温で形成することができる半導体装置の製造方法および基板処理装置を提供することにある。
【解決手段】 基板を収容した処理容器内に所定元素を含む原料ガスを供給することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、大気圧未満の圧力に設定した処理容器内に酸素含有ガスと水素含有ガスとを供給することで、所定元素含有層を酸化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜を形成する工程を有し、酸素含有ガスが酸素ガスまたはオゾンガスであり、水素含有ガスが水素ガスまたは重水素ガスであり、酸化膜を形成する工程では、基板の温度を４００℃以上７００℃以下とする。 （もっと読む）

【課題】人手を介さずにバルブ制御装置にバルブ開閉パターンを書き込むことができ、バルブの高速な切り替え動作をロギングできる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板処理装置は、複数のバルブの開閉動作を制御するバルブ制御装置３００と、前記複数のバルブの開閉状態の設定を行うバルブ切り替えパターンを作成するパターン作成装置３０２と、を有する。前記パターン作成装置は、作成したバルブ切り替えパターンを前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。前記バルブ制御装置は、内部エリアに書き込まれたバルブ切り替えパターン３０６に基づいて複数のバルブの切り替えを行い、その時の前記複数のバルブの開閉状態を前記バルブ制御装置の内部エリアに書き込むと共に、前記パターン作成装置の記憶媒体に保管する。 （もっと読む）

【課題】多孔質絶縁膜における空孔の径を小さくすることができ、かつ多孔質絶縁膜の強度を高くすることができる多孔質絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】環状シロキサンを骨格とし側鎖に少なくとも一つの揮発性炭化水素基が結合した環状シロキサン化合物と、シリコン含有化合物とを、プラズマ中に導入し、基板上に絶縁膜を形成する工程と、絶縁膜にエネルギーを加えることにより、絶縁膜を多孔質絶縁膜にする工程とを備える。シリコン含有化合物は、環状シロキサン化合物の骨格、揮発性炭化水素基、及び環状シロキサン化合物と揮発性炭化水素基の結合より低エネルギーで分解する。 （もっと読む）

【課題】狭い開口幅のトレンチを形成する場合に活性領域部分が倒壊するのを防止する。
【解決手段】シリコン基板１上に電荷保持層４、電極膜５を積層形成し、一括加工によりトレンチ１ａ、１ｂを形成する。上面およびトレンチ１ａ、１ｂ内にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜６を形成する。狭いトレンチ１ａ内にボイドＶａを形成する。シリコン酸化膜６をエッチバックしてボイドＶａの上端部を開口する。このとき、トレンチ１ａの上部にこれらと直交するようにシリコン酸化膜６を梁部６ａとして残すパターニングをする。この後、レジストの剥離、ウェット処理を経るが、梁部６ａを設けているので、倒壊するのを防止できる。ポリシラザン膜を埋め込み、水蒸気キュアをしてシリコン酸化膜７に転換する。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上に被加工膜を形成し、シリコン基板１及び被加工膜を加工して素子分離溝５を形成し、素子分離溝５に熱ＣＶＤ法により絶縁膜６を埋め込む製造方法であって、絶縁膜６を埋め込む工程の熱ＣＶＤ法の成膜条件を、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの空孔率が５％以上となると共に、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さを越える部分を埋め込む絶縁膜６ｂの堆積速度が素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの堆積速度よりも小さくなる条件に設定した。 （もっと読む）

【課題】界面層および高誘電率絶縁膜下層部への窒素原子の導入を抑制することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置の提供。
【解決手段】ＭＯＳＦＥＴのゲートスタック形成工程は、ウエハ上に界面層を形成するステップと、界面層に第一ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜にアニールを施すことで第一ハフニウムシリケート膜を緻密化もしくは結晶化するステップと、緻密化もしくは結晶化した第一ハフニウムシリケート膜上に第二ハフニウムシリケート膜を形成するステップと、第一ハフニウムシリケート膜および第二ハフニウムシリケート膜に対しプラズマ窒化を施すステップと、プラズマ窒化のプラズマダメージを回復する回復アニールステップと、を有する。窒素導入による移動度の劣化を抑制し、良好なＭＯＳＦＥＴ特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤの成膜速度を生かしながら膜中不純物を低減する。
【解決手段】処理室内に基板を搬入する工程と、処理室内に原料ガスと酸化剤とを供給して基板を処理する工程と、処理後の基板を処理室内から搬出する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、基板を処理する工程では、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスに設定した状態で、処理室内に原料ガスを供給しつつ処理室内を排気する工程と、処理室内の排気コンダクタンスを第１の排気コンダクタンスよりも大きな第２の排気コンダクタンスに設定した状態で、処理室内に酸化剤を供給しつつ処理室内を排気する工程と、を１サイクルとして、このサイクルを複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】ウィンドウ特性の向上とリテンション特性の向上とを同時に図ることのできる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０上に、トンネル酸化膜１１１、チャージトラップ膜１１２、ブロッキング酸化膜１１３、ゲート電極１１４が、下側からこの順で形成された積層構造を有する半導体装置であって、ブロッキング酸化膜１１３が、チャージトラップ膜１１２側に設けられた結晶質膜１１３ａと、当該結晶質膜１１３ａの上層に設けられたアモルファス膜１１３ｂとを具備している。 （もっと読む）

【課題】基板の加熱による成膜処理への影響を抑えることができる成膜装置を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた回転テーブルに載置された基板を加熱するために設けられた基板加熱手段と、回転テーブルの周方向に互いに離れて設けられ、前記回転テーブルにおける基板の載置領域側の面に夫々反応ガスを供給する反応ガス供給手段と、反応ガスが供給される各処理領域間の雰囲気を分離するために、前記周方向においてこれら処理領域の間に位置する分離領域に分離ガスを供給する分離ガス供給手段と、前記回転テーブルに供給された各反応ガス及び分離ガスを排気するための排気口と、前記真空容器を加熱し、また冷却することができるように構成された温調手段と、を備えるように成膜装置を構成することで、真空容器の温度制御を行い、前記基板加熱手段からの温度の影響を抑える。 （もっと読む）

【課題】排気配管内等で原料ガス同士が反応して、その生成物が排気配管の内壁等に付着するのを確実に、装置コストやメンテナンスの負荷を増大させることなく防止する。
【解決手段】反応容器１０１内に配置された基板Ｗに対して第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給して基板Ｗ表面に第１の原料ガスと第２の原料ガスとの反応生成物の膜を形成する成膜装置であって、ガス供給口１０２、１０３及びガス排出口１０８、１０９を有し、内部に基板Ｗが配置される反応容器１０１と、ガス供給口１０２、１０３に接続され、反応容器１０１内に第１及び第２の原料ガスを供給するガス供給系と、ガス排出口１０８、１０９に接続され、反応容器１０１内から第１及び第２の原料ガスを排出するガス排出系と、ガス排出口１０９近傍に設けられた、第１の原料ガス及び第２の原料ガスの少なくとも一方を分解するガス分解部１１４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】気化器の液体原料流路内からの有機金属液体原料の除去を促進させ、液体原料流路内の閉塞を抑制する。
【解決手段】基板を収容した処理室内に複数種類の反応物質を複数回供給することにより基板を処理する工程を有し、複数種類の反応物質のうち少なくともいずれか一つは、液体原料を気化部で気化させた原料ガスを含み、基板を処理する工程では、気化部に液体原料を溶解することのできる溶媒を連続的に流すと共に、気化部に液体原料を供給して気化させる気化動作を間欠的に行い、液体原料の気化動作時以外の時であって、液体原料の気化動作を所定回数行う毎に、気化部に溶媒を、液体原料の気化動作時に供給する溶媒の流量よりも大流量で流すフラッシング動作を行う。 （もっと読む）

【課題】反応ガスノズルの水平軸に対する傾きを調整することができる技術を提供すること。
【解決手段】真空容器内に設けられた基板載置部に対向して水平に伸びるように設けられた反応ガスノズル３１の一端側を前記真空容器の壁部の挿入孔に挿入し、前記反応ガスノズル３１の一端側と真空容器の壁部との間にＯリングｒ１、ｒ２を設けて、このＯリングｒ１、ｒ２により、前記反応ガスノズル３１の一端側を真空容器内部の気密性を維持した状態で固定する。そして反応ノズル３１における前記挿入孔よりも真空容器の内部空間側の部位を下方側から支持する傾き調整機構２５を設け、前記支持位置の高さを調整することにより、前記反応ガスノズル３１の水平軸に対する傾きを調整する。 （もっと読む）

【課題】基板を低温に維持したまま、膜の高温アニール等の熱処理をし、または熱ＣＶＤ膜を基板表面に形成することができる安価な膜形成方法および膜形成装置を提供する。
【解決手段】支持台４上に支持された基板１の表面上に、複数の高温ガスビーム２ｂ，２ｃを相互に所要の間隔を置いてほぼ垂直に吹き付けると基板表面１ａ上の膜のみをアニールできる。これと共に、これら高温ガスビーム２ｂ，２ｃと前記基板１の表面とにより画成された高温空間６に、堆積性を有する膜形成用の熱分解ガス７を供給し、それを熱分解させて活性種を生成させ基板１の表面に吹き付けることにより、熱ＣＶＤ膜を形成することができる。 （もっと読む）

低誘電率及び優れた電気特性等の改良されたバリア誘電体特性を有する、ケイ素、炭素、酸素及び水素を有する前駆体を含む誘電体バリアフィルムを堆積させるための方法を与える。この方法は、相互接続構造のためのダマシン又は二重ダマシン集積で、又は他の誘電体バリア用途で用いられるバリア層に関して重要となるであろう。この例では、バリア性能を改良する特定の構造特性が注目される。
（もっと読む）

【課題】絶縁信頼性の劣化を低減し、銅配線の信頼性を改善する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０と、シリコン（Ｓｉ）と炭素（Ｃ）と酸素（Ｏ）とを含み、半導体基板１０に形成された第一の多孔質絶縁膜１１ａ及び第二の多孔質絶縁膜１１ｂと、第一の多孔質絶縁膜１１ａ中に埋め込まれた第一の銅配線１２ａと、第二の多孔質絶縁膜１１ｂ中に、それぞれ、埋め込まれた第二の銅配線１２ｂ及び銅ビア２２と、第二の銅配線１２ａ上に形成された第一のメタルキャップ膜１３ａと、第二の銅配線１２ｂ上に形成された第二のメタルキャップ膜１３ｂと、を有する。第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂは、少なくとも上層のＣ／Ｓｉ比が１．５以上であり、かつ、第一、第二の多孔質絶縁膜１１ａ、１１ｂの少なくとも上層に含有される空孔の最大径が１．３ｎｍ以下である。 （もっと読む）