【課題】基板面内の膜組成分布を向上せしめると共に、基板面内の結晶粒の発生の微視的なバラツキを抑制し、さらに表面ラフネスの向上を達成することができるＰＺＴ薄膜の形成方法及びこの薄膜を含んでなる半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】Ｐｂ、Ｚｒ及びＴｉ用のそれぞれの有機金属化合物原料として、Ｐｂ（ｔｈｄ）_２及びＰｂ（ｄｍｈｄ）_２から選ばれた１種類のＰｂ用有機金属化合物原料と、Ｚｒ（ｄｍｈｄ）_４、Ｚｒ（ｔｈｄ）_２（ｄｍｈｄ）_２、Ｚｒ（ｔｈｄ）_３（ｄｍｈｄ）、Ｚｒ（ｉ−ＰｒＯ）_２（ｔｈｄ）_２、及びＺｒ（ｉ−ＰｒＯ）（ｔｈｄ）_３から選ばれた１種類のＺｒ用有機金属化合物原料と、Ｔｉ（ｉ−ＰｒＯ）_２（ｄｍｈｄ）_２のＴｉ用有機金属化合物原料とを用いる。この強誘電体薄膜を含む半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】複数の絶縁膜を有する積層膜を形成する場合のスループットの向上等を実現し得る半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、少なくともトリメチルシリルアセチレンを原料ガスとして用いて、組成の異なる複数の絶縁膜３４、３６、３８、４０を有する積層膜及び組成の異なる複数の絶縁膜５６，５８，６０，６２を有する積層膜６４を、同一の反応室内において大気開放することなく連続的に形成する工程を有している。 （もっと読む）

【課題】ＰＥＡＬＤにより基板上に成膜するプロセスにおいて、基板上の有機膜にダメージを与えない方法を提供する。
【解決手段】ＰＥＡＬＤにより、基板に形成されたレジストパターン又はエッチされたライン上にシリコン酸化膜を成膜する方法が、レジストパターン又はエッチされたラインが形成された基板をＰＥＡＬＤリアクターに与える工程と、基板が配置されたサセプタの温度を成膜温度として５０℃未満に制御する工程と、成膜温度を５０℃未満の一定の温度に実質的に又はほぼ維持しながら、ＰＥＡＬＤリアクターにシリコン含有前駆体及び酸素供給反応ガスを導入して、レジストパターン又はエッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜する工程と、前記レジストパターン又は前記エッチされたラインにシリコン酸化原子膜を成膜するために、実質的に又はほぼ一定の温度で成膜サイクルを複数回繰り返す工程とを含む。 （もっと読む）

本発明は、混合金属酸化物、ＳｒＭ_１−ｘＴｉ_ｘＯ_３に関し、ｘは０<ｘ<１でありＭはＨｆ又はＺｒであり、例えばストロンチウム−ハフニウム−チタニウム酸化物、ストロンチウムジルコニウム−チタニウム酸化物である。また本発明は、前記混合金属酸化物を含む機能装置に関する。 （もっと読む）

【課題】少数のターゲットにて反応性ガスをＯＮ／ＯＦＦするだけで複数の膜種を成膜する際に、膜の種類の切替え時間を大幅に短縮し、高品質の膜を効率的に安定して確保できるスパッタリング技術を提供する。
【解決手段】第１のターゲット材料をスパッタリングして基板上に成膜する第１のスパッタ工程と、前記第１のターゲット材料とは異なる第２のターゲット材料をスパッタリングして前記基板上に成膜する第２のスパッタ工程と、前記第１のスパッタ工程と前記第２のスパッタ工程との間で、前記基板を前記複数のターゲット材料から遮蔽しつつ、前記第１および第２のターゲット材料をそれぞれ成膜レートが変化するようにスパッタリングするプリスパッタ工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】本発明は、共振器端面にダメージを与えずに表面のクリーニングを行い、瞬時光学損傷への耐性が維持された信頼性の高い窒化物半導体レーザを得ることを目的とする。
【解決手段】この発明にかかる窒化物半導体レーザの製造方法は、窒化物半導体層を有する窒化物半導体レーザ２００の製造方法であって、（ａ）前記窒化物半導体層に、光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を形成する工程と、（ｂ）窒素を含むガスを熱分解してラジカル化した雰囲気に、前記光出射側共振器端面２０，光反射側共振器端面２１を暴露する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法を提供すること。
【解決手段】ここに記載されるのは、低いウェットエッチ耐性、６．０以下の誘電率、及び／又は高温急速熱アニールプロセス耐性、といった特性のうちの少なくとも１つを示す、酸化ケイ素、酸炭化ケイ素、炭化ケイ素及びこれらの組み合わせなどの、とは言えこれらに限定はされない、ケイ素を含む誘電体膜を形成する方法である。同様にここに開示されるのは、例えば半導体ウェーハなどの処理すべき対象物上に誘電体膜又は被覆を形成するための方法である。 （もっと読む）

【課題】有機金属化合物を含む液体状の成膜原料を気化供給して所定の膜を成膜する際に、基板間での膜厚のばらつきを小さくすることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】加水分解性を有する有機金属化合物を溶媒で希釈してなる成膜原料を気化器で気化させ、気化された成膜原料を基板上に供給して基板上に金属含有膜を成膜する成膜方法にあたり、気化器に供給される成膜原料中の水分量を、有機金属化合物と反応して生じる加水分解物の量が前記気化器を含む成膜原料供給系を実質的に詰まらせない程度になる量とする。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイスの小型化要求を満たす寸法の開口パターンを形成する際に、マスク層のエッチング耐性を増強させ、処理対象層の加工の自由度を向上させることができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としての、例えばフォトレジスト膜５３からなる有機膜を無機化する無機化ステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってフォトレジスト膜５３をＳｉ酸化膜に改質する酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】酸素を含む高品質な薄膜の形成が可能で、水分発生器やオゾン発生器を必要とせず、低コスト化を実現する。
【解決手段】複数枚の基板を収容する処理室と、処理室内で複数枚の基板を加熱する加熱手段と、処理室内で複数枚の基板を多段に保持する基板保持手段と、第１の原料ガスを基板保持手段に沿って立設されたノズルを介して処理室内へ供給する第１のガス供給手段と、第１の原料ガスとは異なる酸化性ガスと還元性ガスとを含む第２の原料ガスを処理室内へ供給する第２のガス供給手段と、処理室内の雰囲気を排気する排気手段と、複数枚の基板を基板保持手段により多段に保持した状態で収容した減圧下の処理室内に、第１の原料ガスと第２の原料ガスとを交互に供給することで複数枚の各基板上に酸化膜を形成するよう制御する制御手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】
実用的な成膜速度を有しつつ低温で基板上に薄膜を形成する。
【解決手段】
原料ガスに基板を曝す原料ガス暴露工程と、電気陰性度の異なる原子を有する酸化ガスもしくは窒化ガスのいずれかである改質ガスに基板を曝す改質ガス暴露工程と、触媒に基板を曝す触媒暴露工程と、を行なうことにより、基板の表面に酸化膜もしくは窒化膜を形成する半導体デバイスの製造方法であって、触媒暴露工程では酸解離定数ｐＫ_ａが５〜７である触媒（ただし、ピリジンを除く）を用いる半導体デバイスの製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】処理対象層に、半導体デバイスの小型化要求を満たす小さい寸法の開口部を形成することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】処理対象基板であるウエハＷのマスク層としてのフォトレジスト膜５３上に補強膜を形成すると共に、開口パターンを形成する線状部分の線幅ａをトリミングする成膜トリミングステップは、フォトレジスト膜５３の表面に１価のアミノシランを吸着させる吸着ステップと、吸着したアミノシランを、酸素をプラズマ励起した酸素ラジカルを用いて酸化し、これによってアミノシランをＳｉ酸化膜に改質すると共にフォトレジスト膜５３の線状部分の線幅ａをトリミングする酸化ステップを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁層とチャネル層との密着性が良好な電界効果型トランジスタを提供する。
【解決手段】基板と、前記基板上に、ゲート電極と、ゲート絶縁層と、チャネル層と、ソース電極と、ドレイン電極と、を有し、前記ゲート絶縁層は酸化ガリウムを含み、前記チャネル層は有機半導体層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】より高い誘電率を有する高誘電率絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板上に高誘電率絶縁膜を形成する工程Ｓ１０６と、前記高誘電率絶縁膜に対し真空下で熱処理を施す工程Ｓ１１０と、熱処理後の前記高誘電率絶縁膜が室温となるまでの間、前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧を、前記熱処理時に前記高誘電率絶縁膜が存在する空間の酸素分圧と同等もしくはそれ以下に保持する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物をチャネルに用いた電界効果型トランジスタにおいて、ゲート絶縁層とチャネル層との間の界面が良好な構造を提供する。
【解決手段】基板１と、前記基板１上に、ゲート電極５と、ゲート絶縁層６と、チャネル層４と、ソース電極２と、ドレイン電極３と、を有し、前記ゲート絶縁層６及び前記チャネル層４は、ガリウム（Ｇａ）及び酸素（Ｏ）を少なくとも構成元素とする層である、電界効果型トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜全体の誘電率を損なうことなく、不純物濃度の低い高誘電率絶縁膜を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板の温度を第１の温度とした状態で、基板に対して原料ガスを供給して基板上に高誘電率絶縁膜を形成する成膜ステップと、基板の温度を前記第１の温度よりも低い第２の温度とした状態で、基板上に形成された前記高誘電率絶縁膜を、酸素ラジカルを含む雰囲気に晒すことにより前記高誘電率絶縁膜を改質する改質ステップと、を１サイクルとしてこのサイクルを複数回繰り返す。このサイクルの繰り返しにより、基板上に所定膜厚の高誘電率絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理により、ランタンやアルミニウムがｈｉｇｈ−ｋ材料とシリコン基板との間の酸化シリコン膜まで拡散する。ランタンやアルミニウムの拡散が、チャネル移動度の低下や素子の信頼性の低下の原因になる。
【解決手段】 半導体基板の一部の領域上に、ＳｉとＯとを含む絶縁層が形成されている。絶縁層の上に、ハフニウムシリケートを含む下側高誘電率膜が形成されている。下側高誘電率膜の上に、ハフニウム酸化物、またはＨｆとＳｉとの合計の原子数に対するＨｆの原子数の比が、下側高誘電率膜のそれよりも大きいハフニウムシリケートを含む上側高誘電率膜が形成されている。上側高誘電率膜の上にゲート電極が形成されている。ゲート電極の両側にソース及びドレインが配置されている。 （もっと読む）

【課題】処理室内壁等へのダメージを抑制しつつ、高誘電率膜中へのボロンの混入を抑制する半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室２０１内に基板２００を搬入する工程と、処理室２０１内に処理ガス２３２ａ，ｂを供給して基板２００上に高誘電率膜を形成する処理を行う工程と、処理後の基板を処理室２０１内から搬出する工程と、処理室２０１内にボロンを含むハロゲン系ガス２３２ｃを供給して処理室２０１内に付着した高誘電率膜を含む堆積物を除去し処理室２０１内をクリーニングする工程と、処理室２０１内に酸素系ガス２３２ｄを供給してクリーニング後に処理室内に残留するボロンを除去もしくは固定する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】低温での成膜が可能であり、表面平坦性、凹部埋めこみ性、ステップカバレッジに優れ、成膜速度にも優れるシリコン酸化膜の形成工程を有する半導体デバイスの製造方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】処理室５２内にシリコン原子を含む第１の原料ガスを供給し、ウエハ２００上に数原子層のアモルファスシリコン膜を形成する工程と、第１の原料ガスの供給を停止し、第１の原料ガスを処理室５２内から排出する工程と、処理室５２内に酸素原子を含む第２の原料ガスを供給し、ウエハ１上に形成されたアモルファスシリコン膜と反応させてシリコン酸化膜を形成する工程と、第２の原料ガスの供給を停止し、処理室５２内から第２の原料ガスを排出する工程と、を繰り返して各基板上に所定膜厚のシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体界面のダングリングボンドを終端させて、リーク電流が少ない半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ボンディングパッド４０が設けられる最上層の配線層３９の上に、フッ素を含んだ介在層４１としてＣＶＤ法によりよって形成されたフッ素含有酸化シリコン膜（ＳｉＯＦ）を設ける。この上にパッシベーション膜４２としてプラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜を設け、フッ素に対するバリアとする。この後熱処理を行い、フッ素をシリコン基板の表面に拡散させる。 （もっと読む）