【課題】半導体装置を高速駆動させること、又は半導体装置の信頼性を向上させることを目的とする。
【解決手段】絶縁性を有する基板上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極上にゲート絶縁膜を形成し、前記ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成する半導体装置の作製方法であり、前記ゲート絶縁膜を、高密度プラズマを用いた成膜処理により形成する。それにより、ゲート絶縁膜の未結合手を低減し、ゲート絶縁膜と酸化物半導体との界面を良質化する。 （もっと読む）

【課題】塗布法や堆積法を用いて高品質な絶縁部材を半導体素子周辺に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００の製造方法は、半導体基板２上に、Ｓｉ系絶縁材料からなる絶縁膜１０を付加的に形成する工程と、絶縁膜１０上に触媒金属膜１１を形成する工程と、触媒金属膜１１を触媒として用いて絶縁膜１０に酸化処理を施す工程と、酸化処理を施した絶縁膜１０を加工してゲート絶縁膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜４を含むＭＯＳＦＥＴ１を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高誘電体ゲート絶縁膜およびシリコン基板との界面を高品質化して、ＭＩＳＦＥＴの特性向上を図る。
【解決手段】 シリコン基板１１上にｈｉｇｈ−ｋ膜２１とゲート電極２４を形成する半導体装置の製造方法において、ｈｉｇｈ−ｋ膜形成後にフッ素雰囲気でアニール処理２３を施し、その後のプロセス温度を６００℃以下で行う、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体基板上にゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法であって、ゲートスタックのＶ_Ｔ値を容易に調整することができる方法を提供する。
【解決手段】ゲート誘電体層とゲート電極とのゲートスタックを含む半導体デバイスを製造する方法は、第１の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物であるゲート誘電体層を半導体基板上に形成するステップと、第２の電気陰性度を有する金属酸化物または半金属酸化物である誘電体Ｖ_Ｔ調整層を形成するステップと、ゲート誘電体層およびＶ_Ｔ調整層の上にゲート電極を形成するステップと、を含み、前記ゲートスタックの実効仕事関数が、誘電体Ｖ_Ｔ調整層の厚さおよび組成を調整することによって所望の値に調整され、第２の電気陰性度が、第１の電気陰性度およびＡｌ_２Ｏ_３のいずれよりも高い。 （もっと読む）

【課題】回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止して良好な処理を行うことができる技術を提供すること。
【解決手段】回転テーブルの回転方向に互いに離れた第１、第２の処理領域に夫々第１の反応ガス及び第２の反応ガスを供給する第１の反応ガス供給手段と第２の反応ガス供給手段とを設ける。前記回転方向において第１、第２の処理領域の間に分離ガス供給手段を設け、この分離ガス供給手段の前記回転方向両側にて低い天井面を設ける。さらに前記回転テーブルの回転中心部と真空容器とにより区画した中心部領域から回転テーブルの周縁に向けて分離ガスを吐出する。また第１の処理領域及び第２の処理領域に夫々対応する真空容器の側壁部位に一方及び他方の真空排気口を形成する。 （もっと読む）

【課題】シラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に比較的低温で酸化ケイ素膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】以下の式によって表されるアミノシラン前駆体を使用することを含む、酸化剤との反応によるシラン酸化物前駆体の化学気相成長によって基材上に酸化ケイ素膜を形成するための方法：ＲＲ１ＮＳｉＨ３（式Ａ）ＲＮ（ＳｉＨ３）２（式Ｂ）ＳｉＨ３ＲＮ（Ｒ２）ＮＲ１ＳｉＨ３（式Ｃ）式中、Ｒ及びＲ１は、直鎖、分枝又は環状の飽和又は不飽和のＣ２〜Ｃ１０のアルキル基、芳香族、アルキルアミノ基からなる群より選択され；式Ａ及び式Ｃ中において、ＲとＲ１は、環状基（ＣＨ２）ｎになっていてもよく（ｎは１〜６、好ましくは４及び５）、且つＲ２は、一重結合、（ＣＨ２）ｎ鎖、環、ＳｉＲ２又はＳｉＨ２を表す。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の経時変化およびホットキャリア劣化が可及的に小さく、かつオン特性の低下が可及的に小さい薄膜トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ゲート電極３２上に、ゲート絶縁膜３６として、第１ゲート絶縁膜５０と、第２ゲート絶縁膜５１とを形成する。第１ゲート絶縁膜５０を窒化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１を酸化シリコン膜で形成し、第２ゲート絶縁膜５１の表面部にＡｒ含有層５２を形成する。Ａｒ含有層５２に接するように、微結晶シリコン膜６２を形成し、さらにｉ型非晶質シリコン膜６３およびＮ型非晶質シリコン膜６１を形成して、活性層３７を形成する。これによって、高密度に均一に結晶を成長させることができるので、均一でボイドの少ない微結晶シリコン膜６２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】活性ラジカルを使って膜状態の変動の少ない膜を形成する。
【解決手段】基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜の形成方法は、処理ガスを、一または複数のラジカル発生源に供給する工程と、前記一または複数のラジカル発生源の各々において、前記処理ガスから活性ラジカルを形成する工程と、前記活性ラジカルを前記基板表面に供給する工程と、前記基板表面における前記活性ラジカルの反応により、絶縁膜を形成する工程とよりなり、前記活性ラジカルを形成する工程は、前記一または複数のラジカル源の各々の状態を変化させながら実行され、さらに前記絶縁膜内における膜状態の変動を最小化するような最適状態を、前記一または複数のラジカル源の各々について、前記絶縁膜の状態に基づいて求める工程と、前記一または複数のラジカル源の各々の状態を、前記最適状態に設定して基板表面に絶縁膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法を説明する。この方法は、無炭素ケイ素含有前駆体を活性窒素および／または水素前駆体と混合するステップと、ケイ素窒素水素含有層を基板上に堆積するステップを含みうる。次に、ケイ素窒素水素含有層をケイ素酸素含有層に変換することが、オゾン含有雰囲気中で低温アニール（「硬化」）によって開始される。このオゾン含有雰囲気中でのケイ素窒素含有膜の酸化ケイ素への変換は不完全でもよく、酸素含有環境中でより高温のアニールによって増大させることができる。
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【課題】 低温下であっても、高い成膜レートを維持しつつ、低コストで膜厚均一性の良好な絶縁膜を形成する。
【解決手段】 基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内に所定元素を含む第１の原料ガスと所定元素を含む第２の原料ガスとを供給し排気することで、基板上に所定元素含有層を形成する工程と、処理容器内に第１の原料ガスおよび第２の原料ガスとは異なる反応ガスを供給し排気することで、所定元素含有層を酸化層、窒化層または酸窒化層に改質する工程と、を交互に繰り返すことで、基板上に所定膜厚の酸化膜、窒化膜または酸窒化膜を形成する処理を行う工程と、処理済基板を処理容器内から搬出する工程と、を有し、第１の原料ガスは第２の原料ガスよりも反応性が高く、所定元素含有層を形成する工程では第１の原料ガスの供給量を第２の原料ガスの供給量よりも少なくする。 （もっと読む）

【課題】プラズマ発生のために誘導結合型の電極を用いることにより、プラズマ形成ボックス内の壁面がエッチングされることを防止することが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた筒体状の処理容器１４と、複数の被処理体Ｗを保持して前記処理容器内へ挿脱される保持手段２２と、前記処理容器内へガスを供給するガス供給手段３８と、前記ガスをプラズマにより活性化する活性化手段６０とを有して前記被処理体にプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理装置において、前記活性化手段は、前記処理容器の長手方向に沿って設けられるプラズマ形成ボックス６４と、前記プラズマ形成ボックスに沿って設けられる誘導結合型の電極６６と、前記誘導結合型の電極に接続された高周波電源６８とよりなる。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

【課題】電離電圧の高い放電ガスを用いながら、アーク放電を効率よく短時間に発生させ、薄膜素子を効率よく製造する。
【解決手段】圧力勾配型アーク放電プラズマガン10を用いてプラズマを発生させる。プラズマガン10は、陰極1と、第１、第２および第３中間電極2,3,7と、陽極4とを備える。陰極1と第１中間電極間2に電圧を印加してグロー放電を発生させた後、順次、第２中間電極3、第３中間電極7、陽極4に所定のタイミングで電圧を印加していき、陰極1との間にグロー放電を生じさせ、その後放電電流を上昇させることによりグロー放電をアーク放電に移行させる。これにより、３つの中間電極を備えた構成であっても短時間にグロー放電を安定して生じさせることができ、アーク放電に移行させることができる。 （もっと読む）

【課題】低い蒸気圧を有する、高粘度の又は固体の有機金属前駆体のＤＬＩのための、改良された組成物の開発に関して、継続した必要性が未だ存在している。
【解決手段】次の（ａ）及び（ｂ）を含有する配合物：（ａ）一以上の配位子が、β−ジケトナート、β−ケトイミナート、β−ジケトエステラート、β−ジイミナート、アルキル、カルボニル、アルキルカルボニル、シクロペンタジエニル、ピロリル、アルコキシド、アミジナート、イミダゾリル、及びこれらの混合物からなる群より選択される金属−配位子錯体であって、その金属が元素周期表の２族〜１６族の元素から選択される、少なくとも一つの金属−配位子錯体；及び（ｂ）Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３ＯＲ^４ＮＲ^５Ｒ^６、Ｒ^１ＯＲ^４ＮＲ^５Ｒ^６、Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^１、Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、Ｒ^１Ｒ^２ＮＲ^３ＯＲ^４Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ、Ｏ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２ＮＲ^１ＯＲ^２Ｎ（ＣＨ_２ＣＨ_２）_２Ｏ及びこれらの混合からなる構造から選択されるアミノエーテルであって、Ｒ^１〜６は、Ｃ_１〜１０直鎖アルキル、Ｃ_１〜１０分岐鎖アルキル、Ｃ_１〜１０環状アルキル、Ｃ_６〜Ｃ_１０芳香族、Ｃ_１〜１０アルキルアミン、Ｃ_１〜１０アルキルアミノアルキル、Ｃ_１〜１０エーテル、Ｃ_４〜Ｃ_１０環状エーテル、Ｃ_４〜Ｃ_１０環状アミノエーテル及びこれらの混合物からなる群より個々に選択されるアミノエーテル。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの発生を停止した際の気化器内における液体原料の残留を抑制し、液体原料供給経路内の洗浄を容易に行うことが可能な気化器を提供する。
【解決手段】気化器２２９ｓ，２２９ｂ，２２９ｔは、液体原料を気化する気化室５１ｓ，５１ｂ，５１ｔと、気化室内を加熱するヒータ６１ｓ，６１ｂ，６１ｔと、液体原料を気化室内に噴霧させる噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔと、噴霧ノズル内へのキャリアガス、液体原料および溶媒の供給を制御するバルブと、を有し、該バルブは噴霧ノズル３１ｓ，３１ｂ，３１ｔに直結されている。 （もっと読む）

【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う絶縁層にボロン元素またはアルミニウム元素を含ませる。ボロン元素またはアルミニウム元素を含む絶縁層は、ボロン元素またはアルミニウム元素を含むシリコンターゲットまたは酸化シリコンターゲットを用いるスパッタ法により形成する。また、ボロン元素に代えてアンチモン元素（Ｓｂ）やリン元素（Ｐ）を含む絶縁層で薄膜トランジスタの酸化物半導体層を覆う構成とする。 （もっと読む）

パターン付き基板上に高密度の間隙充填酸化ケイ素を形成するプロセスについて記載する。このようなプロセスは、特に狭いトレンチ内で間隙充填酸化ケイ素の密度を増大させる。密度は、広いトレンチおよび凹んだ開放領域内でも増大させることができる。処理の後では、狭いトレンチと広いトレンチ／開放領域内の間隙充填酸化ケイ素の密度は互いに接近し、エッチング速度の一致度が高まる。この効果は、パターンローディング効果の低減として説明することもできる。このプロセスは、酸化ケイ素を形成し、次いで平坦化するステップを伴う。平坦化により、狭いトレンチに近接して配置された新しい誘電体インターフェースが露出する。新しく露出されたインターフェースは、平坦化された表面をアニールし、かつ／またはプラズマに露出させることによって、高密度化処理を容易にする。
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【課題】電気特性が良好で信頼性の高い薄膜トランジスタをスイッチング素子として用いて信頼性の高い表示装置を作製することを課題の一つとする。
【解決手段】非晶質の酸化物半導体を用いたボトムゲート型の薄膜トランジスタであって、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層と金属材料で形成されるソース電極層及びドレイン電極層のそれぞれの間には、結晶領域を有する酸化物導電層が形成されている。これにより、酸化物半導体層とソース電極層及びドレイン電極層間の接触抵抗を低減することができ、電気特性が良好な薄膜トランジスタ及び、それを用いた信頼性の高い表示装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層、浅いトレンチ分離誘電体層等として使用するための低誘電率を有する酸化珪素層を均一に堆積するための方法と装置とを提供する。
【解決手段】約４００℃未満の基板温度での有機珪素化合物とヒドロキシル形成化合物との反応によって低比誘電体率を有する酸化珪素層を堆積する。これらの低誘電率薄膜は、残留炭素を含んでおり、サブミクロン素子におけるギャップ充填層、プリメタル誘電体層、インターメタル誘電体層および浅いトレンチ分離誘電体層のために有用である。堆積に先立って水あるいは有機化合物からヒドロキシル化合物を調製することができる。酸化珪素層は、約３．０未満の誘電率を有するギャップ充填層を与えるために有機珪素化合物から生成されたライナー層の上に約４０℃未満の基板温度で堆積されることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】プラズマ増強化学気相成長とＴＥＯＳを用いて基板上に高品質の二酸化ケイ素膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】該方法には、ＴＥＯＳ酸化物プラズマを生成するために用いられる高周波パルス電源を供給することにより、基板上の二酸化ケイ素の堆積速度を制御するステップが含まれる。得られた二酸化ケイ素膜は、薄膜トランジスタを形成する応用において電気的及び機械的膜特性が良好である。 （もっと読む）